半导体复习题(带答案)资料讲解
半导体物理复习试题及答案(复习资料)
半导体物理复习试题及复习资料一、选择题1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。
A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。
A. 电子和空穴B.空穴C. 电子3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。
A.上移B.下移C.不变4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（ B ）有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。
A.相同B.不同C.无关6.空穴是( B )。
A.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。
A. 直接B. 间接8. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。
A. 施主B. 受主C. 陷阱D. 复合中心9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。
A. 大于1/2B. 小于1/2C. 等于1/2D. 等于1E. 等于010. 如图所示的P 型半导体MIS 结构的C -V 特性图中，AB 段代表（ A ），CD 段代表（B ）。
A. 多子积累B. 多子耗尽C. 少子反型D. 平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。
A. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i A S n N q T k V ln 0B. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i A S n N q T k V ln 20 C. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i D S n N q T k V ln 0 D. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。
《半导体集成电路》考试题目及参考答案(DOC)
第一部分考试试题第0章绪论1.什么叫半导体集成电路？2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？第1章集成电路的基本制造工艺1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。
3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。
8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。
第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。
2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?5. 消除“Latch-up”效应的方法？6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？第3章集成电路中的无源元件1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？2.集成电路中常用的电容有哪些。
3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
第4章TTL电路1.名词解释电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间瞬时导通时间2. 分析四管标准TTL与非门（稳态时）各管的工作状态？3. 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。
半导体物理试题及答案
半导体物理试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，这是由于（）。
A. 半导体的原子结构B. 半导体的电子结构C. 半导体的能带结构D. 半导体的晶格结构答案：C2. 在半导体中，电子从价带跃迁到导带需要（）。
A. 吸收能量B. 释放能量C. 吸收光子D. 释放光子答案：A3. PN结形成的基础是（）。
A. 杂质掺杂B. 温度变化C. 压力变化D. 磁场变化答案：A4. 半导体器件中的载流子主要是指（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 光子答案：C5. 半导体的掺杂浓度越高，其导电性能（）。
A. 越好B. 越差C. 不变D. 先变好再变差答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 半导体的导电性能可以通过改变其________来调节。
答案：掺杂浓度2. 半导体的能带结构中，价带和导带之间的能量差称为________。
答案：带隙3. 在半导体中，电子和空穴的复合现象称为________。
答案：复合4. 半导体器件中的二极管具有单向导电性，其导通方向是从________到________。
答案：阳极阴极5. 半导体的PN结在外加正向电压时，其内部电场会________。
答案：减弱三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述半导体的掺杂原理。
答案：半导体的掺杂原理是指通过向半导体材料中掺入少量的杂质元素，改变其电子结构，从而调节其导电性能。
掺入的杂质元素可以是施主杂质（如磷、砷等），它们会向半导体中引入额外的电子，形成N型半导体；也可以是受主杂质（如硼、铝等），它们会在半导体中形成空穴，形成P型半导体。
