【CN109748314A】一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法【专利】
一种纳米氧化亚铜的制备方法[发明专利]
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专利名称：一种纳米氧化亚铜的制备方法
专利类型：发明专利
发明人：熊继海,魏源送,范敏,其他发明人请求不公开姓名申请号：CN201811317995.9
申请日：20181107
公开号：CN109133146A
公开日：
20190104
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种纳米氧化亚铜的制备方法，步骤如下：（1）以可溶性铜盐为原料，加入一定量的甲醇溶液，充分搅拌；再加入一定量的碱，继续充分搅拌；（2）将上一步得到的液体和固体转移到水热釜中，在一定温度下，保持一段时间后，冷却至室温，过滤得到砖红色的沉淀物，用蒸馏水和乙醇将沉淀物清洗干净，真空干燥，得到纳米氧化亚铜。
本发明通过甲醇热法制备得到纳米氧化亚铜粉末，原料廉价易得，有机产物主要为甲酸钠，未反应的甲醇及产物对应酸盐可以进行回收，生产成本低，易实现工业化生产。
申请人：江西省科学院能源研究所
地址：330021 江西省南昌市昌东大道777号
国籍：CN
代理机构：南昌市平凡知识产权代理事务所
代理人：姚伯川
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氧化铜纳米线阵列在室温下的制备方法
氧化铜纳米线阵列在室温下的制备方法
室温下制备氧化铜纳米线阵列的方法可以通过以下步骤实现：
准备实验所需的材料和设备。
材料包括氧化铜前驱物、有机溶剂、
基底材料和添加剂等。
设备包括反应容器、加热设备、搅拌装置和测
量仪器等。
制备氧化铜前驱物溶液。
将适量的氧化铜前驱物溶解在有机溶剂中，并加入适量的添加剂以调节溶液的性质和增强纳米线的生长。
然后，处理基底材料。
将基底材料放入反应容器中，并进行表面处理，如清洗和活化处理，以提高纳米线的生长。
将溶液注入反应容器中，使其浸润基底表面。
通过调节溶液的成分
和浓度，可以控制纳米线的生长速率和密度。
然后，加热反应容器。
使用加热设备以适当的温度和持续时间加热
反应容器，促进氧化铜纳米线的生长。
对制备得到的氧化铜纳米线阵列进行表征和分析。
使用适当的测量
仪器，如扫描电子显微镜和X射线衍射仪等，对纳米线的形貌、晶体
结构和物理性质进行测试和分析。
通过以上步骤，即可在室温下制备出氧化铜纳米线阵列。
这种方法
具有操作简单、成本较低和可扩展性强等优点，适用于纳米电子学、
传感器、太阳能电池等领域的应用。
一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法[发明专利]
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专利名称：一种氧化亚铜纳米线材料的制备方法专利类型：发明专利
发明人：秦凤香,季川,杨森,淡振华,管宝儒
申请号：CN201611134425.7
申请日：20161210
公开号：CN106629812A
公开日：
20170510
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于纳米材料及化工材料技术领域，具体为一种氧化亚铜纳米线的制备方法。
本发明以脱合金化制备的纳米多孔铜为基体，将其浸泡在有机溶剂醇中一段时间即可获得长径比大于10的氧化亚铜纳米线。
本发明工艺简单，成本低廉。
本发明制备的氧化亚铜纳米线在光催化、新能源等领域有广泛的用途，可用于光电转换材料、光催化剂、锂离子电池的负极材料以及染料敏化太阳能电池电极材料等，此外还能应用于超级电容器和传感器中。
申请人：南京理工大学
地址：210094 江苏省南京市孝陵卫200号
国籍：CN
代理机构：南京理工大学专利中心
代理人：邹伟红
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一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法[发明专利]
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专利名称：一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法专利类型：发明专利
发明人：常永勤,王际,张寅虎
申请号：CN200710118801.8
申请日：20070814
公开号：CN101074108A
公开日：
20071121
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。
