模拟电子线路——清华大学3

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华南理工大学-清华大学教材-模拟电子技术基础-课程作业标准答案

华南理工大学-清华大学教材-模拟电子技术基础-课程作业标准答案

教材模拟电子技术基础(第四版)清华大学模拟电子技术课程作业第1章半导体器件1将PN结加适当的正向电压,则空间电荷区将(b)。

(a)变宽(b)变窄(c)不变2半导体二极管的主要特点是具有(b)。

(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(a)。

(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必须加反向电压4电路如图1如图2所示,答案5电路如图1所示,2所示,若忽略二极管的正向压降,试画t 1,t 2时间内二极管D 1,D 2的工作状态。

答案第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图(b)。

2U BE,如要将集电极电流I C调整到1.5mA,R B应取(a)。

(a)480kΩ(b)120kΩ(c)240kΩ(d)360kΩ3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC将(a)。

(a)增加(b)减少(c)基本不变4分压式偏置放大电路如图所示,晶体T RB1,RB2分别开路时各电极的电位(U B,U C,U E)。

并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。

答案(1)当R B1开路时,偏置电路如图1所示: U BE =0,I B =0,I C =0,I E =0U B =0U C =U CC =12V U E =0此时晶体管处于截止状态。

(2)当R B2开路时,偏置电路如图2所示:此时晶体管处于饱和状态,U E ≈4V ,U B ≈4.7V ,U C ≈4V5放大电路如图所示,,要求: (1)画出放大器的微变等效电路;(2)答案(1)第三章 多级放大电路1必须使得( a )。

(a)电路结构对称,两管特性及对应的电阻元件参数相同。

(b)电路结构对称,但两管特性不一定相同。

(c)两管特性及对应的电阻元件参数相同,但电路结构不一定对称。

2在多级直接耦合放大电路中,导致零点漂移最为严重的是( a )。

数学物理方法

数学物理方法

数学物理方法Mathematical Methods in Physics课程编号:22189906 总学时:72学分:4课程性质:专业必修课课程内容:数学是物理学的表述语言。

复变函数论和数学物理方程是学习理论物理课程的重要的数学基础。

该课程包括复变函数论和数学物理方程两部分。

复变函数论部分介绍复变函数的微积分,级数展开,留数及其应用以及积分变换等内容。

数学物理方程部分包括物理学中常用的几种数学物理方程的导入、解数学物理方程的分离变量法、作为勒让德方程的解的勒让德多项式和作为贝塞尔方程的解的贝塞尔函数及其性质以及格林函数的基本知识。

该课程有着逻辑推理抽象严谨的特点,同时与物理以及工程又有着紧密的联系,是理工科学生必备的数学基础知识。

我们将把抽象的数学知识和在物理学中的应用结合起来,使学生不但能学习数学本身,同时还能提高学生运用所学数学知识解决实际问题的能力。

先修课程:高等数学参考书目:《数学物理方法》(陆全康、赵蕙芬编),第二版高等教育出版社《数学物理方法》(吴崇试)第二版,北京大学出版社力学和热学 (1)与(2)Mechanics and Thermal Physics (1) and (2)课程编号:22189936、22189937 总学时:28、72 学分:2、4课程性质:专业必修课课程内容:本课程由力学和热学两大部分组成。

力学和热学都是大学物理的基础部分,是物理学各门课程的重要基础课程。

力学的主要内容包括三方面:在牛顿力学方面,主要学习牛顿定律、动量定理和动量守恒定律、动能原理及机械能守恒定律;在刚体定轴转动方面,主要学习转动定律和角动量守恒;在振动和波方面,主要学习简谐振动和平面简谐波。

热学的主要内容包括分子物理学和热力学,主要学习温度,热力学第一定律、第二定律,热机效率及熵增加;气体分子运动论的基本方法,气体压强公式,分子平均动能,气体分子的麦克斯韦速率分布律,能量均分定理。

先修课程:高等数学A(1)参考书目:《力学》,漆安慎、杜婵英,高等教育出版社,1997年;《热学教程》(第二版),黄淑清、聂宜如、申先甲编,高等教育出版社,1994年电磁学Electromagnetism课程编号:22189903 总学时:72 学分:4课程性质:专业必修课课程内容:本课程主要包括真空中的静电场,静电场中的导体和电介质,恒定电流,恒定磁场,磁介质,电磁感应,电磁场和电磁波,及电磁学与当代高新技术等内容。

