模电总结复习资料+期末试题A及答案
模拟电子技术复习题+参考答案

模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题(共80题,每题1分,共80分)1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案:B2、射极输出器是典型的()。
A、电压并联负反馈;B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈;正确答案:B3、集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案:A4、二极管只要发生击穿现象,一定会造成二极管的永久性损坏。
()A、对 :B、错正确答案:B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素,就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案:A6、双极三极管是一种()A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案:B7、理想集成运放的输入电阻为()。
A、0;B、不定。
C、∞;正确答案:C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时,运放处于()A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案:D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为()失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案:C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案:B11、晶体三极管各种组态的放大电路,输入、输出均为反相关系。
()A、对 :B、错正确答案:B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案:A13、若使晶体三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结反偏;C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏;正确答案:B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案:A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路,则电路中晶体三极管处于()。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。
0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。
烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。
0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。
击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。
模电期末试题及答案

模电期末试题及答案### 模拟电子电路期末试题及答案#### 一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子电路中,运算放大器的开环增益通常为: - A. 10^2- B. 10^3- C. 10^5- D. 10^6 及以上2. 理想运算放大器的输入阻抗是:- A. 低阻抗- B. 高阻抗- C. 零阻抗- D. 无穷大3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?- A. 放大器- B. 比较器- C. 振荡器- D. 整流器4. 负反馈在运算放大器中的作用是:- A. 增加增益- B. 减少增益- C. 稳定输出- D. 增加噪声5. 以下哪个是二极管的主要特性?- A. 单向导电性- B. 双向导电性- C. 高输入阻抗- D. 低输出阻抗#### 二、简答题(每题10分,共30分)1. 简述差分放大器的工作原理及其优点。
2. 解释什么是共模抑制比(CMRR)以及它在模拟电路设计中的重要性。
3. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理,并说明其频率响应特性。
#### 三、计算题(每题25分,共50分)1. 给定一个共射放大电路,其参数如下:- 基极电流 \( I_B = 20 \mu A \)- 集电极电流 \( I_C = 2 mA \)- 基极-发射极电压 \( V_{BE} = 0.7V \)- 电源电压 \( V_{CC} = 12V \)- 集电极电阻 \( R_C = 2k\Omega \)求:集电极电压 \( V_C \) 和放大电路的电压增益 \( A_V \)。
2. 给定一个运算放大器电路,其开环增益为 \( A_{OL} = 10^5 \),反馈电阻 \( R_F = 10k\Omega \),输入电阻 \( R_I = 100k\Omega \),求闭环增益 \( A_{CL} \)。
#### 四、分析题(共30分)分析以下电路图,并回答以下问题:- 电路的类型是什么?- 电路的输入和输出是什么?- 电路的工作原理是什么?- 电路的增益如何计算?(注:电路图略,考生需根据实际电路图进行分析)#### 答案:#### 一、选择题1. D2. D3. D4. C5. A#### 二、简答题1. 差分放大器由两个对称的放大器组成,其工作原理是利用两个输入端的电压差来驱动输出。
模拟电子技术期末试卷及答案5套

学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷(A 卷 专业 级)考试方式: 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %(本题共5小题,每小题4分,共 20 分)一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用 耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用 耦合方式。
2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。
由此可知:电极1是 极,电极2是 极,电极3是极。
若已知I 1电流方向流入晶体管,则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。
3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ;NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管;PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于 失真;幅频失真和相频失真属于 失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为 反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为 反馈。
放大电路通常采取 反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。
(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ) 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
( ) 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。
( ) 4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V 。
( )5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。
模电期末考试题库及答案

模电期末考试题库及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,运算放大器的输入端通常具有什么特性?A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 低输出阻抗D. 高输出阻抗答案:A2. 下列哪种元件不是模拟电路中的基本元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D3. 理想运算放大器的开环增益是多少?A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 1答案:B4. 在模拟电路中,放大器的增益通常用哪个参数表示?A. 电压增益B. 电流增益C. 功率增益D. 阻抗增益5. 以下哪个不是模拟电路中的噪声来源?A. 热噪声B. 散粒噪声C. 互调噪声D. 逻辑噪声答案:D6. 模拟电路中,滤波器的作用是什么?A. 放大信号B. 过滤信号C. 转换信号D. 调制信号答案:B7. 模拟电路中,负反馈的作用是什么?A. 增加增益B. 减少增益C. 增加稳定性D. 减少稳定性答案:C8. 下列哪个不是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 离散变化C. 可模拟连续时间信号D. 可模拟连续空间信号答案:B9. 在模拟电路中,理想二极管的正向导通电压是多少?B. 0.7VC. 无穷大D. 1.5V答案:A10. 模拟电路中的积分器通常由哪种元件组成?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 运算放大器答案:B二、填空题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,______ 通常用来表示放大器的输出信号与输入信号的比值。
答案:增益2. 运算放大器的输出端具有______的特性。
答案:低阻抗3. 模拟电路中的滤波器可以分为______滤波器和低通滤波器。
答案:高通4. 理想运算放大器的输入端是______的。
答案:虚断5. 模拟电路中的信号放大器通常由______、电容和电感等元件组成。
答案:运算放大器6. 模拟电路中的振荡器通常由______、电容和电感等元件组成。
答案:运算放大器7. 模拟电路中的负反馈可以减少放大器的______。
模电期末复习题答案

