材料常用制备方法
总结材料制备流程
总结材料制备流程引言材料制备是科学研究和工程应用中至关重要的一个环节。
准确和稳定的材料制备流程是确保最终材料具备所需性能的关键。
本文将总结常见的材料制备流程及其关键步骤，以帮助读者了解和掌握材料制备的基本原理和操作方法。
常见材料制备流程1. 材料选择在进行材料制备之前，首先需要选择合适的原料。
原料的选择取决于所需材料的性能要求和应用需求。
例如，对于导电材料制备，可以选择金属颗粒或导电高分子作为原料。
2. 原料预处理在进行材料制备之前，通常需要对原料进行预处理。
预处理步骤可以包括清洗、研磨、筛分等操作。
这些步骤旨在提高原料的纯度和均一性，以保证最终制备的材料性能。
3. 材料混合在制备复合材料或合金材料时，需要将不同成分的原料进行混合。
混合的方法包括机械混合、溶液混合、固相反应等。
混合的过程需要控制好混合时间和混合剂的选择，以保证不同成分的均匀分布。
4. 材料形成在材料制备的过程中，可以通过不同的形成方法将原料转化为所需的材料形态。
常见的材料形成方法包括熔融法、沉积法、溶胶凝胶法等。
选择合适的形成方法取决于原料的性质和最终材料的要求。
5. 热处理在某些情况下，通过热处理可以改善材料的结构和性能。
热处理的参数包括温度、时间和气氛等。
热处理的目的可以是晶粒生长、相转变或者去除杂质等。
6. 表面处理对于某些材料，表面处理可以改善其性能和应用特性。
表面处理方法包括电化学方法、化学处理、溅射沉积等。
表面处理可以改变材料的表面化学性质、粗糙度和附着力等。
7. 材料性能测试最后，在材料制备完成后，需要对所制备材料的性能进行测试。
常见的材料性能测试包括力学性能测试、热性能测试、电学性能测试等。
通过性能测试，可以评估材料是否满足所需性能要求。
结论材料制备流程是确保最终材料具备所需性能的关键。
本文总结了常见的材料制备流程及其关键步骤，从材料选择、原料预处理到材料性能测试，为读者提供了一个清晰的制备流程。
通过熟悉和掌握材料制备流程，可以更好地制备出具备优良性能的材料，满足科学研究和工程应用的需求。
材料合成与制备方法
材料合成与制备方法材料合成是材料科学领域中的关键环节，合成方法的选择直接影响到材料的性能和应用。
本文将介绍几种常见的材料合成方法和制备技术，包括化学合成、物理合成和生物合成等。
一、化学合成化学合成是一种通过化学反应来制备新材料的方法。
通常需要原料物质在特定条件下进行反应，生成目标产物。
常见的化学合成方法包括溶液法、气相法和固相法等。
1. 溶液法溶液法是一种将原料物质溶解在适当的溶剂中，通过溶液中物质的扩散、固相沉淀和晶体生长等过程，制备出所需的材料的方法。
这种方法操作简单，适用于多种材料的合成。
2. 气相法气相法是一种将原料物质气化或溶解在惰性气体中，通过气相反应生成目标产物的方法。
这种方法通常用于制备高纯度、高质量的材料，适用于一些高温、高真空条件下的合成。
3. 固相法固相法是一种将原料物质混合均匀后，在高温条件下进行反应生成目标产物的方法。
这种方法适用于高温烧结、固相反应等制备过程。
二、物理合成物理合成是一种利用物理方法实现材料合成的方式。
常见的物理合成方法包括熔融法、机械合成和溅射法等。
1. 熔融法熔融法是一种将原料物质加热至熔化状态后冷却凝固成材料的方法。
这种方法通常用于金属材料、陶瓷材料等的制备，具有制备工艺简单、成本低廉的优点。
2. 机械合成机械合成是一种通过机械力对原料物质进行机械混合、压缩、研磨等过程，实现材料合成的方法。
这种方法适用于一些不容易发生化学反应的材料，可以制备出高性能的复合材料。
3. 溅射法溅射法是一种利用高能粒子轰击靶材表面，使靶材表面原子或分子脱落并沉积在基底上形成薄膜的方法。
这种方法适用于制备薄膜、涂层等材料，广泛应用于电子、光电等领域。
三、生物合成生物合成是一种利用生物体或生物体系来合成材料的方法。
