第八章-反应结晶
合集下载
回复与再结晶

(1)温度 随T↑,晶粒长大 温度一定,晶粒达到一定尺寸后不再长大。 (2)杂质与合金元素 异类原子吸附晶界处,降低晶界能,减少驱动力,阻碍晶粒长大。
第八章: 回复与再结晶
8.4晶粒长大
8.4.1晶粒的正常长大 3.影响晶粒长大的因素 晶粒长大,是通过晶界处的原子扩散迁移实现
(3)分散相粒子 第二相粒子越细小,数量越多,则阻碍晶粒长大能力越强。
8.1.1 显微组织的变化
冷变形金属随加热温度升高组织变化示意图
再结晶后组织恢复到变形前的程度,性能也恢复到变形前的程度 晶粒长大:新晶粒逐渐相互合并长大.
第八章: 回复与再结晶
8.1 冷变形金属及合金在退火过程中的变化
8.1.2 储存能与内应力变化
随T↑,储存能逐渐释放. 再结晶后,形变储存能全部释放.
第八章: 回复与再结晶
8.5 金属的热加工(变形)
8.5.2热加工后的组织与性能
热加工对组织和性能有如下影响: 3.产生带状组织
未热轧的20钢组织:F+P
热轧后的20钢组织:F+P 带状分布
带状组织常在热轧板材、管材中 出现,性能上产生各向异性
第八章: 回复与再结晶
8.3再结晶(recrystallization)
8.3.2 再结晶动力学
第八章: 回复与再结晶
8.3再结晶(recrystallization)
8.3.3 再结晶温度及其影响因素 再结晶温度:经过严重冷变形的金属,在一个小时的退火保温时间内,能完成再结 晶的最低温度(T再).对纯金属T再=0.4T熔 再结晶速度:V再 若T再低,V再快,则再结晶易进行. 影响再结晶的因素如下: 1.加热温度(退火温度) : 退火温度越高,原子扩散越容易进行,V再↑,完成再结晶时间越短. 2.预先变形量 变形度越大,则T再越低 ∵储存能大,再结晶驱动力大.
《结晶学》第8章结晶化学

D
C
C D
B
A
A
B
可以求得
r r
0.732
结论 r 为 0.414 —— 0.732,6 配位 NaCl 式晶体结构。
r
当 r + 继续增加,达到并超过
r
围可容纳更多阴离子时,为 8 配位。r
0.732 Biblioteka ,即阳离子周离子半径比与配位数、晶体类型的关系
若 r + 变小,当
r r
0.414 , 则出现
2、离子化合物晶体(阳离子配位数)
离子晶体中,存在半径不同的阴阳离子。半径较大的阴离子 作最紧密堆积,而阳离子填充其空隙。实际晶体中,阳离子必 须与阴离子相接触晶体才稳定。
+-+ -+- +-+
+-+ -+- +-+
+
+
+
+
+
a 稳定
b介稳状态
c 不稳定
故阳离子是否能稳定填充该空隙,取决于两者的半径比值。 或者说,阳离子的配位数取决于阴阳离子的半径比值。
离子半径比与配位数的关系
从六配位的介稳状态出发, 探讨半径比与配位数之间的关系。
+
A
+
B
D
+
C
+
A
B
D
C
离子半径比与配位数关系
+
A+
+-+
D
C
-+-
+
B
+
+-+
如果r+ 再大些, 则阴离子同号相离, 异号相切的稳定状态.
