三极管的结构和工作原理
三极管原理全总结
三极管原理全总结三极管是一种深具影响力的半导体电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关和稳压等功能。
下面是对三极管原理的全面总结：一、三极管的基本结构三极管由三个掺杂不同材料的半导体层片组成，分别是发射区、基区和集电区。
发射区和集电区分别是n型和p型半导体，基区是p型半导体。
发射区和集电区之间通过基区相互连接。
二、三极管的工作原理1.放大作用：当输入信号施加在三极管的基极上时，如果正相输入，即基极向正偏压施加，会使得基区内的少数载流子浓度增加，这样会缩小基区的电阻，使得大量的电子从发射极注入到基区中，即电流通过三极管的基极。
2.输出作用：当三极管的发射极和集电极之间施加正向电压时，集电极上会有较大的电压和电流输出，且集电电流与发射电流间存在放大比例。
三、三极管的工作模式1.放大模式：当发射极到基极的电压为正时，三极管处于放大工作模式。
此时，基极电压和基极电流间的关系为非线性关系，输出电流的变化可配合输入信号进行放大。
2.饱和模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流很小时，三极管处于饱和工作模式。
此时，输出电流取决于输入电流，而与输出电压无关。
3.截止模式：当发射极到基极的电压为负且发射电流为零时，三极管处于截止工作模式。
此时，输出电流和输出电压均为零。
四、三极管动态特性1.转输特性：描述了三极管的输入电流和输出电流之间的关系，即输出电流与输入电流之间的比例。
2.频率特性：三极管的频率响应以及对不同频率信号的放大程度。
三极管的频率特性随着频率的增大而降低，一般需要根据需要选择合适的三极管型号。
3.非线性失真：三极管在放大信号时，存在一定程度上的非线性失真。
当输入信号的幅度过大时，输出信号的波形可能会失真。
4.温度特性：三极管的性能受温度的影响较大。
一般情况下，温度越高，三极管的放大能力越差。
五、三极管的应用1.放大器：三极管的放大功能使其广泛应用于各种放大器电路中，如音频放大器、功率放大器等。
2.开关：通过控制输入信号的使能，利用三极管的饱和和截止特性，实现信号转换和开关操作。
三极管的特征
三极管的特征三极管是一种常用的电子元件，具有许多独特的特征和功能。
本文将详细介绍三极管的特征，包括三极管的结构、工作原理和应用领域。
一、结构特征三极管由三个不同类型的半导体材料（N型、P型或P型、N型）组成，通常被称为发射极、基极和集电极。
这三个区域分别构成了三极管的结构，决定了其特性。
二、工作原理三极管的工作原理基于PN结的导电性。
当三极管的基极-发射极结正向偏置时，发射极和基极之间形成一个正向偏压，从而形成了一个导通通道。
这时，集电极和基极之间的结反向偏置，集电极基本上不导电。
当基极电流增加时，发射极电流也会相应增加。
三、特性1. 放大功能：三极管是一种双极型放大器件，可以将微弱的信号放大为较大的信号。
通过控制输入信号的大小，可以实现放大倍数的调节。
2. 开关功能：三极管可以作为电子开关使用。
当三极管处于截止状态时，集电极和基极之间的电流非常小；当三极管处于饱和状态时，集电极和基极之间的电流较大。
通过控制输入信号的大小，可以控制三极管的导通与截止，实现开关的功能。
3. 高频特性：三极管具有良好的高频特性，可以在射频和微波领域中使用。
由于其短开关时间和高频特性，三极管在无线电通信、雷达和卫星通信等领域中得到广泛应用。
4. 可控性：通过调节基极电流，可以精确地控制三极管的放大倍数和工作状态。
这使得三极管成为电路设计中的重要元件，可用于各种应用中。
四、应用领域1. 放大器：三极管可以用作放大器，将微弱的信号放大为较大的信号。
在音频放大器、射频放大器和功率放大器等领域中广泛应用。
2. 开关：三极管的开关功能使其在数字电子电路中得到广泛应用。
例如，在计算机内存、逻辑门和计数器等电路中使用。
3. 振荡器：三极管可以作为振荡器的关键元件，产生稳定的振荡信号。
在无线电、通信和计算机等领域中，振荡器被广泛应用。
4. 放电管：三极管可以用作电子放电管，用于控制和保护电路中的电压和电流。
五、总结三极管是一种重要的电子元件，具有放大、开关、高频特性和可控性等特点。