模电期末复习题答案1. 半导体二极管的正向导通电压一般为多少?答:半导体二极管的正向导通电压一般为0.7V。
2. 共发射极放大电路中,集电极电流与基极电流的关系是什么?答:在共发射极放大电路中,集电极电流Ic与基极电流Ib的关系为Ic = βIb,其中β为晶体管的直流电流放大倍数。
3. 什么是差分放大电路的共模抑制比?答:差分放大电路的共模抑制比(CMRR)是指差分放大电路对差模信号的放大倍数与对共模信号放大倍数的比值,它反映了差分放大电路抑制共模信号的能力。
4. 运算放大器的开环增益和闭环增益有何不同?答:运算放大器的开环增益是指在没有反馈的情况下,运算放大器的输入信号与输出信号之间的增益;而闭环增益是指在有反馈的情况下,运算放大器的输入信号与输出信号之间的增益。
闭环增益通常远小于开环增益。
5. 什么是理想运算放大器?答:理想运算放大器是指在理论上具有无限大的开环增益、无限大的输入阻抗、无限小的输出阻抗、无限宽的带宽和零输入失调电压的运算放大器。
6. 场效应管的工作原理是什么?答:场效应管的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道,从而控制漏极电流的大小。
7. 什么是负反馈放大电路?答:负反馈放大电路是指将放大器的输出信号的一部分或全部以反相的方式送回到输入端,以减小输出信号的放大倍数,从而提高放大器的稳定性和线性度。
8. 什么是波特图?答:波特图是频率响应的图形表示,它显示了系统增益的对数(以分贝为单位)与频率(以对数刻度)之间的关系,以及相位与频率之间的关系。
9. 什么是锁相环?答:锁相环是一种电子电路,能够锁定输入信号的相位并生成一个与输入信号同相位的输出信号,常用于频率合成、调制解调和时钟恢复等应用。
10. 什么是调制和解调?答:调制是指将信息信号(如音频或视频信号)与高频载波信号结合的过程,以便于在信道中传输;解调则是将调制信号中的信息信号从载波信号中提取出来的过程。
模电期末考试试题及答案

模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题(每题2分,共20分)1. 在理想运算放大器中,输入电阻是:A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是:A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题(每空2分,共20分)6. 运算放大器的_________端是虚拟地,即电压为0V。
7. 电压跟随器的特点是_________,输出阻抗小。
8. 一个理想的电压源的内阻是_________。
9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。
10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。
三、简答题(每题10分,共30分)11. 解释什么是差分放大器,并简述其主要优点。
12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。
13. 什么是振荡器?请列举至少两种常见的振荡器类型。
四、计算题(每题15分,共30分)14. 给定一个共射放大电路,其静态工作点为VB=10V,VC=20V,VE=5V,β=100。
假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V,计算该电路的静态工作电流IE。
15. 设计一个简单的RC低通滤波器,要求截止频率为1kHz,输入信号频率为10kHz,计算所需的电阻和电容值。
答案:一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗,低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路,它能够放大两个输入端之间的差值信号,而抑制共模信号。
模电期末考试题目及答案