第八章回复、再结晶和动力学金属热加工-Zhejiang

2. 晶界迁移规律
♥ 晶界向其曲率中心方向移动; ♥ 大晶粒吞食掉小晶粒。
原因: (1)由于晶界能力图降低,弯曲晶界总有自发变直趋势。 (2)为达到晶界张力平衡,三晶交界处总力图互成120°。 (3)多边形晶粒一般少于6条边的为小晶粒,多于6条边的一般为大晶粒。
详细分析(参考):
取椭球晶粒沿短轴方向中一扇形柱面,晶界表面 张力为,则界面作用力为l。
五、再结晶的应用 再结晶退火。 软化组织。在冷变形之间退火,便于进一步冷变形,称中间热处理。 细化组织。将铸态粗大枝晶通过变形再结晶得以细化,同时消除枝晶偏析。 去除应力。比去应力退火消除应力作用更有效。
§8-4 再结晶后的晶粒长大
在更高温度下,面缺陷获得了运动条件,大角晶界自发减少,造成晶粒长大。 晶粒长大驱动力:晶界能的降低。 一、正常长大 1. 组织变化
1
2015-11-7
二、再结晶温度 1. 理论再结晶温度 冷变形金属能够发生再结晶的最低温度,或能够使再结晶形核的温度。 无实际意义,因为无法检测到何处出现第一个再结晶晶粒。 2.实际再结晶温度 冷变形量大于70%的金属经1小时退火能完成95%以上再结晶的退火温度。 除特别指明外,一般情况下提及的再结晶温度均指实际再结晶温度。 3.估算再结晶温度 较强冷变形退火的工业纯金属可根据其熔点估算再结晶温度: T再≈(0.35~0.40)Tm (K)
晶粒长大阶段 组织变化:晶粒长大;再结晶织构;退火孪晶 性能变化:强度、硬度下降趋势变缓;塑性稍 有升高或保持不变,若晶粒粗化严重还会使塑性 下降;电阻率及密度基本不变或稍有升高。
§ 8-2 回复
回复:冷变形晶体加热时光学显微组织改变前的微观结构变化过程。
一、低温回复(0.1~0.3)Tm 主要表现:过饱和空位浓度下降(如何下降?)。 二、中温回复(0.3~0.5)Tm 主要表现:同一滑移面上的异号位错相互抵消,位错密度略有下降。 三、高温回复>0.5Tm 主要表现:位错运动,多边形化,形成亚晶。 四、回复的应用:去应力退火
第八章 结晶

第八章 结晶
第一节 概述
一、基本概念
结晶:使溶于液体中的固体溶质从溶液中析出晶体的单元操作。
二、结晶的应用
用于分离提纯,它不仅能从溶液中提取固体物质,而且能使溶质 和杂质分离,提高纯度。结晶产品外表美观,形状规则,便于包装、 运输和储存,生产装置方便、经济,在化工生产中有广泛应用。
三、与结晶联用的其他操作
控制过饱和度、控制温度、控制压力 控制晶浆固液比、缓慢控制平稳运行、防止结垢结疤
蒸发—满足结晶条件 过滤、沉降、离心分离—提纯、防止形成晶簇
第二节 结晶的基本原理 一、结晶相关基本概念
1.溶解度
在一定的温度压力下,物质在一定量溶剂中溶解的最大量。 •固体溶解度:在一定温度下于100g水(或其他溶剂)溶解溶质的最多克数。
2.饱和溶液
在一定温度下,溶质在溶剂中溶解的量达到最大时的溶液,即达到溶 解度的溶质,就是饱和溶液。
1、结晶的过程
溶质从溶液中结晶出来,要经历两个步骤: 晶核形成:首先要产生微观的晶粒作为结 晶的核心,这个核心称为晶核。 晶体成长:晶核形成后,晶核长大,成为 宏观的晶体,这个过程称为晶体成长。
2、结晶的动力
成核过程和晶体成长过程,都以溶液的过饱和 度作为推动力。
3、成核形式
成核可分为三种形式:初级均相成核、初级非 均相成核及二次成核。 二次成核:在溶液中含被结晶物质晶体的条件 下出现的成核。二次成核主要是接触成核,在 工业结晶器中的成核大都属于接触成核。
主体是一敞口或闭式的长槽,底部半圆形。 槽外装有水夹套,槽内则装有长螺距低速 螺带搅拌器。全槽常由2~3个单元组成。
1—结晶槽;2—水槽(冷却水夹套)
3—搅拌器;4,5—接管
(2)工作原理
第一节 概述
一、基本概念
结晶:使溶于液体中的固体溶质从溶液中析出晶体的单元操作。