2. 描述PN结的工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体结合而成的结构。
在PN结中，P型半导体的空穴会向N型半导体扩散，而N型半导体的电子会向P型半导体扩散。
由于扩散作用，会在PN结的交界面形成一个内建电场，该电场会阻止更多的载流子通过PN结。
半导体基础知识单选题100道及答案解析
半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。
A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2. 常见的半导体材料有（）。
A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。
3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。
A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。
4. 半导体中的载流子包括（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。
5. P 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。
6. N 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。
7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。
A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。
8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。
9. 二极管的主要特性是（）。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。
10. 三极管的三个电极分别是（）。
A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。
11. 场效应管是（）控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
12. 集成电路的基本制造工艺是（）。
A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。
半导体物理复习试题及答案复习资料
半导体物理复习试题及答案复习资料一、引言半导体物理是现代电子学中至关重要的一门学科，其涉及电子行为、半导体器件工作原理等内容。
为了帮助大家更好地复习半导体物理，本文整理了一些常见的复习试题及答案，以供大家参考和学习。
二、基础知识题1. 请简述半导体材料相对于导体和绝缘体的特点。
答案：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的导电特性。
与导体相比，半导体的电导率较低，并且在无外界作用下几乎不带电荷。
与绝缘体相比，半导体的电导率较高，但不会随温度显著增加。
2. 什么是本征半导体？请举例说明。
答案：本征半导体是指不掺杂任何杂质的半导体材料。
例如，纯净的硅（Si）和锗（Ge）就是本征半导体。
3. 简述P型半导体和N型半导体的形成原理。
答案：P型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量三价元素，如硼（B），使其成为施主原子。
施主原子进入晶格后，会失去一个电子，并在晶格中留下一个空位。
这样就使得电子在晶格中存在的空位，形成了称为“空穴”的正电荷载流子，因此形成了P型半导体。
N型半导体形成的原理是在纯净的半导体材料中掺入少量五价元素，如磷（P）或砷（As），使其成为受主原子。
受主原子进入晶格后，会多出一个电子，并在晶格中留下一个可移动的带负电荷的离子。
这样就使得半导体中存在了大量的自由电子，形成了N型半导体。
4. 简述PN结的形成原理及特性。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体的结合所形成。
P型半导体和N型半导体在接触处发生扩散，形成电子从N区流向P区的过程。
PN结具有单向导电性，即在正向偏置时，电流可以顺利通过；而在反向偏置时，电流几乎无法通过。
三、摩尔斯电子学题1. 使用摩尔斯电子学符号，画出“半导体”的符号。
答案：半导体的摩尔斯电子学符号为“--..-.-.-...-.”2. 根据摩尔斯电子学符号“--.-.--.-.-.-.--.--”，翻译为英文是什么？答案：根据翻译表，该符号翻译为“TRANSISTOR”。
半导体应聘考试题库及答案
半导体应聘考试题库及答案1. 半导体材料的基本特性是什么？答案：半导体材料的基本特性是其电导率介于导体和绝缘体之间，并且可以通过掺杂、温度变化等手段调节其电导率。
2. 什么是PN结？答案：PN结是半导体中的一种结构，由P型半导体和N型半导体接触形成。
在PN结中，由于P型和N型半导体的电子和空穴浓度不同，会在接触面形成内建电场，阻止载流子的进一步扩散。
3. 请解释MOSFET的工作原理。
答案：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道。
当栅极电压达到一定阈值时，沟道形成，电流可以在源极和漏极之间流动。
4. 半导体制造中光刻技术的作用是什么？答案：光刻技术在半导体制造中用于将电路图案精确地转移到硅片上。
通过光刻技术，可以制造出具有微米甚至纳米级精度的电路结构。
5. 什么是半导体的能带结构？答案：半导体的能带结构是指半导体中电子能量的分布情况，包括价带、禁带和导带。
电子在价带中是束缚态，在导带中是自由态，而禁带则是电子不能占据的能量区域。
6. 请简述半导体的掺杂过程。
答案：半导体的掺杂过程是指在纯净的半导体材料中掺入少量的杂质元素，以改变其电学性质。