工艺步骤为：将Cu片分别在盐酸和丙酮中清洗10～15min，用去离子水冲洗干净后再用吸耳球将Cu片吹干；将清洗后的Cu片放置在水平管式炉中，通入3～5ml/min的空气；将管式炉以8～10℃/min的速度升温至335～345℃，保温120～150min后自然冷却，获得所需的产物。
优点在于，不需要复杂的真空系统，只需在有微弱气流的空气中加热Cu衬底即可获得CuO纳米柱阵列。
采用的方法简单易行，成本很低，是一种环保的制备方法。
申请人：北京科技大学
地址：100083 北京市海淀区学院路30号
国籍：CN
代理机构：北京科大华谊专利代理事务所
代理人：刘月娥
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一种纳米氧化亚铜的制备方法[发明专利]
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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201911213538.X(22)申请日 2019.12.02(71)申请人 重庆文理学院地址 402160 重庆市永川区双竹镇(72)发明人 曹仕秀 徐静 韩涛 王金玉 曹仰飞 杨佳垚 赵茂宇 (74)专利代理机构 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 50229代理人 李靖(51)Int.Cl.C01G 3/02(2006.01)(54)发明名称一种纳米氧化亚铜的制备方法(57)摘要一种纳米氧化亚铜的制备方法，基于液相还原法制备，其特征在于：采用CuSO 4与NaOH混合配置成混合液A，用油酸、PVP和抗坏血酸配置成混合液B，将混合液B逐滴加入混合液A中混合，搅拌反应后，离心过滤、洗涤并干燥。
本发明制备的纳米氧化亚铜形貌规整可控，为削角削棱八面体结构，重现性好；本发明制备的纳米氧化亚铜粒径小，尺寸可控，粒径为100~200nm；本发明方法制备的纳米氧化亚铜晶面指数高，具有优异的光催化性能。
权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 110697757 A 2020.01.17C N 110697757A1.一种纳米氧化亚铜的制备方法，其特征在于：采用CuSO 4与NaOH混合配置成混合液A，用油酸、PVP和抗坏血酸配置成混合液B ，将混合液B逐滴加入混合液A中混合，搅拌反应后，离心过滤、洗涤并干燥。
2.如权利要求1所述的一种纳米氧化亚铜的制备方法，其特征在于：所述混合液A具体是磁力搅拌下在0.5mol/L的CuSO 4水溶液中加入1.5mol/L的NaOH水溶液，继续磁力搅拌30min。
3.如权利要求1或2所述的一种纳米氧化亚铜的制备方法，其特征在于：所述CuSO 4和NaOH的体积比为1:2。
4.如权利要求1-3任一项所述的一种纳米氧化亚铜的制备方法，其特征在于：所述混合液B具体是0.25mol/L的抗坏血酸、油酸和PVP k30混合配置而成，油酸与抗坏血酸的体积比为1:50，PVP k30与油酸的质量体积比为0.53g：1mL。
一种纳米线阵列的制备方法[发明专利]
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专利名称：一种纳米线阵列的制备方法专利类型：发明专利
发明人：李群庆,金元浩,范守善
申请号：CN201410660932.9
申请日：20141119
公开号：CN105668540A
公开日：
20160615
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种纳米线阵列的制备方法，该方法包括：提供一基板；提供一具有多个微孔的碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构多个有序排列且交叉设置的碳纳米管从而形成多个微孔；将所述碳纳米管复合结构设置于所述基板的一表面；以该碳纳米管复合结构为掩膜干法刻蚀所述基板，从而的到一具有图案化的凸起的基板；去除所述碳纳米管复合结构；在所述图案化的凸起的表面形成一光刻胶层，以将该图案化的凸起覆盖；去除所述光刻胶层并在所述图案化的凸起的多个凸条的交叉处形成部分残留的光刻胶；以及以该残留的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述基板。
该方法工艺简单，可以大面积制备垂直于基板的纳米线阵列。
申请人：清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
地址：100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
国籍：CN
