六级能效电源管理芯片DK1208规格书
上电启动结束后，为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和，功率管和 次级整流管应力过大，芯片内置软启动电路，在软启动时初级峰值电流最大为 0.5 倍最 大峰值电流。
准谐振输出:
一个 PWM 周期由 3 部分组成： 1:电感充电（开关管开通）阶段，T1 = Lp * Ip ； Vin 2:电感放电阶段（开关管关闭）T 2 = Lp * Ip ; Vvor 3:OC 谐振阶段，谐振周期为：T = 2π Lp *Coc 。
1K 4K7 10K 9.7K 20K
位号 F1 D1~D4 D5 D6 C1 C4 C6 C7 L2 C3 C5 C8 C9 R1 R2 R3 R4 R5 R6
数量 1 4 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
1 1 1
备注
精度1% 精度1% 精度1%
7 １３７５１０６９６４８ 宋政 ＱＱ：１２４８５６５５０７
IS 大 Ip 电流为 Vlim/RS；接法 2：IS 脚直接接地，最大 Ip 电流固 定为 700mA。
OC 输出引脚，连接芯片内高压功率管，外部与开关变压器相连。
极限参数
供电电压 VDD ………………………………………………………………… -0.3V--8V
供电电流 VDD …………………………………………………………………. 100mA
DK1208——12W 高性能准谐振开关电源控制芯片
电气参数
项目符号 工作电压VCC 启动电压VCC_Start 重启电压VCC_Min 保护电压VCC_Max 工作电流I 启动电流I_Start 启动时间T_Start 功率管耐压 Vor保护电压Vor_Max IS 最大电压 Vlim PWM输出频率F_PWM 短路保护阀值Vfb_H 待机阀值电压Vfb_L 温度保护 前沿消隐时间Ton_Leb 最小开通时间Ton_Min 最大开通时间Ton_Max 最小关闭时间 Toff_Min 待机功耗 内置电阻最大Ip电流
SLEEP 模式:
为实现超低待机功耗，芯片设计了 SLEEP 模式时，当输出功率逐渐下降到 50mW 以 下时，芯片进入 SLEEP 模式。可以实现系统超低的待机功耗（<80mW）。
自供电：
芯片使用了专利的自供电技术，控制VDD的电压在4.7V左右，提供芯片本身的电流 消耗，无需外部辅助绕组提供。自供电电路只能提供芯片自身的电流消耗，不能为外部 线路提供能量。
变压器设计（只作参考）
变压器设计时，需要先确定一些参数:
（1）输入电压范围
AC85～265V
（2）输出电压、电流 DC5.2V/2A
1:反激电压VOR选择：
DK1208中VOR最大值为133V，为防止干扰，输出保护电压应当大于输出电压的1.2倍， 即正常工作时Vor取值最大为：133/1.2=110V；输出保护电压应当小于输出电容的耐压 值。当输出电容耐压10V时，Vor取值最小为：133*5.2/10=70V。本设计取Vor=80V。
工作温度
………………………………………………………. -25 ° C--+125 ° C
储存温度
………………………………………………………. -55 ° C--+150 ° C
焊接温度
……………………………………………………………. +280 ° C/5S
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2：RS计算：
系统PWM输出为准谐振模式，输出电压越低，频率越慢，需要的Ip电流越大。在低 压准谐振时，RS的阻值计算公式如下：
RS = 0.135*Vin _ min*Vor *******（1）， Po *(Vin _ min+Vor)
Po：
输出功率
Vin_min: 交流输入电压经过滤波后直流电压平均值，这个电压和输入滤波电容有
DK1208——12W 高性能准谐振开关电源控制芯片
10
光耦
11
电压基准
12
IC
13
变压器
0.56 PC817C TL431 DK1208 EF20
Rs
1
IC2
1