二、结晶的应用
用于分离提纯,它不仅能从溶液中提取固体物质,而且能使溶质 和杂质分离,提高纯度。结晶产品外表美观,形状规则,便于包装、 运输和储存,生产装置方便、经济,在化工生产中有广泛应用。
三、与结晶联用的其他操作
控制过饱和度、控制温度、控制压力 控制晶浆固液比、缓慢控制平稳运行、防止结垢结疤
蒸发—满足结晶条件 过滤、沉降、离心分离—提纯、防止形成晶簇
第二节 结晶的基本原理 一、结晶相关基本概念
1.溶解度
在一定的温度压力下,物质在一定量溶剂中溶解的最大量。 •固体溶解度:在一定温度下于100g水(或其他溶剂)溶解溶质的最多克数。
2.饱和溶液
在一定温度下,溶质在溶剂中溶解的量达到最大时的溶液,即达到溶 解度的溶质,就是饱和溶液。
1、结晶的过程
溶质从溶液中结晶出来,要经历两个步骤: 晶核形成:首先要产生微观的晶粒作为结 晶的核心,这个核心称为晶核。 晶体成长:晶核形成后,晶核长大,成为 宏观的晶体,这个过程称为晶体成长。
2、结晶的动力
成核过程和晶体成长过程,都以溶液的过饱和 度作为推动力。
3、成核形式
成核可分为三种形式:初级均相成核、初级非 均相成核及二次成核。 二次成核:在溶液中含被结晶物质晶体的条件 下出现的成核。二次成核主要是接触成核,在 工业结晶器中的成核大都属于接触成核。
主体是一敞口或闭式的长槽,底部半圆形。 槽外装有水夹套,槽内则装有长螺距低速 螺带搅拌器。全槽常由2~3个单元组成。
1—结晶槽;2—水槽(冷却水夹套)
3—搅拌器;4,5—接管
(2)工作原理
中科大《结晶化学导论》第8章——唐凯斌2015

具有该结构的化合物:AlPt, AuBe, CoGe, CoSi, FeGe, GaPd, GeMn, GeRh, HfSb, HfSn, RhS, SbZr, SiTc
2、FeS2(黄铁矿)结构
S2-占据Cl-位置, 空间群Pa3。
具有该结构的化合物: MgO2,CdO2,ZnO2等
3、CaC2结构
纤锌矿ZnS:S离子为A3最密堆积,Zn离子填在一半 的四面体空隙。堆积方式为:沿[001]方向:Aa Bb Aa
Bb Aa Bb…..
-闪锌矿或纤锌矿结构的AB型化合物。 -闪锌矿或纤锌矿无序或有序超结构的化合
物。
-闪锌矿或纤锌矿无序或有序缺陷超结构的 化合物。
-闪锌矿或纤锌矿结构的AB型化合物。
1、过渡金属硫化物、硒化物、碲化物,如TiS,FeS, VSe,NiSe,CrTe,MnTe等。
2、合金体系,如CuSn,MnBi,NiSb,PdSn等。
3、六方NiAs结构的正交变体结构,如CrP,FeP, MnP,MnAs,VAs,CoAs等。
4、NiAs型有序超结构化合物 1) 阳离子交替占据在阴离子层间,对称性由 P63/mmc降低为P3m1, 如LiCrS2 等。 2) 阳离子空位有序, 如Cr2S3,Cr5S6等。
LiInO2结构, 空间群I41/amd, aac, c 2ac
LiNiO2结构, 空间群R3m, a ac/21/2, c 2•31/2ac
- NaCl型结构衍生相 1、FeSi结构(空间群P213)
(0,0,0), (1/2,1/2,0), (1/2,0,1/23;x,1/2-x,-x), (1/2-x,-x,1/2+x), (-x,1/2+x,1/2-x)
第八章第二节结晶分离

接触成核:当晶体与其他固体物接触时所产生的晶体表面 的碎粒。
在工业结晶器中,晶体与搅拌桨、器壁间的碰撞,以及晶 体与晶体之间的碰撞都有可能发生接触成核。
添加晶种诱导晶核形成
通常方法: 现成的晶体,可将其研碎,加入少量的溶剂,离心除去大颗粒 ,再稀释使之处于低饱和状态,这时悬浮液中具有许多小晶 核,将其倒入到待结晶的溶液中,经过轻轻搅拌后放置一段 时间即有结晶析出。 少量的待结晶液体进行蒸发,待产生晶体后再行加入.