npn三极管工作原理
npn三极管工作原理一、引言npn三极管是一种广泛使用的电子元件，它具有放大、开关等多种功能。
本文将详细介绍npn三极管的工作原理。
二、npn三极管结构npn三极管由三个掺杂不同类型的半导体材料组成：P型半导体（基区）、N型半导体（发射区）和P型半导体（集电区）。
这种结构使得npn三极管具有两个PN结：发射结和集电结，以及一个PNP结：基结。
三、npn三极管的工作原理当正向偏置发射结时，N型半导体中的自由电子会向前扩散，而P型半导体中的空穴会向后扩散。
这些自由电子和空穴会在基区相遇并重新组合，形成少数载流子。
这些少数载流子会通过集电区到达外部电路，从而形成集电电流IC。
当正向偏置基结时，基区中的空穴会向前扩散，而N型半导体中的自由电子会向后扩散。
这些空穴和自由电子会在发射区相遇并重新组合，形成少数载流子。
这些少数载流子会通过发射区到达外部电路，从而形成发射电流IE。
当集电极与发射极之间的电压为零或负时，npn三极管处于截止状态。
此时，发射区中的自由电子和空穴不会重新组合，也就不会形成少数载流子。
因此，集电区没有电流流过去。
当集电极与发射极之间的电压为正时，npn三极管处于放大状态。
此时，由于正向偏置基结和发射结，少数载流子会产生，并通过集电区到达外部电路。
这些少数载流子可以被放大并控制。
四、npn三极管的特性1. 放大特性：npn三极管可以将小信号放大成较大信号。
2. 开关特性：npn三极管可以用作开关，在截止状态和饱和状态之间切换。
3. 稳定性：npn三极管具有较好的温度稳定性和工作点稳定性。
五、应用领域npn三极管广泛应用于各种电子设备中，如放大器、振荡器、开关等。
同时，在数字逻辑门、计算机存储器等领域也有广泛应用。
六、总结本文详细介绍了npn三极管的结构、工作原理、特性和应用领域。
npn三极管是一种重要的电子元件，对于电子工程师来说，掌握其工作原理和应用十分必要。
简述三极管放大的基本原理
简述三极管放大的基本原理
三极管放大是一种常用的电子放大器配置，基于半导体材料制成的三极管被用作放大电路中的核心元件。
其基本原理如下：
1. 三极管的结构：三极管由三个区域构成：发射极、基极和集电极。
发射极主要用于发射电子，基极用于控制电子流，集电极则用于收集电子。
2. 工作方式：通过在发射极-基极电路中施加一个小输入信号，可以改变基极电流。
当基极电流发生变化时，三极管中的电流放大作用会使输出电流比输入电流大得多。
3. 放大原理：当输入信号施加在基极-发射极电路上时，三极管的工作状态将发生变化。
如果输入信号增加，基极电流也会增加，从而导致集电极电流增加。
这会导致集电极电压下降，产生较大幅度的输出信号。
因此，三极管可以将微弱的输入信号放大为较大的输出信号。
4. 放大倍数：三极管放大倍数由其特定的电流放大系数（β值）决定。
β值越大，放大倍数越高。
总结起来，三极管的放大原理基于控制基极电流的方式来实现信号放大。
通过合适的电路设计和合适的工作点设置，可以实现较高的放大倍数和稳定的放大效果。
这使得三极管放大器在各种电子设备中得到广泛应用，例如音频放大器和射频放大器。
三极管的结构及工作原理
三极管的结构及工作原理三极管（transistor）是一种半导体器件，是现代电子技术中最重要的基本元器件之一、它是通过控制输入信号来操控输出信号的电子元件。
三极管的结构是由两个PN结组成的。
三极管通常由三个层次组成，分别是发射极、基极和集电极。
其中发射极和集电极是N型半导体材料，基极是P型半导体材料。
这种结构被称为NPN型三极管。
与之相反，如果集电极和发射极是P型半导体材料，而基极是N型半导体材料，则为PNP型三极管。
三极管的工作原理基于PN结的特性。
当PN结处于正向偏置时，P区多数载流子（空穴）向N区扩散，N区多数载流子（电子）向P区扩散，通过复合过程，形成电流。
而当PN结处于反向偏置时，少数载流子扩散的数量相对较小，形成的电流相对较小。
利用这种特性，三极管可以控制输入信号和输出信号之间的电流关系。
三极管的工作可以分为放大作用和开关作用两种。
在放大作用中，输入信号通过串联在发射极和基极之间的电阻器Rbase，这个输入信号可以将P区的耗尽层翻转，从而减小了基极电流IB，这种作用称为电流放大作用。
当IB减小时，由于基极电流与集电极电流的关系，集电极电流IC也随之减小。
