Vishay TVS瞬态电压抑制器 选用技术文档
VISHAY TVS和ESD保护 说明书
Tr a n s Z o r b®雪崩T V S PA R®汽车T V S特殊功能瞬态电压抑制器E S D保护器件Vishay 的TransZorb®瞬态电压抑制器（TVS ）采用了目前最先进的技术，可提供业界最大的电压范围。
此设计允许雪崩击穿二极管TVS 在较短时间内吸收大量能量而不被损坏。
Vishay 的TransZorb TVS 没有耗损机制，具有足够快的导通时间和极佳的箝位特性。
TransZorb ® 雪崩 TVS注解：(1) 利用10/1000 μs 脉冲进行测量(2) 部件编号中，"xx" 代表V WM ， "nn" 代表标称电压(3) 部件编号中"nn"表示标称电压，"xx"或（m ）脚注表示最低电压。
目前正在计划实现更高的电压指标（可达600 V ）。
请与当地销售商联系确定产品信息(4) 双向极性用后缀"C"或"CA"来表示（BZW04使用后缀"B"）(5) 大部分TVS 产品取得了UL 标准497B 下保护器类别（QVGQ2）的认证，且单向和双向器件都采用文件号E136766。
具体信息请参考各自的数据手册。
瞬态电压抑制器Vishay 的汽车瞬态电压抑制器（TVS ）利用了PAR®专利技术，相比于其他雪崩TVS 二极管，其可在更大的温度范围内（可达185 oC ）表现出极佳的稳定性和功率处理能力。
本产品组合包含了专门用于负载突降浪涌保护的器件，封装类型有轴向和表面贴装两种。
注解：(1) 利用10/1000 μs 脉冲进行测量(2) 部件编号中，"xx" 代表V WM ， "nn" 代表标称电压(3) 部件编号中”nn ”表示标称电压，”xx ”表示最小电压 (5) 所有汽车TVS 都仅为单向极性(6) 所有汽车TVS 都利用PAR 专利工艺技术实现优越的高温性能(7) 大部分TVS 产品取得了UL 标准497B 下保护器类别（QVGQ2）的认证，且单向和双向器件都采用文件号E136766。
瞬态抑制器 TVS技术介绍
瞬态抑制器TVS技术介绍1.静电的产生简单的说就是两物质经由接触摩擦而失去电子或得到电子，使带「不流动」的电荷称之静电。
举例说明：垫板经由与人体摩擦后可吸引头发；尼龙裤或羊毛衣脱下时，因与人体摩擦而产生静电，在接触到空气而中和，以至于发出霹ㄆㄚ声响。
相对湿度也是影响摩擦生电的电量大小的因素，再低于45度以下时，会产生比处于55度以上的湿度下，更大的电压，破坏性也相对较大。
合理的相对湿度在30~60度之间＊静电的能量公式如下静电的能量＝1/2*C*V²Q＝C*V电荷总量不变若C减少则V增加2.ESD故障模式※人体放电模式HBM(Human-Body Model)※组件充电模式CDM(Charged-Device Model)※机器放电模式MM(Machine Model)※电场感应模式FIM(Field-Induced Model)HBM模式概念摩擦－带电－接触－放电－损坏人体经由某种因素累积了静电，此时若接触到IC的接脚或其它导电部分，因两者之间电位不同，而IC某处又提供静电电荷消散路径时，将发生静电电荷消散，最后达到电荷平衡状态，在此一过程的极短时间(ns)内产生数安培的放电电流。
CDM模式概念IC因摩擦或者其它因素而在IC内部累积了静电电荷，当IC在处理过程中，若碰触到接地表面，则静电将至内部流出造成放电现象，CDM上升时间约100ps，损坏时间则在20-50ps间即发生。
MM模式概念机器放电模式是指在IC生产过程中，因为制程的自动化、机械化，生产机台本身因此累积了静电电荷，当机器碰触IC时，静电电荷便从IC接脚放电。
FIM模式概念电场感应模式意指当IC因输送带或其它因素经过一电场时，其相对极性电荷可能会自IC接脚排放，待IC通过电场之后，IC本身便累积了静电电荷，此电荷便会以类似CDM模式放电。
3.静电放电的失效判定标准通常有下列三种方法：故障等级：等级A：经ESD测试后系统功能正常。
瞬态电压抑制器(TVS)相关参数定义与解释
瞬态电压抑制器(TVS)相关参数定义与解释
在设计汽车的过程中，一个主要的难题是例如控制单元、传感器、信息娱
乐系统等保护电子设备，免遭出现在电源线上的有害浪涌、电压瞬态、ESD 和
噪声的损害。
瞬态电压抑制器（TVS）是用于保护汽车电子产品的理想方案，
有些参数对这些应用来说非常重要，包括功率等级、关态电压、击穿电压、最
大击穿电压。
下面是这些参数的定义。
功率等级