励志文章--刻苦拼搏攀登人生理想的巅峰

励志文章--刻苦拼搏攀登人生理想的巅峰

刻苦拼搏攀登人生理想的巅峰——一位清华在校生的报告各位同学好:今天,我非常荣幸的站在这里给大家做一个关于高中学习方面的报告,下面我将结合自己在高中三年和大学三年的所见所感所想,通过一些事例向大家说明我们将会在高中遇到的一些问题及处理办法。

我希望大家从我的报告中吸取经验教训,少走弯路,并且为自己树立目标,坚定信心,最终走进理想的大学。

我们如何确定目标,树立理想?我们中学每年考上重点大学的人数六七百,所以一年后你们都有可能进入一流的重点大学或者一流的名牌大学。

我在高一的时候有这样一种困惑:我的目标是考上好大学,但是我要考好大学为了什么,我们为什么一定要走求学这条路?周恩来的答案是“为了中华之崛起”,好多家长的答案是“为了光宗耀祖”,好多老师的答案是“为了你们将来的前途”,作家郑渊洁说:“我小学毕业一样当作家”,比尔·盖茨说;“大学退学也能世界首富”------在经过了三年清华的磨练,我现在的答案是“求学这条路是我们通向成功的捷径”。

这里我举几个例子证明这个观点:我在清华电子系的一个师兄刘自鸿,他通过自己一年的钻研.在去年全国大学生挑战杯科技竞赛上获得特等奖第一名,他的专利“人体生物传感芯片”被一家企业以300万元买走。

看看吧,一名大四的本科生就已经身价百万了,这样的例子在清华很多。

邓小平说:“科学技术是第一生产力”,不错,再给大家举一个个例子:我们都玩过的那种红光激光笔,我前几天在市场上看到最低的一款售价是3元人民币。

我们系信息光电子所做的一个项目“绿光半导体激光笔”,现在在美国买一支200美元。

事实上成本也就10元人民币,但是我们做来了.别人没有,我们就可以决定一切。

我查阅了一下福布斯《财富》杂志,中国大陆35岁以下的白手起家的亿万富豪100%都是靠科学技术起家的。

说到这里文科生可能有点不高兴了,都是靠理工科的科技,我们文科生怎么办啊?别急,我这里还有一个例子:这位同学是清华经管学院朱镕基教授的博士生——一文科生,现在是中国招商银行的副行长,今年只有29岁。

清华学子写给高中生的一封信!

清华学子写给高中生的一封信!

清华学子写给高中生的一封信!高考励志:十句话让学生高考考场超常发挥!一,别管他人的答题速度,做得快不一定做得对。

二,遇事要学会往好处想,你不会的题别人也不一定会。

三,时间分配上不要“头重脚轻”,还没做的题也许很简单。

四,做题的时候先易后难是真理,高考比的不是攻坚而是拿分。

五,不求每题都做,但求做一题对一题,高考比的就是谁少丢分。

六,答题不要老看表,没有意外情况,时间足够让你把会的题做完。

,看着眼熟的题更要留心,有可能跟你原来见过的“形似而神异”。

八,少注意监考老师,咱又没打算作弊,他(她)在忙什么跟你没关系。

九,最后一道大题是留给拼北清的,你做不出很正常,有空再查查前面的题。

十,检查时别轻易更改答案,要相信第一感觉往往是对的【要相信一见钟情是最好的】。

清华学子写给高中生的一封信,一语点醒无数人!本文为河南永城高中毕业生陈博考入清华大学后,给高中的师弟师妹写的一封信,其中有很多引人深思的地方。

文章略长,拿出耐心来,你一定会有所收获的。

亲爱的师弟师妹们:现在我在清华的教室里给你们写这封信是非常荣幸的,但愿我的信能给现在的你们的高中生活和学习提供一些经验和教训。

我在高一的时候有这样一种困惑:我的目标是考上好大学,但是我要考好大学是为了什么?我们为什么一定要走求学这条路?江泽民的答案是:“为了中华民族的伟大复兴”。

好多家长的答案是“为了光宗耀祖”。

好多老师的答案时:“为了你们将来的前途。

”作家郑渊洁说:“我小学毕业一样当作家。

”比尔.盖茨说:“大学退学也能成为世界首富。

”在经过了三年清华的磨练,我现在的答案是“求学的这条路是我们通向成功的捷径。

”这里我举几个例子证明这个观点:我在清华的一个师兄刘自鸿,他通过自己一年的钻研,在去年全国大学生挑战杯上获得特等奖第一名,他的专利“人体生物传感芯片”被一家企业以三百万元买走。