IC3
1
IC1
1
T1
1
精度1%
注意事项
1、功率器件是需要散热的，芯片的主要热量来自功率开关管，功率开关管与引脚 78相连接，所以在PCB布线时，应该将引脚78外接的铜箔的面积加大并作镀锡处理，以 增大散热能力。
关，在AC85V时，Vin_min=85*0.9*1.414-20=86V。输入滤波电容默认为2uF/W,用到3uF/W
电压可适当的提高。
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DK1208——12W 高性能准谐振开关电源控制芯片
Vor:
反激电压。
本设计RS阻值为： RS = 0.135*Vin _ min*Vor = 0.135*86*80 = 0.538 ≈ 0.54 Po *(Vin _ min+Vor) 5.2* 2*(86 + 80)
DK1208——12W 高性能准谐振开关电源控制芯片
功能描述
DK1208 是一款符合 6 级能效标准的次级反馈，反激式 AC-DC 高性能准谐振开关电源 控制芯片。芯片内置高压功率管，芯片内还包含有准谐振检测、SLEEP 超低待机、自供 电等电路，并具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功能。芯片采用高集成度的 CMOS 电路设计，具有外围元件极少，变压器成本低（隔离输出电路的变压器只需要两个 绕组）等特点。
引脚电压
…………………………………………………..... -0.3V--VDD+0.3V
功率管耐压 …………………………………………………………... -0.Байду номын сангаасV--730V
IS 最大电压 ....……………………………………………………………… 400mV
总耗散功率 ………………………………………………………………. 1000mW
2、芯片的78引脚是芯片的高压部份，最高电压可达600V以上，所以在线路布置上 要与低压部份保证1.5mm以上的安全距离，以免电路出现击穿放电现象。
3、由于变压器不是理想器件，在制造过程中一定会存在漏感，漏感会影响到产品 的稳定及安全，所以要减小，漏电感应控制在电感量的8%以内，三明治绕线方式可以减 小漏感。
测试条件
最小 典型 最大 单位
AC 输入85V-----265V
4.5 4.7 5.8 V
AC 输入85V-----265V
4.9 5.0 5.2 V
AC 输入85V-----265V
3.4 3.5 3.7 V
AC 输入85V-----265V
5.7 5.8 6.0 V
VCC=4.7V，FB=2.8V
80 mW
700
mA
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DK1208——12W 高性能准谐振开关电源控制芯片
工作原理
上电启动:
芯片内置高压启动电流源；上电启动时当 VDD 电压小于启动电压时，打开三极管对 外部的 VDD 储能电容 C4 充电。当 VDD 电压达到启动电压 VCC_Start 的时候，关闭启动 电流源,启动过程结束，控制逻辑开始输出 PWM 脉冲并检测 IS 电阻，当 IS 接电阻 RS 对 地时,设定最大峰值电流 Ip_Max=Vlim/RS(Vlim 是 IC6 脚内部检测电压最大值)；当 IS 脚直接接地时，设定最大峰值电流为 Ip_Max=700mA；
芯片进入异常保护模式后，关闭 PWM 输出，启动 500ms 定时器。在 500ms 内，VCC 电压下降并维持 4.6V，500ms 后，芯片结束异常状态。
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DK1208——12W 高性能准谐振开关电源控制芯片
典型应用（5V2A 输出离线反激式开关电源）
NC
FB
(DIP-8)
引脚 1 2 3 4 5
6
7,8
符号
功能描述
HV 启动引脚，内部有高压启动线路，应用时悬空。
VCC 供电引脚，外部对地接 10uF-22uF 的电容。
GND 接地引脚。
NC 测试引脚，应用时悬空。
