第五章FET三极管及其放大管测验试题
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
第五章自我检测题参考答案
第五章⾃我检测题参考答案第五章⾃我检测题参考答案⼀、填空题1.⼄类互补对称功放的效率⽐甲类功放⾼得多，其关键是静态⼯作点低。
2.由于功放电路中功放管常常处于极限⼯作状态，因此选择功放管时要特别注意P CM ， I CM 和U (BR)CEO 三个参数。
3.设计⼀个输出功率为20W 的扩⾳机电路，若⽤⼄类OCL 互补对称功放电路，则应选P cm ⾄少为4W 的功放管两只。
⼆、判断题1.⼄类互补对称功放电路在输出功率最⼤时，管⼦的管耗最⼤。
(×)2.功放电路的效率是拷输出功率与输⼊功率之⽐。
(×)3. ⼄类互补对称功放电路在输⼊信号为零时，静态功耗⼏乎为零。
(√)4只有当两只三极管的类型相同时才能组成复合管。
(×)5.OCL 电路中输⼊信号越⼤，交越失真也越⼤。
(×)6.复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。
(√)三、选择题1.功率放⼤器的输出功率⼤是(C )。
A.电压放⼤倍数⼤或电流放⼤倍数⼤B.输出电压⾼且输出电流⼤C.输出电压变化幅值⼤且输出电流变化幅值⼤2.单电源(＋12)供电的OTL 功放电路在静态时，输出耦合电容两端的直流电压为(C )。
A.0VB.+6VC.+12V3.复合管的导电类型(NPN 或PNP)与组成它的(A )的类型相同。
A.最前⾯的管⼦B.最后⾯的管⼦C.不确定4. 互补对称功放电路从放⼤作⽤来看，(B )。
A.既有电压放⼤作⽤，⼜有电流放⼤作⽤B.只有电流放⼤作⽤，没有电压放⼤作⽤C.只有电压放⼤作⽤，没有电流放⼤作⽤5.甲⼄类OCL 电路可以克服⼄类OCL 电路产⽣的(A )。
A.交越失真B.饱和失真C. 截⽌失真D.零点漂移四、⼀单电源供电的OTL 功放电路，已知V CC =20V ，R L =8Ω，U CE(sat)忽略不计，估算电路的最⼤输出功率，并指出功率管的极限参数P CM 、 I CM 、U (BR)CEO 应满⾜什么条件？解：OTL 功放电路W 25.6W 8102121212L 2om =?=??? ???=R V P CC W 25.1W 25.62.02.0om CM =?=≥P PV 20V 20CC (BR)CEO ＝＝V U ≥A 25.1A 82202L CC CM =?=≥R V I第五章习题参考答案5.1判断题1.功率放⼤倍数A P ＞1，即A u 和A i 都⼤于1。
三极管练习题
晶体三极管一、填空题（40分）1、半导体三极管按结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。
3、三极管的三个管脚电流关系是，直流电流放大系数β的定义式是。
4、三极管处于正常放大状态，硅管的V BE约为V,锗管的V BE约为。
5、三极管的输出特性曲线可分为、和三个区域。
6、三极管的微小变化，将会引起的较大变化，这说明三极管具有放大作用。
7、当U CE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线；当I B一定时，和之间的关系曲线称为三极管的输出特性曲线。
8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管死区电压约V。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为V，锗管约为V。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结或时工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。
10、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管。
11、三极管的极限参数分别是、和。
12、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、判断题（5分）1、三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。
（）2、为使晶体三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）3、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
（）4、对于某晶体三极管的I B=10μA时，I C=0.44mA;当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数为45。
（）5、已知某三极管的射极电流I E=1.36 mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30μA。
（）三、选择题（30分）1、三极管是一种（）的半导体器件。
A 电压控制B电流控制C既是电压又是电流控制2、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。
A、电流放大B、电压放大C、功率放大D、电压放大和电流放大3、三极管的伏安特性是指它的（）。
半导体三极管及其放大电路练习及标准答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
第五章FET三极管及其放大管考试试题及答案
下面的电路符号代表（）管。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
D 下图为（）管的转移曲线图。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
B 当场效应管的漏极直流电流 I D 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨 导 g m 将（）。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。 b)无放大作用。因 N 沟通 MOS 管的漏极电流应为 DD V +,将 DD V -改为 DD V + c ） 无放大作用。因 0=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将 B R 接在
