多晶硅的基础知识
引き上げ基础知识
石墨或与一氧化硅反应生成碳化硅顆粒:
汉虹研发
2006年1月27日
测温、影响石墨寿命的因素
石墨基材与碳化硅顆粒的熱膨差異將引起微裂。因此CO、SiO及氬气 的分壓，以及氬气的流量，將影響硅晶棒含氧量及石英坩堝和石墨壽 命。若炉子漏气，除了氧气迫使硅金屬及石墨氧化外，空气中的氮气 与硅金屬生成氮化硅顆粒，進入融熔液中或懸浮液面，將降低成長硅 单晶的成功率。
关于拉晶炉的基础知识学习
马远，2006年1月27日 汉虹研发
汉虹研发
2006年1月27日
内容
1. 前言 2. 多晶硅原料 3. 单晶成長設备 4. 单晶成長程序 5. 熔液的對流攪拌 6. 偏析 7. 掺杂质 8. 氧及碳含量之控制理论 9. 固态液态介面传热与传质
汉虹研发
2006年1月27日
前言
硅金屬融熔液溫度的控制－尤其指液态表面溫度極为重要。一般溫控 方法有熱电偶式量測，紅外線測溫儀等。但礙于儀器在炉內環境下的 精確度考虑，最后的微調多靠人为控制加熱器輸出功率大小，來达成 適當的長晶溫度。一般加熱器輸出功率是隨著晶体成長不斷地緩慢上 昇，以補償融熔液逐漸減少隨之散熱率提高的問題。
硅材料基础知识
基础课件－硅材料基础知识硅材料基础知识主要内容：一、概述二、硅的结构、分类与来源三、硅的物理性质四、硅的化学性质五、硅的物理参数及测量六、硅的应用及注意事项一、概述硅材料的基础知识，课程包括较多，有固体物理、量子力学、半导体物理、半导体化学、半导体器件工艺、半导体材料等方面的知识；内容较多，如半导体电子状态和能级、载流子的发布、导电性、非平衡载流子、P－N结、金属与半导体的接触、表面理论、光电效应、磁电效压阻效应、异质结等。
这里只介绍半导体材料的最基本的内容。
1、材料按导电性能划分，可分为：导体、绝缘体、半导体三类。
导体——容易导电的材料。
如各种金属、石墨等。
一般的，电阻率<0.2Ω·cm 绝缘体——很难导电的材料。
如橡胶、玻璃、背板、EVA、SiO2、Si3N4等。
一般的，电阻率>20000Ω·cm半导体——介于两者之间的材料。
如Si、Ge、GaAs、ZnO等，它具有一些独特的性质。
注：a、金属靠电子导电，溶液靠离子导电，半导体导电靠电子或空穴导电。
b、空穴就是电子的缺少。
2、半导体材料，按组成结构可分为：元素半导体、化合物半导体、非晶半导体、有机半导体。
3、半导体器件对材料的要求：3.1禁带宽度适中（一般0.5～1.5电子伏，硅是1.08）3.2载流子迁移率高（一般1000～5000cm2/V·s）3.3纯度高3.4电阻率要求可靠、均匀（一般0.001～100000 ，硅本征2.3×105）3.5晶体的完整性二、硅的结构、分类与来源1、硅的原子理论1.1元素周期表中，第三周期、第IVA 族元素，原子序数14，原子量28电子排布1S 22S 22P 63S 23P 2 ,化合价为＋4价（＋2价）1.2硅有三种同位素28Si ：92.21％、29Si ：4.70％、30Si ：3.09％、1.3晶体结构：金刚石结构（正四面体），原子间以共价键结合。
多晶硅简介演示
上游供应链情况
原料
多晶硅的生产原料主要包 括三氯氢硅、四氯化硅等 ，这些原料主要由其他基 础化工行业提供。
能源
多晶硅生产过程中需要大 量的电能，因此电力成本 是影响多晶硅生产的重要 因素之一。
其他辅助材料
多晶硅生产还需要一些辅 助材料，如触媒、硅芯等 。
下游应用领域情况
太阳能光伏产业
多晶硅是太阳能光伏产业的核心 原材料，主要用于制造太阳能电
池片和组件。
半导体产业
多晶硅也是半导体产业的重要原材 料，用于制造集成电路、分立器件 等半导体产品。
其他应用领域
多晶硅还可以应用于电力电子、化 学制品等领域。
05
多晶硅的技术与研发动态
现有技术及改进方向
现有技术
04
多晶硅的竞争格局与产业链
主要生产商与市场份额
保利协鑫（无锡）新能源材料股份有限公司 市场份额：约25%
产能：18万吨
主要生产商与市场份额
通威股份有限公司 市场份额：约20%
产能：15万吨
主要生产商与市场份额
亚洲硅业（青海）股份有限公司 市场份额：约15%
产能：12万吨
主要生产商与市场份额
多晶硅简介演示
汇报人： 日期:
目录
• 多晶硅的基本性质 • 多晶硅的生产工艺 • 多晶硅的市场与发展趋势 • 多晶硅的竞争格局与产业链 • 多晶硅的技术与研发动态
01
多晶硅的基本性质
定义与性质
定义
多晶硅是一种由硅原子组成的固体材料，其结构由不同大小的晶胞组成。
性质
多晶硅具有高纯度、高密度、低电阻率和热稳定性等特点，同时具有优良的物 理和化学性能。
硅材料知识
硅材料的基本特性1、硅材料的基本特性；2、硅单晶材料的重要参数定义：晶向；导电类型；电阻率；杂质分布均匀性；微缺陷；晶片几何尺寸及公差；厚度；弯曲度；翘曲度；平行度；抛光片的平坦度；3、硅单晶中杂质的缺陷对器件的影响。
硅结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。
化学性质非常稳定。
在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。
硅的用途：①高纯的单晶硅是重要的半导体材料。
在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型和p型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。
在开发能源方面是一种很有前途的材料。
②金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。
将陶瓷和金属混合烧结，制成金属陶瓷复合材料，它耐高温，富韧性，可以切割，既继承了金属和陶瓷的各自的优点，又弥补了两者的先天缺陷。