常见的生物合成方法包括生物体内合成、发酵法和生物模板法等。
1. 生物体内合成生物体内合成是一种利用生物体自身代谢过程中产生的物质合成材料的方法。
这种方法适用于生物体本身就能够合成目标产物的情况，具有环境友好、资源可再生的优点。
制备材料的方法有哪些
制备材料的方法有哪些制备材料的方法是指通过不同的工艺和技术手段来获得所需材料的过程。
下面将介绍几种常见的制备材料的方法。
1. 熔融法：将原料加热至熔点，使之熔化后，再通过冷却使其凝固形成所需材料。
这种方法适用于金属、陶瓷等高熔点物质的制备。
例如，熔化高纯度金属，将其倒入模具中进行冷却后，可以制备出金属块、片等。
2. 溶液法：将固体物质溶解于适当溶剂中，形成溶液，通过溶液的浓缩、结晶、沉淀等操作，使所需物质重新沉淀出来。
溶液法适用于很多无机物和有机物的制备。
例如，制备硫酸铜，将铜粉与硫酸反应，得到溶液后可以通过结晶使硫酸铜重新生成。
3. 气相沉积法：通过气体中的反应物质在合适的条件下发生化学反应，沉积在基底表面，形成所需材料。
气相沉积法常用于制备薄膜材料，例如化学气相沉积法可以制备出具有特殊性质的二氧化硅膜。
4. 沉淀法：通过在溶液中加入适当的试剂，使反应物质发生沉淀反应，从而得到所需材料。
沉淀法常用于制备金属氧化物、金属碳酸盐等材料。
例如，制备氢氧化铝，先将铝盐溶解在水中，然后加入氢氧化钠，铝阳离子于碱性条件下与氢氧化物离子发生沉淀反应，从而沉淀得到氢氧化铝。
5. 水热法：将反应物溶解于水或有机溶剂中，在高温高压条件下进行反应，然后快速降温使溶液冷却，形成所需材料。
水热法常用于制备金属氧化物、金属硫化物等材料。
例如，制备纳米颗粒，先将金属盐溶解在水中，然后在高温高压条件下进行反应，最后通过快速降温使溶液冷却，纳米颗粒便能沉淀出来。
6. 碳化法：将碳源与需要制备的元素放在一起，通过高温处理使其相互反应生成所需材料。
碳化法常用于制备陶瓷材料。
例如，制备碳化硅，将高纯度碳与二氧化硅混合，置于高温炉中加热，碳与硅发生反应形成碳化硅。
7. 导体法：通过在材料中加入一定比例的导体，通过电流通过导体来使材料自身发生反应或电解溶液，从而得到所需材料。
导体法常用于电解法制备金属材料。
例如，用氯化钠溶液电解可得到氯气和金属钠。
三元材料制备方法
三元材料制备方法引言：三元材料是指由三种不同的元素组成的材料，通常用于制造电池、光电器件以及催化剂等领域。
本文将介绍三种常用的制备三元材料的方法，分别是溶液法、固相法和气相法。
一、溶液法溶液法是一种常见且简单的制备三元材料的方法。
首先，将所需的三种原料溶解在适当的溶剂中，形成均匀的溶液。
然后，通过控制溶液的温度、pH值以及加入适量的还原剂或氧化剂等条件，使得三种原料在溶液中发生化学反应，生成所需的三元材料。
最后，将得到的产物进行过滤、洗涤和干燥等工序，得到纯净的三元材料。
二、固相法固相法是一种常用的高温合成三元材料的方法。
首先，将三种原料以适当的摩尔比例混合均匀，并进行研磨，以提高反应速率和反应效果。
然后，将混合物放入高温炉中，在一定的温度和时间条件下进行热处理。
在高温下，原料中的元素会发生扩散和反应，形成所需的三元材料。
最后，将反应产物进行冷却、研磨和筛分等处理，得到粒度均匀的三元材料。
三、气相法气相法是一种适用于制备纳米级三元材料的方法。
首先，将所需的三种原料以适当的比例混合，并将其蒸发或气化，得到气态的原料。
然后，将气态原料输送至反应室中，在高温和低压的条件下进行反应。
在反应室中，原料会发生气相反应，生成所需的三元材料。
最后，将反应产物进行冷却、收集和纯化等处理，得到纳米级的三元材料。
总结：制备三元材料的方法有很多种，本文主要介绍了溶液法、固相法和气相法这三种常用的制备方法。
溶液法适用于制备大尺寸、高纯度的三元材料；固相法适用于制备高温下的三元材料；气相法适用于制备纳米级的三元材料。
