模电课后习题答案
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电课后习题答案
BabbaCbcbaBcb1．PN结加正向电压时，空间电荷区将（ B ）。
a.变宽b.变窄c. 基本不变2．在本征半导体中加入（A）元素可行成Ｎ型半导体。
a.五价b.四价c.三价3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。
a.前者反偏、后者正偏；b.前者正偏、后者反偏；c.前者正偏、后者正偏；4．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（ B ）。
a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5．当信号频率等于放大电路的或时，放大增益下降（A）．ａ．３dB b．4dB c.．5dB6．交流负反馈是指（C）a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7．稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（ B ）。
a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8．为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。
a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9．欲将正弦波电压移相，应选用（ B ）电路。
a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10．欲将方波电压转换为三角波电压，应选用（A）电路。
a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11．为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ B ）滤波电路。
a. 高通b. 低通c. 带通12．一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路，它主要由（ C ）组成。
a：负反馈b：放大电路和反馈网络c：放大电路、反馈网络和选频网13．功率放大电路的转换效率是指（ B ）。
ａ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比ｂ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比ｃ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小电路如图 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图 解图解：i u 与o u 的波形如解图所示。
电路如图所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图 解图电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为。
试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少 (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少解：(1)串联相接可得4种：；14V ；；。
1、两个管子都正接。
（）2、6V的管子反接，8V的正接。
3、8V的反接， 6V的管子正接。
4、两个管子都反接。
（14V）(2)并联相接可得2种：；6V。
1、两个管子都反接，电压小的先导通。
(6V)2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。
模电课后题答案详解
习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。
答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。
又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。
利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。
若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。
利用这个特性，可制造出各种半导体器件。
1.2 简述PN结是如何形成的。
答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。
这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。
PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。
内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。
因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。
当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。
由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN 结也称为耗尽层。
1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。
模电课后习题答案
V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得：U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA，U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。