可应用于军事武器的制造。
第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时磨擦产生的高温，全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。
③光导纤维通信，最新的现代通信手段。
用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维，激光在玻璃纤维的通路里，无数次的全反射向前传输，代替了笨重的电缆。
光纤通信容量高，一根头发丝那么细的玻璃纤维，可以同时传输256路电话，它还不受电、磁干扰，不怕窃听，具有高度的保密性。
光纤通信将会使21世纪人类的生活发生革命性巨变。
④性能优异的硅有机化合物。
例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料。
在地下铁道四壁喷涂有机硅，可以一劳永逸地解决渗水问题。
在古文物、雕塑的外表，涂一层薄薄的有机硅塑料，可以防止青苔滋生，抵挡风吹雨淋和风化。
天安门广场上的人民英雄纪念碑，便是经过有机硅塑料处理表面的，因此永远洁白、清新。
发现1822年，瑞典化学家白则里用金属钾还原四氟化硅，得到了单质硅。
名称由来源自英文silica，意为“硅石”。
分布硅主要以化合物的形式,作为仅次于氧的最丰富的元素存在于地壳中，约占地表岩石的四分之一，广泛存在于硅酸盐和硅石中。
多晶硅是什么材料
多晶硅是什么材料
多晶硅是一种重要的半导体材料，也是太阳能电池的主要原料之一。
它具有优
良的光电性能和导电性能，因此在光伏领域有着广泛的应用。
那么，多晶硅究竟是什么材料呢？
多晶硅，顾名思义，是由多个晶粒组成的硅材料。
晶粒是由原子或分子按一定
的规律排列而成的，因此多晶硅的结构比单晶硅更为复杂。
多晶硅通常是通过硅原料经过高温熔化后再结晶而成，因此在外观上呈现出颗粒状的结构。
多晶硅的主要成分是硅元素，硅元素是地壳中丰富的非金属元素之一，它在自
然界中广泛存在于石英、玻璃、水晶等物质中。
硅元素是一种化学性质非常稳定的元素，具有很高的抗腐蚀性和耐高温性，因此多晶硅具有较好的化学稳定性和耐热性。
多晶硅具有良好的光电性能，它对光的吸收和光电转换效率较高，因此被广泛
应用于光伏发电领域。
通过将多晶硅制成太阳能电池，可以将太阳光能直接转化为电能，实现清洁能源的利用。
此外，多晶硅还可以用于制造光电器件、光学器件等，具有广阔的市场前景。
除了在光伏领域，多晶硅还有着其他的应用。
在半导体行业，多晶硅被用于制
造集成电路、光电器件、太阳能光伏电池等，具有重要的地位。
在化工领域，多晶硅可以用于制备硅树脂、硅橡胶、硅油等化工产品，具有广泛的用途。
总的来说，多晶硅是一种重要的半导体材料，具有良好的光电性能和导电性能，被广泛应用于光伏发电、半导体制造、化工等领域。
随着清洁能源产业的发展和技术的进步，多晶硅的应用前景将会更加广阔，为人类社会的可持续发展做出更大的贡献。
半导体硅材料基础知识.1
微秒是10-6秒）。
所谓非平衡载流子是指当半导体中载流子的产生与复合处于平衡状态时，由于受某种外界条件的作用，如受到光线照射时而新增加的电子——空穴对，这部分新增加的载流子叫作非平衡载流子。
对于P型硅而言：新增加的电子叫作非平衡少数载流子；而新增加的空穴叫作非平衡多数载流子。
对于N型硅而言：新增加的空穴叫作非平衡少数载流子；而新增加的电子叫作非平衡多数载流子。
当光照停止后，这些非平衡载流子并不是立即全部消失，而是逐渐被复合而消失，它们存在的平均时间就叫作非平衡载流子的寿命。
非平衡载流子的寿命长短反映了半导体材料的内在质量，如晶体结构的完整性、所含杂质以及缺陷的多少，因为硅晶体的缺陷和杂质往往是非平衡载流子的复合中心。
少子寿命是一个重要的参数，用于高能粒子探测器的FZ硅的电阻率高达上万Ωcm，少子寿命上千微秒；用于IC工业的CZ硅的电阻率一般在5—30Ωcm范围内，少子寿命值多要求在100μs以上；用于晶体管的CZ硅的电阻率一般在30—100Ωcm，少子寿命也在100μs以上；而用于太阳能电池CZ硅片的电阻率在0.5—6Ωcm，少子寿命应≥10μs。
5. 氧化量：指硅材料中氧原子的浓度。
太阳能电池要求硅中氧含量＜5×1018原子个数/cm3。
6. 碳含量：指硅材料中碳原子的浓度。
太阳能电池要求硅中碳含量＜5×1017原子个数/cm3。
7、晶体缺陷另外：对于IC用硅片而言还要求检测：微缺陷种类及其均匀性；电阻率均匀性；氧、碳含量的均匀性；硅片的总厚度变化TTV；硅片的局部平整度LTV等等参数。
一、我公司在采购中常见的几种硅材料1.Cell：称为电池片，常常是电池片厂家外销的产品，它实际是一个单元电池。
2.Wafer：这通常指的是硅片，可能是圆片，也可能是方片。
圆片包括：硅切片，硅磨片、硅抛光片、图形片、污渍片、缺损片。
3.Ingot：常常指的是单晶硅锭，且是圆柱形的硅锭，也有用指多晶硅铸锭的。
单多晶制绒基础知识
单晶绒面图片
多晶绒面图片
四、制绒生产过程控制
4.1、单晶制绒液的组成及其作用
制绒溶液主要是由碱性物质（NaOH、KOH、Na2CO3 等）及添加剂（硅酸钠、酒精或异丙醇）组成的 混合溶液。
碱性物质发生电离或者水解出OH离子与硅发生反 应，从而形成绒面。碱的适宜浓度为5%以下。
酒精或异丙醇有三个作用：a、协助氢气泡从硅片 表面脱附；b、减缓硅的腐蚀速度；c、调节各向 异性因子。酒精或异丙醇的适宜浓度为5~10%。
I0
I3
A
I1
I4
I2
B
二、单晶制绒原理
单晶制绒原理:利用碱性溶液对单晶硅片进行各向异性
腐蚀的特点来制备绒面。