TVS 的功率等级是在一定测试或应用条件下吸收浪涌的能力。
10
μs/1000 μs 脉冲波形（Bellcore 1089 标准）的行业标准测试条件如图1 所示。
这个测试条件不同于TVS 瞬态电压吸收能力的测试条件，吸收能力的测试采用8 μs/20 μs 脉冲波形，如图2 所示。
图1：TVS 的测试波形（Bellcore 1089）图2：TVS 的波形
击穿电压（VBR）
击穿电压是器件进入雪崩击穿的电压，采用数据表上的特定电流条件下
进行测试。
最大击穿电压（VC：钳位电压）
在一定的峰值脉冲电流等级下，TVS 上会出现钳位电压。
TVS 的击穿电压是在非常低的电流下测得的，例如1mA 或10mA，不同于应用条件下的实际雪崩电压。
因此，半导体制造商标注的典型或最大击穿电压对应的是大电流。
关态工作电压（VWM）：工作时的关态反向电压
关态电压指的是TVS 在未击穿情况下所能承受的最高电压，是电路中在正常情况下不工作的保护器件的重要参数。
在汽车里面，一些汽车电子产品。
硕凯P6SMB180A瞬变电压抑制器说明
SOCAY瞬变抑制器P6SMB160A硕凯电子（Sylvia）一、瞬变电压抑制器说明瞬变电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）简称TVS管，TVS管的电气特性是由P-N结面积、掺杂浓度及晶片阻质决定的。
其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。
TVS广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级电源和信号电路的保护，以及防静电等。
其特点为反应速度快(为ps级)，体积小，脉冲功率较大，箝位电压低等。
其10/1000μs波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。
二、瞬变电压抑制器产品图三、I-V曲线特性四、环境规定五、最大额定值Notes:1.Non-repetitive current pulse,per Fig.3and derated above TA=25°C per Fig.2.2.Mounted on5.0mm x5.0mm(0.03mm thick)Copper Pads to each terminal.3.8.3ms single half sine-wave,or equivalent square wave,Duty cycle=4pulses per minutes maximum.4.VF<3.5V for VBR<200V and VF<6.5V for VBR>201V.六、产品应用TVS器件非常适合保护I/O接口，Vcc总线和其他应用于电信、计算机、工业和消费电子应用的易损电路。
七、脉冲降额曲线八、功能线路图九、产品特性1、为表面安装应用优化电路板空间2、低泄漏3、单向和双向单元4、玻璃钝化结5、低电感6、优良的钳位能力7、600W的峰值功率能力在10×1000μ波形重复率（占空比）：0.01%8、快速响应时间：从0伏特到最小击穿电压通常小于1.0ps9、典型的，在电压高于12V时，反向漏电流小于5μA10、高温焊接：终端260°C/40秒11、典型的最大温度系数△Vbr=0.1%x Vbr@25°C x△T12、塑料包装有保险商实验室可燃性94V-013、无铅镀雾锡14、无卤化，符合RoHS15、典型失效模式是在指定的电压或电流下出现16、晶须测试是基于JEDEC JESD201A每个表4a及4c进行的17、IEC-61000-4-2ESD15kV(空气)，8kV(接触)18、数据线的ESD保护符合IEC61000-4-2(IEC801-2)19、数据线的EFT保护符合IEC61000-4-4(IEC801-4)十、编带和卷盘说明。
瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数
瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数一、TVS器件的特点瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。
TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间仅为1ps（10-12S）。