b 极与 cc V +端 d ）无放大作用。因对交流而言输入短路，i U 加不到 e 结上。应在 b 极和 cc V +间加电阻 B R . 已知共源极电路如图所示。其中，管子的 m g ＝0.7ms, Ω=K R 2001， Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。 （1）求 i r 和 0r ； （2）求 u A ＝i U U 0 。
A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、JFET D、NEMOS C 场效应管用于放大时，应工作在（）区。 A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和） D 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是 （）。 A. 增强型 PMOS B. 增强型 NMOS C. 耗尽型 PMOS D. 耗尽型 NMOS
耗尽型,N 沟道 下图中的 FET 管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区 下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
饱和 三、单项选择题 U GS＝0V 时，不能够工作在恒流区的场效应管有。 A、结型管 B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS B U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS C U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。
三极管放大电路试题
三极管放大电路试题1. 下列说法正确的是( )放大器的输入电阻越小越好(正确答案)放大器的输入电阻越大越好放大器的输出电阻和输人电阻相等放大器的输出电阻越大越好2. 有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容Ce,则Ce的作用是（）A.稳定静态工作点B.交流旁路，减少信号在Re上的损失(正确答案)C.改善输出波形D.减小信号失真3.在固定偏置放大电路中，若静态工作点比较高，则输入信号较大时，电路将首先出现（）失真。
A.交越失真B.双重失真C.截止失真D饱和失真(正确答案)4. 分压式偏置电路与固定式偏置电路相比较，能够（）A.确保电路工作在放大区B.提高电压放大倍数C.提高输入电阻D.稳定静态工作点(正确答案)5. 在分压式偏置电路中若将下偏置电阻阻值减小，电路中的静态工作点（）A.ICQ增大B.VCEQ增大(正确答案)C.VCEQ减小D.VCEQ、ICQ不变6. 多级放大器的上、下限截止频率变化情况是（）A.上限频率变大B.下限频率变大(正确答案)C.下限频率变小D.上限频率不变7. 多级放大器中具有阻抗变换功能的耦合方式是（）A.阻容耦合B.变压器耦合(正确答案)C.直接耦合D.光电耦合8. 已知Ai=1000,则Gi=（）A.30dBB.90dBC.40dBD.60 dB(正确答案)9. 放大器的输出电路Ro越小，则（）A.带负载能力越强(正确答案)B.带负载能力越弱C.放大倍数越低D.通频带越宽10. 在晶体管放大电路中，若电路的静态工作点太低，将会产生（）A.饱和失真B.截止失真(正确答案)C.交越失真D.不产生失真11. 放大电路在未输人交流信号时，电路所处于工作状态是（）A.静态(正确答案)B.动态C.放大状态D.截止状态12. 放大器的通频带指的是（）A.上限频率以下的频率范围B.下限频率以上的频率范围C.下限频率以下的频率范围D.上下限频率之间的频率范围(正确答案)一个多级放大器由两个相同的放大器组成，已知每级的通频带为15KHZ,放大器总通频带为（）A.15KHZB.30KHZC.大于15KHZD.小于15KHZ(正确答案)14. 放大器的功率增益定义式为（）A.AP=Po/PIB.GP=20LgAPC.GP=20Lg(Po/PI)D.GP=10LgAP(正确答案)15. 在分压式偏置放大电路中，当三极管的β值增大时，电路中的静态工作点（）A.IBQ增大B.IBQ减小(正确答案)C.VBEQ增大D.IEQ减小16.两级放大器的放大倍数AV1=30,AV2=50,输人信号有效值Vi=1mV,输出端信号有效值应为（）A.80mVB.1.5V(正确答案)C.0.15VD.150V17.某三极管的极限参数为VBR=25V,ICM=13mA,PCM=130mW,在以下工作条件哪个是允许的？（）A.Ic=12mA,VCE=10V(正确答案)B.Ic=20mA,VCE=10VC.Ic=120mA,VCE=3VD.Ic=40mA.VCE=50V18. 画交流通路时（）A.把电容视为开路，电源视为短路B.把电源和电容都视为开路C.把电容视为短路，电源视为开路D.把电源和电容都视为短路(正确答案)19. 放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（）A.饱和区B.截止区C.放大区(正确答案)D.击穿区20. 在基本放大电路中，描述放静态工作点的参数正确的是（）A.Ib,Ic,VceB.IB,IC,VCE(正确答案)C.iB,iC,VCED.ib,ic.,vce21. 在放大电路中，交直流电压电流用（）表示。
三极管及放大电路题库(114道)
三极管及放大电路1、用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接23脚时，指针偏转角均较大。
这说明此三极管类型为——[单选题]A PNP型，且1脚为基极B PNP型，且2脚为基极C NPN型，且1脚为基极D NPN型，且2脚为基极正确答案：A2、下图所示的各晶体管工作正常，无损坏。