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一种以氧化亚铜为模板制备空心贵金属纳米材料的方法[发明专利]
![一种以氧化亚铜为模板制备空心贵金属纳米材料的方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/8a20e3aae518964bce847caf.png)
专利名称：一种以氧化亚铜为模板制备空心贵金属纳米材料的方法
专利类型：发明专利
发明人：田亮亮,杨聪,陈艳玲,伍沈平,夏楷东
申请号：CN201510994851.7
申请日：20151228
公开号：CN105537614A
公开日：
20160504
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种以氧化亚铜为模板制备空心贵金属纳米材料的方法，包括以下步骤：（1）将氧化亚铜均匀分散于低分子醇中，在搅拌条件下加入贵金属盐的低分子醇溶液，超声搅拌混合；（2）将步骤（1）得到的混合液滴加入水中反应；（3）反应完成后去除氧化亚铜核，得到空心贵金属纳米材料。
本发明采用先将氧化亚铜和贵金属盐在低分子醇中超声搅拌混合，再滴加入水中反应的方法，克服了常规方法的反应不均匀的缺点，制备得到均匀的精确复制氧化亚铜模板形貌的空心贵金属纳米材料。
申请人：重庆文理学院
地址：402160 重庆市永川区红河大道319号
国籍：CN
代理机构：重庆弘旭专利代理有限责任公司
代理人：李靖
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910225609.1
(22)申请日 2019.03.25
(71)申请人 郑州大学
地址 450001 河南省郑州市市辖区高新技
术开发区科学大道100号
(72)发明人 张丽莹 杨兵旺 王凌晨 贺加贝
董英豪
(74)专利代理机构 济南泉城专利商标事务所
37218
代理人 张贵宾
(51)Int.Cl.
C01G 3/02(2006.01)
B82Y 30/00(2011.01)
B82Y 40/00(2011.01)
(54)发明名称一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法(57)摘要本发明公开了一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，属于半导体材料技术领域。
本发明方法包括步骤：1）将强碱和过硫酸盐溶于去离子水，得到溶液A；2）将洁净的铜基体浸泡在溶液A中处理得到附着在铜基体上的氢氧化铜纳米线阵列；3）将水合肼用去离子水稀释，得到溶液B；4）氢氧化铜纳米线阵列在溶液B中处理，控制好处理时间，得到附着在铜基体上的氧化亚铜纳米线阵列。
本发明制得的氧化亚铜纳米线直接生长在导电基体上，且排列整齐；一方面可以避免高分子粘结剂的使用，减少接触电阻；另一方面整齐的阵列结构可以为电子离子的流动提供最
短路径。
权利要求书1页 说明书4页 附图4页CN 109748314 A 2019.05.14
C N 109748314
A
1.一种无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括步骤：1）将强碱和过硫酸盐溶于去离子水，得到溶液A；
2）将洁净的铜基体浸泡在溶液A中处理20
~50min，得到附着在铜基体上的氢氧化铜纳
米线阵列；
3）将水合肼用去离子水稀释，得到溶液B；溶液B中水合肼的浓度为0.3
~0.8ml水合肼/
100mL水；
4）将步骤2）处理得到的附着有氢氧化铜纳米线阵列的铜基体在溶液B中处理60
~ 100min，得到附着在铜基体上的氧化亚铜纳米线阵列。
2.如权利要求1所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤1）中，
溶液A中强碱的浓度为2
~6mol/L。
3.如权利要求1或2所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤1）
中，过硫酸盐的浓度为0.05
~0.2mol/L。
4.如权利要求1或2所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤1）中所述强碱为氢氧化钠或氢氧化钾。
5.如权利要求1所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤1）中所述过硫酸盐为过硫酸钾或过硫酸铵。
6.如权利要求1所述无模板氧化亚铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述铜基体为铜片或泡沫铜。
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CN 109748314 A。