纳米线制备
二氧化硅纳米线制备方法
二氧化硅纳米线制备方法二氧化硅纳米线是一种具有很高应用潜力的纳米材料，它在电子器件、传感器、催化剂等领域都具有广阔的应用前景。
本文将介绍几种常见的二氧化硅纳米线制备方法。
一、气相法制备二氧化硅纳米线气相法是制备二氧化硅纳米线的常用方法之一。
该方法通过控制反应温度、气氛和反应时间等条件，使气相中的硅源在催化剂的作用下发生化学反应，生成纳米线。
常用的气相法包括化学气相沉积法（CVD）和热蒸发法。
化学气相沉积法是一种将气态前驱物转化为固态纳米线的方法。
在CVD过程中，通常使用有机硅化合物作为硅源，如三氯硅烷（SiCl3H）。
该方法需要在高温下进行，反应温度一般在800-1100摄氏度之间。
通过调节反应条件和催化剂的选择，可以控制二氧化硅纳米线的尺寸和形貌。
热蒸发法是一种将固态硅源通过升温蒸发的方法制备二氧化硅纳米线。
在热蒸发过程中，硅源被加热至高温，然后在惰性气氛中蒸发，并在基底上沉积形成纳米线。
这种方法操作简单，但对硅源的纯度要求较高。
二、溶液法制备二氧化硅纳米线溶液法是一种简单易行的制备二氧化硅纳米线的方法。
该方法通常使用硅源溶液，在适当的条件下，通过溶剂挥发或溶液中其他物质的作用，使硅源逐渐沉淀形成纳米线。
常见的溶液法包括溶胶-凝胶法、水热法和电化学沉积法。
溶胶-凝胶法是一种将溶胶转化为凝胶的方法。
在溶胶-凝胶过程中，硅源以溶胶的形式存在于溶液中，通过加热、干燥和煅烧等步骤，使溶胶逐渐凝胶化生成纳米线。
这种方法制备的纳米线具有较高的纯度和均一的尺寸分布。
水热法是一种利用高温高压水溶液制备纳米线的方法。
在水热法中，硅源在水热反应条件下与其他溶液中的成分发生反应，生成纳米线。
这种方法具有简单、环保的特点，但对反应条件的控制较为严格。
电化学沉积法是一种利用电化学方法在电极表面沉积纳米线的方法。
在电化学沉积过程中，通过控制电极电势和电解液成分，使硅源在电极表面沉积形成纳米线。
这种方法可以实现对纳米线尺寸和形貌的精确控制。
离子径迹模板法制备纳米线
离子径迹模板法制备纳米线姚会军1，2，刘杰11中国科学院近代物理研究所，兰州，7300002中国科学院研究生院，北京，100039摘要：重离子辐照过的高分子有机膜，经过适当的处理，可以作为模板来制备金属和可溶性盐的纳米线，此方法称为离子径迹模板法。
本文介绍了电化学沉积方法和过饱和溶液法来制备金属纳米线和可溶性盐纳米线的实例，同时还介绍了以有机模为模板制备纳米线的一些应用。
关键字：模板法离子径迹纳米线1、引言：目前纳米材料已成为国内外研究的一个热点课题，对于被视为21世纪重点开发领域的IT，能源，环境，生物等领域都将产生极其广泛和重要的影响［1］。
做为纳米材料的成员之一,纳米线因其优异的光学性能、电学性能及力学性能等特性而引起了凝聚态物理界化学界及材料科学界科学家们的关注, 利用物理和化学方法组装纳米线近年来也成为纳米材料研究的热点[2]。
其中，利用离子径迹模板法来制备纳米线已经成为近年来兴起的新的制备方法。
高分子有机薄膜在经过高能离子辐照以后，会在薄膜中形成直径从几纳米到几十纳米的柱状损伤区域，这些损伤区域称作离子的潜径迹（latent track）。
把带有潜径迹的薄膜放在蚀刻液中进行蚀刻，根据蚀刻条件不同，会在薄膜内形成直径从十几纳米到几百纳米的孔阵列，把这种带有孔阵列的薄膜称为核孔膜[3]。
通过各种物理和化学方法，以核孔膜为模板(离子径迹模板)，可以把金属，无机盐等填充到其内形成平行排列的纳米线阵列。
