模电习题答案
模电考试题及答案
模电考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。
A. 基极电流小于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都反向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C3. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 相差90度D. 相差180度答案：B4. 差分放大器的主要优点是（）。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 放大共模信号D. 放大差模信号和抑制共模信号答案：D5. 场效应管的控制量是（）。
A. 漏极电流B. 栅源电压C. 漏源电压D. 栅漏电流答案：B6. 集成运放的输出电压范围主要取决于（）。
A. 电源电压B. 输入信号C. 反馈电阻D. 负载电阻答案：A7. 负反馈可以（）。
A. 增加放大倍数B. 减少非线性失真C. 增加输入电阻D. 减少输出电阻答案：B8. 直流稳压电源中的滤波电路是（）。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A9. 正弦波振荡器的振荡条件是（）。
A. 相位平衡条件B. 幅度平衡条件C. 相位平衡条件和幅度平衡条件D. 只有幅度平衡条件答案：C10. 调制的目的是（）。
A. 放大信号B. 改变信号的频率C. 使信号便于传输D. 改变信号的相位答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在共基极放大电路中，输入阻抗与输出阻抗相比，输入阻抗________输出阻抗。
答案：小2. 理想运算放大器的差模输入电阻为________，共模抑制比为________。
答案：无穷大，无穷大3. 差分放大器的差模电压增益是共模电压增益的________倍。
答案：1+2Rf/R4. 场效应管的漏极电流与栅源电压的关系是________。
答案：非线性5. 负反馈可以提高放大电路的________。
模电习题库答案
模电习题库答案⼀、填空题1、P型半导体多数载流⼦为空⽳，⽽N型半导体的多数载流⼦为电⼦。
2、为了使三极管具有放⼤作⽤，要求外加电压保证发射结正偏，集电结反偏。
3、甲类功放电路管⼦的导通⾓为2π，⼄类功放电路管⼦的导通⾓为π。
4、同相⽐例运算电路可实现Au>1的放⼤器；反相⽐例运算电路可实现Au<0的放⼤器。
5、差分放⼤电路能够放⼤差模信号，⽽抑制共模信号。
6、在具有反馈的放⼤电路中，如果令输出电压0u，反馈信号消失，说明它o的反馈类型属于电压反馈，否则就是电流反馈。
KH信号通过，应该选7、在某个信号处理系统中，要求让输⼊信号中的10～15ZKH的⼲扰信号，不使其通过可采⽤带通滤波器，如果要抑制20～30Z⽤带阻滤波器。
8、振荡电路的⾃激振荡条件中，幅值平衡条件为AF=1，相位平衡条件为：ψa+ψf=2nπ。
9、当静态⼯作点Q的位置偏低，⽽输⼊电压u的幅值⼜相对较⼤，则很容易引i起截⽌失真，当静态⼯作点Q的位置偏⾼，⽽输⼊电压u的幅值⼜i相对较⼤，则很容易引起饱和失真。
10、正弦波振荡电路由放⼤器、正反馈⽹络和选频⽹络和稳幅环节四部分构成。
11、PN结外加正向偏置电压时，在外电场的作⽤下，空间电荷区的宽度要变窄，于是多⼦的扩散运动将增强。
12、当三极管⼯作在放⼤区（线性区）时，集电极电流的变化基本与Uce⽆关，⽽主要受 Ib 的控制。
13、半导体中的载流⼦为电⼦和空⽳。
14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN 型。
15、共模抑制⽐K等于差模放⼤倍数与共模放⼤倍数之⽐的绝对值，CMRK值越⼤，表明电路抑制共模信号的能⼒越强。
CMR16、在对放⼤电路的输⼊、输出电阻的影响中，串联负反馈的影响是使输⼊电阻的阻值增⼤，⽽电压负反馈的影响是使得输出电阻的阻值减⼩。
17、在某个信号处理系统中，为了获得输⼊电压中的低频信号，应该选⽤低通滤波器，为了避免50HZ电⽹电压的⼲扰进⼊放⼤器，应该选⽤带阻滤波器。
模电 习题答案(精选.)