模电期末考试题目及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,运算放大器的基本应用不包括以下哪一项?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 逻辑门答案:D2. 理想运算放大器的开环增益是:A. 有限的B. 非常大的C. 非常小的D. 零答案:B3. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 可以是数字形式C. 可以是模拟形式D. 可以是周期性变化答案:B4. 负反馈在运算放大器电路中的作用是:A. 增加增益B. 降低增益C. 增加稳定性D. 减少噪声答案:C5. 一个理想二极管的正向导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 3.3VD. 5V答案:B...二、简答题(每题10分,共30分)1. 简述运算放大器的非线性应用有哪些,并举例说明。
答案:运算放大器的非线性应用包括比较器、振荡器、调制器等。
例如,比较器可以将输入信号与参考电压比较,输出高电平或低电平,常用于过压保护电路。
2. 解释什么是负反馈,并说明负反馈在电路设计中的作用。
答案:负反馈是指将输出信号的一部分反馈到输入端,与输入信号相减。
负反馈可以增加电路的稳定性,降低噪声,减小非线性失真,提高增益精度。
3. 什么是共模抑制比(CMRR)?它在模拟电路设计中的重要性是什么?答案:共模抑制比(CMRR)是指运算放大器对差模信号增益与对共模信号增益的比值。
CMRR高意味着运算放大器对差模信号的放大能力强,对共模信号的放大能力弱,这在模拟电路设计中非常重要,因为它可以减少共模干扰,提高电路的抗干扰能力。
...三、计算题(每题15分,共30分)1. 给定一个理想运算放大器电路,输入信号为Vin,反馈电阻Rf=10kΩ,输入电阻Ri=1kΩ,求输出电压Vout。
答案:由于是理想运算放大器,所以输入端的电压差为零,即Vin+ = Vin-。
根据虚短原理,Vin+ = Vout/Rf * Ri。
代入Rf和Ri的值,得到Vout = Vin * (Rf/Ri) = Vin * 10。
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第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管~,锗管~。
*死区电压------硅管,锗管。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。
3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线---同二极管。
* 输出特性曲线(饱和管压降,用U CES表示放大区---发射结正偏,集电结反偏。
截止区---发射结反偏,集电结反偏。
4. 温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。
温度升高I CBO、I CEO、I C以及β均增加。
三. 低频小信号等效模型(简化)h ie---输出端交流短路时的输入电阻,常用r be表示;h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。
2.组成原则----能放大、不失真、能传输。
五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响1)改变R b:Q点将沿直流负载线上下移动。
2)改变R c:Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。
3)改变V CC:直流负载线平移,Q点发生移动。
2. 交流通路与动态分析*概念---交流电流流通的回路*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的直线。
3. 静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因---Q点设置过低*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。
*消除方法---减小R b,提高Q。
(2)饱和失真*产生原因---Q点设置过高*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。
*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。
4. 放大器的动态范围(1)U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围*当(U CEQ-U CES)>(V CC’ - U CEQ)时,受截止失真限制,U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。
*当(U CEQ-U CES)<(V CC’ - U CEQ)时,受饱和失真限制,U OPP=2U OMAX=2 (U CEQ-U CES)。
*当(U CEQ-U CES)=(V CC’ - U CEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六. 放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足R B>βRc。
2.放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1.静态分析2.动态分析*电压放大倍数在R e两端并一电解电容C e后输入电阻在R e两端并一电解电容C e后* 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1.静态分析2.动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。
* 输入电阻高,输出电阻低。
第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管( JFET)1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)转移特性曲线U P ----- 截止电压二. 绝缘栅型场效应管(MOSFET)分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。
结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中,I DO是U GS=2U T时所对应的i D值。
* N-DMOS的输出特性曲线注意:u GS可正、可零、可负。
转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P,此曲线表示式与结型场效应管一致。
三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流I DSS2.夹断电压U p3.开启电压U T4.直流输入电阻R GS5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导g m ---五. 共源极基本放大电路1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析若带有C s,则2.分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析若源极带有C s,则六.共漏极基本放大电路* 静态分析或* 动态分析第四章多级放大电路一.级间耦合方式1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。
但不便于集成,低频特性差。
2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。
体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。
3. 直接耦合----低频特性好,便于集成。
各级静态工作点不独立,互相有影响。
存在“零点漂移”现象。
*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使u o偏离初始值“零点”而作随机变动。
二. 单级放大电路的频率响应1.中频段(f L≤f≤f H)波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数,相频曲线是φ=-180o。
2.低频段(f ≤f L)‘3.高频段(f ≥f H)4.完整的基本共射放大电路的频率特性三. 分压式稳定工作点电路的频率响应1.下限频率的估算2.上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式2. 波特图第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o,I CQ大,管耗大,效率低。
2.乙类工作状态I CQ≈0,导通角为180o,效率高,失真大。
3.甲乙类工作状态导通角为180o~360o,效率较高,失真较大。
二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态任意状态:U om≈U im尽限状态:U om=V CC-U CES理想状态:U om≈V CC2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗P c1m=5.效率理想时为%三. 甲乙类互补对称功率放大电路1.问题的提出在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。
2. 解决办法甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容C2上静态电压为V CC/2,并且取代了OCL功放中的负电源-V CC。
动态指标按乙类状态估算,只是用V CC/2代替。
四. 复合管的组成及特点1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2.类型取决于第一只管子的类型。
3.β=β1·β 2第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路,以减小零漂。
2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。
3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路----多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。
二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程----当T↑→i C1、i C2↑→i E1、i E2 ↑→u E↑→u BE1、u BE2↓→i B1、i B2↓→i C1、i C2↓。
R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。
2静态分析1) 计算差放电路I C设U B≈0,则U E=-,得2) 计算差放电路U CE•双端输出时••单端输出时(设VT1集电极接R L)对于VT1:对于VT2:3. 动态分析1)差模电压放大倍数•双端输出••单端输出时从VT1单端输出:从VT2单端输出:2)差模输入电阻3)差模输出电阻•双端输出:•单端输出:三. 集成运放的电压传输特性当u I在+U im与-U im之间,运放工作在线性区域:四.理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数A od→∞;* 差模输入电阻R id→∞;* 输出电阻R o→0;* 共模抑制比K CMR→∞;2. 理想集成运放的分析方法1) 运放工作在线性区:* 电路特征——引入负反馈* 电路特点——“虚短”和“虚断”:“虚短”---“虚断” ---2) 运放工作在非线性区* 电路特征——开环或引入正反馈* 电路特点——输出电压的两种饱和状态:当u+>u-时,u o=+U om当u+<u-时,u o=-U om两输入端的输入电流为零:i+=i-=0第七章放大电路中的反馈一.反馈概念的建立*开环放大倍数---A*闭环放大倍数---Af*反馈深度---1+AF*环路增益---AF:1.当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。