FB 反馈控制端引脚，接 1nF～10nF。 电流检测引脚，接法 1：IS 接电阻对地时,电阻值 RS>0.47Ω,最
过温保护（OTP）：
芯片在内部集成了过温保护功能，如果因外部温度过高或者其它异常原因造成芯片 温度过高，检测到芯片温度超过 130℃，立即启动过温保护，停止输出脉冲，关断功率 管并进入异常保护模式，温度异常解除后恢复正常工作。
初级短路保护：
外部变压器初级线圈的电流过大时，软启动结束后，如果在 PWM 开通 500ns 时检测 到初级线圈电流达到最大峰值电流 Ip_Max，芯片立即关断功率管, 进入异常保护模式。
Vo _ max = 45000* Lp −Vd RS * N
Vo_max：输出保护电压 Lp： 初级线圈电感量 H RS： IS 电阻值Ω N： 初次级匝比 Vd： 次级整流管压降 V 在 IS 接地使用内置电阻时，输出保护电压公式为：
Vo _ max = 86400* Lp −Vd 。 N
异常保护模式:
20 - 70 Khz
FB电压
3.4 3.5 3.6 V
FB电压
0.4 0.5 0.6 V
结温
120 130 140 ℃
VCC=4.7V
250
ns
VCC=4.7V
500
ns
VCC=4.7V，FB=2.8V, AC 输入 85V
15
Us
VCC=4.7V，FB=2.8V, AC 输入 85V
FM1208技术参数
FM1208非接触CPU卡芯片技术手册2008. 5本资料是为了让用户根据用途选择合适的上海复旦微电子股份有限公司（以下简称复旦微电子）的产品而提供的参考资料，不转让属于复旦微电子或者第三者所有的知识产权以及其他权利的许可。
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目录目录 (2)1产品综述 (4)1.1 介绍 (4)1.2 主要特点 (4)1.3 功能框图 (5)1.4 极限参数 (6)1.5 管脚封装 (6)1.6 管脚功能 (6)1.7 ATQA和SAK说明 (6)2芯片工作流程 (7)3存储器配置 (8)4指令集 (10)5订货信息 (11)6版本信息 (12)上海复旦微电子股份有限公司销售及服务网点 (13)1 产品综述1.1 介绍FM1208是复旦微电子股份有限公司设计的单界面非接触CPU卡芯片，产品支持ISO14443-A协议，CPU指令兼容通用8051指令，内置硬件DES协处理器，数据存储器为8Kbyte的EEPROM。
FM1208是符合银行标准的接触式CPU卡，COS同时支持PBOC2.0标准（电子钱包）及建设部IC卡应用规范，具有较好的安全性。
最新-电源管理芯片power20192019介绍 精品
电源管理芯片power1208介绍摘要介绍莱迪思半导体公司推出的业界第一个混合信号的可编程逻辑器件1208的特征、结构和原理。
该器件的特点就是用一颗芯片就可完成对现代集成电路板上复杂电源的管理。
关键词可编程逻辑器件电源管理1208在对现代集成电路板的设计中，设计者们往往要使用一大堆的比较器、电阻器、电容器、定时器和逻辑器来实现对电路板电源的管理，而这样做的后果就是需要花费大量的时间和占用电路板的空间。
而莱迪思半导体公司推出的电源管理器1208就用单颗芯片实现了对电路板电源定序和监控功能完全管理！而且要重新更改设计时，只要对器件的2®配置内存重新编程就可以了。
首先我们先来了解一下莱迪思公司电源管理器系列产品见表1表1器件供电传感输入监督信号输出场效应管驱动器封装-1208124444-引脚-60464-- 44-引脚其中他们的输出节点各为8个和4个。
一．1208结构说明1208它综合了可编程逻辑和模拟的特性，如图10就是其基本组成框图。
它由六部分组成供电监控，场效应管驱动，可编程数字输出，可编程数字输入，可编程定时器，可编程时序和控制逻辑。
每一部分的特点如下1供电监控在供电监控这部分，它有12个精确的可编程门限比较器，每个比较器有192级，步长为1，精度为09。
每个比较器都含有一个低频干扰滤波器，而且每个比较器件都有一个在芯片的精度参考。
2驱动场效应管该部分它含有有4个可编程的高压电泵驱动器，每个驱动器的电流可设置成从05到50的32个不同的值，电压从8到12的8个不同的值。