2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V，所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE，45.4小I B七、T1 :恒流区；T2：夹断区；T3:可变电阻区。
习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。
1.4 u i和U o的波形如图所示。
1.5 u o的波形如图所示。
1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。
1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。
1.9(1 )当U I = 10V时，若U O=U Z = 6V，则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
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习题:一．填空题1、半导体得导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度与材料性质有关。
2、利用PN结击穿时得特性可制成稳压二极管,利用发光材料可制成发光二级管,利用PN结得光敏性可制成光敏(光电) 二级管。
3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体,加入＿3价＿元素可形成P型半导体。
N型半导体中得多子就是_自由电子_______;P型半导体中得多子就是___空穴____。
4、PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结得单向导电性。
5、通常情况下硅材料二极管得正向导通电压为0、7v ,锗材料二极管得正向导通电压为0、2v 。
6、、理想二极管正向电阻为__0______,反向电阻为_______,这两种状态相当于一个___开关____。
7、、晶体管得三个工作区分别为放大区、截止区与饱与区。
8、、稳压二极管就是利用PN结得反向击穿特性特性制作得。
9、、三极管从结构上瞧可以分成 PNP 与 NPN 两种类型。
10、晶体三极管工作时有自由电子与空穴两种载流子参与导电,因此三极管又称为双极型晶体管。
11、设晶体管得压降U CE不变,基极电流为20μA时,集电极电流等于2mA,则β=__100__。
12、场效应管可分为绝缘栅效应管与结型两大类,目前广泛应用得绝缘栅效应管就是MOS管,按其工作方式分可分为耗尽型与增强型两大类,每一类中又分为N沟道与P沟道两种。
13、查阅电子器件手册,了解下列常用三极管得极限参数,并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二.选择题1、杂质半导体中,多数载流子得浓度主要取决于 A 。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2、理想二极管加正向电压时可视为 B ,加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A、开路B、短路C、不能确定3、稳压管得稳压区就是二极管工作在＿＿D＿＿状态。
A、正向导通B、反向截止C、反向导通D、反向击穿4、当温度升高时,二极管得反向饱与电流将＿＿A＿＿。
A、增大B、不变C、减小5、工作在放大区得某晶体管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它得β约为＿＿C＿＿。
A、83B、91C、1006、当场效应管得漏极直流电流I D 从２mA 变为４mA 时,它得低频跨导g m 将 C 。
A 、增大B 、不变C 、减小7、u GS ＝０时,能够工作在恒流区得场效应管有 A 与 C 。
A 、结型管B 、增强型MOS 管C 、耗尽型MOS 管8、场效应管属于__A____控制型器件,晶体三极管则属于___B___控制器件。
A 、电压B 、电流C 、电感D 、电容。
9、测得某放大电路中三极管各级电位分别为3v 、2、3v 、12v 则三极管三个电极分别 就是 C ,该管就是 EA 、(e b c)B 、(b c e)C 、(b e c )D 、(pnp)E 、(npn) 10、如题图2-1所示,二极管均为理想元件,则VD1、VD2、 VD3得工作状态为( A )。
A 、 VD1导通, VD2 、 VD3截止B 、 VD2导通, VD1 、 VD3截止C 、 VD3导通, VD1 、 VD2截止11、在题图2-2示电路中稳压管VDZ1得稳定电压为9V, VDZ2得稳定电压为15V,输出电压U O 等于( B )。
A.15V B.9V C.24V题图2-1 题图2-2 三、分析题1、 二极管电路如题图2-3所示。
已知直流电源电压为6V ,二极管直流管压降为0、7V 。
(1) 试求流过二极管得直流电流。
(2)二极管得等效直流电阻为多少？解:(1)流过二极管得直流电流也就就是题图2-3得回路电流,即 ==53mA(2) ==13、22. 二极管电路如题图2-4所示。
(1)设二极管为理想二极管,试问流过负载得电流为多少？(2)设二极管可瞧作就是恒压降二极管,并设二极管得导通电压V,试问流过负载得电流就是多少？ (3)将电源电压反接时,流过负载电阻得电流就是多少？解:(1)mA (2)mA (3)3. 二极管限幅电路如题图1、7(a)、(b)所示。
将二极管等效为恒压降模型,且U D(on)=0、7V 。
若u i＝5sin ωt(V),试画出u 0得波形。
//D 题图2-31题图2-4ER L 100题图2-5解:(1)在图(a)中:当u i＞一2、7V时,V管截止,u0＝一2V;当u i≤一2、7V时,V管导通,u0＝u i。
当u i＝5sinωt(V)时,对应得u0波形如图答图2-5(a)所示。
(2)在图(b)中:当u i＞1、3V时,V管截止,u0＝u i;当u i≤1、3V时,V管导通,u0＝2V。
其相应波形如答图2-5(b)所示。
答图2-54、电路如题图2-5所示,已知,,。