看看吧,一名大四的本科生已经身价百万了,这样的例子在清华很多。

邓小平说:“科学技术是第一生产力”,不错。

山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答

山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

清华学霸给高中学生的忠告

清华学霸给高中学生的忠告

一位清华学霸给高中学生的忠告有的同学觉得自己已经很努力了,可是就是没有办法把成绩再提高一点。

他自己安慰自己“我已经尽力了”。

我记得电影《勇闯夺命岛》有这样一句台词:“永远不要说你已经尽力了,失败者总是抱怨自己已经尽力了,只有胜利者才能赢得选美皇后的芳心!”我个人觉得,当你还有力气说出“我已经尽力了”的时候,你根本就没有尽到全力。

我觉得人的潜力是无限的。

举一个我自己的例子,大家看看人的潜力有多大。

我在高中时体育特别差,跑1000米都很要命,从来都是不及格。

相信在座的好多同学也对这项体育达标深恶痛绝。

到了清华之后,第一节体育课,老师告诉我们体育是清华的传统,我们每年要测3000米长跑,跑不过不许毕业,取消推研资格。

怎么办?谁来到清华都不想拿不到毕业证吧。

我的同学大部分和我一样体育很差。

于是每天晚上10:30,我们的自习教室关门,清华的操场上人就多起来了。

跑半小时再回寝室继续学习。

练了一个星期,我瘦了40斤,最后考试的时候我仅用了12分56秒就跑下了3000米,我们班最胖的人也在15分钟内跑完了。

想起我高中向体育老师抱怨:“我已经尽力了,1000就是不及格。

”我现在觉得很搞笑。

清华的校训中这个“自强不息”我觉得给我的影响非常大。

当你觉得自己已经尽力的时候,往往在坚持一下就会突破自己的极限。

唤醒自己的潜力。

思维科学研究表明,人的大脑能把全世界图书馆藏书的信息都装进去,然而,人类思维至今才开发出百分之七到八。

所以在这里我希望同学一定要努力再努力,那我们应该怎么努力,再努力呢?我在高中听过不少关于学习方法的报告,也很多次给别人介绍自己的学习方法。

但是直到大二我才真正明白怎样才能把知识学好。

大二我们上一门课叫“模拟电子线路”,特别难。

我们的老师——高文焕院士告诉我们一句话:“学习模拟电子线路和学习其他学科有一个共同的窍门,八个字——题海战术,题海战术。

”我当时非常费解,从小到大老师都说要讲方法,不要死做题,怎么院士怎么说呢。

模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)

模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA .如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管:m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =0。

1pA 。

(1)当二极管正偏压为0。

65V 时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k (即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1—3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示.已知电源电压为6V ,二极管压降为0.7伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

清华学霸给学弟学妹的一封信

清华学霸给学弟学妹的一封信

清华学霸给学弟学妹的一封信!震惊全国高中生~真正好文!现在我在清华的教室里给你们写这封信是非常荣幸的,但愿我的信能给现在的你们的高中生活和学习提供一些经验和教训。

我在高一的时候有这样一种困惑:我的目标是考上好大学,但是我要考好大学是为了什么?我们为什么一定要走求学这条路?好多家长的答案是“为了光宗耀祖”。

好多老师的答案时:“为了你们将来的前途。

”作家郑渊洁说:“我小学毕业一样当作家。

”比尔.盖茨说:“大学退学也能成为世界首富。

”在经过了三年清华的磨练,我现在的答案是:“求学的这条路是我们通向成功的捷径。

”这里我举几个例子证明这个观点:我在清华的一个师兄刘自鸿,他通过自己一年的钻研,在去年全国大学生挑战杯上获得特等奖第一名,他的专利“人体生物传感芯片”被一家企业以三百万元买走。