而且在这部分其引脚可单独设置成开路模式以驱动逻辑电平信号。
3可编程数字输出这部分它提供了4个用于监控和报警的开路输出。
4可编程数字输入这个部分它提供的是4个用于去噪音的数字输入。
5可编程定时器1208它有一个以250频率工作的内置振荡器，并且提供32到524的延时。
六级能效原边反馈开关电源管理icDK1203替换RM63XX系列方案
待机功耗小于 0.3W 频率颤动降低 EMI 滤波成本
◆副边反馈电源驱动 icDK1203 极限参数 供电电压 Vcc ………………………………………………………………………… ……… 0.3V--8V 供电电流 Vcc ………………………………………………………………………… ……… 100mA 引脚电 压 …………………………………………………………………………
2.2、磁心的挑选
1.6
副边反馈电源驱动 icDK1203 先计算出电源的输入功率 P=Pout/ ( 指
开关电源的效率，
设为 0.8)，
而 Pout=Vout*Iout=12V*1A=12W，即推出 P=12W/0.8=15W。我们可以
通过磁心的创造商
提供的图表举行挑选，也可通过计算方式挑选，我们查图表方式挑选
◆副边反馈电源驱动 icDK1203 电气参数
项目
测试条件
最小
典型
最大
第2页共5页
单位
电源电压 Vcc
AC 输入 85V------265V
4
5
6
V
启动电压 Vcc
AC 输入 85V------265V
4.8
5
5.2
V
关闭电压 Vcc
AC 输入 85V------265V
3.6
4
4.2
V
电源电流
Vcc=5V，Fb=2.2V
第5页共5页
副边反馈电源驱动 icDK1203 功率器件是需要散热的，芯片的主要热量 来自功率管，功率管 与引脚 7,8 相衔接，所以在 布线时，应当将引脚 7,8 外接的铜箔的 面积加大并作 镀锡处理以增大散热能力。 2、芯片的 7,8 引脚是芯片的高压部份，最高电压可达到 600V 以上， 所以在线路布置上 要与低压部份保证 1.5mm 以上的平安距离，以避开电路浮现击穿放电现象。
DK912规格书
IS 设置峰值电流引脚。 GND 芯片地。 FB 原边反馈引脚。 VDD 芯片的工作电源正端，外部对地接 10uF-100uF 的电容。 OC 芯片内部高压功率管的漏极引脚。
极限参数
供电电压 VDD ………………………………………………………………
供电电流 VDD ………………………………………………………………
最小 典型 最大 单位
4
4.7 6
V
4.5 4.7 5
V
3.3 3.6 3.9 V
10 20 30 mA
--- --- 1000 mS
650 700 V
700 mA
660
mA
120 125 130 ° C
深圳东科半导体有限公司 Http: TEL:4008-781-212
产品特点
l 全电压输入 85V—265V。 l 内置 700V 高压开关功率管。 l 芯片内集成了高压恒流启动电路，无需外部加启动电阻。 l 专利的原边反馈控制算法，无需辅助绕组。 l 专利的自供电技术，无需外部绕组供电。 l 内置 PWM 振荡电路，并设有抖频功能，保证了良好的 EMC 特性。 l ±2%恒压电压精度，±5%恒流精度。 l 过温、过流、过压以及短路保护。 l 4KV 防静电 ESD 测试。
2
DK912——12W 原边反馈恒流、恒压电源芯片
电气参数
项目 电源电压 VDD 启动电压 VDD 关闭电压 VDD 电源电流 启动时间 功率管耐压 功率管最大电流 峰值电流保护 温度保护
测试条件 AC 输入 85V------265V AC 输入 85V------265V AC 输入 85V------265V VDD=5V，Fb=0.8V AC 输入 85V Ioc=1mA VDD=5V VDD=5V VDD=5V
电源管理芯片DK112中文资料
电源管理芯⽚DK112中⽂资料功能描述DK112芯⽚是专⽤⼩功率开关电源控制芯⽚，⼴泛⽤于电源适配器、LED电源、电磁炉、空调、DVD等⼩家电产品。