根据具体的需求和实际情况，选择合适的制备方法可以有效地获得所需的三元材料。
通过不断改进和创新，相信制备三元材料的方法将会越来越多样化，为各个领域的科学研究和工程应用提供更多的可能性。
化学材料合成方法
化学材料合成方法化学材料合成是一项重要的研究领域，涉及到各种纳米材料、功能材料以及化学品的制备。
本文将介绍几种常见的化学材料合成方法。
一、溶液法溶液法是一种常见的化学材料合成方法，它利用溶液中物质的溶解度来控制材料的合成过程。
溶液法的优点是操作简便，适用于大规模生产。
常见的溶液法包括溶胶凝胶法、水热法和溶剂热法。
在溶胶凝胶法中，首先制备一个溶胶，即溶解物质在溶剂中形成的胶体溶液。
然后通过加热或干燥使溶胶凝胶形成固体材料。
这种方法常用于纳米材料的制备，如二氧化钛纳米颗粒的合成。
水热法是一种在高温高压下进行的合成方法，它利用水的性质来控制反应过程。
水热法适用于制备具有特殊形貌和结构的材料，如纳米线、纳米管和纳米片等。
溶剂热法是在一种溶剂的作用下进行合成的方法，常用于制备金属有机框架材料和金属异质纳米结构材料等。
二、气相法气相法是一种利用气体反应控制材料合成的方法。
这种方法常用于制备纳米颗粒和薄膜材料。
常见的气相法有化学气相沉积法、热蒸发法和溅射法。
化学气相沉积法是利用气相反应在基底上沉积材料。
它通过气相前驱体在高温条件下分解反应，生成所需的材料并沉积在基底上。
这种方法可以得到高纯度、均匀性好的材料。
热蒸发法是将固态的物质加热到一定温度，使其转变为气体状态，然后在基底上冷凝形成薄膜材料。
这种方法适用于制备金属薄膜和有机薄膜等。
溅射法是利用离子束轰击固态材料，使其表面原子脱落并在基底上沉积形成薄膜。
这种方法适用于制备金属薄膜和复合材料薄膜等。
三、固相法固相法是一种将固态反应进行到最终产物的方法。
这种方法常用于合成无机材料和高温超导材料等。
常见的固相法有高温固相法和固体反应法。
高温固相法是将反应物在高温下反应，形成所需的材料。
这种方法适用于合成高温稳定性较好的材料，如氧化物陶瓷材料和高温超导材料。
固体反应法是将反应物混合均匀后，在高温条件下反应生成所需的材料。
这种方法适用于合成复杂的无机材料和功能材料，如磁性材料和光电材料等。
无机材料的制备方法
无机材料的制备方法无机材料是指由无机物质制备而成的材料，通常为非金属材料，如陶瓷、玻璃、金属氧化物等。
无机材料具有独特的物理化学性质，广泛应用于能源、电子、医药、环境等领域。
无机材料的制备方法多种多样，可以通过化学法、物理法和生物法等方式进行制备。
一、化学法化学法是制备无机材料最常用的方法之一。
化学法包括溶胶-凝胶法、燃烧法、水热合成法、沉淀法、溶剂热法等多种方法。
1. 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种制备无机材料的常用方法。
为了制备溶胶，可以将无机盐溶解在溶剂中，并通过酸碱中和、气泡法等方式加速胶体的形成。
而凝胶的制备则是通过溶胶的凝胶化反应得到的。
最后，经过干燥或煅烧，即可获得无机材料。
2. 燃烧法燃烧法是通过将金属盐和硝酸铵等结合进行燃烧反应来制备无机材料。
该方法具有成本低、操作简单的特点，适用于大规模生产。
3. 水热合成法水热合成法利用高温高压的水溶液环境，在特定条件下通过溶剂的热化学反应制备无机材料。
水热法可以实现无机材料的形貌控制和粒径调控，具有较高的制备效率。
4. 沉淀法沉淀法是通过在溶液中加入沉淀剂，使溶液中的金属离子形成沉淀，进而得到无机材料。
该方法制备简单，适用于制备大量无机材料。
5. 溶剂热法溶剂热法是通过在高温高压的溶剂中，促使激活剂与前驱体反应，从而制备无机材料。
溶剂热法可以控制材料的形貌、尺寸和单晶性能，适用于制备纳米级无机材料。
二、物理法物理法是通过物理手段来制备无机材料，主要包括熔融法、气相沉积法和高能球磨法等。
1. 熔融法熔融法是将材料加热至熔化状态，通过冷却形成无机材料。
该方法适用于高熔点的无机材料，如金属和金属氧化物。
2. 气相沉积法气相沉积法是通过气相反应使气体中的前驱体在基底表面形成无机材料。
常用的气相沉积法有化学气相沉积法（CVD）和物理气相沉积法（PVD）等。
3. 高能球磨法高能球磨法利用高能球磨机在球磨容器中进行无机材料的制备。
球磨过程中，球磨体与材料之间的碰撞和摩擦产生高能，从而进行化学反应或物理变化。
材料制备方法范文
材料制备方法范文一、溶剂热法溶剂热法是指将反应物溶解在合适的溶剂中，在一定的温度和压力下进行反应，形成所需的材料。
该方法适用于制备纳米颗粒、纳米薄膜等材料。
以制备纳米颗粒为例，具体操作步骤如下：1.准备所需的反应物和溶剂。
将反应物和溶剂称量并放入反应容器中。
2.加热反应容器。
将反应容器放入加热装置中，升高温度至反应温度。
3.反应。
在一定时间内保持反应温度，使反应进行。
可以通过搅拌或超声辅助反应。
4.冷却。
待反应完成后，将反应容器取出，并在室温下冷却至制备物形成。
5.分离和洗涤。
将制备物分离出来，并用适当的溶剂进行洗涤，去除残余物。
6.干燥。
将洗涤后的制备物进行干燥，得到所需的纳米颗粒。
二、气相沉积法气相沉积法是指通过蒸发或气化的方式将反应物输送至反应区域，然后在一定的温度和气氛下进行反应，最终得到所需的材料。
该方法适用于制备薄膜、纳米线等材料。
以制备薄膜为例，具体操作步骤如下：1.准备反应器。
选择适当的反应器，并预先清洗，确保无杂质。
2.装入反应物。
将反应物放入反应器的蒸发源中。
3.创建气流。
通过控制压力和气体流量，使反应物气化形成气流，经过反应室。
4.反应。
在特定的温度和气氛下，使气流中的反应物在基片上沉积形成薄膜。
5.冷却。
待反应完成后，停止反应，使反应室冷却至室温。
6.取出制备物。
将基片从反应器中取出，得到所需的材料薄膜。
三、溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是指通过先将反应物溶解在适当的溶剂中形成溶胶，然后通过固化凝胶来制备材料。
该方法适用于制备陶瓷材料、复合材料等。
以制备陶瓷材料为例，具体操作步骤如下：1.准备溶解液。
将所需的反应物溶解在适当的溶剂中，形成溶解液。
2.调整溶解液pH值。
根据所需的陶瓷材料类型，调整溶解液的pH值。
3.沉淀形成凝胶。
通过加入适当的沉淀剂或调整温度等方式，使溶解液中的反应物发生沉淀反应，形成凝胶。
4.干燥和固化。
将得到的凝胶进行干燥，去除溶剂，并在适当的温度下进行固化，得到固体材料。
2材料的制备方法-液相法 固相法 气相法
草酸铵
TiCl4
BaTiO(C2O4)4H2O
BaTiO3
均匀沉淀法
利用化学反应使离子缓慢均匀沉淀，控制沉淀剂浓 度，保证溶液中的沉淀处于一种平衡状态，从而均 匀析出。
尿素制备ZnO ： CO(NH2)2 + 3H2O = 2NH3 H2O + CO2 Zn2+ + 2NH3 H2O = Zn(OH)2 + 2NH4+
Thank you ！
温度下沉积。
(c) 光化学气相沉积：紫外线照射反应物，利用光能使分子中的 化学键断裂而发生化学反应。
三、气相沉积法
化学气相沉积：
(a) 热能化学气相沉积：利用热能引发化学反应，800-2000oC。 (b) 等离子体增强化学气相沉积：等离子体激发化学反应，较低
温度下沉积。
(c) 光化学气相沉积：紫外线照射反应物，利用光能使分子中的 化学键断裂而发生化学反应。
二、固相反应
影响因素：
(a) 反应物化学组成与结构；
(b) 反应物颗粒尺寸及分布；
(c) 反应温度、压力、气氛； (d) 矿化剂及其他影响因素。
醋酸锌热分解大批量制备纳米氧化锌
Chem. Commun., 2012, 48, 2858.
三、气相沉积法
分类：物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)，前者无化学
反应发生，后者发生气相化学反应。
物理气相沉积：高温加热使原料汽化形成等离子体，
在基体上冷却凝聚成各种形态的材料。
(a) 真空蒸镀法（真空蒸发沉积法）：真空条件下加热蒸发某物
质使其沉积在固体表面的方法。
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材料常用制备方法
一．晶体生长技术
1．熔体生长法【melt growth method】（将欲生长晶体的原料熔化，然后让熔体达到一定的过冷而形成单晶）
1.1 提拉法
特点：a. 可以在短时间内生长大而无错位晶体
b.生长速度快，单晶质量好
c.适合于大尺寸完美晶体的批量生产
1.2 坩埚下降法
特点：装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场，开始时整个物料熔融，当坩埚下降通过熔点时，熔体结晶，随坩埚的移动，固液界面不断沿坩埚平移，至熔
体全部结晶。
1.3 区熔法
特点：a.狭窄的加热体在多晶原料棒上移动，在加热体所处区域，原料变成熔体，该熔体在加热器移开后因温度下降而形成单晶
b.随着加热体的移动，整个原料棒经历受热熔融到冷却结晶的过程，最后形成单
晶棒
c.有时也会固定加热器而移动原料棒
1.4 焰熔法
特点：a.能生长出很大的晶体（长达1m）
b.适用于制备高熔点的氧化物
c.缺点是生长的晶体内应力很大
1.5 液相外延法
优点：a.生长设备比较简单；
b.生长速率快；
c.外延材料纯度比较高；
d.掺杂剂选择范围较广泛；
e.外延层的位错密度通常比它赖以生长的衬底要低；
f.成分和厚度都可以比较精确的控制，重复性好；
操作安全。
缺点：a.当外延层与衬底的晶格失配大于1%时生长困难；
b.由于生长速率较快，难得到纳米厚度的外延材料；
c.外延层的表面形貌一般不如气相外延的好。
2. 溶液生长法【solution growth method】(使溶液达到过饱和的状态而结晶)
2.1 水溶液法
原理：通过控制合适的降温速度，使溶液处于亚稳态并维持适宜的过饱和度，从而结晶
2.2 水热法【Hydrothermal Method】
特点：a. 在高压釜中，通过对反应体系加热加压（或自生蒸汽压），创造一个相对高温高压的反应环境，使通常难溶或不溶的物质溶解而达到过饱和、进而析出晶体
b. 利用水热法在较低的温度下实现单晶的生长，从而避免了晶体相变引起的物
理缺陷
2.3 高温溶液生长法（熔盐法）
特点：a.使用液态金属或熔融无机化合物作为溶剂
b.常用溶剂：
液态金属
液态Ga（溶解As）
Pb、Sn或Zn（溶解S、Ge、GaAs）
KF（溶解BaTiO3）
Na2B4O7（溶解Fe2O3）
c.典型温度在1000 C左右
d.利用这些无机溶剂有效地降低溶质的熔点，能生长其他方法不易制备的高熔点
化合物，如钛酸钡BaTiO3
二．气相沉积法
1. 物理气相沉积法(PVD)【Physical Vapor Deposition】
1.1 真空蒸镀【Evaporation Deposition】
特点：a.真空条件下通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面；
b.常用镀膜技术之一；
c.用于电容器、光学薄膜、塑料等的镀膜；
d.具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜
分类：电阻加热法、电子轰击法
1.2 阴极溅射法（溅镀）【Sputtering Deposition】
原理：利用高能粒子轰击固体表面（靶材），使得靶材表面的原子或原子团获得能量并逸出表面，然后在基片（工件）的表面沉积形成与靶材成分相同的薄膜。
分类：二极直流溅射【Bipolar Sputtering】
高频溅镀【RF Sputtering】
磁控溅镀【magnetron sputtering】
1.3 离子镀【ion plating】
特点：a.附着力好（溅镀的特点）
b.高沉积速率（蒸镀的特点）
c.绕射性
d.良好的耐磨性、耐磨擦性、耐腐蚀性
2. 化学气相沉积法（CVD）【Chemical Vapor Deposition】
按反应能源：
2.1 Thermal CVD
特点：a.利用热能引发化学反应
b.反应温度通常高达800~2000℃
c.加热方式
电阻加热器