测得四个三极管各极对地的电压如图所示，则VT1VT2VT3VT4分别工作在——[单选题]A 放大区放大区饱和区截止区B 放大区截止区饱和区截止区C 放大区截止区饱和区放大区D 饱和区截止区放大区放大区正确答案：A3、 NPN型三极管处于放大状态时，下列各极电位或电压关系正确的是——[单选题]ABCD正确答案：D4、分压式工作点稳定电路如图所示，已知β=60，UCE(sat)=0.3VUBE=0.7V。
三极管基极电位UB约为（）——[单选题]A 2VB 3VC ４ＶD ５Ｖ正确答案：C5、在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100， RB＝100kΩ。
当Ui＝0V时，测得UBE＝0.7V，若要基极电流IB＝20μA，则RW为（）kΩ。
——[单选题]A 465B 565C 400D 300正确答案：A6、用指针式万用表检测下图所示三极管，黑表笔接1脚，红表笔分别接23脚时的指针偏转角均较大。
这说明该管为——[单选题]A NPN型，且1脚为基极B NPN型，且1脚为发射极C PNP型，且1脚为基极D PNP型，且1脚为集电极正确答案：A7、如图所示，该两级放大电路的输出电阻是——[单选题]A 4 kΩB 1.3 kΩC 3 kΩD 1.5 kΩ正确答案：C8、在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100，若测得IB＝20μA，UCE＝6V，则Rc＝（）kΩ。
——[单选题]A 3B 4C 6D 300正确答案：A9、如图所示，晶体管的β均为50，rbe均为1.6kΩ，该两级放大电路的输入电阻是——[单选题]A 1.3 kΩB 27 kΩC 3 kΩD 10 kΩ正确答案：A10、共射基本放大电路基极偏置电阻，一般取值为（）——[单选题]A 几欧至几十欧B 几十欧至几百欧C 几百欧至几千欧D 几十千欧至几百千欧正确答案：D11、放大器的低频区指的是——[单选题]A 上限频率以上的频率范围B 下限频率以上的频率范围C 下限频率以下的频率范围D 放大器上限频率和下限频率之间的频率范围正确答案：C12、在多级放大电路中，易产生零点漂移（）——[单选题]A 变压器耦合B 阻容耦合C 直接耦合D 光电耦合正确答案：C13、从放大器输入端看进去的等效电阻称为放大器的——[单选题]A 输入电阻B 输出电阻C 等效电阻D 负载电阻正确答案：A14、以下关于三极管的说法中，错误的是——[单选题]A 三极管属于双极型器件B 三极管内存在三个PN结C 三极管的穿透电流随温度升高而增大D 当NPN型三极管处于放大状态时，三极管各极电位VC>VB>VE正确答案：B15、射极跟随器就是（）——[单选题]A 共发射极放大电路B 共基极放大电路C 共集电极放大电路D 信号的输出是从发射极输出正确答案：C16、放大器为避免出现线性失真，应使其工作在——[单选题]A 高频区B 低频区C 中频区D 截止频率正确答案：C17、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V-0.7V 和-4.7V，则该管为（）。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、阴极、阳极C. 基极、发射极、阴极D. 基极、阳极、集电极答案：A2. NPN型三极管的基极电压相对于发射极电压：A. 必须高于B. 必须低于C. 可以相等D. 无要求答案：A3. 三极管放大作用的实质是：A. 电流放大B. 电压放大C. 功率放大D. 电阻放大答案：C4. 在三极管的三种工作状态中，放大状态的特点是：A. 基极电流变化引起集电极电流变化B. 基极电流变化引起发射极电流变化C. 基极电流变化引起基极电流变化D. 基极电流变化引起阳极电流变化答案：A5. 要使三极管工作在放大区，其基极电流与发射极电流的关系是：A. 基极电流大于发射极电流B. 基极电流小于发射极电流C. 基极电流等于发射极电流D. 基极电流与发射极电流无关答案：B6. 三极管的放大倍数β表示的是：A. 基极电流与集电极电流的比值B. 基极电流与发射极电流的比值C. 发射极电流与集电极电流的比值D. 集电极电流与基极电流的比值答案：D7. 三极管的饱和区是指：A. 基极电流很小，集电极电流很大B. 基极电流很大，集电极电流很小C. 基极电流很小，集电极电流很小D. 基极电流很大，集电极电流很大答案：D8. 为了减小三极管的热稳定性，可以采取的措施是：A. 增加基极电流B. 降低基极电流C. 增加集电极电流D. 降低集电极电流答案：B9. 三极管的截止状态是指：A. 基极电流为零B. 基极电流很大C. 集电极电流为零D. 集电极电流很大答案：A10. 三极管的开关特性是指：A. 三极管可以作为开关使用B. 三极管可以作为放大器使用C. 三极管可以作为整流器使用D. 三极管可以作为稳压器使用答案：A二、填空题（每题2分，共10分）1. 三极管的放大作用是通过______来实现的。
答案：基极电流控制集电极电流2. 在三极管的放大区，基极电流与集电极电流的比值称为______。
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A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NEMOS
B
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOSB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NEMOS
C
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOSB、增强型MOS管C、JFET D、NEMOS
C
场效应管用于放大时，应工作在（）区。
A、可变电阻B、夹断C、击穿D、恒流（饱和）
D
已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。
A.增强型PMOS B.增强型NMOS C.耗尽型PMOS D.耗尽型NMOS
B
下面的电路符号代表（）管。
A、耗尽型PMOSB、耗尽型NMOS
C、增强型PMOSD、增强型NMOS
如图为场效应管放大电路的等效图，
（3分）
（2分）
（1分）