⼀、产品特点采⽤双芯⽚设计，⾼压开关管采⽤双极型晶体管设计，以降低产品成本；控制电路采⽤⼤规模MOS数字电路设计,并采⽤E极驱动⽅式驱动双极型晶体芯⽚,以提⾼⾼压开关管的安全耐压值。
内建⾃供电电路，不需要外部给芯⽚提供电源，有效的降低外部元件的数量及成本。
芯⽚内集成了⾼压恒流启动电路，⽆需外部加启动电阻。
内置过流保护电路，防过载保护电路，输出短路保护电路，温度保护电路及光藕失效保护电路。
内置斜坡补偿电路，保证在低电压及⼤功率输出时的电路稳定。
内置PWM振荡电路，并设有抖频功能，保证了良好的EMC特性。
内置变频功能，待机时⾃动降低⼯作频率，在满⾜欧洲绿⾊能源标准（<0.3W）同时，降低了输出电压的纹波。
内置⾼压保护，当输⼊母线电压⾼于保护电压时，芯⽚将⾃动关闭并进⾏延时重启。
内建斜坡电流驱动电路，降低了芯⽚的功耗并提⾼了电路的效率。
4KV防静电ESD测试。
⼆、功率范围输⼊电压(85～264V ac)(85～145V ac)(180～264V ac)最⼤输出功率12W18W18W三、封装与引脚定义引脚符号功能描述1Gnd接地引脚。
2Gnd接地引脚。
3Fb反馈控制端。
4Vcc供电引脚。
5678Collector输出引脚，连接芯⽚内⾼压开关管Collector端，与开关变压器相连。
四、内部电路框图五、极限参数供电电压Vcc...........................................-0.3V--9V供电电流Vcc...........................................100mA引脚电压...........................................-0.3V--Vcc+0.3V 开关管耐压...........................................-0.3V--780V 峰值电流...........................................800mA总耗散功率...........................................1000mW⼯作温度...........................................0℃--125℃储存温度...........................................-55℃--+150℃焊接温度...........................................+280℃/5S六、电⽓参数项⽬测试条件最⼩典型最⼤单位电源电压Vcc AC输⼊85V-----265V456V启动电压AC输⼊85V-----265V 4.85 5.2V关闭电压AC输⼊85V-----265V 3.64 4.2V电源电流Vcc=5V，Fb=2.2V203040mA 启动时间AC输⼊85V------500mS Collector保护电压L=1.2mH460480500V开关管耐压Ioc=1mA700------V开关管电流Vcc=5V，Fb=1.6V----3.6V600650700mA 峰值电流保护Vcc=5V，Fb=1.6V----3.6V650720800mA 振荡频率Vcc=5V，Fb=1.6V----2.8V606570KHz 变频频率Vcc=4.6V，Fb=2.8V----3.6V0.5--65KHz 抖频步进频率Vcc=4.6V，Fb=1.6V----2.8V0.81 1.2KHz 温度保护Vcc=4.6V，Fb=1.6V----3.6V120125130℃占空⽐Vcc=4.6V，Fb=1.6V----3.6V5---50%控制电压Fb AC输⼊85V-----265V 1.6--- 3.6V七、⼯作原理上电启动：当外部电源上电时，直流⾼压经开关变压器传⾄芯⽚的COLLECTOR端（5678引脚），后经内建⾼压恒流启动电路将启动电流送⾄开关管Q1的B极，通过开关管Q1的电流放⼤（约为20倍放⼤）进⼊电源管理电路经D1为Vcc外部电容C1充电，同时为Fb预提供⼀个3.6V电压（Fb引脚对地应接⼊⼀只滤波电容），当Vcc的电压逐步上升⾄5V时，振荡器起振，电路开始⼯作，控制器为Fb开启⼀个约为25uA的对地电流源，电路进⼊正常⼯作。