2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。
试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。
故 V 82.32CESCEQ om ≈-=U U UΩ=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。
故V 12.22'LCQ om ≈=R I U2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、uA &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥&（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，ef 'LR R R A u+-≈&2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的uA &和R i ；（3）求出R o 。
解：（1）求解Q 点：V17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ eb BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时996.0)1()1(k 110])1([ebe ee be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R uβββ&∥R L ＝3k Ω时992.0))(1())(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω≈++=R R r R R A R R r R R u∥∥∥∥βββ&（3）求解输出电阻： Ω≈++=371beb s e o βr R R R R ∥∥2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模电习题（含答案）
模电习题（含答案）1. _⾮常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。
2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体，前者中多数载流⼦是_⾃由电⼦_，少数载流⼦是_空⽳_，后者中多数载流⼦是_空⽳_，少数载流⼦是_⾃由电⼦_。
3. 本征硅中若掺⼊5价元素的元素，则多数载流⼦应是_⾃由电⼦_，掺杂越多，则其数量⼀定越_多_，相反，少数载流⼦应是_空⽳_，掺杂越多，则其数量⼀定越_少_。
4. P 区侧应带_负电_，N 曲⼀侧应带_正电_。
空间电荷区内的电场称为_内电场_，其⽅向从_N 区_指向_P 区_。
5. 在PN 结两侧外加直流电压，正端与P 区相连，负端与N 区相连，这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。
6. 半导体三极管的输⼊特性曲线与⼆极管的正向特性相似，⽽输出特性曲线可以划分为三个⼯作区域，它们是_截⽌_区、_饱和_区和_放⼤_区。
7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升⾼时，半导体三极管的β值_增⼤_，ICBO 值_增⼤_，UBE 值_减⼩_。
8. 半导体三极管能够放⼤信号，除了内部结构和⼯艺特点满⾜要求外，还必须具备的外部⼯作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。
9. ⼯作在放⼤区的某晶体管，当IB 从20微安增⼤到40微安时，Ic 从2毫安变为4毫安，它的β值约为_100_。
10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。
11. NPN 型硅三极管处于放⼤状态时，在三个电极电位中，其电位⾼低关系为_E B C U U U >>_；基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。
12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两⼤类，他们⼯作时有_⾃由电⼦_、_空⽳_两种载流⼦参与导电。
13. 在⽤万⽤表测量⼆极管的过程中，如果测得⼆极管的正反向电阻都为0Ω，说明该⼆极管内部已_击穿_；如果所测得的正反向电阻都为⽆穷，说明该⼆极管已_断路损坏_。
模电考试题及答案
模电考试题及答案一、选择题（每题3分，共30分）1. 在模拟电路中，三极管的主要作用是（）。
A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 调制答案：A2. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 0B. 1ΩC. 1kΩD. 无穷大答案：D3. 共发射极放大电路中，若要增大输出电压，应增大（）。
A. 集电极电阻B. 发射极电阻C. 基极电阻D. 电源电压答案：A4. 差分放大电路的主要优点是（）。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 增加输出电压D. 减小输入阻抗答案：B5. 负反馈可以（）。
A. 增加放大倍数B. 减小非线性失真C. 增加输入阻抗D. 减小输出阻抗答案：B6. 场效应管的控制量是（）。
A. 电压B. 电流C. 电荷D. 电场答案：D7. 在模拟电路中，为了减少噪声，通常采用（）。
A. 增加电源电压B. 减小电源电压C. 增加信号源阻抗D. 减小信号源阻抗答案：D8. 集成运算放大器的输出电压范围受到（）的限制。
A. 电源电压B. 输入电压C. 负载电阻D. 放大倍数答案：A9. 为了使共发射极放大电路工作在放大区，基极与发射极之间的电压应满足（）。
A. V_BE > 0.7VB. V_BE < 0.7VC. V_BE = 0.7VD. V_BE ≥ 0V答案：A10. 理想二极管的正向导通电压为（）。
A. 0VB. 0.7VC. 1VD. 2V答案：B二、填空题（每题2分，共20分）11. 在共基极放大电路中，输出电压与输入电压相位______。
答案：相同12. 集成运算放大器的差模输入阻抗是指两个输入端之间的阻抗，而共模输入阻抗是指两个输入端对地的阻抗，理想情况下，差模输入阻抗应为______，共模输入阻抗应为无穷大。
答案：无穷大13. 场效应管的跨导定义为输出电流与输入电压之间的比值，即 g_m = ______。
答案：I_D / V_GS14. 为了提高放大电路的输入阻抗，可以在三极管的基极与信号源之间串联一个______。
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1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？解：(1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。
∴V U I 10=时，V U R R R U I LLO 3.3=+=； 图Pl.6V U I 15=时，5LO I LR U U V R R ==+；VU I35=时，11.7LO I ZLRU U V UR R=≈>+，∴VUUZO6==。
0.1(2)当负载开路时，mAImARUUI ZZIZ2529max=>=-=，故稳压管将被烧毁。
1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。
分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。
(a) (b) (a) (b)图Pl.8解图Pl.8解：答案如解图Pl.8所示。
放大倍数分别为1/10100amA Aβμ==和5/10050bmA Aβμ==1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9解:如解图1.9。
解图1.91.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BEU V=，β=50。
试分析BBV为0V、1V、3V三种情况下T 的工作状态及输出电压Ou的值。
解：(1)当0BBV=时，T 截止，12Ou V=。
(2)当1BBV V=时，因为60BB BEQBQbV UI ARμ-==3CQ BQI I mAβ==9O CC CQ cu V I R V=-=图P1.10所以T处于放大状态。
(3)当3BBV V=时，因为460BB BEQBQbV UI ARμ-==，2311.3CC CESCQ BQ CScV UI I mA I mARβ-====，所以T处于饱和状态。