对于加速器中辐照的膜，由于重离子束流的高度平行、能量均匀可控，膜孔的均匀性和方向性良好。
另外，根据膜的厚度和重离子辐照剂量的不同，模板内孔的长度和密度也会有所不同[4]。
离子径迹模板法制备纳米线因其以上独特的优点而被逐渐被人们所采用。
2、核孔模的制备(1) 重离子辐照核孔膜所用高分子有机膜多为聚酯(PET)和聚碳酸酯(PC)膜，高能重离子在通过聚合物时损失能量，并引起靶原子的激发和电离，在许多固体中，导致永久的辐照损伤。
一种银纳米线的制备方法及制品与流程
一种银纳米线的制备方法及制品与流程
一、银纳米线的制备
1、材料准备
（1）采用99.999%的纯度纯水锡水（AgNO3）用于纳米线的制备；
（2）添加氧化铝（Al2O3），以调节反应体系电导率；
（3）采用精制的聚乙烯醇（PEG），用于纳米线的缓冲溶液；
（4）采用甲醇（CH3OH），用于处理溶液表面的气泡。
2、制备过程
（1）将水锡水（AgNO3.9H2O）和氧化铝（Al2O3）分别按比例量
0.25M和0.1M，加入到1000ml的缓冲溶液（PEG 600）中，搅拌均匀；
（2）将甲醇（CH3OH）加入到混合液中，使得溶液表面的气泡消失；
（3）加入盐酸（HCl）使得反应体系的pH值降低到2.5；
（4）在室温条件下不断搅拌混合液，使得水锡水（AgNO3）和氧化铝（Al2O3）完全溶解，形成一种有机纳米线；
（5）将混合液放置两个小时，使得纳米线形成完整。
3、制备途径
（1）采用热处理（温度200℃）和无机物的协同作用，结合水锡水（AgNO3）和氧化铝（Al2O3），来形成银纳米线；
（2）采用钢模具的方法，利用模板效应来形成银纳米线；
（3）采用超声波处理的方法来形成银纳米线。
二、工艺研发
1、材料研发
（1）根据银纳米线的反应体系。
纳米线的制备方法
纳米线的制备方法与零维量子点相比，纳米线具有阵列结构因此有更大的表面或体积比，尤其是他们所具有的直线电子传输特性，尤其是他们所具有的直线电子传输特性，十分有利于光能的吸十分有利于光能的吸收和光生载流子的快速转移，由此使得这类准一维纳米结构更适宜制作高效率太阳电池（Si 纳米线太阳电池）。
《TiO2纳米线和ZnO 纳米线则主要用于染料敏化太阳电池的光阳极制作》。
Si 纳米线的生长方法：迄今为止，已采用各种方法制备了具有不同直径、已采用各种方法制备了具有不同直径、长度和形状的长度和形状的高质量的Si 纳米线，利用各种表征技术对其结构特征进行了检测分析，就制备方法而言，目前主要有热化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、激光烧浊沉积、热蒸发、电子束蒸发（EBE ）、溶液法和水热法等；就生长机制而言，则主要有气—液—固（VLS ）法、气—固（VS ）法、气—固—固（VSS ）法、固—液—固（SLS ）法等，就纳米线类型而言，又有本证Si 纳米线和掺杂Si 纳米线之分。
研究指出，Si 纳米线的生长于Si 纳米晶粒和量子点的形成不同，后者只需衬底表面具有合适密度与尺寸的成核位置，后者只需衬底表面具有合适密度与尺寸的成核位置，而前而前者除了具备上述条件外，还需要同时满足线状结构的生长规律与特点，因此工艺技术要求更加严格。
研究者从实验中发现，如果能够利用某一催化剂进行诱导，使纳米点或团簇在催化剂的方向趋使作用下按一定去向生长，预计可以形成纳米线及其阵列结构。
预计可以形成纳米线及其阵列结构。