TVS允许的正向浪涌电流在T ＝25℃，T＝10ms条件下，可达50～200A 。
双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。
二、TVS器件的电特性1、单向TVS的V-I特性如图1-1所示，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。
从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。
2、双向TVS的V-I特性如图1-2所示，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正) /V（BR）(反) ≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。
三、TVS器件的主要电参数1、击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。
2、最大反向脉冲峰值电流I PP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。
I PP与最大箝位电压Vc(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。
使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率P PR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。
VISHAY威世TVS及ESD二极管选型手册
VISHAY威世TVS及ESD二极管选型手册Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.Vihay是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一.Vihay元件用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空及医疗市场的各种类型的电子设备中.Vihay的全球足迹包括在中国,亚洲其他五个国家/地区,欧洲及美洲设立的制造机构,以及在全球开设的销售办事处.Vihay在技术,成功收购战略,注重降低成本,以及提供“一站式”服务已使该公司成为全球业界的领先者.。
1500W瞬变电压抑制器1.5SMC11A特性
1500W瞬变电压抑制器1.5SMC11A特性硕凯电子（Sylvia）一、产品说明TVS管的电气特性是由P-N结面积、掺杂浓度及晶片阻质决定的。
其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。
TVS广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级电源和信号电路的保护，以及防静电等。
其特点为反应速度快(为ps级)，体积小，脉冲功率较大，箝位电压低等。
其10/1000μs波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。
二、双向I-V特性曲线三、型号命名四、最大额定值Notes:1.Non-repetitive current pulse,per Fig.3and derated above TA=25°C per Fig.2.2.Mounted on5.0mm x5.0mm(0.03mm thick)Copper Pads to each terminal.3.8.3ms single half sine-wave,or equivalent square wave,Duty cycle=4pulses per minutes maximum.4.VF<3.5V for VBR<200V and VF<6.5V for VBR>201V.五、产品图六、峰值脉冲功率额定曲线七、产品应用TVS器件非常适合保护I/O接口，Vcc总线和其他应用于电信、计算机、工业和消费电子应用的易损电路。
八、编带说明九、环境说明十、产品特性1、为表面安装应用优化电路板空间2、低泄漏3、单向和双向单元4、玻璃钝化结5、低电感6、优良的钳位能力7、1500W的峰值功率能力在10×1000μ波形重复率（占空比）：0.01%8、快速响应时间：从0伏特到最小击穿电压通常小于1.0ps9、典型的，在电压高于12V时，反向漏电流小于5μA10、高温焊接：终端260°C/40秒11、典型的最大温度系数△Vbr=0.1%x Vbr@25°C x△T12、塑料包装有保险商实验室可燃性94V-013、无铅镀雾锡14、无卤化，符合RoHS15、典型失效模式是在指定的电压或电流下出现16、晶须测试是基于JEDEC JESD201A每个表4a及4c进行的17、IEC-61000-4-2ESD15kV(空气)，8kV(接触)18、数据线的ESD保护符合IEC61000-4-2(IEC801-2)19、数据线的EFT保护符合IEC61000-4-4(IEC801-4)。
瞬态电压抑制二极管参数
瞬态电压抑制二极管参数瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode，TVS）是一种用于抑制电路中瞬态电压峰值的重要电子组件。
在电力系统、通信设备、汽车电子以及各种电子设备中起到了至关重要的保护作用。
瞬态电压抑制二极管参数的合理选择对于电路的可靠性和稳定性具有重要意义。
本文将深入探讨瞬态电压抑制二极管参数的相关内容，希望能够对读者进行全面、深刻和灵活的理解。
一、瞬态电压抑制二极管的概述瞬态电压抑制二极管，又称为TVS二极管，主要用于对电路中的瞬态电压进行保护。
它的主要作用是通过提供一个低阻抗的路径，将瞬态电压引导到地或其他低电压点，以保护电路中的敏感元件不受损坏。
瞬态电压抑制二极管的参数主要包括最大峰值电压（Vc），最大峰值电流（Ipp），保护电压（Vr），响应时间（tr），以及功率耗散能力等。
二、瞬态电压抑制二极管参数的影响因素1. 最大峰值电压（Vc）：Vc是瞬态电压抑制二极管能够承受的最大电压，在选择时应考虑电路中可能出现的最高电压，以确保其能够提供有效的保护。
根据电路的需求，Vc的值应略高于电路中最高电压值。
2. 最大峰值电流（Ipp）：Ipp是瞬态电压抑制二极管能够承受的最大电流，也是保护电路的重要参数。
在电路中发生瞬态电压过冲时，瞬态电流会通过二极管，因此选择具有足够大的Ipp值的二极管可以确保其正常工作。
3. 保护电压（Vr）：Vr是指瞬态电压抑制二极管对于保护电路中敏感元件的保护电压。
当瞬态电压超过Vr时，二极管将开始导通，将瞬态电压引导到地或其他低电压点。
根据电路中敏感元件的额定工作电压，选择合适的Vr值非常重要。
4. 响应时间（tr）：响应时间是瞬态电压抑制二极管从正常工作状态到完全导通所需的时间。
较短的响应时间可以更快地保护电路中的敏感元件，因此在选择二极管时需要注意其响应时间。
5. 功率耗散能力：功率耗散能力是指瞬态电压抑制二极管在正常工作状态下能够耗散的最大功率。
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为大功率和混合动力汽车优化的Vishay负载突降保护器件上网时间：2009-01-25 作者：Sweetman Kim 高级应用经理Vishay通用半导体台湾有限公司中心议题：•汽车负载突降保护的重要性•几种负载突降保护电路和器件的比较•什么是负载突降、相关基础知识和计算方法的介绍•介绍Vishay用于大功率和混合动力汽车负载突降的保护器件解决方案：•Vishay大功率硅TransZorb® TVS可用来防止易受攻击的电路受到电气过应力的影响•Vishay的大功率硅TVS的箝位电压<37 V，满足汽车应用稳压器对37 V至40 V最大输入电压范围的要求•为满足75V的最大齐纳箝位电压，1-2个串联的Vishay负载突降器件即可把负载突降电压抑制在该电压汽车生产状况及预测全球轻型汽车产量——百万辆42 V系统(包括中型混合动力汽车)——轻型汽车总数百分比混合动力汽车汽车负载突降保护的重要性今天，汽车中并联在供电线路上的许多电子控制器和设备与三、四十年前生产的汽车有了很大的不同。
那时汽车中的唯一的电子设备就是汽车收音机。
今天，一辆汽车中配备了若干电子设备，其中一些是与安全驾驶有关的，而这些电子设备的故障会引起汽车操作严重的麻烦。
这类并联的电子系统如图1所示，所有连接在供电线路上的电子系统的保护器件不可能平均分担瞬态能量。
瞬态能量对连接的那些最低阻抗的保护器件的影响尤为严重。
因此，在汽车电子设计中，一个保护器件要能够安全地承受负载突降状态瞬变的全部能量。
图2是出现故障的仪表板（cluster panel）负载突降的照片，其故障原因在于，流经这个器件的电流没有与汽车中另一个电子单元中的其他保护器件共同分担。
负载突降保护电路和器件的比较有几种类型的电路或器件可应用于负载突降保护，而且一些器件的制造商可以使之满足负载突降保护功能的需要。
典型的瞬态电压保护可以划分为如图3所示的三种操作类型。
分流型是检测输入电压和接通跨电力线对地的器件。
用于分流调节的开关器件或保护电路是晶体管和可控硅。
雪崩击穿二极管、齐纳二极管、可控硅型TVS和MOV是这种保护类型的自触发器件。
其优势在于简单的结构，而不利则是要求开关器件具有大功率能力。
当负载出现故障或电气短路时，通常可以使用自恢复截止开关进行大电流保护。
某些电源管理IC集成了这个功能，以便为客户提供简单的设计并节省空间。
其优势在于保护器件不需要处理大电流，因此可以减小空间，而缺点是在负载突降状态下开关截止功率期间，需要大存储电容器为负载提供能量。
线性稳压器型在控制供电方面具有良好的特性，缺点是需要大功率晶体管来消除输出电压之间的电压差异和器件本身的高浪涌电压。
在抑制模型下，负载突降状态下的自恢复截止和线性稳压器具有高阻抗，而这种高能量会流向连接电子或电力设备的保护最差的器件。
这就是通用设计拓扑结构的负载突降保护采用分流型的原因。
利用Crow bar和箝位型等操作特性可以将分流型保护电路划分为两组。
当器件处于导通状态时，Crow bar操作类似于电气短路，不适用于汽车的保护。
汽车电子系统常见的保护方法是将高电压值箝制到器件或电路的设定电压，而Vishay通用半导体有各种额定功率的用于负载突降保护的产品系列。
用于负载突降保护的流行器件是“雪崩击穿二极管”、“齐纳二极管”和“金属氧化物变阻器”。
金属氧化物变阻器类似于陶瓷电容器，其基本结构是合成氧化锌（ZnO）化合物，它具有双向击穿特性，可以无方向保护反向输入。
在结构方面，多层和多路（multi pass）结构的MOV在响应高能瞬变方面存在一定的时延。
同时，处于连续瞬变下的MOV微粒的疲劳会导致箝位电压和浪涌能力下降（参见脚注）。
齐纳二极管类似于雪崩击穿二极管，由于具有比雪崩击穿二极管更低的浪涌功率能力，其主要应用是调节而不是防止高能量瞬变。
Vishay通用半导体的雪崩击穿二极管型负载突降系列，适用于各种负载突降仿真测试的高能瞬变，以及快速响应和高可靠性的实际应用。
汽车电子，如电子控制单元、传感器和娱乐系统，都是连接在一根电力线上。
这些电子产品的功率来源是电池和发电机，两者的输出电压都不稳定，会受到温度、操作状态和其他条件的影响。
此外，由于这些系统使用了螺线管负载，如燃料喷射、气门、发动机、电气和水解控制器，ESD、尖峰噪声和各种瞬变及浪涌电压都会进入电源及汽车系统的信号线。
什么是负载突降？在引擎运行过程中断开电池时，要由发电机向汽车的电力线提供电流，就会出现最糟糕的浪涌电压情况。
这种情况就是“负载突降”，大多数汽车制造商和行业协会都为这种负载突降情况规定了一个最高的电压、线路电阻和持续时间，如图A-2所示。
这种情况的两个著名的测试仿真是：用于14 V传动系统的美国的ISO-7637-2 Pulse 5和日本的JASO A-1，以及用于27 V传动系统的JASO D-1。
在本节中，我们将讨论14 V传动系统负载突降的TVS应用。
如图A-3所示，Vishay的大功率硅TransZorb® TVS可用来防止易受攻击的电路受到电气过应力的影响，以确保高可靠性。
至于初级保护，TVS可以吸收负突降条件下的高能量。
|I）负载突降测试的规范和结果表1是用于14 V传动系统的美国的ISO-7637-2 Pulse 5和日本的JASO A-1测试的仿真。
两项测试的电压波形如图A-4a所示。
对ISO-7637-2测试条件来说，标准条件为65 V至87 V的VS范围，Ri（线路电阻）的范围为0.5 Ω至4 Ω。
一些汽车制造商为基于ISO-7637-2 Pulse 5的负载突降测试规定了不同的条件。
负载突降TVS的峰值箝位电流是由以下公式A-1计算出来的：负载突降状态的额定功率是由内阻表示的，由该公式得到了一个发电机的内阻，如公式A-1所示。
以上公式适用于当前传统的小型旅行车使用的常见的发电机，其线路电阻为：60 A输出发电机的最小Ri为1.1 Ω，120 A输出发电机为0.6 Ω。
ISO 7637-2规定了负载突降情况下的浪涌条件为5-6-5 c）。
C)在5-6-5测试脉冲的5a和ISO-7637-2的5b中规定了“该脉冲是由峰值电压Us、箝位电压Us*、内阻Ri和脉冲持续时间td决定的；在所有情况下，低Us值与低Ri和td值有关，而高Us值与高Ri和td值有关。
”但是，Us、Ri和td没有明显的匹配。
汽车工程师们是在汽车制造商的标准下进行器件和电子单元的测试。
Vishay每个额定功率的负载突降系列都可以满足ISO-7637-2的要求，而不仅是汽车制造商的测试规范。
表A-2所示为Vishay的大功率硅TVS在不同测试规范下的测试结果。
表A-2：Vishay的负载突降TVS箝位电压这些测试中Vishay的大功率硅TVS的箝位电压低于37 V，满足汽车应用稳压器对37 V至40 V的最大输入电压范围的要求。
图A-5a所示为JASO A-1测试中SM5A27的电流和电压波形。
图A-5b所示为ISO 7637-2测试中负载突降TVS故障的箝位电压和电流。
箝位压降接近为零，而流经器件的电流增加到了线路电阻允许的最大值。
表A-3所示为Vishay的负载突降TVS在各种负载突降测试条件下的失败率。
SM8S24A是ISO-7637-2 Pulse 5测试最大额定值条件下最强大的器件。
ISO-76372最大测试条件下的峰值电流可以由以下公式计算：IPP =（Vin – Vc）/Ri =（110 – 35）/0.5 = 150 AII）两组Vishay负载突降TVSVishay有两种类型的汽车电子初级保护负载突降TVS：EPI PARTVS和Non-EPI PARTVS。
PAR TVS的产品组列在表A-4当中。
两组产品在反向偏压模式下的击穿工作特性类似。
差异在于EPI-PAR TVS在正向模式下具有低VF的特性，而Non-EPI PAR TVS在相同条件下具有比较高的VF，如表A-5所示。
这个特性对提供给电力线的反向电压非常重要。
大多数CMOS IC和LSI的反向电压能力都十分糟糕。
在-1 V以下，MOSFET的栅极在反向电压方面也很薄弱。
在反向电源输入模式下，电力线的电压与TVS正向压降（VF）相同。
这种反向偏压模式会引起电路故障。
对于这个问题，低正向压降EPI PAR TVS是一个很好的解决方案。
另一种防止电路受到反向电源输入影响的方法是在电力线上采用一个极性保护整流器，如图A-7所示。
一个极性保护整流器应该有足够的正向电流额定值和正向浪涌，以及反向电压能力。
Vishay拥有各种用于极性保护以及宽工作温度范围和卓越电气特性的标准整流器和肖特基整流器。
备注：所有测试数据均为典型值，而且存在±5 %的容差。
III）汽车电力线的次级保护汽车系统中保护电路的初级目标是高电位浪涌电压，但是箝位电压仍然很高，如表A-1和B-1所示。
次级保护对24 V传动系统尤为重要，如在卡车和货车当中。
其主要原因是汽车应用中大多数稳压器和DC-DC 转换器IC的最大输入电压是45 V至60 V。
在24 V测试条件下，初级保护TVS的击穿电压如表B-1所示。
这些将导致在稳压器、仪表总成集成电路和其他电子设备上出现高电压。
在电力线上增加电阻器R可以减少瞬态电流，有助于次级保护使用较小功率额定值的TVS。
电子单元中微处理器和逻辑电路的电流要求是150 mA至300 mA，最小输出电压的12 V电池在–18℃条件下为7.2 V，而在相同条件下的24 V电池为14.4 V。
在上述条件下的24 V电池中，300 mA负载的电源电压在R = 20 Ω时为8.4 V；在最低电压为14.4 V的电池（–18℃时的24 V电池电压）条件下，R = 10 Ω时为11.4 V。
备注：所有测试数据均为典型值，而且存在±5 %的容差。
图B-2：JASO D-1测试的箝位电压和电流波形采用了20 Ω电阻器的TPSMC36A- Vc = 37.8 V- Ipp = 0.7 AIV）大型发电机和中型混合动力汽车的负载突降保护一些发电机制造商发布了新一代汽车的大型发电机和集成式起动机/发电机（皮带传动发电机（belt alternator）系统或起动-停止系统）。
目前的传统发电机的输出是14 V，功率为60至120 A，而应用于汽车的采用改进技术的大功率大型发电机为14 V，220至300 A，这种汽车配备了电动助力便利系统，如电子制动系统、电动助力转向、信息、娱乐、驾驶辅助和其他功能。
用于中型混合动力系统的ISG（集成式起动机/发电机），轻型汽车为14 V，120 A，而在制动和停车期间没有燃料喷射时，空转引擎为42 V，60至80 A输出大型发电机对于14 V系统的大型发电机来说，由以下ISO7637-2和ISO-8854的公式1）得出的220 A的发电机内阻为0.33 Ω，300 A型的内阻为0.24 Ω。