看看吧,一名大四的本科生已经身价百万了,这样的例子在清华很多。

“科学技术是第一生产力”,再给大家举一个例子:我们都玩过的那种红光激光笔,我前几天在市场上看到最低的一款售价时三元人民币。

我们系心细光电子所做的一个项目“绿光半导体激光笔”,现在美国买一支是二百美元,事实上成本就是十元人民币,但是我们做来了,别人没有,我们就可以决定一切。

我查阅了一下福布斯…财富“杂志,中国大陆35岁以下的白手起家的亿万富豪100%都是靠科学技术起家的。

说到这里,文科生可能不高兴了,都是靠理工科的科技,我们文科生怎么办啊?别急,我这里还有一个例子:这位同学是清华经管学院朱镕基教授的博士生——文科生,现在是招商银行的副行长,今年只有29岁,他因为在一个月的时间那解决了河北一个城市建行的呆账坏账,被朱镕基院长破格提拔。

他获得重用所依靠的就是他出色的专业知识和专业技能捷径,他用几年的时间达到了其他人可能要几十年甚至终生都难以企及的高度。

因为一流的大学会给你全面的专业知识,会教会你快速学习知识的方法,会给你一个个观察世界的广阔视角。

这就是我所说的”求学这条路时我们通向成功的捷径”。

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Ausmo
2. 低频电压放大倍数:定性分析
Ausmo r Ri b'e ( g m Rc ) Rs+Ri rbe
Rs Us . Ui . Au . Uoo
C RL . Uo
U o 超前 U oo,当 f 0 时, o 0,U o 超前 U oo 90 。 U
' ' Cμ Cπ Cπ
清华大学 华成英 hchya@
§5.3 放大电路的频率响应
一、单管共射放大电路的频率响应 二、多级放大电路的频率响应
一、单管共射放大电路的频率响应
适用于信号频率从0~∞的 交流等效电路
中频段:C 短路, Cπ 开路。
' Cπ 开路。 低频段:考虑C 的影响, ' 高频段:考虑 Cπ 的影响,C 开路。
5. 带宽增益积:定性分析
Ausm rb'e Ri [ g m ( Rc ∥ RL )] Rs Ri rbe
fbw= fH- fL≈ fH
fH 1 ' 2π [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]Cπ
' ' Cπ Cπ (1 gm RL )Cμ
带宽增益积 Aum f bw Aum f H
U CE
' ' 因为k gm RL 0, 所以Cπ Cπ Cμ

g mU b'e 1 U b'e [ j (Cπ Cμ )] rb'e

0
f 1 j f 1 2 π rb'e (Cπ Cμ )
为什么短路?
f
2. 电流放大倍数的频率特性曲线
0 f 2 1 ( ) 0 f f 1 j f f tg-1 f
20lg 2 3dB
-20dB/十倍频 lg f
5.71
注意折线化曲线的误差
采用对数坐标系,横轴为lg f,可开阔视野;纵轴为 20 lg , 单位为“分贝” (dB),使得 “ ×” →“ +” 。
三、晶体管的频率参数
共基截 止频率
共射截 止频率