大量的研究报大量的研究报道指出，以不同的金属作为Si 纳米线合成的催化剂，利用VLS 机制可以实现在Si 晶体表面上Si 纳米线的成功生长。
纳米线的成功生长。
目前，作为制备Si 纳米线的主流工艺应首推采用金属催化的VLS 生长技术，这种方法的主要工艺步骤是：首先在Si 衬底表面上利用溅射或蒸发等工艺沉积一薄层具有催化作用的金属（Au 、Fe 、Ni 、Ga 、Al ），然后进行升温加热，利用金属与Si 衬底的共晶作用形成合金液滴，该液滴的直径和分布于金属的自身性质、该液滴的直径和分布于金属的自身性质、衬底温度和金属层衬底温度和金属层厚度直接相关。
银纳米线大规模制备工艺流程
银纳米线大规模制备工艺流程
一、原料准备
(1) 银盐:硝酸银或硫酸银等。
(2)还原剂:丙酮、乙醇、聚乙二醇等有机还原剂。
(3)保护胶:聚乙烯基醇或聚丙烯酸等。
(4)溶剂:2或有机溶剂。
二、反应条件设计
(1)反应温度:选择银盐稳定性好的温度,一般为5-100°。
(2)值:选择银盐与还原剂反应发生的值范围,一般为7-10.5。
(3)混合顺序:先溶解银盐和保护胶,加入还原剂溶液缓慢混合。
(4)反应时间:根据纳米线需要的长度控制,一般3-15。
三、产品分离
(1)离心收集法:高速离心提取纳米线悬浮液。
(2)超滤膜法:利用不同孔径膜进行滤出。
(3)云酸处理法:加入过量云酸沉淀纳米线。
四、产品干燥存储
采用液氮快速冷冻干燥法,最后放入真空干燥箱完成干燥,密封储存于4°冰箱中。
五、质量检测及应用
(1)观察形貌和粒径分布。
(2)检测晶相。
(3)裸粒电子显微镜观测纳米线性质。
(4)电导测定及生物学行为测试等。
以上就是银纳米线大规模制备的一般工艺流程,可供参考。
当然,根据实际需要还可以进行一定的优化。
金属纳米线的制备与应用
金属纳米线的制备与应用金属纳米线是一种高性能的材料，在太阳能电池、透明电极、柔性传感器、纳米电子学等领域得到了广泛的应用。
本文将会探讨金属纳米线的制备与应用。
一、金属纳米线的制备金属纳米线的制备方法有许多种，其中最为常用的是化学还原法、电化学法和高温烧结法。
这里我们重点介绍化学还原法。
化学还原法是将金属离子还原为纳米线的过程。
一般在水溶液中添加还原剂，如N2H4、NaBH4等，同时加入表面活性剂来调节纳米线的形成。
在调节 PH 值的同时，控制温度和反应时间，就可以合成出不同形态的金属纳米线。
例如，以银纳米线为例，制备方法如下：1.将AgNO3溶于蒸馏水中，制成1 mM 的 AgNO3 溶液。
2.在搅拌条件下向 AgNO3 溶液中滴加NaBH4 溶液。
3.反应15分钟后，向溶液中加入表面活性剂。
4.用离心机和蒸馏水进行深度清洗，然后将其在一定温度下烘干。
二、金属纳米线的应用1. 太阳能电池纳米线的特殊结构能够更好地吸收太阳能，提高电池发电效率。
铜纳米线的太阳能电池，其效率可达到20.8%。
2. 透明电极透明电极是用于显示器、触摸屏等电子设备的重要零件。
纳米线作为透明电极的材料，可以实现更薄、更透明、更柔软的设计，同时具有更好的导电性和抗电化学腐蚀性能。
银纳米线作为透明电极材料被广泛使用，其透过率和导电性能在薄膜和硅基太阳能电池电极方面均具有比较优异的表现。
3. 柔性传感器柔性传感器可以在人体肌肉的运动、心率变化、体温变化等方面具有广泛的应用。
金属纳米线的柔性结构可以进行自由扭曲和拉伸，可以收集更准确的数据。
银纳米线通过在弹性基板上形成薄膜或网格，以及其在具有高柔韧性的纺织物或自由弯曲的工件上的整合，能够制成高灵敏度、高分辨率的传感器。