DK812规格书(V1)
元件名称 保险丝 压敏电阻 整流桥
二极管
电解电容
CBB电容 涤纶电容 瓷片电容 色环电阻 色环电阻 色环电阻
IC 变压器
规格/型号 F2A/AC250V
5D471 DB06S FR107 SF14 22uF/6.3V 100uF/50V 47nF/400V 472/200V 105 100K/0.25W 4R/0.25W 10K/0.25W DK812 EE16
不能小于2Ω。（低PF电路的应用中可减小Rs值，最小值也不能低于1.5Ω），当电
路工作在非隔离的BUCK电路时，芯片的COM引脚与第四引脚相连接，电路的工作
方式将会改变，峰值流按以下公式计算
Ip
0.4V Rs
由此推导出Rs的
最小值不能小
于0.66Ω
电源异常：
因外部的某种异常引起的电源电压高于6V 时，或电源电压低于4V时，芯片将进行重 新启动。
输出电压为 20V，限电压Vovp 的值取 1.2～1.5 倍，高 PF 电路取 1.5 倍电压。
由公式： Vovp
100 * Rs*
Lp N
推导出
Lp
Vovp * Rs 100
*
N
30V * 2 * 4 100
2.4mH
6、计算原边匝数 N p
由公式 Bmax= (Ip*Lp)/(Np*Ae)
测试条件 AC 输入 85V------265V AC 输入 85V------265V AC 输入 85V------265V VDD=5V，COM=2.2V AC 输入 85V L=4.8mH Ioc=1mA VDD=5V VDD=5V VDD=5V
最小 典型 最大 单位
DK112电源芯片应用方案-DK112技术参数
深圳东科半导体有限公司DK112离线式开关电源控制芯片功能描述DK112 是次级反馈，反激式 AC-DC 离线式开关电源控制芯片。
芯片采用高集成度的 CMOS 电路设计，具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功能。
芯片内置高压功率管和自供电线路，具有外围元件极少，变压器设计简单（隔离输出电路的变压器只需要两个绕组）等特点。
产品特点●全电压输入 85V—265V。
●内置 700V 功率管。
●芯片内集成了高压恒流启动电路，无需外部启动电阻。
●专利的自供电技术，无需外部绕组供电。
●待机功耗小于 0.3W。
●65KHz PWM 开关频率。
●内置变频功能，待机时自动降低工作频率，在满足欧洲绿色能源标准（ < 0.3W）同时，降低了输出电压的纹波。
●内置斜坡补偿电路，保证在低电压及大功率输出时的电路稳定。
●频率抖动降低 EMI 滤波成本。
●过温、过流、过压以及输出短路，次级开路保护。
●4KV 防静电 ESD 测试。
应用领域12W 以下 AC-DC 应用包括：电源适配器、充电器、LED 电源、电磁炉、空调、DVD、机顶盒等家电产品。
DK112第1 页共13页Rev: V32016/4/14深圳东科半导体有限公司DK112离线式开关电源控制芯片封装与引脚定义（DIP8）符号GND接地引脚极限参数供电电压VDD …………………………………………………………………… -0.3V--8V.. 100mA 供电电流VDD ……………………………………………………………………引脚电压……………………………………………………………… -0.3V--VDD+0.3V功率管耐压…………………………………………………………………… -0.3V--730V 峰值电流………………………………………………………………………… 800mA 总耗散功率……………………………………………………………………1000mW 工作温度…………………………………………………………………-25︒ C--+125︒ C 储存温度…………………………………………………………………-55︒ C--+150︒ C 焊接温度…………………………………………………………………+280︒ C/5SDK112第2页共13页2016/4/14深圳东科半导体有限公司DK112离线式开关电源控制芯片电气参数DK112第3页共13页Rev: V32016/4/14工作原理上电启动：芯片内置高压启动电流源；上电启动时当 VDD 电压小于启动电压时，打开三极管对外部的 VDD 储能电容充电。
东科半导体DK5V100R25同步整流芯片规格书
DK5V100R25 TEL:4008-781-212 Rev: V0.1
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深圳东科半导体有限公司 联系人：宋政 １３７５１０６９６４８ ＱＱ：１２４８５６５５０７
2016/11/05
Unit mV ns ns mΩ A V V V V KHz ℃
正向整流应用
DK5V100R25
第3页共9页
Rev: V0.1 深圳东科半导体有限公司 联系人：宋政 １３７５１０６９６４８ ＱＱ：１２４８５６５５０７
2016/11/05
DK5V100R25
同步二极管芯片
反向整流应用
深圳东科半导体有限公司 联系人：宋政 １３７５１０６９６４８ ＱＱ：１２４８５６５５０７
功能描述
自供电
DK5V100R25 内置储能电容和自供电线路，可以实现芯片和功率 MOS 管驱动需求，无需 外接电源。
启动
当 K 极电压高于 A 极时，通过自供电线路，给 VCC 供电，VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电 压低于启动电压 VCC_on 时，内置功率 MOS 管关闭，当 VCC 电压大于 VCC_on 时，结束启动状 态。当 VCC 电压降低到复位电压 VCC_uvlo 以下时，芯片重新进入启动状态。
应用领域
l 反激电源转换器 l 反激电源适配器
DK5V100R25 Rev: V0.1
第1页共9页
2016/11/05
DK5V100R25
功能结构图
同步二极管芯片
封装与引脚定义（SM-7）
引脚说明：
引脚 K A
功能描述 应用时同二极管阴极。 应用时同二极管阳极。
DK224六级能效低功耗恒压电源芯片规格书
DK224离线式开关电源控制芯片功能描述DK224 是一款符合 6 级能效标准的次级反馈，反激式 AC-DC 高性能准谐振开关电源 控制芯片。
芯片集成了 700V 高压开关功率管。
芯片内还包含有准谐振检测、SLEEP 超低 待机、自供电等电路，并具有输出短路、次级开路、过温、光耦失效、输出过压等保护 功能。
芯片采用高集成度的 CMOS 电路设计，具有外围元件极少，变压器设计简单（隔 离输出电路的变压器只需要两个绕组）等特点。
产品特点l 全电压输入 AC85V—265V。
l 内置 700V 高压 NMOS 功率管和。
l 芯片内集成了高压恒流启动电路，无需外部加启动电阻。
l 专利的自供电技术，无需外部绕组供电。
l 特有的 SLEEP 技术使芯片具有超低的待机功耗。
l 内置 PWM 准谐振电路，增加电源转换效率和保证良好的 EMC 特性。
l 输出短路、输出过压、次级开路、过温、光耦失效等保护。
l 4KV 防静电 ESD 测试。
应用领域24W 以下 AC-DC 应用包括：电源适配器、LED 电源、电磁炉、空调、DVD 等小家电产品。
1封装与引脚定义（DIP8）DK224离线式开关电源控制芯片引脚符号功能描述1 2 3 4 5,6,7,8IS 电流检测输入脚，外接电阻 R=400mV/Ip。
GND 芯片地。
FB 反馈引脚。
VCC 芯片的工作电源正端，外部对地接 4.7uF-10uF 的电容。
OC 芯片内部高压 NMOS 功率管的漏极引脚。
2工作原理DK224离线式开关电源控制芯片上电启动芯片内置高压启动电流源；上电启动时当 VCC 电压小于启动电压时，启动 1mA 电流对外 部的 VCC 储能电容充电。
当 VCC 电压达到 10V 启动电压的时候，关闭启动电流源,启动 过程结束，控制逻辑开始输出 PWM 脉冲。
软启动上电启动结束后，为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和，功率管和次级 整流管应力过大，芯片内置软启动电路，在软启动时间内，最大初级峰值电流为 0.5*Ip。
DK125规格书
功能描述DK125是次级反馈，反激式AC-DC 离线式开关电源控制芯片。
芯片采用高集成度的CMOS 电路设计，具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功能。
芯片内置高压功率管和自供电线路，具有外围元件极少，变压器设计简单（变压器不需要供电绕组）等特点。
产品特点l 全电压输入90V —264V 。
l 内置700V 功率管。
l 芯片内集成了高压恒流启动电路，无需外部启动电阻。
l 专利的自供电技术，无需外部绕组供电。
l 待机功耗小于0.3W 。
l 65KHz PWM 开关频率。
l 内置变频功能，待机时自动降低工作频率，在满足欧洲绿色能源标准（<0.3W ）同时，降低了输出电压的纹波。
l 内置斜坡补偿电路，保证在低电压及大功率输出时的电路稳定。
l 频率抖动降低EMI 滤波成本。
l 过温、过流、过压以及输出短路，次级开路保护。
l4KV 防静电ESD 测试。
应用领域24W 以下AC-DC 应用包括：电源适配器、LED 电源、电磁炉、空调、DVD 、机顶盒等家电产品。
深圳东科半导体有限公司封装与引脚定义（DIP8）内部框图引脚符号功能描述1GND 接地引脚2GND 接地引脚3FB反馈控制端引脚，接1nF ～10nF4VCC 供电引脚，外部对地接47uF ～100uF 的电容5,6,7,8OC输出引脚，连接芯片内高压功率管，外部与开关变压器相连深圳东科半导体有限公司极限参数供电电压VDD ………………………………………………………-0.3V--8V 供电电流VDD ………………………………………………………100mA引脚电压………………………………………………………-0.3V--VDD+0.3V 功率管耐压………………………………………………………-0.3V--700V 峰值电流………………………………………………………1300mA总耗散功率………………………………………………………1000mW工作温度………………………………………………………-25°C--+125°C 储存温度………………………………………………………-55°C--+150°C 焊接温度………………………………………………………+280°C/5S电气参数项目测试条件最小典型最大单位VCC 工作电压AC 输入85V-----265V 4.54.7 4.9V VCC 启动电压AC 输入85V-----265V 4.7V VCC 重启电压AC 输入85V-----265V 3.30 3.60 3.90V VCC 保护电压AC 输入85V-----265V 6.25 6.55 6.85V VCC 工作电流VCC=5V ，FB=1.5V 50mA 高压启动电流AC 输入85V-----265V0.30.6 1.2mA 启动时间AC 输入85V ------500mS 功率管耐压Ioc=1mA 700------V 功率管保护电压测量OC 电压540600660V 最大峰值电流VCC=5V ，FB=1.5V---2.8V 110012001300mA PWM 输出频率VCC=5V ，FB=1.5V---2.5V 616569KHz VCC=5V ，FB=2.5v-2.8v202224KHz 调制步进频率VCC=5V ，FB=1.5v-2.5v0.5KHz 短路保护阀值测量FB 电压 1.15 1.33 1.50V 变频阀值电压测量FB 电压 2.3 2.5 2.7V 突发模式阀值测量FB 电压2.6 2.83.0V温度保护结温120130140℃深圳东科半导体有限公司前沿消隐时间VCC=5V ，FB=1.5v-2.5v 250ns最小开通时间VCC=5V ，FB=2.6v 500ns 占空比VCC=5V ，FB=1.5v-2.5v 5---70%待机功耗AC 输入265V,空载270mW功能描述上电启动上电启动时，芯片通过内部连接OC 和VCC 引脚的高压电流源，对外部的VCC 储能电容充电，当VCC 电压升高到4.7V 的时候，关闭高压电流源,启动过程结束，控制逻辑开始输出PWM 脉冲。