因此，可以通过控制输入信号来放大输出信号。
在开关作用中，当输入信号为高电平时，通过Rbase传入基极的电流IB增大，使得三极管被打开，集电极电流IC流向负载电阻，控制开关的导通。
相反，当输入信号为低电平时，基极电流IB减小，三极管关闭，集电极电流IC消失，控制开关的断开。
除了发射极、基极和集电极之外，三极管还有个重要的参数是放大因子（β）。
放大因子是指输出电流IC与输入电流IB之间的倍数关系。
换句话说，它衡量了三极管的放大能力。
β的值取决于三极管的特定材料和制造过程，一般在20-100之间。
在实际应用中，三极管广泛应用于电子电路中，如放大电路、振荡电路、开关电路等。
在集成电路中，三极管作为基本单元，组合成各种逻辑门电路，并且大规模集成电路（LSI）的发展使得数百万甚至数十亿的三极管可以同时制造在一片半导体硅片上，成为现代电子技术的基石之一总结起来，三极管是一种半导体器件，其结构由发射极、基极和集电极组成，通过控制输入信号来操控输出信号。
三极管的工作原理
三极管的工作原理引言概述：三极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
它是由三个掺杂不同的半导体材料构成的，具有放大、开关等功能。
本文将详细介绍三极管的工作原理。
一、三极管的结构1.1 发射极：发射极是三极管的输入端，负责输入控制信号。
1.2 基极：基极是三极管的控制端，控制电流的流动。
1.3 集电极：集电极是三极管的输出端，负责输出放大后的信号。
二、三极管的工作原理2.1 漏极电压：当基极与发射极之间的电压大于一定阈值时，三极管处于导通状态。
2.2 饱和区和截止区：三极管在饱和区时，电流最大；在截止区时，电流几乎为零。
2.3 放大作用：三极管能够将输入信号放大，并输出到集电极，实现信号放大的功能。
三、三极管的类型3.1 NPN三极管：发射极和集电极之间是N型材料，基极是P型材料。
3.2 PNP三极管：发射极和集电极之间是P型材料，基极是N型材料。
3.3 不同类型的三极管在电路中的应用略有不同，需要根据具体情况选择合适的类型。
四、三极管的应用4.1 放大器：三极管可以作为放大器，将输入信号放大后输出。
4.2 开关：三极管还可以作为开关，控制电路的通断。
4.3 振荡器：三极管还可以组成振荡器，产生高频信号。
五、三极管的特点5.1 小体积：三极管具有小体积、轻量化的特点，适合在各种电子设备中应用。
5.2 高可靠性：三极管具有高可靠性，使用寿命长。
5.3 稳定性好：三极管在一定工作条件下，稳定性较好，能够满足电路的要求。
总结：通过本文的介绍，我们可以了解到三极管的结构、工作原理、类型、应用和特点。
三极管作为一种重要的半导体器件，在电子领域有着广泛的应用，对于我们理解电子电路原理和设计具有重要意义。
三极管的工作原理与应用
三极管的工作原理与应用一、工作原理：三极管是一种半导体器件，由三个掺杂不同材料的半导体层组成。
它的工作原理基于PN结的特性和电场控制。
三极管的结构包括一个发射极（Emitter）、一个基极（Base）和一个集电极（Collector）。
发射极和基极之间形成一个PN结，而基极和集电极之间形成另一个PN结。
当三极管处于正向偏置时，发射极和基极之间的PN结处于正向偏置，而基极和集电极之间的PN结处于反向偏置。
在正向偏置下，发射极注入大量的载流子（电子或者空穴）进入基极区域。
这些载流子会被基区的电场吸引，并通过基极进入集电极区域。
而在反向偏置下，基极和集电极之间的PN结形成一个反向击穿区域，阻挠电流通过。
根据电场控制的原理，当在基极区域注入的载流子数量增加时，会导致集电极区域的电流增加。
因此，三极管可以通过控制基极电流来控制集电极电流的大小。
二、应用：1. 放大器：三极管可以作为放大器使用。
在放大器电路中，三极管的基极电流被调整，从而控制集电极电流的大小。
通过适当的电路设计，可以将输入信号的弱小变化放大为输出信号的较大变化。
2. 开关：三极管也可以作为开关使用。
当三极管的基极电流为零时，三极管处于截止状态，集电极电流为零。
当基极电流增加时，三极管进入饱和状态，集电极电流达到最大值。
因此，可以利用三极管的开关特性控制电路的通断。
3. 振荡器：三极管还可以用于构建振荡器电路。