4. 纳米电子学纳米电子学是一门研究使用纳米尺度下的材料和相应器件的电子学。
纳米线作为一种重要的纳米尺度材料，其尺寸和电学性能可以精确控制，并可以被用于制作纳米场效应晶体管和纳米逻辑门等器件。
纳米线的制备方法及应用
法
成法
物理法：磁控溅射法、分子束外延法等
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ZnO纳米线的制备方法
磁控溅射法
电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞， 电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的 作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原 子（或分子）沉积在基片上成膜。 优点：牢固致密、高速低温，广泛用于工业生产多晶ZnO薄膜 缺点：靶刻蚀不均，高真空、设备较昂贵
a Zn2+ + OH-
+
b
+
c
+
微乳液法示意图
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ZnO纳米线的制备方法
水热合成法
在密封的压力容器 (高压釜)中，水为溶 剂，在高温高压的 条件下进行的化学 反应。
优点：设备过程简 单，反应条件易控 制，反应速率快， 产物纯度高，粒径 易控制
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ZnO纳米线的应用前景
发光二极管(LED)
发光二极管没有灯丝，产热少，寿 命长，是由半导体材料里的电子移 动而使它发光，发光颜色与半导体 的带隙有关。
发光二极管原理
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ZnO纳米线的应用前景
太阳能电池 通过光电效应产生电力输出的半导体器件
模板合成法示意图
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ZnO纳米线的制备方法
电化学合成 法
电场作用下，以锌盐为电解液，利用氧化还原反应，使 溶液中的Zn2+离子沉积到阴极得到所需ZnO薄膜。 优点：室温进行、参数(电流、电压等)可控、设备简单 缺点：薄膜多为多晶态或非晶态，性能不高，难制备复 杂组成的薄膜
纳米线阵列的制备与性质研究
纳米线阵列的制备与性质研究纳米线阵列（nanowire arrays）是一种由纳米尺度的线状材料组成的有序阵列结构。
这种结构的制备与性质研究对于纳米科技领域具有重要的意义。
本文将探讨纳米线阵列的制备方法以及相关的性质研究。
纳米线阵列的制备方法主要有化学合成法、电化学法和物理方法等。
其中，化学合成法是较为常用的方法之一。
通过控制反应条件和添加适当的表面修饰剂，可以制备出高质量、高密度的纳米线阵列。
电化学法则是通过在电解液中进行电沉积的方式实现纳米线阵列的制备。
在适当的电压和电流密度条件下，可以实现纳米线的有序排列。
物理方法主要包括溅射沉积、热蒸发等方法，通过控制溅射或蒸发的条件，可以制备出具有不同性质的纳米线阵列。
纳米线阵列的性质研究主要涉及其光、电、热等性质。
在光学性质研究方面，纳米线阵列因其尺寸在纳米级别，使其呈现出量子尺寸效应。