2. 晶核的形 成
当介质达到过饱和状态后,溶液中便产生细 小晶粒(称为晶核)。晶核的形成是晶体生 长过程必不可少的核心。
3.晶体的生长
在过饱和溶液中,溶质质点在过饱和度推动 力的作用下,向晶核或加入的晶种运动,并 在其表面有序堆积,使晶核或晶种不断长大 形成晶体。
1. 达到过饱和状态
在一定温度下,向一定量溶剂里加入某种溶质,当溶质 不能继续溶解时,所得的溶液叫做这种溶质的饱和溶液。
晶体生长过程
(1)待结晶溶质借扩散作用穿过靠近晶体表面的静止液层, 从溶液中转移至晶体表面。
(2)到达晶体表面的溶质嵌入晶面,使晶体长大,同时放 出结晶热。
(3)放出来的结晶热传导至溶液中。
三、晶体形成的条件
1. 溶质的性质
各种有机酸、单糖、核苷酸、氨基酸、维生素、 辅酶等分子量子较小,结构比较简单的物质,当 其纯度达到一定程度后,一般都可以结晶成分子型 或离子型的晶体。
一次成核分为非均相和均相一次成核。
均相一次成核:是在均相过饱和溶液中自发产生晶核 的过程。
非均相一级成核:在非均相过饱和溶液中自发产生晶 核的过程。实际上溶液中有外来固体物质颗粒,如大 气中的灰尘或其他人为引入的固体粒子,这些外来杂 质粒子对一次成核过程有诱导作用.非均相成核可在 比均相成核更低的过饱和度下发生。
在工业结晶器中,晶体与搅拌桨、器壁间的碰撞,以及晶 体与晶体之间的碰撞都有可能发生接触成核。
添加晶种诱导晶核形成
通常方法: 现成的晶体,可将其研碎,加入少量的溶剂,离心除去大颗粒 ,再稀释使之处于低饱和状态,这时悬浮液中具有许多小晶 核,将其倒入到待结晶的溶液中,经过轻轻搅拌后放置一段 时间即有结晶析出。 少量的待结晶液体进行蒸发,待产生晶体后再行加入.
2. 晶核的形 成
当介质达到过饱和状态后,溶液中便产生细 小晶粒(称为晶核)。晶核的形成是晶体生 长过程必不可少的核心。
3.晶体的生长
在过饱和溶液中,溶质质点在过饱和度推动 力的作用下,向晶核或加入的晶种运动,并 在其表面有序堆积,使晶核或晶种不断长大 形成晶体。
1. 达到过饱和状态
在一定温度下,向一定量溶剂里加入某种溶质,当溶质 不能继续溶解时,所得的溶液叫做这种溶质的饱和溶液。
晶体生长过程
(1)待结晶溶质借扩散作用穿过靠近晶体表面的静止液层, 从溶液中转移至晶体表面。
(2)到达晶体表面的溶质嵌入晶面,使晶体长大,同时放 出结晶热。
(3)放出来的结晶热传导至溶液中。
三、晶体形成的条件
1. 溶质的性质
各种有机酸、单糖、核苷酸、氨基酸、维生素、 辅酶等分子量子较小,结构比较简单的物质,当 其纯度达到一定程度后,一般都可以结晶成分子型 或离子型的晶体。
一次成核分为非均相和均相一次成核。
均相一次成核:是在均相过饱和溶液中自发产生晶核 的过程。
非均相一级成核:在非均相过饱和溶液中自发产生晶 核的过程。实际上溶液中有外来固体物质颗粒,如大 气中的灰尘或其他人为引入的固体粒子,这些外来杂 质粒子对一次成核过程有诱导作用.非均相成核可在 比均相成核更低的过饱和度下发生。
结晶学 第八章 面缺陷

7
图8.1.2 肖克莱位错
8
图8.1.3 负弗兰克位错
9
图8.1.4 正弗兰克位错
10
全位错与不全位错的区别: 全位错:位错的滑移矢量长度等于一个原子间距 不全位错:位错的滑移矢量长度小于一个原子间距 晶格畸变程度:层错<不全位错<全位错 层错的最近邻关系没有发生变化,只是次近邻 关系发生了变化,层错部位几乎不产生弹性形 变。
21
如果交界面是任意的(h k 0) 面,称为非对称的倾斜晶界。