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出 、Ri和Ro的表达式。
解： 、Ri和Ro的表达式分别为
场效应管放大电路如图所示。
（1）画出电路的交流通路；
（2）画出电路的交流等效电路；
（3）若静态点处的跨导 =2mA/V，
试计算 、 、 。
√
场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（）
×
二、填空题
场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
源，栅
场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。
VGS（栅源电压），ID（漏极）
场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。
D
四、计算分析题
改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
解：（a）源极加电阻RS。
（b）漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
改正电路如下图所示。
未画完的场效应管放大电路如图T1所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。
D
下图为（）管的转移曲线图。
A、耗尽型PMOSB、耗尽型NMOS
C、增强型PMOSD、增强型NMOS
B
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
A、增大B、不变C、减小D、增大或者减小
A
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管是（）。
A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、耗尽型FET都可能
√
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。()
×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。()
×
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（）
电压，1
当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。
耗尽型，增强型
场效应管具有输入电阻很＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。
大，强
输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。
共射（共源）
共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
电路如图所示，设R=0.75kΩ，Rg1= Rg2= 240kΩ，Rs=4kΩ，场效应管的gm=11.3mS，rds=50kΩ，试求源极跟随器的源电压增益Avs、输人电阻Ri和输出电阻Ro。
（2分）
（4分）
（2分）
电路如图所示，设场效应管的参数为gm1=0.8mS，λ1=λ2= 0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID= 0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。
（4）2.2M 电阻影响静态点吗？其作用是什么？
解：（1）
（2）
（3）
（4） 电阻不影响静态工作点。因栅极电流为0，其作用是为提高输入电阻。
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出 、Ri和Ro的表达式。
解： 、Ri和Ro的表达式分别为
五、设计题
解：
分析下图中电路是否有放大作用？并且提出改进方案。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。
b)无放大作用。因N沟通MOS管的漏极电流应为 ,将 改为
c）无放大作用。因 ,直流工作状态不正常，应将 接在b极与 端
d）无放大作用。因对交流而言输入短路， 加不到e结上。应在b极和 间加电阻 .
已知共源极电路如图所示。其中，管子的 ＝0.7ms, ， 。
（1）求 和 ；
（2）求 ＝ 。
解：
（1）由等效电路图可得
=1000+ =1M
根据等效电路，利用求输出电阻的方法可得
（2）因 = =5 5=2.5K
所以 = =
10、场效应管电路如图所示，已知 ，场效应管的 试求该电路的交流输出电压uo的大小。
解：
（3分）
=-0.58mS*12k (1分)
v0=-0.58mS*12k* =-139.2mV(2分)
共射
共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
共集
图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。
耗尽型,N沟道
下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
饱和
三、单项选择题
第五章FET三极管及其放大管测验试题
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第五章FET三极管及其放大管
一、判断题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（）。
√
场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（）
×
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（）
×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）
×
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）前往
×
互补输出级应采用共集或共漏接法。()