这种效应导致纳米线在可见光范围内表现出各种非常规的光学特性。
例如，在某些情况下，纳米线阵列可以表现出增强拉曼散射的现象，这对于生物传感器的应用具有很大的潜力。
此外，纳米线阵列还可以通过表面等离子共振效应实现吸收特定波长的光线，对于太阳能电池等器件具有重要意义。
在电学性质研究方面，纳米线阵列的电导率常常显示出优异的性能。
纳米线阵列具有高的比表面积和良好的载流子传输能力，这使得其在能量转换和储存器件中有着广泛的应用前景。
例如，纳米线阵列可以用于制备高效的柔性电池、超级电容器和光电探测器等。
此外，纳米线阵列还具有较低的能量损耗和高的电子迁移率，这些特性对于纳米电子学领域的发展具有重要影响。
热学性质是纳米线阵列的另一个重点研究领域。
由于其尺寸纳米级别，纳米线阵列往往表现出与宏观材料不同的热传导性能。
纳米线阵列的热导率较低，这可能是由于晶格缺陷、散射等因素导致的。
这种独特的热传导性能对于纳米热电材料的设计和制备具有重要意义。
通过合理调控纳米线阵列的结构和组分，可以实现优异的热电转换效率，从而在能量转化和储存领域有着广泛的应用前景。
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模板法：按模板材料可分为碳纳米管模板法、多孔氧化铝模板法、聚合物膜模板法和生命分子模板法。
其中聚合物模板法廉价易得。
模板法的模板主要有两种：一种是径迹蚀刻聚合物膜，如聚碳酸脂膜，另一种是多孔阳极氧化铝膜，两者相比，氧化铝模板具有较好的化学稳定性、热稳定性和绝缘性，其余还有介孔沸石法、多孔玻璃、多孔Si 模板、MCM-41、金属、生物分子模板、碳纳米光模板等聚碳酸脂膜（聚合物）模板法：聚碳酸脂膜模板是所有聚合物膜模板中使用最广的一种，C.Schonenoberge等以不同规格不同厂家的聚碳酸酯过滤膜为模板，用电化学沉积的方法成功涤制备出了不同直径的Ni、Co、Cu和Au纳米线。
多孔氧化铝模板：采用该方法时，多孔氧化铝模板只是作为模具使用，纳米材料仍需要常规的化学反应来制备，如电化学沉积、化学镀、溶胶-凝胶沉积、化学气相沉积等方法。
多孔阳极氧化铝模板（AAO: porous anodic aluminum oxide）是典型的自组织生长的纳米结构的多孔材料，微孔直径大约在10~500nm之间，密度为二丄1「「个/諾之间，阳极氧化法制备的有序多孔氧化铝模板的孔径大小一致，排列有序，呈均匀分布的六方密排柱状。
通常孔径在20〜250nm范围内，孔间距在5〜500nm范围内。
目前大部分究主要局限在以草酸为电解液的中孔径模板的制备和研究中。
这是由于在草酸电解液中制得的模板较厚、孔径均一、大小适中。
膜厚可达100卩m以上。
当然模板法中这些只是作为模具使用，具体的纳米材料仍需要一些其它的方法来得到，常用的有电化学沉积、化学气相沉积法（CVD）化学聚合、溶胶-凝胶沉积等电化学沉积：电沉积方法主要分为三步，1、阳极氧化铝模板的制备及孔径的调节；2、对氧化铝模板及阻挡层的径蚀，释放出有序的纳米线阵列，再经后续处理得到所需的纳米材料，开发出各种纳米器件。
电沉积法只能制备导电材料纳米线，如金属、合金、半导体、导电高分子等。
按照电源不同分为直流沉积、交流沉积、循环伏安法沉积、脉冲电沉积。
Al 在阳极氧化的过程中，表面生成由致密阻挡层和多孔外层组成的氧化铝膜，极薄的阻挡层具有半导体的特性，在沉积之前要先从铝基底上将多孔薄膜剥离，通孔，通过离子喷射或热蒸发等在模板表面涂上一层金属薄膜作为电镀阴极。