这种晶界可由柏氏矢量分别为 b1 = [100]和 b2 = [010]的两组平 行的刃型位错来表示。
图8.2.2 非对称的倾斜晶界
22
另外由两组正交的 螺型位错线可以形成 扭转晶界,也满足关 系式)
图8.2.3 螺型位错形成的扭转晶界
滑移区 不 层错区 全 a a [110] 位 [ 21 1 ] 6 2 错
不 全未滑移区 位 错
夹在他们之间的区域为层错区。这种形式的两条不全位错称作扩 展位错。
图8.1.7 扩展位错
15
8.1.4 金刚石结构堆垛层错及不全位错的原子排布特点
金刚石结构可以看作是由两套面心立方子格子套构而成,正 常的堆垛次序为AA ́ 、BB ́、CC ́、AA ́……
δ
29
30
总之,晶界、相界、堆垛层错等二维面状晶体缺陷称为 晶体中的面缺陷。 在讨论面缺陷的形态和性能时,常把面缺陷化为一系列 的位错来处理。 因为: ① 人们对位错的形态、性能了解的比较透彻,研究方便; ② 小角晶界等面缺陷,经观测表明,的确是由一系列位错 排列而成。
31
如果相界两侧的晶格在夹角上有差异 δ ′ = 则相界面产生螺位错的间距为 D = b sin θ
图8.1.2 肖克莱位错
8
图8.1.3 负弗兰克位错
9
图8.1.4 正弗兰克位错
10
全位错与不全位错的区别: 全位错:位错的滑移矢量长度等于一个原子间距 不全位错:位错的滑移矢量长度小于一个原子间距 晶格畸变程度:层错<不全位错<全位错 层错的最近邻关系没有发生变化,只是次近邻 关系发生了变化,层错部位几乎不产生弹性形 变。
21
如果交界面是任意的(h k 0) 面,称为非对称的倾斜晶界。
这种晶界可由柏氏矢量分别为 b1 = [100]和 b2 = [010]的两组平 行的刃型位错来表示。
图8.2.2 非对称的倾斜晶界
22
另外由两组正交的 螺型位错线可以形成 扭转晶界,也满足关 系式)
图8.2.3 螺型位错形成的扭转晶界
滑移区 不 层错区 全 a a [110] 位 [ 21 1 ] 6 2 错
不 全未滑移区 位 错
夹在他们之间的区域为层错区。这种形式的两条不全位错称作扩 展位错。
图8.1.7 扩展位错
15
8.1.4 金刚石结构堆垛层错及不全位错的原子排布特点
金刚石结构可以看作是由两套面心立方子格子套构而成,正 常的堆垛次序为AA ́ 、BB ́、CC ́、AA ́……
δ
29
30
总之,晶界、相界、堆垛层错等二维面状晶体缺陷称为 晶体中的面缺陷。 在讨论面缺陷的形态和性能时,常把面缺陷化为一系列 的位错来处理。 因为: ① 人们对位错的形态、性能了解的比较透彻,研究方便; ② 小角晶界等面缺陷,经观测表明,的确是由一系列位错 排列而成。
31
如果相界两侧的晶格在夹角上有差异 δ ′ = 则相界面产生螺位错的间距为 D = b sin θ
第八章+食品的浓缩与结晶技术

1
6.87 0.855 11.2 1.4 575 126
28 536 690 270
蒸发效数
2
3
3.23
2.07
0.404
0.259
9.7
13.3
1.21
1.66
201
109
185
230
40
52
188
102
413
384
270
380
4
1.57 0.182 16.7 2.09
76 300 55 73 428 500
四、蒸发浓缩过程的节能与多效蒸发