从本质上讲,绒面形成过程是: NaOH溶液对不同晶面 的腐蚀速率不同，(100)面的腐蚀速度比(111)面大十倍以 上,所以(100)晶向的单晶硅片经各向异性腐蚀后，最终在 表面形成许许多多表面为(111)的四面方锥体,即 “金字 塔”结构。
4.5影响制绒液稳定性的因素:
1、初配液NaOH浓度及异丙醇浓度
2、制绒槽内硅酸钠的累计量
3、制绒腐蚀的温度及制绒腐蚀时间的长短
4、中途NaOH和异丙醇的添加量 5、槽体密封程度、异丙醇的挥发程度
4.6理想单晶绒面的要求
1、绒面外观应清秀，不能有白点、 发花、水印等 2、金字塔大小均匀，单体尺寸在2~10чm之间 3、相邻金字塔之间没有空隙，即覆盖率达100%。
五、HCL及HF漂洗过程
5.1 HCL漂洗过程
采用盐酸水溶液,HCl可以去除硅片表面金 属杂质及残留的NaOH： 盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子 能与 Pt铂 2+、Au金 3+、Ag银 +、Cu铜 +、Cd 镉2+、Hg 汞2+等金属离子形成可溶于水的络 合物。
中级多晶制取工知识试卷
中级多晶制取工知识考核试卷一、填空题 (请将正确答案填入题内空白处。
每题1分，共20分。
) 1、还原炉运行过程中，应控制温度在 ℃，这样保证原料气不停的在硅芯表面发生气相沉积反应，使硅棒均匀生长。
2、在温度一定的情况下，与液体成平衡的饱和蒸汽所具有的压力称为 。
3、传热过程是一种复杂的物理现象，按物理本质的不同，将其分为三种基本的传热方式——传导、对流、 。
4、一般情况人们所说的交流电压或电流的大小，以及测量仪表所指示的值都是 。
5、凡物系内部有隔开两相的界面存在，而界面两侧的物料性质截然不同者，称为 混合物。
6、循环水管道管径65mm ，水的流量为11.95m 3/h ，则水在管道里的流速是 m/s 。
7、反应器的种类很多，根据不同的特点，有不同的分类，按照操作方式，工业反应器可分为：间歇反应器、连续反应器、 。
8、还原炉内壁平滑，炉筒和底盘具有夹层，可以走热水、导热油等带走硅棒辐射到炉壁上的热量，以保护炉体和 。
9、第三代技术，也称为改良西门子法，其中关键点在于 的回收利用。
10、还原炉保压成功之后，抽真空至压力为-0.08～-0.09MPa ，然后充氮气至0.1MPa ，反复抽真空、充压3次，第3次充压至微正压即可，如0.05MPa ，保证还原炉及附属管道里空气含量降至 以下。
11、三氯氢硅在常压下的沸点为℃ 。
12、氢气的在空气中的爆炸极限是 。
13、半导体材料的性质取决于其载流子浓度，在掺杂浓度一定的情况下，载流子浓度主要由 所决定。
14、还原生产中多晶硅棒氧化夹层主要物质是 。
15. ppba 表示摩尔分数的 分之一。
16. 精馏塔的操作中出现塔顶温度不稳定，其原因可能是________________________________ __ ______。
17、把液体混合物进行多次部分汽化，同时又把产生的蒸汽多次 ，使混合物分离为所要求组分的操作过程称为精馏。
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多晶硅的基础知识重要的半导体材料，化学元素符号Si，[wiki]电子[/wiki]工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和[wiki]机械[/wiki]等性能。
硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。
在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。
在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。
所用的硅纯度很低又非单晶体。
1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。
1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。
1953年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提纯又能拉制单晶。
1955年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。
1956年研究成功[wiki]氢[/wiki]还原三氯氢硅法。
对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯氢硅法成为一种主要的方法。
到1960年，用这种方法进行工业生产已具规模。
硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。
60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速发展。
80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。
硅还是有前途的太阳电池材料之一。
用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。
化学成分硅是元素半导体。
电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。
拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。
重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。
硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。
碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。
硅中氧含量甚高。
氧的存在有益也有害。
直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm硅的性质硅具有优良的半导体电学性质。
禁带宽度适中，为1.21电子伏。
载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏•秒，空穴迁移率为480厘米2/伏•秒。
本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105欧•厘米,掺杂后电阻率可控制在104～10-4 欧•厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。
硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。
热导率较大。
化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。
在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。
上述性质使PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、效率高、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点。
硅单晶的主要技术参数硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。
导电类型导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。
P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。
电阻率与均匀度拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。
由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。
电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。
它直接影响器件参数的一致性和成品率。
非平衡载流子寿命光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。
非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。
寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。
晶向与晶向偏离度常用的单晶晶向多为(111)和(100)（见图）。
晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。
晶体缺陷生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外，不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。
位错密度低于200/厘米2者称为无位错单晶，无位错硅单晶占产量的大多数。
在无位错硅单晶中还存在杂质原子、空位团、自间隙原子团、氧碳或其他杂质的沉淀物等微缺陷。
微缺陷集合成圈状或螺旋状者称为旋涡缺陷。
热加工过程中，硅单晶微缺陷间的相互作用及变化直接影响集成电路的成败。
类型和应用硅单晶按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)单晶与有坩埚直拉(CZ)单晶。
区熔单晶不受坩埚污染，纯度较高，适于生产电阻率高于20欧•厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻P型硅单晶。
由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。
大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。
直接法易于获得大直径单晶，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧•厘米以下的硅单晶。
由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。
大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。
外延片衬底单晶也用直拉法生产。
硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。
外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。
西门子改良法生产工艺如下：这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。
改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原炉，磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气站，循环水站，变配电站，净化厂房等。
（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。