该方法比较复杂，也有研究者试图不将薄膜从铝基底上剥离，采用磷酸腐蚀致密层薄膜，但是该方法同时使多孔膜变薄，不易控制，也影响了纳米线的纵横比。
交流电沉积方法工艺简单可行，且不需要将模板和铝基底分离，通过控制电流、电压、频率、时间等参数，可合成各种纳米线有序阵列，其缺点是只能在孔中组装单一的金属或合金，当前对于交流沉积时，电流是如何通过阻挡层还没有定论。
交流电沉积过程中的阳极电压作用至关重要！循环伏安法、脉冲电流法：Sun等采用该法，制备了长径比达500的Ag纳米线阵列，Kim采用脉冲电化学沉积法首次利用Ti涂层解决了AAO膜的阻挡层去除问题，并得到了Si基底上的Pd纳米线阵列。
交流电沉积没有滞留点沉积得到的排列有序且易堆叠，。
AAO模板与循环伏安法相结合，被证实是一种制备形状与尺寸可控的有序金属或半导体自支持纳米线阵列结构的有效方法。
与直流电沉积相比，脉冲电沉积具有高度可靠性，可补偿纳米孔区域内离子扩散输运动力的不足。
国内学者近几年来在这方面做的工作也较多，于冬亮等人分别在AAO 模板中采用电沉积方法制备了Co、Ni、Bi、Au单质金属纳米线；覃东欢等对Co-Ni合金纳米线系列进行了详细研究；徐雅杰等采用直流电在AAO孔内分别得了AdS,CdSe 半导体纳米线.由此可见，以多孔氧化铝为模板，通过电沉积方法制备纳米材料已成为近年来的研究热点!（2003 年文章）化学气相沉积：通过原料气体的化学反应而在模板孔道内沉积形成纳米管、纳米线或者纳米粒子。
反应温度比热分解法低，一般在550—1000 E之间，该方法中纳米线的生长一般需要使用催化剂。
常用的有Fe Co、Ni及其合金。
该方法的关键问题是控制气相沉积的速度，以防止过快沉积堵塞膜孔，而无法沉积到孔内，该方法在沉积碳纳米管、金属及其氧化物的纳米线、纳米管以及金属填充碳纳米管等获得成功。
2005年，Kaata使用涂有金属钨的Si基板和AAO膜作为基板，在630-830C 炉中，合成了直径在5-350nm可控的碳纳米管。
Kozhuharova以制备的碳纳米管为模板，在Si基底上合成了FeCc合金纳米线填充的碳纳米管，制得的纳米线直径10-20 nm,长度微米级。
杨勇等用CVD法在660E下热分解乙炔，在模板中得到了碳纳米管阵列。
北大的贾圣果等利用CVD方法制备了直径20-100nm,长度几十微米的GaNg纳米线。
袁爱华、汪萍、沈小平以AAO为模板，在不使用催化剂的情况下，运用CVD 法成功地制得了各种氧化物和硫化物的纳米管，如a -Fe2O3、CuOIn2O3、ZnO、CdS ZnS等，孔径在80-300nm,长度达几十微米。
用AAO模板，用微波等离子体化学气相沉积法还可合成金刚石纳米丝和纳米管阵列。
溶胶—凝胶法（Sol-ge）l ：首先将前体分子溶液水解得到溶胶，再将AAO模板浸入溶液中，溶胶沉积到孔壁，经热处理后在孔内就可得到管状或线状的产物。
该方法在AAO孔内制得的是纳米管还是纳米线，取决于模板在溶液中的浸渍时间，浸渍时间短，得到纳米管，时间长得到纳米线，可用来制备聚合物、金属、半导体、碳等管和线结构。
先后有人制得了TiO2、ZnO等线，在该方法基础上加上电泳沉积方法，可制得氧化物如TiO2，SiO2、ZnO等的纳米线。
该方法为低温或者常温条件下精确合成无机化合物或无机材料的重要方法，在软化学合成中占有重要地位。
溶液PH值、浓度、时间和温度是影响溶胶、凝胶质量的主要因素。
但是该方法用于低维有序纳米结构的制备研究较少。