单效真空蒸发广泛应用于食品浓缩。其最大优点就是容易操作 控制;可依据物料的粘性、热敏性等,控制蒸发温度和蒸发速率; 由于物料在单效蒸发器内停留时间长,会带来热敏性成分的破坏, 且物料在不断地浓缩,其沸点也随浓度的提高而增大,黏度也随 浓度和温度的变化而变化,因此浓缩过程要合理选择和控制蒸发温 度。由于液层静压效应,从而引起的液面下局部沸腾温度高于液 面上的沸腾温度,同时因料液黏度增大,物料在蒸发过程中湍动 小,更易增大温度差异,甚至加热面附近料液温度接近加热面温 度,引起局部结垢、焦化,严重影响热传递。
单效蒸发还存在热耗高,传热面积不能太大等特点,限制其蒸 发能力的提高。对于生产量很大的现代化大型食品加工厂,真空 多效蒸发显示出了其更大的优越性。
1.多效真空蒸发的特点
①在真空条件下,液体的沸点低,有利于增大加热蒸汽与液体 之间的温差,增大传热效率,减少传热面积; ②物料在较低温度下蒸发,可以减少对热敏性物料的破坏; ③便于采用低压蒸汽和废热蒸汽作为热源,降低能耗,提高生 产效率。 ④真空蒸发需要配备真空系统,会增大设备投资及动力消耗。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
混合过程与结晶过程
• 在离子溶液的反应结晶过程中,反应沉淀过程是非常快的。 一般来说,达到微观混合的时间是和反应沉淀过程是相同 的级别。甚至混合时间要大于反应沉淀时间, • 例如:双进料的硫酸钡反应结晶过程使用较低的反应物浓 度(4.5mmol/ml),喂料至搅拌桨上部并快速地搅拌,这 种过程达到微观混合的时间 τ w 是成核的特征τ 时间的九 n 倍,即 τ w ﹥﹥ τ n , • 这就意味着在喂料区域内,晶核的浓度大于在主体溶液晶 核的浓度。 • 这也是说成核过程绝大部分是在喂料附近而发生。在这样 的一个过程中,混合过程控制着反应结晶的过程,所以在 沉淀反应过程的模型中,混合过程的模型必须被考虑在内, 甚至用混合过程模型来描述反应结晶过程。
a ± = (x y )
Cf ±
f ± = (f zx f zy )1 (x + y)
• 活动系数的计算,文献中有很多不同的方法,一般对稀 溶液来说 0.5
log10 (f ± ) = −A DH zz'I
•
I为溶液的离子力,
I= 1 ∑ Ci z i2 2
• Ci为离子i的浓度,zi是它的电荷数 • ADH时随温度而变的常数,
– 喂料区域, 快速的反应产生很高的局部过饱和 度,因此可能产生初级成核。 – 搅拌浆区域:在这个区域,能量消耗速率比较 高,因此可能产生较多的二次成核 – 主体流动区域。
中间混合状态(Mesomixing
• 中间混合状态是宏观混合与微观混合之间 的一种混合状态,是从宏观混合过渡过微 观混合的一个过程,这种混合的机理非常 复杂,
xA z + + yBz '− ↔ A x By
(solid)
• 对电荷平衡 xz = yz’ • 在第二种情况下,热力学平衡用溶解积来表示, 一般来说溶解积为温度的常数
x y ka = a Ae aBe
• a Ae为阳离子 A z + 的活度,a Be 为阳离子B z '−的活度 (平衡状态) z+ z '−
A B e e
z'-
z+
x
y
• 平衡状态下 溶液的浓度积 • 其平衡摩尔浓度 • 对非常难溶的物质
Ka Kc = x y fz fz'
K C* = x C y x y
1 (x + y)
f ± = 1,
Ka = Kc
溶解度与颗粒尺寸的关系(Ostwald)
不同的加料位置