把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑反应温度为300度，该反应是放热的。
同时形成气态混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。
（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而气态Н2,НС1返回到反应中或排放到大气中。
然后分解冷凝物SiНС13,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。
（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。
这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。
剩余部分同Н2,НС1,SiНС13,SiC14从反应容器中分离。
这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。
气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该3工艺的竞争力。
在西门子改良法生产工艺中，一些关键技术我国还没有掌握，在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过氯气排放了，不仅提炼成本高，而且环境污染非常严重。
在“十一五”期间，为实现采用改良西门子工艺的多晶硅的产业化，建议开展下述课题研究：基于SiHCl3氢还原法的低电耗多晶硅生成反应器技术；干法回收中H2、HCl、SiHCl3、SiCl4混合气体大能力无油润滑加压装置；SiCl4氢化反应器进料系统控制技术装置；大型多侧线SiHCl3高效提纯技术装置；千吨级多晶硅生产系统自动控制组态技术三氯氢硅合成工序原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。
硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。
供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。
从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的循环氯化氢气混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供应料斗供入管内的硅粉挟带并输送，从底部进入三氯氢硅合成炉。
在三氯氢硅合成炉内，硅粉与氯化氢气体形成沸腾床并发生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷、氢气等产物，此混合气体被称作三氯氢硅合成气。
反应大量放热。
合成炉外壁设置有水夹套，通过夹套内水带走热量维持炉壁的温度。
出合成炉顶部挟带有硅粉的合成气，经三级旋风除尘器组成的干法除尘系统除去部分硅粉后，送入湿法除尘系统，被四氯化硅液体洗涤，气体中的部分细小硅尘被洗下；洗涤同时，通入湿氢气与气体接触，气体所含部分金属氧化物发生水解而被除去。
除去了硅粉而被净化的混合气体送往合成气干法分离工序。
合成气干法分离工序从三氯氢硅氢合成工序来的合成气在此工序被分离成氯硅烷液体、氢气和氯化氢气体，分别循环回装置使用。
三氯氢硅合成气流经混合气缓冲罐，然后进入喷淋洗涤塔，被塔顶流下的低温氯硅烷液体洗涤。
气体中的大部份氯硅烷被冷凝并混入洗涤液中。
出塔底的氯硅烷用泵增压，大部分经冷冻降温后循环回塔顶用于气体的洗涤，多余部份的氯硅烷送入氯化氢解析塔。
出喷淋洗涤塔塔顶除去了大部分氯硅烷的气体，用混合气压缩机压缩并经冷冻降温后，送入氯化氢吸收塔，被从氯化氢解析塔底部送来的经冷冻降温的氯硅烷液体洗涤，气体中绝大部分的氯化氢被氯硅烷吸收，气体中残留的大部分氯硅烷也被洗涤冷凝下来。
出塔顶的气体为含有微量氯化氢和氯硅烷的氢气，经一组变温变压吸附器进一步除去氯化氢和氯硅烷后，得到高纯度的氢气。
氢气流经氢气缓冲罐，然后返回氯化氢合成工序参与合成氯化氢的反应。
吸附器再生废气含有氢气、氯化氢和氯硅烷，送往废气处理工序进行处理。
出氯化氢吸收塔底溶解有氯化氢气体的氯硅烷经加热后，与从喷淋洗涤塔底来的多余的氯硅烷汇合，然后送入氯化氢解析塔中部，通过减压蒸馏操作，在塔顶得到提纯的氯化氢气体。
出塔氯化氢气体流经氯化氢缓冲罐，然后送至设置于三氯氢硅合成工序的循环氯化氢缓冲罐；塔底除去了氯化氢而得到再生的氯硅烷液体，大部分经冷却、冷冻降温后，送回氯化氢吸收塔用作吸收剂，多余的氯硅烷液体（即从三氯氢硅合成气中分离出的氯硅烷），经冷却后送往氯硅烷贮存工序的原料氯硅烷贮槽。
氯硅烷分离提纯工序在三氯氢硅合成工序生成，经合成气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的原料氯硅烷贮槽；在三氯氢硅还原工序生成，经还原尾气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的还原氯硅烷贮槽；在四氯化硅氢化工序生成，经氢化气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的氢化氯硅烷贮槽。
原料氯硅烷液体、还原氯硅烷液体和氢化氯硅烷液体分别用泵抽出，送入氯硅烷分离提纯工序的不同精馏塔中。
三氯氢硅氢还原工序经氯硅烷分离提纯工序精制的三氯氢硅，送入本工序的三氯氢硅汽化器，被热水加热汽化；从还原尾气干法分离工序返回的循环氢气流经氢气缓冲罐后，也通入汽化器内，与三氯氢硅蒸汽形成一定比例的混合气体。