化学聚合：聚合物纳米线的模板合成可通过将模板浸入含有单体和引发剂的溶液中来完成。
聚合物有限在孔壁成核生长，因此沉积时间短得到纳米管，时间长为纳米线。
该方法能在各种模板内合成多种聚合物。
化学镀：使用化学还原剂将金属从溶液中还原镀到表面上，该方法的特点是沉积从孔壁开始。
调节沉积时间可以得到纳米管、纳米线不同结构。
化学镀对被沉积的表面材料无要求，无需多孔壁进行修饰就可以制备低维材料，是制备金属纳米线的一种独特的化学还原方法。
聚合物溶液与熔体浸润法：聚合物溶于溶剂形成低粘度的溶液,将此溶液引入到模板的孔洞中,去除溶剂则可得到聚合物的微管。
这种方法可用于制备可溶或可熔的聚合物的一维纳米材料。
自主装法：利用自然界中存在的特定分子火星集团间不同的相互作用自发聚合成纳米结构的方法称自组装法。
Kotov 等利用巯基乙酸作为稳定剂制备不同粒径CdTe 纳米粒子，再加入乙醇使CdTe沉淀下来，去除有机保护剂，然后将CdTe粒子分散在pH=9的水溶液中，在室温下避光老化几天，CdTe分子自组装成为晶相纳米线。
王显明等通过氨化射频溅射工艺生长的纳米Ga2O3薄膜，在适应陈地上反应自主装生产高质量的GaN纳米线，直径为120nm,长度50卩m。
溶液法：该方法为使用最多的方法。
常见的是在溶液中有不同分子或粒子进行反应，产生固体产物。
钱逸泰等用Cd粉和S Se Te在有机溶剂中反应，制备出纳米尺寸的CdS CdSe CdTe李焕勇等在三乙胺、二乙胺、三乙醇胺三种溶剂中，以KBH4为还原剂，由改进的溶液热方法于170C制备了一维ZnSe纳米材料。
电弧法：原理为阳极电机在电弧产生的高温下蒸发，在阴极附近沉积出纳米管。
该方法简单快速，但是纳米线产量低，多缠绕，质量不稳定。
热解法：热解法是通过高温分解前驱物来生成纳米管、纳米线。
该方法制备的纳米线一般较为乱，会出现互相缠绕的网状结构，该法要常用催化剂。
激光烧蚀法：利用激光在特定气氛下照射靶材，将其蒸发，同时结合一定的反应气体，在基底或反应腔壁上沉积的纳米线，改变靶的成分或加入其它反应其它来实现改变纳米线的成分。
超临界流体法：Holmes等［77 ］运用超临界流体溶液法制备了Si纳米线，将巯基保护的纳米金粒子和二苯基硅烷分散在超临界正已烷中，在一定压力下，500r使二苯基硅烷分解，产生硅原子，当Si在Si/Au合金中达到过饱和时，就会在纳米金粒子的导向下，生成硅纳米线，直径4—5nm,长度可达几微米。
物理溅射法：磁控溅射和离子束溅射是将载气激发为等离子体轰击靶材而在基地上生长特定结构的方法，一般用来制备薄膜结构。
在特定条件下也能生长出以为纳米结构，磁控溅射的方法制备纳米线易于连续生长。
气相热化学合成法：气相热化学合成法制备纳米线/棒主要是在一定气流的条件下,加热反应物, 使其与气体发生反应。
已有研究人员制备出ZnO, MgO等纳米线。
目前关于一维纳米材料的研究多集中在制备方法方面，不同方法差异很大。
研究存在不足，尚有许多待解决问题。
1、制备方法普适性较差，没有总的指导思想可以指导所有一维纳米结构材料的制备。
需要简单，经济，便于大规模生产的方法。
而这需要建立新的一维纳米结构的新理论，新方法以及成核生长动力模型。
2、制备的一维纳米结构大多杂乱无章，相互缠绕，且有杂质颗粒，影响了性能的测试和应用。
3、一些方法（热分解法、模板法）能制备多种材料的结构，但是对温度要求较高。
需要寻求低温的制备方法。
4、样品轴向尺寸小，不利于观察、检测，期待高质量的定向一维纳米结构。