稳压管得稳定电压,稳定电流,最大稳定电流,求流过稳压管得电流。
如果断开,将会出现什么问题,得最大值为多少？题图2-6解:(1)(2) 若断开,则:==25mA>20mA,稳压管将因电流过大而被烧坏。
(3)==2K5、写出题图2-7所示各路得输出电压值,设二极管导通电压U D =0、7V。
题图2-7解: U01=1、3V, U02=0, U03=-1、3V,U04=2V, U05=1、3V, U06=-2V6、分别判断如题图2-7所示电路中得晶体管就是否有可能工作在放大状态？题图2-7解:(a)可能(b)可能(c)不可能(d)不可能(e)可能7、已知晶体管工作在线性放大区,并测得个电极对地电位如题图2-8所示。
试画出各晶体管得电路符号,确定每管得b、e、c极,并说明就是锗管还就是硅管。
解:0、7V8V0V(a)-0、7V-8V0V(b)4V1V3、7V(c)4V4、3V9V(d)题图2-8习题一、填空题1.晶体管工作在放大区时,具有发射结正偏、集电结反偏得特点。
2、晶体管工一、填空题1.晶体管工作在放大区时,具有发射结正偏、集电结反偏得特点。
2、晶体管工作在饱与区时,具有发射结正偏、集电结正偏得特点。
3、饱与失真与截止失真属于非线性失真 ,频率失真属于线性失真。
4、共集电极放大器又叫射极输出器,它得特点就是:输入电阻高 (高、低);输出电阻低 (高、低);电压放大倍数约为 1 。
5、多级放大器由输入级、____中间级_____ 与输出级组成;其耦合方式有__阻容耦合____与直接耦合、变压器耦合三种;集成运算放大器运用得就是直接耦合耦合方式。
6.三种最基本组态得放大器分别就是共基极放大电路、___共发射极_______与___共集电极。
其中输入电阻最大得就是共集电极电路,而输出电阻最小得就是共集电极电路。
7、多级放大电路得电压放大倍数为各级电压放大倍数得乘积。
输入电阻约等于第一级得输入电阻电阻,而输出电阻约等于输出级得输出电阻电阻。
8、多级放大器总得上限频率比其中任何一级得上限频率都要__低___(高/低),而下限频率比任何一级得下限频率都要___高____(高/低)。
9.若使放大器不产生频率失真,则要求其__高频__频率响应与__低频___频率响应均不产生失真。
10、晶体管得内部结电容与负载电容主要影响放大器得___高频__特性,而耦合电容与旁路电容主要影响放大器得__低频____特性。
二、选择题1、为了放大变化缓慢得微弱信号,放大电路应该采用( A )耦合方式;为了实现阻抗变换,放大电路应采用( C )耦合方式。
A、直接B、阻容C、变压器D、光电2、阻容耦合与直接耦合多级器之间得主要不同就是(A )。
A、所放大得信号不同B、交流通路不同C、直接通路不同3、、直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比,低频特性(A )。
A、好B、差C、差不多4、具有相同参数与相同放大倍数得两级放大器,在组成它得各个单极放大器得截止频率处,总得电压放大倍数下降( A )。
A、3dBB、6dBC、9dBD、20dB5、多级放大电路与单极放大电路相比,总得通频带一定比它得任何一级都( D )。
A、大B、小C、宽D、窄6、当信号频率等于放大电路得或时,放大倍数得值约下降到中频时得( B )。
A、0、5倍B、0、7倍C、0、9倍7、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降得原因就是(B ),而低频信号作用时放大倍数下降得原因就是(A )。
A、耦合电容与旁路电容存在B、半导体极间电容与分布电容得存在C、半导体管得非线性特性D、放大电路得静态工作点不合适8、u GS＝０时,能够工作在恒流区得场效应管有( A )与( C )。
A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管三.分析与计算题1、试判别题图3-1 所示各电路能否对正弦信号进行电压放大？为什么？各电容对电信号可视作短路。
(a) (b)(c) (d)(e) 题图3-1(f)解:图(a):因为输出信号被短路了,所以不能进行电压放大。
图(b):因为输入信号被短路了,所以不能进行电压放大。
图(c)中管子截止,电路不能正常放大。
应将R B改接在b极与地之间。
图(d):晶体管基极偏置为零,不能进行放大。
图(e)中会使e结烧坏且输入信号短路,因而电路不能正常放大,应在b极到Ucc之间接偏置电阻R B。
图(f)中电路可以正常放大。
2、、电路题图3-2所示,晶体管得,(1)求电路得Q点、、与。
(2)设,问、若开路则、题3-2图解:(1) Q 点:、与得分析:,, 。
(2)设U s = 10mV (有效值),则;若C3开路,则:,, 。
3.已知题图3-3(a)所示电路中场效应管得转移特性与输出特性分别如图(b)、(c)所示。
(1)利用图解法求解Q点;(2)利用等效电路法求解、与。
题图3-3(a) 题图3-3(b) 题3-3图(c)解:(1)在转移特性中作直线,与转移特性得交点即为Q点;读出坐标值,得出。
如下图所示。
(a) (b)在输出特性中作直流负载线,与得那条输出特性曲线得交点为Q 点,。
如解图(b)所示。
(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。
; ;4、如题图3-4所示得电路就是能稳定静态工作点得射极偏置电路。
若已知:,,,,三极管为硅管,,欲使,题图3-5+u o题图3-6问基极上得偏置电阻应为多大？此时与各为多少？题图3-4解:根据直流通路可知:Ω=-=-=+==+=+========+-=+-=K U R U R U R U R R R U V U U U V R I U A I I mAR R U U I B B B B CC B CCB B B B BE E B E CQ E CQ BQ EC CE CC CQ 107.23*7.23*127.27.0221*24050/2/212612221212μβ5.电路如题图3-5所示。
设FET 参数为:mA,V 。
当时,判断场效应管就是处在恒流区还就是可变电阻区？,根据结型场效应管恒流区i D 与u GS 得关在假设条件下得出得结论就是U GD <U Gsoff ,说明靠近漏极处得沟道被夹断,管子进入恒流区。