1.12分别判断图Pl.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a) (b) (c)(d) (e)图P1.12解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。
(e)可能。
2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(a) (b)(c) (d)图P2.1解：(a)将-V CC改为+V CC。
(b)在+V CC与基极之间加R b。
(c)将V BB反接，且在输入端串联一个电阻。
(d)在V BB支路加R b，在-V CC与集电极之间加R c。
2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b)(c) (d)图P2.2解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示；(a) (b)(c) (d) 解图P2.22.4 电路如图P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时0.7BEQ U V =。
利用图解法分别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压om U （有效值）。
(a) (b)图P2.4解：空载时：20,2,6BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===； 最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。
带载时：20,2,3BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===；最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。
如解图P2.4 所示。
解图P2.4 图P2.52.6电路如图P2.6所示，已知晶体管β=120，U BE =0.7V ，饱和管压降U CES =0.5V 。
在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？(1)正常情况；(2)R b1短路；(3)R b1开路；(4)R b2开路；(5)R b2短路；(6)RC 短路；图P2.6 图P2.7解:(1)2117416311CC BE BEB b b V U U I A R R μ-=-=-=, 1.32C B I I mA β==，∴8.3C CC C c U V I R V =-=。
(2) R b1短路,0==B C I I ,∴15C U V =。
(3) R b1开路,临界饱和基极电流23.7CC CESBS cV U I A R μβ-=≈，实际基极电流2174CC BEB b V U I A R μ-==。
由于B BS I I >,管子饱和,∴V U U CES C 5.0==。
(4) R b2开路,无基极电流,15C CC U V V ==。
(5) R b2短路，发射结将烧毁，C U 可能为15V 。
(6) R C 短路, 15C CC U V V ==。
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。
解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为： 6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308cu beR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R V R R =-≈+(//)115c L u beR R A r β=-≈- 34.7beus u be sr A A r R ≈⋅≈-+// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。
2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，be r =1.4kΩ。
(1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ，估算R b ；(2)若测得i U 和oU 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少？解：(1)mA R U V I c CECC C 2=-=，A I I C B μβ20/==, ∴Ω=-=k I U V R BBECC b 565。
(2)由(//)100o c L u i beU R R A U r β=-=-=-, 可得: 2.625L R k =Ω。
图P2.9 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、u A 、iR 和o R ； (2)若改用β=200的晶体管，则Q 点如何变化？(3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：(1)静态分析： 1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+101EQ BQ I I A μβ==+e (R ) 5.7CEQ CC EQ cf U V I R R V =-++= 图P2.11动态分析：'26(1)2.73be bb EQmVr r k I β=++≈Ω (//)7.7(1)c L u be fR R A r R ββ=-=-++12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω 5o c R R k ==Ω (2) β=200时，1122b BQ CC b b R U V V R R =⋅=+（不变）；1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+（不变）；51EQ BQ I I A μβ==+（减小）； e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++=（不变）。
(3) C e 开路时，(//)// 1.92(1)()c L c Lu be e f e fR R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++（减小）；12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω（增大）； 5o c R R k ==Ω（不变）。
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，be r =1kΩ。
(1)求出Q 点； (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的u A 、i R 和o R 。
解：(1)求解Q 点： 32.3(1)CC BEQ BQ b eV U I A R R μβ-=≈++(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈ 7.17CEQ CC EQ e U V I R V =-≈(2)求解放大倍数和输入、输出电阻： R L =∞时；(1)0.996(1)eu be eR A r R ββ+=≈++ 图P2.12//[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈ΩR L =3kΩ时；(1)(//)0.992(1)(//)e L u be e L R R A r R R ββ+=≈++//[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω输出电阻：////371s b beo e R R r R R β+=≈Ω+2.13 电路如图P2.13 所示，晶体管的β=60 , '100bb r =Ω。
(1)求解Q 点、u A 、iR 和o R (2)设U s = 10mV （有效值），问?i U =,?o U =若C 3开路，则?i U =,?o U =解：(1) Q 点：31(1)CC BEQ BQ b eV U I A R R μβ-=≈++1.86CQ BQ I I mAβ=≈图P2.13() 4.56CEQ CC EQ c e U V I R R V ≈-+≈u A 、iR 和o R 的分析： '26(1)952be bb EQmVr r I β=++≈Ω, (//)95c L u be R R A r β=-≈- //952i b be R R r =≈Ω , 3o c R R k ==Ω。