• 通过模拟计算以及实验验证如图所示,对一个半间歇式的 反应结晶器,如果其喂料点不同,其得到的产品的质量不 同。 • 第一种加料方式,如果喂料浓度相对较高,产品的平均粒 径随间歇操作时间,搅拌强度,反应物的喂料流率增加而 增加,在较低的喂料浓度下,以上这些参数对产品的颗粒 平均没有什么影响,但CV值随浓度的增加而增加。 • 第二种喂料方式,产品中颗粒的尺寸的变化趋势和上述的 第一种情况类似,但产品的平均粒径相对较小,其平均粒 径随操作条件的变化变敏感,甚至在较低的喂料浓度下, 操作条件对产品的粒度也会有明显的影响,从图中可以看 到,在不同的操作方式下,过饱和度随时间的变化曲线, 因此可见操作方式对结晶过程的影响。
反应结晶推动力
• • 溶解度 反应结晶过程可能有两种反应过程
– 化学反应导致了一种较小溶解度的物质P然后结晶,即
A + B ⇔ P ⇔ S ( solid )
反应过程可以在平衡状态或者以有限的速率进行反应。在这种情况下, 组分P的溶解度可以用在水溶液中的摩尔浓度来表示。一般来说是温 度的函数。 – 化学反应不生成任何微溶解度的物质,而反应后直接反应产生许 多离子反应,产生难溶物质的过程属于这一类
– 宏观混合(macromixing):流体的分散由速度 场产生。混合时间一般为1-10 秒。 – 中间混合状态(mesomixing), 混合时间约为 0.1 – 1秒。 – 漩涡的伸展与旋转,和分子扩散,
• 漩涡,0.02 -0.001 秒,扩散0.01-0.001 秒
宏观混合
• 宏观混合可以定义为整个流场的主体流动 对各物质浓度局部平均值的贡献。 从宏观 混合的角度考虑,结晶器可分为三个区域:
反应结晶过程
第八章
反应(沉淀)结晶
• 沉淀反应不同于一般的结晶过程。 沉淀反应不同于一般的结晶过程。其饱和度不 是用物理的方法而产生。(如蒸发、冷却等)。 。(如蒸发 是用物理的方法而产生。(如蒸发、冷却等)。 其饱和度的产生用由两个或两个以上的可溶性 物质的反应而产生一种难容物质, 物质的反应而产生一种难容物质,从而进行的 结晶过程沉淀结晶的特征: 结晶过程沉淀结晶的特征:
– 反应过程动力学, – 结晶过程动力学。
• 成核、成长、熟化 • 聚并及破碎。
反应动力学
• 对化学反应,生产难溶物质P的反应,可表 示为 ν A+ν B=ν P +ν R
A B P R
– A 和B为反应物,P为一种难溶物质,R也许是 一种可溶性物质。
• 对这样的化学反应,其反应速率可用γ来表 示: α β
– 大的涡流由提供能量的设备部分产生, – 大涡流的分离而形成小的涡流,是一个从宏观 尺寸为基础的大涡流转化成小涡流的过程, – 从而达到微观混合的状态。
微观混合
• 微观混合可以被认为是一个在涡流流体微团内或 在层流内不稳定分子扩散,溶解的反应物被加到 一个相对大的惯性流动的主体溶液的液流中,这 个惯性流动的涡流提供了一个微观混合的环境, 最初的溶液反应物在涡流中的浓度依赖于混料管 的直径和喂料速率和主体溶液的流速。 • 微观混合的时间可以用 Tw = 12(γ ) 来估算 ε ε 单位质量流体的能量消耗速率。 γ 动力学粘度 γ = µ
µ = xµA + yµB
µA = µA0 + RT ln(a A )
为Az+ 安定Bz‘-在溶液中的化学势。
µB = µB0 + RT ln(a B )
• 结晶过程的推动了,对离子固体而言
x y a Aa B ∆µ = x( µA -µ A *)+y(µB − µB *)=RT ln x y a*A a*B x y a Aa B ∆µ =RT ln Ka