通过适当的电路连接和反馈，可以使三极管在特定频率下产生连续的振荡信号。
4. 温度传感器：三极管的工作状态和温度密切相关。
通过测量三极管的电流和电压，可以推算出环境的温度变化。
5. 电压调节器：三极管还可以用于构建电压调节器电路。
通过控制三极管的工作状态，可以稳定输出电压，保护后续电路免受过高或者过低的电压影响。
总结：三极管是一种重要的半导体器件，具有广泛的应用领域。
它的工作原理基于PN结和电场控制的特性，可以作为放大器、开关、振荡器、温度传感器和电压调节器等多种电路中的关键组件。
三极管的结构内容
三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于各个领域。
它由三个不同类型的半导体材料构成，具有复杂的结构和精密的工艺。
本文将介绍三极管的结构内容，并从外观、材料和工作原理等方面进行详细解析。
一、外观结构三极管是一种小型的电子元件，通常呈现出长方形或圆柱形的外形。
其外部通常包括引脚、封装和标识等组成部分。
1. 引脚：三极管通常具有三个引脚，分别称为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
这三个引脚通过金属触点与内部半导体材料相连。
2. 封装：为了保护内部结构并便于安装和连接，三极管通常采用封装材料进行包裹。
常见的封装材料有塑料、金属等，不同封装类型也有不同的命名规则，如TO-92、SOT-23等。
3. 标识：为了方便识别不同型号的三极管，通常在外部封装上刻有相关的标识信息，如型号、制造商标志等。
二、材料构成三极管的内部结构由不同类型的半导体材料构成，主要包括P 型半导体和N型半导体。
这两种材料通过特定的工艺进行堆叠和连接，形成了三极管的特殊结构。
1. P型半导体：P型半导体是一种具有正电荷载流子（空穴）的材料。
它通常由硼（B）或铝（Al）等元素掺杂到硅（Si）或锗（Ge）等材料中形成。
P型半导体的特点是电子浓度较低，空穴浓度较高。
2. N型半导体：N型半导体是一种具有负电荷载流子（自由电子）的材料。
它通常由磷（P）、砷（As）或锑（Sb）等元素掺杂到硅或锗等材料中形成。
N型半导体的特点是电子浓度较高，空穴浓度较低。
三、工作原理三极管的工作原理基于PN结和二极管的特性。
它可以分为放大作用和开关作用两种模式。
1. 放大作用：当三极管处于放大作用模式时，基极与发射极之间的电压（VBE）大于正向阈值电压（通常为0.6-0.7V），将引起基区的P型半导体和N型半导体之间的势垒被透过。
此时，集电极与发射极之间的电压（VCE）处于正向偏置状态，使得电流从集电极流向发射极。
而基极电流（IB）的微小变化可以引起集电极电流（IC）的较大变化，实现对输入信号的放大。
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ΔVO= ΔiCRL (较大 较大) 较大
较大) ΔiC(较大) 如(0.98mA)
电压放大倍数
两个要点
三极管的放大作用, 三极管的放大作用,主要是 输入电压的变化, 输入电压的变化 , 是通过其 , 依靠它的I 能通过基区传输, 依靠它的IE能通过基区传输 然后顺利到达集电极而实现 改变输入电流, 再通过输入 改变输入电流 , 故要保证此传输, 的。故要保证此传输,一方 电流的传输去控制输出电压 面要满足内部条件, 面要满足内部条件,即发射 区掺杂浓度要远大于基区掺 的变化, 所以是一种电流控 的变化 , 所以是一种 电流控 杂浓度,基区要薄; 杂浓度,基区要薄;另一方面 制器件。 制器件。 要满足外部条件, 要满足外部条件,即发射结 正偏,集电结要反偏。 正偏,集电结要反偏。
另外,基区集电区本身存在的少子， 另外,基区集电区本身存在的少子， 三极管内有两种载流子参与导电， 三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管 3.集电区收集扩散过来的电子 集电区收集扩散过来的电子
三极管三个电极间的分配关系
IE=IBN＋ICN IB=IBN－ICBO IC=ICN＋ICBO
IE=IB＋IC
V ( BR )CBO > V ( BR )CEO > V ( BR )EBO
安全工作区
