单晶硅与多晶硅的应用和区别
单晶硅和多晶硅材料上的差异
单晶硅和多晶硅材料上的差异
单晶硅和多晶硅是两种不同的晶体结构形态的硅材料。
它们的主要区别在于晶体结构、性质和应用方面。
晶体结构：单晶硅的晶体结构非常有序，由一个完整的硅晶体构成，晶粒大小一致。
而多晶硅的晶体结构则是由许多小晶粒组成，晶粒大小不一，晶体结构比较复杂。
性质：单晶硅的晶体结构非常有序，因此具有更好的电学性能，如更高的载流子迁移率和更低的能带宽度，适用于制造高性能的电子元器件。
而多晶硅由于晶粒大小不一，导致晶界较多，因此其电学性能相对较差。
应用：单晶硅主要用于制造高性能的电子元器件，如集成电路、太阳能电池等。
而多晶硅由于生产成本低，适用于制造一些低成本的电子元器件。
总之，单晶硅和多晶硅在晶体结构、性质和应用方面都存在较大的差异，需要根据具体的应用需求来选择合适的材料。
单晶硅和多晶硅区别
单晶板一般是黑色，多晶板一般是蓝色。单晶电池片有两种型号，单晶125（对角线是125mm*125mm）和156，多晶只有156。
单晶的转换效率比多晶高，一般高2%吧，单晶转换效率能到18%-19%。所以按瓦算的话，单晶电池板一般要比多晶的贵。也就是说多晶电池板片前期生产工艺的不同，使它们从外观到电性能都有一些区别。从外观上看：单晶硅电池片四个角呈圆弧状，表面没有花纹；多晶硅电池片四个角为方角，表面有类似冰花一样的花纹。
对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池是没有太大区别的。单晶硅电池和多晶硅电池的寿命和稳定性都很好。虽然单晶硅电池的平均转换效率比多晶硅电池的平均转换效率高l％左右，但是由于单晶硅太阳能电池只能做成准正方形(其4个角是圆弧)，当组成太阳能电池组件时就有一部分面积填不满，而多晶硅太阳能电池是正方形，不存在这个问题，因此对于太阳能电池组件的效率来讲几乎是一样的。另外，由于两种太阳能电池材料的制造工艺不一样，多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右，所以多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池总产量的份额越来越大，制造成本也将大大小于单晶硅电池，所以使用多晶硅太阳能电池将更节能、更环保。
单晶硅和多晶硅区别
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。
如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。
多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。
单晶硅和多晶硅的结构
单晶硅和多晶硅的结构
单晶硅和多晶硅是两种常见的硅材料，它们在材质结构、物理性质等方面存在明显区别。
首先，单晶硅是一种高纯度的硅晶体，晶体由完全相同方位的晶粒组成，具有高度的结晶度和均匀的晶体结构。
单晶硅的晶粒大小通常为10-200毫米，较大晶粒的单晶硅价格更高，但其制造出来的晶体质量更加优良，应用广泛。
相比之下，多晶硅是由众多不同方位和大小的硅晶粒以多种方向组合而成的一种材料。
多晶硅晶体结构疏松，取决于控制晶粒大小和分布情况的工艺参数。
因此，多晶硅的晶粒大小一般比单晶硅更小，分布更加分散。
虽然多晶硅的晶体结构不如单晶硅均匀，但多晶硅的制备工艺较为简便，成本更低廉，应用领域也较为广泛。
在物理性质方面，单晶硅具有相对较高的电导率，在制造半导体器件等方面应用较广。
其晶体结构稳定，机械性能优良，这一点在制造高精准的光学元件时尤为重要。
多晶硅电导率相对较低，但其在太阳能电池、发动机机械部件等领域具有广泛的应用。
此外，多晶硅因可利用废料制造而成本较低，近年来受到广泛关注。
总之，单晶硅和多晶硅在材质结构、物理性质等方面存在差异。
两种材料各有其应用领域，可以根据具体情况选择使用，以获得更好的性价比。
单晶硅和多晶硅的区别
1
制作工艺不同2Fra bibliotek光电转换率不同
3
外观不同
4 市场趋势与价格不同
5
公司介绍
一、制作工艺不同
1）单晶硅片
加工单晶太阳电池片，首先要在硅片上掺杂和扩 散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石 英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成 P/N结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅 片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有 栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅 片表面反射掉，至此，单晶硅太阳电池的单体片就制 成了。
所以单晶太阳能板市场价格相对高一些，但多晶 太阳能板的安装使用更加广泛。
不过由于单晶电池不能铺满整块太阳能板，而多 晶电池没有面积上的浪费，所以综合起来，两者的发 电效率并没有多大的差别，大家也不必执着于单晶或 者多晶哦，市场潮流肯定有他的道理，大家跟住大趋 势就对了。
五、公司介绍
其次，虽然单晶硅太阳能电池的平均转换效率比 多晶硅太阳能电池的平均转换效率高2%左右，但是由 于单晶硅太阳能电池只能做成准正方形（四个顶端是 圆弧），当组成太阳能电池组件时就有一部分面积填 不满，而多晶硅太阳能电池是正方形，不存在这个问 题。
因此对于太阳能电池板来说，效率基本是一样的。
三、外观不同
2）多晶硅片
加工多晶太阳电池片工艺过程是选择电阻率为 100～300欧姆厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破 碎，用1：5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀， 然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装 好多晶硅料，加入适量硼硅，放入浇铸炉，在真空状 态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟，然后注入石 墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅锭。这种 硅锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片， 可提高材质利用率和方便组装。
单晶硅_多晶硅_非晶硅的区别和性能差异
单晶硅_多晶硅_非晶硅的区别和性能差异单晶硅，多晶硅，非晶硅的区别和性能差异一、单晶硅太阳能电池名称:单晶硅英文名: Monocrystalline silicon单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分。
硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。
不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。
纯度要求达到99.9999,，甚至达到99.9999999,以上。
用于制造半导体器件、太阳能电池等。
用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。
超纯的单晶硅是本征半导体。
在超纯单晶硅中掺入微量的?A族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体;如掺入微量的?A族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅主要用于制作半导体元件。
用途:是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。
二、多晶硅太阳能电池名称:多晶硅英文名:polycrystalline silicon性质:灰色金属光泽。
密度2.32~2.34。
熔点1410?。
沸点2355?。
溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。
硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。
加热至800?以上即有延性，1300?时显出明显变形。
常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。
高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。
具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。
多晶硅是单质硅的一种形态。
熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
单晶硅与多晶硅区别
单晶硅与多晶硅区别近日，发现国内有在上一些[wiki]多晶硅[/wiki]和单晶硅的项目。
现找了一些相关资料供大家分享：1、1、单晶硅和多晶硅的区别当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。
如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。
多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。
多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。
单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。
大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。
目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。
单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
被称为“微电子大厦的基石”。
单晶硅是高纯的硅晶体，做半导体芯片、太阳能电池等用，比较难制作，我国浙大在这方面有很强的技术。
多晶硅就是很粗糙的东西了，各小晶体颗粒之间是混乱的排列，故有空隙。
很容易制造。
但是多晶硅虽然可以低廉地制造，但也可以用来做太阳能电池，虽然效率和寿命不一定很好，但廉价，不知道技术上是否完全过关？无论如何，没有单晶硅做的太阳能电池好，更不能去做半导体芯片（例如CPU）了2、单晶硅和多晶硅的发展趋势在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。
虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。
从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2]对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。
单晶硅多晶硅转换效率
单晶硅多晶硅转换效率
单晶硅和多晶硅是两种常见的太阳能电池材料。
它们的主要区别在于晶体结构：单晶硅是由单个晶体组成的，而多晶硅是由多个晶体组成的。
这种差异使得它们在转换效率、光学性能和电学性能等方面有所不同。
单晶硅的转换效率通常高于多晶硅。
在太阳能电池中，单晶硅的转换效率可以达到15% 至20%，而多晶硅的转换效率则在13% 至15% 之间。
这主要是因为单晶硅具有较高的晶体质量和较少的晶界，从而减少了电子在晶体中的散射和损失。
然而，多晶硅也有一些优点。
与单晶硅相比，多晶硅的生产过程更为简单，成本较低。
此外，多晶硅在高温环境下的稳定性较好，因此更适用于太阳能热利用等领域。
影响单晶硅和多晶硅转换效率的因素包括材料质量、晶体结构、生产工艺和电池设计等。
随着技术的不断进步，单晶硅和多晶硅的转换效率都有一定程度的提高。
在光伏领域，单晶硅和多晶硅都得到了广泛的应用。
单晶硅太阳能电池在实验室条件下的转换效率已经达到了26%，多晶硅太阳能电池也在实际应用中表现出良好的性能。
随着光伏市场的不断壮大，单晶硅和多晶硅在光伏领域的应用将继续扩大。
未来，单晶硅和多晶硅的转换效率仍有很大的提升空间。
研究人员正在通过改进生产工艺、优化电池设计和寻找新型材料等途径，进一步提高太阳能电池的转换效率。
此外，随着新型太阳能电池技术的不断涌现，如有机太阳能电
池、钙钛矿太阳能电池等，单晶硅和多晶硅可能面临一定的竞争压力。
总之，单晶硅和多晶硅在转换效率、成本和应用领域等方面各有优劣。
单晶硅和多晶硅太阳能电池有什么区别,哪个好？
单晶硅和多晶硅太阳能电池有什么区别，哪个好？导语：多晶硅和单晶硅是两种不同物质，多晶硅是化学专有名词俗称玻璃，高纯多晶硅材料即高纯度玻璃，单晶硅才是制作太阳能光伏电池的原料，同时也是制作半导体芯片的材料，因生产单晶硅的硅矿原料稀少和生产工艺复杂，所以产量低和价格昂贵，那么单晶硅太阳能电池和多晶好太阳能电池有什么区别，哪个好呢？一、外观上的区别从外观上面看的话，单晶硅电池的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹;而多晶硅电池的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹;而非晶硅电池也就是我们平时说的薄膜组件，它不像晶硅电池可以看出来栅线，表面就如同镜子一般清晰、光滑。
二、使用上面的区别对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。
虽然单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高1%左右，但由于单晶硅电池只能做成准正方形(四边都是圆弧状)，因此当组成太阳能电池板的时候就会有一部分面积填不满;而多晶硅是正方形，所以不存在这样的一个问题，它们的优缺点具体如下：晶硅组件：单块组件功率相对较高。
同样占地面积下，装机容量要比薄膜组件高。
但组件厚重易碎，高温性能较差，弱光性差，年度衰减率高。
薄膜组件：单块组件功率相对略低。
但发电性能高，高温性能佳，弱光性能好，阴影遮挡功率损失较小，年度衰减率低。
应用环境广泛，美观，环保。
三、制造工艺的区别多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右，因此多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池总产量的份额大，制造成本也小于单晶硅电池，所以使用多晶硅太阳能电池将会更加的节能、环保!单晶硅和多晶硅太阳能电池哪个好?目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右，最高的达到24%，这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的，但制作成本很大，以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。
由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命一般可达15年，最高可达25年。
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1单晶硅与多晶硅的应用和区别多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
被称为“微电子大厦的基石”。
在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。
虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。
从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。
据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。
利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。
多晶硅与单晶硅的差别请问多晶硅与单晶硅的差别是什么?国内有那些厂家在生产这两种产品?多晶硅是单质硅的一种形态。
熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。
在化学活性方面，两者的差异极小。
多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
一、国际多晶硅产业概况当前，晶体硅材料是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。
多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。
多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。
按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。
其中，用于电子级多晶硅占55％左右，太阳能级多晶硅占45％，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。
1994年全世界太阳能电池的总产量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增长了17倍。
专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一。
据悉，美国能源部计划到2010年累计安装容量4600MW，日本计划2010年达到5000MW，欧盟计划达到6900MW，预计2010年世界累计安装量至少18000MW。
从上述的推测分析，至2010年太阳能电池用多晶硅至少在30000吨以上，表2给出了世界太阳能多晶硅工序的预测。
据国外资料分析报道，世界多晶硅的产量2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨，半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为 15000吨，供不应求，从2006年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级产能缺口更大。
据日本稀有金属杂质2005年11月24日报道，世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计2006年， 2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈，多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除，2005年世界太阳能电池产量约 1GW，如果以1MW用多晶硅12吨计算，共需多晶硅是1.2万吨，2005－2010年世界太阳能电池平均年增长率在25％，到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨。
