模拟电子技术基础简明教程杨素行(第三版)

100B i A

μ=80A

μ60A

μ40A μ20A μ0A

μ0.9933.22

安全工作区

假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=

F

D 、E

A

B

C

图P1-14(g)

DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V

由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，

4 1.2 2.84.

5 3.5

D m GS i g mS

u ∆-===∆-

习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P型沟道或N型沟道，增强型或耗尽型）。如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U

GS(off)

和饱和漏极电流I

DSS

；如为增强型，标出其

开启电压U

GS(th)

。

(a)绝缘栅型N沟道增强型；(b)结型P沟道耗尽型；

(c)绝缘栅型N沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P沟道增强型。

习题1-18已知一个N型沟道增强型MOS场效应管的开启电

压U

GS(th)

= +3V，I DO=4mA，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P型沟道耗尽型MOS场效应管的饱和漏

极电流I

DSS

= -2.5mA，夹断电压U GS(off)=4V，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图习题1-19图

习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。

答：(a)无放大作用（发射结反偏）；

(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；

(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；

(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；

(e)有放大作用（是射极跟随器）；

(f)无放大作用（输出交流接地）；

(g)无放大作用（输入交流接地）；

(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；

(i)无放大作用（电源极性接反）；

R b

R e i U +o

U R i U +

o U R 1i U '+

2

i i N U U N '=

L

R '=

定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数

A

将增

u

A

↑。

u

A

，↓。

u

A

↓。

u

④增大β，则I BQ

A

基本不变

u

i U +o

U +

(b)

解：①可先用近似估算法求I BQ

100.7

0.0220510

CC BEQ

b V U mA A

R μ--=

=

≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1

静态工作点Q 点处，0.5,

U V I ≈≈

Q 1

Q 2

Q 1

Q 2

=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 连即可得到此时的直流负载线，此时集电极电阻为

()()10224CC CEQ CQ V U I k =-=-=Ω

由图可见，Q 3点处I BQ =40μA ，则

因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3

R b 2

11k Ω

i U o

U (b)

P2-7

()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)

mA

的一条水平线， 2.6

7.2

点，且斜率为，其中1

L

R -

'R b 2

11k Ω

i U o

U

C

图P2-6(b)

，输入电阻u A i

U o U +_(u R A β=-

(u R A β=-

?o

u i

U A U =

=o i

i i o

U R U R R =+

i U o U +

_(u R A β=-i

U o U +R e 2k Ω(u A r β=-+

R b 1

-

i U s

U o

U +-i U

R b

-

s

U +-

R o

U i

U (1(1u A r +=

+(1(1u A r +=

+R -

1o U i

U 2

o U r be

R c

R b

i

U 1o U 2o U -+-

1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=

+12o o U U ≈-

o

U R b 2=10R =3k (//c u R A r β=习题2-19 P107

解：(a)共基电路

(b)共射电路(c)共集电路(d)共射电路(e)共射－共基电路