• 反应结晶在结晶器内的发生过程
– 反应物的加入 – 反应物在溶液中的混合过程:只有在反应物的 离子(或分子)相接触时反应才能发生 – 反应过程 – 成核过程 – 成长过程
• 混合过程在反应结晶过程尤为重要
混合状态
• 在结晶其内的混合状态必须要加以考虑, 其过程的进程直接影响反应结晶过程。 • 就混合过程而言, 其可分为
沉淀反应结晶的操作方式
• 沉淀反应过程可以大致分为四种方式:
– 间歇:即在反应物A中一次加入全部的反应物B, 进行间歇操作。 – 半间歇:单反应物喂料,在反应物A中,逐渐 加入反应物B。 – 半间歇:在原有一定反应物A(或反应完成物R) 内逐渐加入反应物A和反应物B。 – 连续
混合状态对反应结晶的影响
γ = k r CA CB
• 一般,α、β、Kr由实验而测得
结晶动力学
• 关于结晶动力学的知识在前面已经介绍,这里仅 对反应结晶过程中结晶动力学的特征来介绍一下。 • 初级成核是反应结晶中最明显的特征,一般来说, 由冷却和其他的物理方法获得的最大过饱和度的 值都是非常小的,因此其初级成核的量相对也较 小,但在反应结晶过程中,因反应速率非常的快 导致局部过饱和度非常高,特别是在喂料点附近, 这些过饱和度都会大大超过一般意义上的临界过 饱和度,而发生局部非常多的初级成核。
1 2
ρ
反应时间,初级成核诱发时间
• 一般沉淀反应时间非常的快,因此反应的 进程主要是反应物混合时间的控制。 • 初级成核是从溶液中形成新晶体的过程, 一般来说需要一定的诱发时间,这一时间 一般也比较快,对离子反应,在1秒钟以内, 与反应物的浓度相关。 • 因此如果混合过程控制了反应过程,可以 控制成核速率。从而控制产品的粒度。
– – – – – – 一般反应过程非常迅速,产品物质的溶解度非常小 结晶过程的过饱和度非常高 结晶过程的进程非常快:成核、成长 一般会伴随其它过程。如ostward ,ripening(熟化过 程)和聚并过程。其过程都是同时进行。因此存在过 程的机理很难分清 成核一般为初级成核、二次成核的比率很小大量的细 小晶体产生成核过程起着很大的作用 反应物的混合物过程—微观混合;宏观混合过程等对 沉淀反应结晶存在很大影响
L小于1 微米,
过饱和度
• 定义:在反应结晶过程中的过饱和度的定 义是和一般的溶液结晶过程一样,
C S= C* or C-C* C σ= = −1 = S −1 C C*
C浓度在溶液中的浓解度 C*为平衡状态下的溶解度 • 其中的关键是我们怎样确定溶液中结晶物 质的浓度和平衡状态下的浓度。
• 一般来说在反应结晶器中的过饱和度非常高,相对过饱和 度一般用来计算初级成核,由此可见初级成核的速率非常 的高,在反应结晶过程中,由于反应的速度非常的快,局 部的过饱和度非常的大。成核也较高。 • 结晶过程的推动力是溶质在溶液中的化学势与溶质在固体 上的化学势差, • 在平衡状态下。这两种化学势是相等的,即在平衡状态下 溶质在固体上的化学势可以用平衡状态下溶质在溶液中的 化学是来表示 • 一般某种物质在溶液中的化学势可表示为
µ = µ0 + RT ln a
µ0 为结晶物质在标准状态的化学势,a 为活度。
• 因此,理论上的过饱和度, 应为以活度表示的过饱和度, 对“分子”结晶过程
µ − µ * = RT ln
a a*
• 但是,对离子晶体,正负离子在参与反应过程中的系数必 须要考虑 xA z + + yBz '− ↔ A x By (solid) 离子在溶液中的化学势可表示为: