模拟电路第三章知识点总结
模拟电路知识点总结
模拟电路知识点总结模拟电路是电子工程学科中的重要组成部分，它涉及基本电路原理、模拟信号处理和电子设备的设计与调试等方面。
在本文中，我们将对一些常见的模拟电路知识点进行总结和梳理，以帮助读者更好地理解和应用这些知识。
一、基本电路原理1. 电压、电流和电阻：电压（Voltage）表示电路两点之间的电势差，电流（Current）是电荷在单位时间内通过导体的量，电阻（Resistance）是物质对电流流动的阻力。
2. 电路分析方法：基尔霍夫定律、欧姆定律和电压分压定律等是电路分析中常用的方法，通过应用这些定律可以求解电路中的电压和电流。
3. 电容和电感：电容（Capacitance）是指电路中能够存储电荷的元件，电感（Inductance）是指电路中的线圈等能够产生感应电动势的元件，它们对电路的频率有不同的响应。
二、放大电路1. 放大器类型：放大器按照输入和输出信号类型的特点可以分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等。
2. 放大器参数和特性：增益（Gain）、频率响应、输入电阻和输出电阻是评价放大器性能的重要参数。
3. 放大器的工作点和偏置：为了使放大器能够正常工作，需要设置适当的工作点和偏置，可以通过直流耦合、交流耦合和电容耦合等方式实现。
三、滤波电路1. RC滤波器：由电阻和电容组成的RC滤波器能够实现对特定频率信号的滤波作用，常见的有低通滤波器和高通滤波器。
2. LC滤波器：由电感和电容组成的LC滤波器在一定频率范围内对信号进行滤波，常见的有带通滤波器和带阻滤波器。
3. 滤波器参数和设计：滤波器的截止频率、衰减率和相位延迟等参数需要根据具体应用和信号要求进行设计和调整。
四、振荡电路1. 振荡器类型：振荡器可以按照输出波形分为正弦波振荡器、方波振荡器和脉冲波振荡器等，按照工作原理又可分为LC振荡器和RC振荡器等。
2. 反馈和稳定性：振荡器的稳定性和正反馈是密切相关的，通过合适的反馈回路可以使振荡器产生稳定的输出。
模拟电子技术基础第三章
1．阻容耦合
Rb1
RS
Cb+1
+
+
us
ui
-
-
Rc1
+
Cb 2
Rb2
T1
+ UCC
R
c2
+
Cb3
T2
+
RL uo
-
信号源US经耦合电容Cb1与第一级的输入电阻 Ri1联系起来，经第一级放大后的信号又经耦合电 容Cb2与第二级的输入电阻Ri2联系起来，信号是通 过电阻和电容的连接进行传递的，这种方式为阻 容耦合方式。
3.1.1 模拟集成电路特点
模拟集成电路一般是由一块厚约0.2－ 0.25mm的P型硅片制成，这种硅片是集成电 路的基片。它上面可以做出包含有几十个或 者更多的BJT或FET、电阻和连接电路。和分 立元件相比，模拟集成电路有如下几个方面 的特点：
（1）电路结构与元件参数具有对称性。
（2）电阻和电容值不易做太大，电路结构上采 用直接耦合方式。
Rc1
T1
+UCC
R c2
T2
Re2
R c1
T1
R c2
+UCC
T2
D1
D2
D3 D4
（a）利用电阻Re提高射极电位 （b）利用二极管提高射极电位
（2）零点漂移问题 如果将直接耦合放大电路的输入端短路，其输出
端应有一固定的直流电压，即静态输出电压。但是， 实际输出电压将随时间变化而偏离初始值作缓慢的随 机波动，这种现象称为零点漂移，简称零漂。
U CC R
I REF R
2IB
IC1
T1
U CC
RC
IC 2
模拟电子技术重要知识点整理
模拟电⼦技术重要知识点整理模拟电⼦技术重要知识点整理第⼀章绪论1．掌握放⼤电路的主要性能指标都包括哪些。
2．根据增益，放⼤电路有哪些分类。
并且会根据输出输⼊关系判断是哪类放⼤电路，会求增益。
第⼆章运算放⼤器1．集成运放适⽤于放⼤何种信号?2．会判断理想集成运放两个输⼊端的虚短、虚断关系。
如：在运算电路中，集成运放的反相输⼊端是否均为虚地。
3．运放组成的运算电路⼀般均引⼊负反馈。
4．当集成运放⼯作在⾮线性区时，输出电压不是⾼电平，就是低电平。
5．在运算电路中，集成运放的反相输⼊端不是均为虚地。
6．理解同相放⼤电路、反相放⼤电路、求和放⼤电路等，会根据⼀个输出输⼊关系表达式判断何种电路能够实现这⼀功能。
7．会根据虚短、虚断分析含有理想运放的放⼤电路。
第三章⼆极管及其基本电路1．按导电性能的优劣可将物质分为导体、半导体、绝缘体三类，导电性能良好的⼀类物质称为导体，⼏乎不导电的物质称为绝缘体，导电性能介于中间的称为半导体。
2．在纯净的单晶硅或单晶锗中，掺⼊微量的五价或三价元素所得的掺杂半导体是什么，其多数载流⼦和少数载流⼦是是什么，⼜称为什么半导体。
3．半导体⼆极管由⼀个PN结做成，管⼼两侧各接上电极引线，并以管壳封装加固⽽成。
4．半导体⼆极管可分为哪两种类型，其适⽤范围是什么。
5．⼆极管最主要的特性是什么。
6．PN结加电压时，空间电荷区的变化情况。
7．杂质半导体中少数载流⼦浓度只与温度有关。
8．掺杂半导体中多数载流⼦主要来源于掺杂。
9．结构完整完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。
10．当掺⼊三价元素的密度⼤于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；当掺⼊五价元素的密度⼤于三价元素的密度时，可将P型转型为N型。
11．温度升⾼后，⼆极管的反向电流将增⼤。
12．在常温下，硅⼆极管的开启电压约为0．3V，锗⼆极管的开启电压约为0．1V。
13．硅⼆极管的正向压降和锗管的正向压降分别是多少。
14．PN结的电容效应是哪两种电容的综合反映。
电路基础第三章知识点总结
电路基础第三章知识点总结第三章节的内容主要涉及电路的分析和维持，包括各种电路的分析方法、戴维南定理、诺尔顿定理、极限定理、最大功率传输定理以及电路维持的相关知识。
通过本章的学习，我们可以更好地理解电路的工作原理和分析方法，为我们今后的学习和工作打下扎实的基础。
本篇总结将主要围绕本章的知识点展开，总结出电路的分析方法和维持知识点，让读者对电路有更全面的了解。
一、电路分析方法1.节点分析法节点分析法是一种电路分析方法，通过寻找电路中的节点，应用基尔霍夫电流定律（KCL）进行节点电压的分析。
通过节点电压的计算，可以找到各个支路中的电流，从而进一步分析电路的特性。
节点分析法的手续步骤为：（1）选取一个节点作为参考点，为了简化计算，一般选为电压源的负极或接地点；（2）对不确定电压的节点进行标记；（3）应用基尔霍夫电流定律，列出各节点处的电流之和为零；（4）利用基尔霍夫电流定律和欧姆定律，列出各节点处的电压。
2.支路分析法支路分析法是一种电路分析方法，通过寻找电路中的支路，应用基尔霍夫电压定律（KVL）进行支路电流和电压的分析。
通过支路电流和电压的计算，可以找到各个支路中的电流和电压，从而进一步分析电路的特性。
支路分析法的手续步骤为：（1）选择一个支路作为参考方向，可以沿着电流的方向或者反方向；（2）按照已选的方向，利用基尔霍夫电压定律，列出各支路的电流和电压；（3）应用欧姆定律，列出支路中的电流和电压。
3.戴维南定理戴维南定理是电路理论中的一项重要理论，它指出了任意线性电路可以用一个恒电压源和一个串联电流源的组合来替代。
通过戴维南定理，可以将一个复杂的电路简化为一个等效的电压源和串联电流源的组合，从而方便进一步的分析和计算。
4.诺尔顿定理诺尔顿定理是电路理论中的另一项重要理论，它指出了任意线性电路可以用一个恒电流源和一个并联电阻的组合来替代。
通过诺尔顿定理，可以将一个复杂的电路简化为一个等效的电流源和并联电阻的组合，从而方便进一步的分析和计算。
模拟电路各章知识点总结
模拟电路各章知识点总结第一章：电路基础1.1 电路的基本概念电路是由电气元件（例如电阻、电容、电感等）连接而成的网络。
电路中电流和电压是基本的参数，描述了其中元件之间的相互作用。
电路按照其两个端点的特性可以分为单端口电路和双端口电路。
1.2 电路的基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律以及其他电路定律描述了电路中电流和电压之间的关系。
其中欧姆定律描述了电阻元件电流和电压之间的关系，而基尔霍夫定律描述了电路中电流和电压的分布和流动规律。
1.3 电路的等效变换电路中电气元件可以通过等效电路进行简化处理。
例如将若干电阻串并联为一个等效电阻等。
第二章：基本电路元件2.1 电阻电阻是电路中最基本的元件之一，它的作用是阻碍电流的流动。
在电路中，电阻可以通过串联和并联的方式连接。
电阻的阻值与其材料、长度和横截面积有关系。
2.2 电容电容是电路中用来存储电荷的元件，它在电路中具有很多重要的应用。
电容的存储能量与其带电电压和电容量有关。
2.3 电感电感是电路中具有电磁感应作用的元件，其具有对电流变化的响应。
电感的存储能量与其感抗和电流有关。
2.4 理想电源理想电源是电路中常用的元件，可以提供恒定的电压或电流。
其特点是内部阻抗为零或者无穷大。
第三章：基本电路分析方法3.1 直流电路分析直流电路是电路分析中最简单的一种情况。
在直流电路中，电源提供的是恒定电压或电流，不会发生周期性或者随时间改变的变化。
3.2 交流电路分析交流电路分析是在电路中考虑电压和电流随时间变化的情况。
常见的交流电路分析包括使用复数形式进行计算。
3.3 电路的参数测量方法电路中常用的参数测量方法有欧姆表、万用表等。
它们可以测量电阻的阻值、电压的大小以及电流的大小等参数。
第四章：模拟电路设计4.1 放大器设计放大器是模拟电路中广泛应用的电路元件，可以放大电压或者电流的幅值。
常见的放大器有运放放大器、差分放大器等。
4.2 滤波器设计滤波器是可以去除特定频率成分的电路，可以用于信号处理、通信和音频等领域。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体构造的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第三章 认识电路 知识点总结与练习
第三章认识电路姓名：知识点一：静电现象1.摩擦起电及两种电荷（1）摩擦起电：一些物体被摩擦后，能够吸引轻小物体，人们把这种现象称为物体带了“电”，或者说物体带了电荷。
用摩擦的方法使物体带电叫摩擦起电。
（2）带电体的性质：带电体具有吸引轻小物体的性质（3）两种电荷自然界中只存在两种电荷——正电荷和负电荷。
把用丝绸摩擦过的玻璃棒带的电荷叫正电荷；把用毛皮摩擦过的橡胶棒带的电荷叫负电荷。
2.摩擦起电的原因(1)原子结构物质由原子构成，原子由居于原子中心的原子核和绕核做高速运动的核外电子构成，物质呈中性(2)不同物质的原子核束缚电子本领不同，当两个物体相互摩擦时，束缚电子能力弱的就会失去电子，失去电子的物体因缺少电子而带正电。
束缚电子能力强的就会得到电子，得到电子的物体因有多余的电子而带等量的负电。
(3)摩擦起电的本质：电荷的转移由此可知：摩擦起电并不是创造了电荷，只是电荷从一个物体转移到另一个物体，使正负电荷分开。
3.电荷间的相互作用规律电场（1）电荷间的相互作用规律：同种电荷相互排斥，异种电荷相互吸引。
①“排斥”的两物体一定带同种电荷，“吸引”的两物体可能带异种电荷，也可能一个物体带电，另一个物体不带电。
②两物体所带电荷越多，“排斥”或“吸引”时的力越大。
（2）电场：带电体周围存在着一种特殊的物质叫电场。
带电体通过电场对放入其中的轻小物体或者其它带电体产生力的作用。
带电体之间通过电场不需要接触就能发生相互作用。
4.验电器（1）主要结构：金属球，金属杆，金属箔。
（2）作用：检验物体是否带电。
（3）原理：同种电荷相互排斥。
说明：验电器不仅能检验物体是否带电，而且还能粗略比较物体带电的多少，金属箔张开的角度越大，说明物体带电越多。
例题：甲和乙两个泡沫小球用绝缘细线悬挂，甲带正电，乙不带电，会出现的情形是下图中的（）5.电流和电池（1）电流：①形成：电荷的定向移动形成电流。
（类比水流）②方向：物理学规定，正电荷定向移动的方向为电流的方向。
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一、放大电路频率特性的基本概念
放大电路的增益幅值及相位会受电抗元件的影响，随着正弦输入信号频率的 变化而变化。电路的增益和相移是频率的函数，这种函数关系就是放大电路对不 同频率正弦输入信号的稳态响应特性，称为频率特性或频率响应。
1.频率特性和通频带
增益函数为频率的复函数：
rbb '
i
+
RS r
v_1
C
+ v2 gmv1 i
(b)求R20的电路(C =0)
R20 C
RL '
E RL' RC / / RL
当 C =0 时 R10 (Rs rbb ) // r Rs
当 C
=0
时
v1
(Rs rbb ) Rg rbb r
ir
Rsi 得 R20
v2
v1
i
( Rsi ) g m
二、放大电路的波特图
1.复频域中的网络函数
m
H (s) K (s z1)(s z2 )...(s zm ) K (s p1)(s p2 )...(s pn )
(s zi )
i 1 n
(s pj )
j 1
2.复频率 s=σ +jω 的物理意义
it
it
it
0
t0
t0
a
b
(a) σ>0, ω≠0, i(t)=Im exp st (b) σ<0, ω≠0, i(t)=Im exp st (c) σ=0, ω≠0, i(t)=Im sin st
H
reC
1.14 rbbC
reCL
四、多级放大电路的频率特性分析
利用半边差模等效电路的概念，将后级输入电阻看做前级的负载，利用开路 时间常数分析法可计算 BW。
网络函数的每个一阶极点因子(极点位于 s 平面负实轴上)对相位的贡献是负 的，最大为 90o ，在 p 处是 45o ； p 即幅频波特图的转折频率，在 p 处对幅值的贡献是-20dB/十倍频或-6dB/倍频程。
5.主极点的概念
在放大器高频域增益函数中的若干极点中，若某极点的绝对值为其他极点的 绝对值的 1/4 以下，则该极点对 BW 起主导作用，称为主极点。
6.开路时间常数分析法
放大电路高频增益函数极点倒数之和的负值，恒等于相应电容开路时间常数 之和。
三、单级放大电路的频率特性分析 1.共射差放的高频特性
RC RC
RS
+
T1
T2
vi1
_
E
+ Rs
vi 2
T3
_
I EE
Re3
2RL vod R1
T4 R2
RC
RS T
+
1
_2
vid
vs
+
RL
1 2 vod vo
A A j A( j) ej() A()ej()
A( j) A() 表示增益的幅值与频率的关系，称为幅频特性；() 表示增 益的相位与频率的关系，称为相频特性。 () 是放大器输出信号与输入信号的 相位差。幅频特性和相频特性统称放大器的频率特性。
下截止频率L ：频率从中频段降低过程中，增益变为最大增益的 0.707 倍
it
it
it
t
c
0
a
t0
t
0
b
t
c
(a)σ>0, ω=0 (b)σ <0, ω=0 (c) σ=0, ω=0
3.网络函数的零点、极点和零极图
网络函数 H (s) 的分子有理多项式的根称为零点，分母有理多项式的根称为 极点。
零极图：将网络函数的零点与极点用符号表示在复平面上。
4.波特图绘制方法
网络函数的每个一阶零点因子(零点为负实数，位于 s 平面的负实轴上)对相 位的贡献是正的，(在 )最大为+ 90o ，在 z 处是 45o ； z 就是幅频 波特图的转折频率，在 z 处对幅值的贡献是+20dB/十倍频或+6dB/倍频程。
RL
v2 i
Rs (1
gmRL) RL
H
2
1
1
1
1
Rj0C j R10C R20C RsC R20C RsC [Rs(1 gmRL ) RL ]C
j 1
1 Rs
C
[(1
1 gmRL )
RL Rs
]C
2.用密勒定理及其近似条件分析 BW
有源线性网络及其密勒等效电路：
I1(s)
_
(a)交流通路
rbb’ B '
C
(b)半边差模等效电路 C
+ RS
+
vi
+
r C
v1 rce
_
vs
_
_
(c)图(b)单管共射电路的微变等效电路
gmv1
+
RL’
vo
_
RL’=RC//RL
用开路时间常数分析法计算 BW：
求 R10(Cμ =0)和 R20(Cπ =0)的电路：
rbb '
RS r
C
R10 (a)求R10的电路(Cμ =0)
时的频点。
上截止频率 H ：频率从中频段升高过程中，增益变为最大增益的 0.707 倍
时的频点。 通频带：
BW fH fL
2.频率失真和相位失真
线性失真——输出波形较输入波形虽呈现失真，但输出波形中不含有输入信 号中所没有的任何新的频率分量。
幅度频率失真：幅频特性偏离中频值。
3.增益带宽积
它定义为放大电路的中频增益幅值和通频带乘积的绝对值，即 G BW Am BW
+ V1(s)
_
Z
1
2
有源
线性
网络
I2(s)
Z Z1= 1 Av(s)
+
+
V2(s) V1(s)
I1(s) Z1
1
2
有源
线性
网络
Z
Байду номын сангаасZ2 = 1
1 Av(s)
I2(s)
+
Z2
V2(s)
_
_
_
(a)有源线性网络
(b)密勒等效电路
3.共基放大电路的频率特性
BW
fH
H 2
1 2 R 0C
fT
4.共集放大电路的频率特性