高频感应
热辐射
热板加热器
2.2 Plasma-Enhanced CVD (PECVD)
优点：a.工件的温度较低，可消除应力；
b.同时其反应速率较高。
缺点：a.无法沉积高纯度的材料；
b.反应产生的气体不易脱附；
c.等离子体和生长的镀膜相互作用可能会影响生长速率。
2.3 Photo CVD
特点：a.利用光能使分子中的化学键断裂而发生化学反应，沉积出特定薄膜。
b.缺点是沉积速率慢，因而其应用受到限制
按气体压力：
2.1 常压化学气相沉积法（APCVD）【Atmospheric Pressure CVD】
特点：a.常压下进行沉积
b.扩散控制
c.沉淀速度快
d.易产生微粒
e.设备简单
2.2 低压化学气相沉积法（LPCVD）【Low Pressure CVD】
特点：a.沉积压力低于100torr
b.表面反应控制
c.可以沉积出均匀的、步覆盖能力较佳的、质量较好的薄膜
d.沉淀速度较慢
e.需低压设备
三．溶胶-凝胶法【Sol-Gel Process】（通过凝胶前驱体的水解缩合制备金属氧化物材料的湿化学方法）
优点：a.易获得分子水平的均匀性；
b.容易实现分子水平上的均匀掺杂；
c.制备温度较低；
d.选择合适的条件可以制备各种新型材料。
缺点：a.原料价格比较昂贵；
b.通常整个溶胶－凝胶过程所需时间较长，常需要几天或儿几周。
c.凝胶中存在大量微孔，在干燥过程中又将会逸出许多气体及有机物，并产生收
缩
四．液相沉淀法【liquid-phase precipitation】（在原料溶液中添加适当的沉淀剂，从而形成沉淀物）
1. 直接沉淀法【Direct precipitation】
特点：a.操作简单易行，对设备技术要求不高，不易引入杂质，产品纯度很高，有良好的化学计量性，成本较低。
b.洗涤原溶液中的阴离子较难，得到的粒子粒径分布较宽，分散性较差
2. 共沉淀法【Coprecipitation】
特点：a.可避免引入对材料性能不利的有害杂质；
b.生成的粉末具有较高的化学均匀性，粒度较细，颗粒尺寸分布较窄且具有一定
形貌；
c.设备简单，便于工业化生产
3. 均匀沉淀法【Homogeneous precipitation】
特点：a.沉淀剂由化学反应缓慢地生成
b.避免沉淀剂浓度不均匀
c.可获得粒子均匀、夹带少、纯度高的超细粒子
d.沉淀剂：
尿素——合成氧化物、碳酸盐
硫代乙酰胺——合成硫化物
硫代硫酸盐——合成硫化物
五．固相反应【Solid phase reaction】
分类：按反应物质状态分类:
a.纯固相反应
b.有气体参与的反应（气固相反应）
c.有液相参与的反应（液固相反应）
d.有气体和液体参与的三相反应（气液固相反应）
按反应机理分类:
a.扩散控制过程
b.化学反应速度控制过程
c.晶核成核速率控制过程
d.升华控制过程等等。
按反应性质分类:
a.氧化反应
b.还原反应
c.加成反应
d.置换反应
e.分解反应
特点：a.固态直接参与化学反应。
b.固态反应一般包括相界面上的反应和物质迁移两个过程，反应物浓度对反应的
影响很小，均相反应动力学不适用。
c.反应开始温度常远低于反应物的熔点或系统低共熔温度。
这一温度与反应物内
部开始呈现明显扩散作用的温度相一致，常称为泰曼温度或烧结开始温度。
六．插层法和反插层法【Intercalation and deintercalation】
1.插层法（或植入法）——把一些新原子导入晶体材料的空位
2.反插层法（或提取法）——有选择性地从晶体材料中移去某些原子
特点：a.起始相与产物的三维结构具有高度相似性
b.产物相对于起始相其性质往往发生显著变化
七．自蔓延高温合成法（SHS）【Self-Propagating High-Temperature Synthesis】（利用反应物之间的化学反应热的自加热和自传导作用来合成材料的一种技术）
特点：a.生产工艺简单，反应迅速，生产过程时间短；
b.最大限度利用材料人工合成中的化学能，节约能源；
c.合成反应温度高，可以使大多数杂质挥发而得到高纯产品；
d.合成过程经历了极大的温度梯度，生成物中可能出现缺陷集中和非平衡相,使产
品活性高,可获得复杂相和亚稳相；
e.集材料合成和烧结于一体，可广泛应用于合成金属、陶瓷和复合材料。
八．非晶材料的制备【Preparation of Amorphous materials】
技术要点：必须形成原子或分子混乱排列的状态；
必须将这种热力学上的亚稳态在一定的温度范围内保存下来，使之不向晶态
转变。
方法：液相骤冷法。