由ICM、V(BR)CEO、及PCM三个极限参数 可画出三极管的安全工作区图。 可画出三极管的安全工作区图。
§2.2.4 三极管的模型
三极管的简化直流模型
B
C
B
0.7V O.2V
C
B 0.7V
IB
IC
C βI
α 直流电流放大系数
α=IC/IE
交流电流放大系数
α
α=ΔiC/ΔiE
α与β间的关系 间的关系
ic α ie α β = = = ib (1 − α ) i e 1 − α
α=Leabharlann β1 + β
极间反向电流
(1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 路时 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流 CEO 集电极发射极间的反向饱和电流I ICEO=（1+ β ）ICBO （
vCE = 0V vCE ≥ CE 0V 1V iC VCC
iB
vBE - e VBB
b +
c+
vCE
共射极放大电路
BJT的特性曲线 的特性曲线
2. 输出特性曲线 输出电流与输出电压间的关系曲线 i vCB = vCE − =const =f(v ) i vBE
C CE
B
iB
饱和区： 的区域， 饱和区：vCE <vBE 的区域， 输出特性曲线的三个区域: 输出特性曲线的三个区域 发射结正偏， 发射结正偏，集电结正 明显受v 偏。 iC明显受 CE控制 截止区： 此时， 截止区但不随i 的输出曲线 的区域，但不随 B的增 的区域，：i此时，发射结正 放大区： 放大区： B=0的输出曲线 以下的区域。此时， 以下的区域。此时， 加而增大。在饱和区， 发射 加而增大。在饱和区，不随 偏，集电结反偏。iC 集电结反偏。 结和集电结均反偏。 结和集电结均反偏。iC只有 可近似认为 v但随 B的增大而 vCE变化，但随i 变化， CE保持不 很小的反向电流。， 对于小功率硅管， 变很小的反向电流C = β iB 。对于小功率硅管 线性增大， 线性增大，且 i。 一般v 一般 CES＝0.2V。 。
用相关符号取代上式 中的微分量后得 微分量用交流量 取代， 取代，偏微分量 用H参数取代 参数取代
vbe = hieib + hre vce ic = h feib + hoe vce
hie = (∂vBE /∂iB )
VCE
输出端交流短路时的输入电阻， 输出端交流短路时的输入电阻，即 rbe。 输入电阻
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 时 相当于发射结的正向伏安特性曲线。
以后， 当 vCE>1V以后，由于集电结的反偏电压可以在单位时 以后 (2) 当集电结进入反偏状态时， vCB= vCE - vBE随着 vCE的增大而增 当集电结进入反偏状态时， 间内将所有到达集电结边上的载流子拉到集电极， 间内将所有到达集电结边上的载流子拉到集电极，故iC 集电结的反偏加强。由于基区的宽度调制效应，基区变窄， 大，集电结的反偏加强。由于基区的宽度调制效应，基区变窄，基区 不随v 变化，所以同样的v 不变， 不随 CE变化，所以同样的 BE下的 iB不变，特性曲线几 复合减少，同样的v 减小，特性曲线右移。 复合减少，同样的 BE下 IB减小，特性曲线右移。 乎重叠。 乎重叠。
三极管的放大作用
+
iE=IE+∆iE e ∆VI b
iC=iE=IC+∆iC c RL iB=IB+△iB △ + ∆VO _
正向时PN结电 正向时 结电 流与电压成指 数关系
较小ΔVI 较小ΔV 如(20mV)
∆ VO 较大的Δ 较大的ΔiE AV = 三极管基区的 ∆ V I 如(1mA) 电流传递作用
极间反向电流
极限参数
电流放大系数
共 射 电 流 放 大 系 数
iB
vBE - e VBB
b +
c+
iC VCC
vCE
共射极放大电路
直流电流放大系数 β
β=IC / IB | vCE =const
交流电流放大系数 β
β=∆IC/∆IBvCE=const ∆ ∆
电流放大系数
共 基 电 流 放 大 系 数
vBE - e VBB 共射极放大电路
b +
i VCE =VBE c+ C
vCE
VCC
如何判断三极管的电极、管型和材料 如何判断三极管的电极、
当三极管在电路中处于放大状态时
发射结处于正向偏置， 发射结处于正向偏置，且对于硅管 |VBE|=0.7V，锗管|VBE|=0.2V； ，锗管| ；
集电结处于反向偏置， 集电结处于反向偏置，且 |VCB|＞1V； ＞ ；
H 参 数 物 理 含 义
hre = (∂vBE /∂vCE )
IB
输入端交流开路时的反向电压传输系数，即 输入端交流开路时的反向电压传输系数， 反向电压传输系数
µr
h fe = (∂iC /∂iB )
VCE
输出端交流短路时的电流放大系数， 输出端交流短路时的电流放大系数，即β。 电流放大系数
H 参 数 的 引 出
输入输出端口的 函数表达式
c b
vBE = f (iB , vCE ) iC = f (iB , vCE )
e
对输入输出端口的两 函数表达式求微分
v BE = f ( i B , v CE ) i C = f ( i B , v CE )
∂vBE ∂vBE dvBE = I B • dvCE VCE • diB + ∂v ∂ iB CE ∂iC ∂iC diC = VCE • diB + I B • dvCE ∂iB ∂vCE
§2.2.1 三极管的结构和工作原理
分类
按频率分有高频管、 按频率分有高频管、低频管 按功率分有小、 按功率分有小、中、大功率管 按材料分有硅管、 按材料分有硅管、锗管 按结构分有NPN型和PNP型 按结构分有NPN型和PNP型 NPN型和PNP
国产三极管的命名方式
3 D G 6
A 三 表 高 频 管 设 计 序 号 B C D NPN PNP NPN PNP
三极管的不同封装形式
金属封装
塑料封装
大功率管
中功率管
三极管的结构
集电极，用C或c 集电极 半导体三极管的结构示意图如下图所示。 半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种 发射极，用E或e 发射极 类型:NPN型和 类型 型和PNP型。 表示（Collector）。 型 型和 集电区 发射区 表示（Emitter）；
B
E
E
E
截止模型
饱和模型
放大模型
三极管的小信号模型 建立小信号模型的意义
由于三极管是非线性器件， 由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路 的分析非常困难。建立小信号模型， 的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件 做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。 做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。
建立小信号模型的思路
当放大电路的输入信号电压很小时， 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三 极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替， 极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而 可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性 电路来处理。 电路来处理。
三极管的小信号模型
将共射连接三 极管看成一双 端口网络
NPN管集电极电位比发射极电位高， 管集电极电位比发射极电位高， 管集电极电位比发射极电位高 PNP管集电极电位比发射极电位低。 管集电极电位比发射极电位低。 管集电极电位比发射极电位低
例 题
QVC = 1.3V ,VB = 0.6V
一个BJT在电路中处于 一个BJT在电路中处于 BJT 正常放大状态 测得A 状态， 正常放大状态，测得A、 B和C三个管脚对地的直 流电位分别为6V 0.6V， 6V， 流电位分别为6V，0.6V， 1.3V。 1.3V。试判别三个管脚 的极名、 的极名、是硅管还是锗 NPN型还是PNP型 型还是PNP 管？NPN型还是PNP型？
极 限 参 数
反 向 击 穿 电 压
V(BR)CBO：发射极开路时集电极-基 ：发射极开路时集电极极间的反向击穿电压。 极间的反向击穿电压。