世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德国的Wacker公司等，其年产能绝大部分在1000吨以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大，年生产能力均在3000－5000 吨。
国际多晶硅主要技术特征有以下两点：多种生产工艺路线并存，产业化技术封锁、垄断局面不会改变。
由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。
其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。
新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。
除了传统工艺及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
二、国内多晶硅产业概况我国集成电路的增长，硅片生产和太阳能电池产业的发展，大大带动多晶硅材料的增长。
太阳能电池用多晶硅按每生产1MW多晶硅太阳能电池需要11－12吨多晶硅计算，我国2004年多晶、单晶太阳能电池产量为48.45MW，多晶硅用量为678吨左右，而实际产能已达70MW左右，多晶硅缺口达250吨以上。
到2005年底国内太阳能电池产能达到300MW，实际能形成的产量约为110MW，需要多晶硅1400吨左右，预测到2010年太阳能电池产量达300MW，需要多晶硅保守估计约4200吨，因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加。
2005年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单晶硅企业开工率在80％－90％，都不能满负荷生产，主要原因是多晶硅供给量不足所造成的。
预计多晶硅生产企业扩产后的产量，仍然满足不了快速增长的需要。
2005年全球太阳能电池用多晶硅供应量约为10448吨，而2005年太阳能用硅材料需求量约为22881吨，如果太阳能电池用多晶硅需求量按占总需求量的65%计，则太阳能电池用多晶硅需求量约为14873吨，这样全球太阳能电池用多晶硅的市场缺口达4424吨。
2005年半导体用多晶硅短缺 6000吨，加上太阳能用多晶硅缺口4424吨，合计10424吨，供给严重不足，导致全球多晶硅价格上涨。
目前多晶硅市场的持续升温，导致各生产厂商纷纷列出了扩产计划，根据来自国际光伏组织的统计，至2008年全球多晶硅的产能将达49550吨，至2010年将达58800吨。
预计到2010年全球多晶硅需求量将达85000吨，缺口26200吨。
从长远来看，考虑到未来石化能源的短缺和各国对太阳能产业的大力支持，需求将持续增长。
根据欧洲光伏工业联合会的2010年各国光伏产业发展计划预计，届时全球光伏产量将达15GW，设想其中60%使用多晶硅为原材料，如果技术进步每MW消耗10吨多晶硅，保守估计全球至少需要太阳能多晶硅5万吨以上。
我国多晶硅工业起步于五、六十年代中期，生产厂多达20余家，生由于生产技术难度大，生产规模小，工艺技术落后，环境污染严重，耗能大，成本高，绝大部分企业亏损而相继停产和转产，到1996年仅剩下四家，即峨眉半导体材料厂，洛阳单晶硅厂、天原化工厂和棱光实业公司，合计当年产量为102.2 吨，产能与生产技术都与国外有较大的差距。
1995年后，棱光实业公司和重庆天原化工厂相继停产。
现在国内主要多晶硅生产厂商有洛阳中硅高科技公司、四川峨眉半导体厂和四川新光硅业公司、到 2005年底，洛阳中硅高科技公司300吨生产线已正式投产，二期扩建1000吨多晶硅生产线也同时破土动工，河南省计划将其扩建到3000吨规模，建成国内最大的硅产业基地。
四川峨眉半导体材料厂是国内最早拥有多晶硅生产技术的企业，2005年太阳能电池用户投资，扩产的220吨多晶硅生产线将于 2006年上半年投产，四川新光硅业公司实施的1000吨多晶硅生产线正在加快建设，计划在2006年底投产，此外，云南、扬州、上海、黑河、锦州、青海、内蒙、宜昌、广西、重庆、辽宁、邯郸、保定、浙江等地也有建生产线设想。
三、行业发展的主要问题同国际先进水平相比，国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现在以下几个方面：1、产能低，供需矛盾突出。
2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单晶硅企业开工率在80％－90％，无法实现满负荷生产，多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德国的少数几个生产厂商中，严重制约我国产业发展。
2、生产规模小、现在公认的最小经济规模为1000吨/年，最佳经济规模在2500吨/年，而我国现阶段多晶硅生产企业离此规模仍有较大的距离。
3、工艺设备落后，同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶硅生产物耗能耗高出1倍以上，产品成本缺乏竞争力。
4、千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验证，并需要进一步完善和改进。
5、国内多晶硅生产企业技术创新能力不强，基础研究资金投入太少，尤其是非标设备的研发制造能力差。
6、地方政府和企业项目投资多晶硅项目，存在低水平重复建设的隐忧。
四、行业发展的对策与建议1、发展壮大我国多晶硅产业的市场条件已经基本具备、时机已经成熟，国家相关部门加大对多晶硅产业技术研发，科技创新、工艺完善、项目建设的支持力度，抓住有利时机发展壮大我国的多晶硅产业。
2、支持最具条件的改良西门子法共性技术的实施，加快突破千吨级多晶硅产业化关键技术，形成从材料生产工艺、装备、自动控制、回收循环利用的多晶硅产业化生产线，材料性能接近国际同类产品指标；建成节能、低耗、环保、循环、经济的多晶硅材料生产体系，提高我们多晶硅在国际上的竞争力。
3、依托高校以及研究院所，加强新一代低成本工艺技术基础性及前瞻性研究，建立低成本太阳能及多晶硅研究开发的知识及技术创新体系，获得具有自主知识产权的生产工艺和技术。