特征 频率
集电结电容
0
f 1 j f
2. 低频电压放大倍数:定量分析
Rs Us . Ui . Au . Uoo C RL . Uo
C所在回路的时间常数?
Ausmo rb'e Ri ( g m Rc ) Rs+Ri rbe
U o U oo U o RL Ausl Ausmo 1 U s U s U oo Rc RL jC
3. 高频电压放大倍数:定量分析
R rb'e ∥(rbb Rb ∥ Rs )
Aush
U o U s' Us Us
1 ' U C' U rb'e j C π Ri ' 'π o ( g m RL ) U s U C' Rs Ri rbe R 1 π ' j Cπ
' ' g m RL Cπ f H ' g m RL Aum
矛盾
当提高增益时, 带宽将变窄;反 之,增益降低, 带宽将变宽。
5. 带宽增益积:定量分析
根据 Ausm rb'e Ri [ g m ( Rc ∥ RL )] Rs Ri rbe
讨论一
1. 若干个放大电路的放大倍数分别为1、10、102、 103、104、105,它们的增益分别为多少? 2. 为什么波特图开阔了视野?同样长度的横轴,在 单位长度不变的情况下,采用对数坐标后,最高频 率是原来的多少倍?
O
10 10 20 30 102 103 40 50 104 105 60 106
40 lg Au1
6dB
3dB
≈0.643fH1
o o i
使输出电压幅值下降到70.7%,相位为±45º 的信号频率为 截止频率。
三、放大电路中的频率参数
高通 电路 低通 电路
结电容
f bw f H f L
下限频率
上限频率
在低频段,随着信号频率逐渐降低,耦合电容、旁路电
容等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力下降。 在高频段,随着信号频率逐渐升高,晶体管极间电容和 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小,使动态信号 损失,放大能力下降。
'
1. 中频电压放大倍数
Uo Ausm Us U i U b'e U o U U Us i b'e
带负载时: Ausm
空载时:
rb'e Ri [ g m ( Rc ∥ RL )] Rs Ri rbe
rb'e Ri ( g m Rc ) Rs Ri rbe
' '
对于大多数放大电路,增益提高,带宽都将变窄。 要想制作宽频带放大电路需用高频管,必要时需采用共 基电路。
二、多级放大电路的频率响应
1. 讨论: 一个两级放大电路每一级(已考虑了它们的相互
影响)的幅频特性均如图所示。 20 lg A 20 lg A 20 lg A
u u1 u2
Rc RL Ausm RL Ausl Ausmo 1 1 Rc RL 1 Rc RL jC j ( Rc RL )C
Ausl
Ausm Ausm ( j f f L ) 1 f L (jf ) 1 j f fL
1 fL 2π( Rc RL )
1 1 fH ' ' 2π RCπ 2π [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]Cπ
U o Ausm Aush Us 1 j f fH
3. 高频电压放大倍数:高频段频率响应分析
U o Ausm Aush Us 1 j f fH fH
1 fH ' 2π [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]Cπ
' ' Cπ Cπ (1 gm RL )Cμ
g 若rbe<<Rb、 Rs<<Rb、 m RL 1、gm RLCμ ,则可以证明 图示电路的 1 说明决定于 Aum f H 管子参数 约为常量 2π(rbb' Rs )Cμ
f f L时, lg Aus 20 lg Ausm 20 f f L时, lg Aus 下降3dB, 135 20
20dB/十倍频
20 lg( A f L ) f f L时, lg Aus 20 usm f f 0 时, us 0, 90。 A
rbb'、Cμ可从手册查得
0 I b g mU b'e g m I b rb'e gm
0
rb'e
UT rb'e (1 0 ) I EQ
' ' Cπ Cπ Cμ

I EQ UT
=?
二、电流放大倍数的频率响应
1. 适于频率从0至无穷大的表达式
Ic Ib
第五章 放大电路的频率响应
第五章 放大电路的频率响应
§5.1 频率响应的有关概念 §5.2 晶体管的高频等效电路 §5.3 放大电路的频率响应
§5.1 频率响应的有关概念
一、本章要研究的问题 二、高通电路和低通电路 三、放大电路中的频率参数
一、研究的问题
放大电路对信号频率的适应程度,即 信号频率对放大倍数的影响。 由于放大电路中耦合电容、旁路电容、 半导体器件极间电容的存在,使放大倍数 为频率的函数。 在使用一个放大电路时应了解其信号 频率的适用范围,在设计放大电路时,应 满足信号频率的范围要求。
f
lg f
讨论二
电路如图。已知各电阻阻 值;静态工作点合适,集电 极电流ICQ=2mA;晶体管的 rbb’=200Ω,Cob=5pF, fβ=1MHz。 试求解该电路中晶体管高 频等效模型中的各个参数。
讨论二
I CQ gm、rb'e
' Cμ ( Cob )、gm、Rc、RL Cμ
f 、Cμ ( Cob )、rb'e Cπ
f f 时, 0; f f 时,
o
0
2 f f
0.707 0 , -45; 0;f 时, 0 , -90
f f 时,
3. 电流放大倍数的波特图: 采用对数坐标系
折线化近似画法
f 20 lg Aush 20 lg Aum 20 lg 1 ( ) 2 fH 180 arct an f fH
1 ' 2π [rb'e ∥ (rbb' Rb ∥ Rs )]Cπ
f f H 时 , 20 lg A 20 lg A
§5.2 晶体管的高频等效电路
一、混合π模型 二、电流放大倍数的频率响应 三、晶体管的频率参数
一、混合π模型
阻值小
1. 模型的建立:由结构而建立,形状像Π,参数量纲各不相同。
ห้องสมุดไป่ตู้
阻值大
连接了输入回路 和输出回路
gm为跨导,它不随信 号频率的变化而变。
2. 混合π模型的单向化(使信号单向传递)
I Cμ U b'e U ce U b'e (1 k ) X Cμ X Cμ
2. 低频电压放大倍数:低频段频率响应分析
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