掺杂可以是P型（掺入三价元素）或N型（掺入五价元素），从而形成P型或N型半导体。
7. 什么是CMOS技术？答案：CMOS（互补金属氧化物半导体）技术是一种集成电路制造技术，它结合了N型和P型MOSFET，利用两者的互补特性来实现低功耗、高速度的数字电路。
8. 半导体器件中的击穿现象是什么？答案：半导体器件中的击穿现象是指当器件两端的电压超过其最大耐受电压时，器件内部的电场强度急剧增加，导致电流急剧上升，器件损坏的现象。
9. 请解释半导体的霍尔效应。
答案：半导体的霍尔效应是指当半导体材料置于垂直于电流方向的磁场中时，由于洛伦兹力的作用，载流子会发生偏移，从而在半导体的横向产生电压差的现象。
10. 什么是半导体的热电效应？答案：半导体的热电效应是指半导体材料在温度梯度作用下，由于载流子的扩散和漂移，会在材料中产生电动势的现象。
半导体应聘考试题库及答案
半导体应聘考试题库及答案1. 半导体材料的基本特性是什么？答：半导体材料的基本特性是其导电性介于导体和绝缘体之间，并且可以通过掺杂、温度变化、光照等方式改变其导电性。
2. 什么是PN结？答：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的结构，它具有单向导电性，是许多半导体器件如二极管、晶体管等的基础。
3. 描述MOSFET的工作原理。
答：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
当栅极电压达到一定阈值时，源极和漏极之间形成导电通道，允许电流通过。
4. 在半导体制造过程中，光刻技术的主要作用是什么？答：光刻技术在半导体制造过程中的主要作用是将掩模上的电路图案精确地转移到硅片上，为后续的刻蚀和离子注入等工艺步骤奠定基础。
5. 什么是CMOS技术？答：CMOS（互补金属氧化物半导体）技术是一种集成电路制造技术，它结合了N型和P型MOSFET，利用它们的互补特性来实现低功耗、高速度的数字电路。
6. 半导体器件中的寄生电容是如何产生的？答：半导体器件中的寄生电容主要是由于器件结构中的导电层和绝缘层之间的电荷存储效应产生的。
这种电容通常对器件的性能有负面影响，需要在设计时尽量减小。
7. 简述半导体的掺杂过程。
答：半导体的掺杂过程是通过将杂质原子引入纯净的半导体材料中，改变其电学性质。
掺杂可以是P型（增加空穴）或N型（增加电子），从而制造出具有特定导电性的半导体材料。
8. 什么是半导体的能带结构？答：半导体的能带结构是指半导体材料中电子能量的分布情况，包括价带、禁带和导带。
电子在价带中是束缚的，而在导带中可以自由移动，禁带则是电子能量的间隙区域。
9. 描述半导体器件的热稳定性。
答：半导体器件的热稳定性是指器件在高温下工作时，其性能参数（如阈值电压、载流子浓度等）保持稳定的能力。
良好的热稳定性对于提高器件的可靠性和使用寿命至关重要。
10. 简述半导体材料的晶圆制造过程。
半导体器件物理复习题答案
半导体器件物理复习题答案一、选择题1. 半导体材料中，导电性介于导体和绝缘体之间的是：A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案：C2. PN结形成后，其空间电荷区的电场方向是：A. 由N区指向P区B. 由P区指向N区C. 垂直于PN结界面D. 与PN结界面平行答案：B3. 在室温下，硅的本征载流子浓度大约是：A. \(10^{10}\) cm\(^{-3}\)B. \(10^{12}\) cm\(^{-3}\)C. \(10^{14}\) cm\(^{-3}\)D. \(10^{16}\) cm\(^{-3}\)答案：D二、简答题1. 解释什么是PN结，并简述其工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的结构。
P型半导体中空穴是多数载流子，N型半导体中电子是多数载流子。
当P型和N型半导体接触时，由于扩散作用，空穴和电子会向对方区域扩散，形成空间电荷区。
在空间电荷区，由于电荷的分离，产生一个内建电场，这个电场的方向是从N区指向P区。
这个内建电场会阻止进一步的扩散，最终达到动态平衡，形成PN结。
2. 描述半导体中的扩散和漂移两种载流子运动方式。
答案：扩散是指由于浓度梯度引起的载流子从高浓度区域向低浓度区域的运动。
漂移则是指在外加电场作用下，载流子受到电场力的作用而产生的定向运动。
扩散和漂移共同决定了半导体中的电流流动。
三、计算题1. 假设一个PN结的内建电势差为0.7V，求其空间电荷区的宽度。
答案：设PN结的空间电荷区宽度为W，内建电势差为Vbi，则有：\[ V_{bi} = \frac{qN_{A}N_{D}}{2\varepsilon}W \] 其中，q是电子电荷量，\( N_{A} \)和\( N_{D} \)分别是P型和N型半导体中的掺杂浓度，\( \varepsilon \)是半导体的介电常数。
通过这个公式可以计算出空间电荷区的宽度W。
四、论述题1. 论述半导体器件中的载流子注入效应及其对器件性能的影响。
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半导体复习题(带答案)
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半导体物理复习题
一、选择题
1. 硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含原子个数为（ D ）P1 A. 1 B. 2 C. 4 D. 8
2．关于本征半导体，下列说法中错误的是（ C ）P65 A. 本征半导体的费米能级E F =E i 基本位于禁带中线处 B. 本征半导体不含有任何杂质和缺陷
C. 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身
D. 本征半导体的电中性条件是qn 0=qp 0
3．非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。
下面表达式中不等于复合率的是（ D ）P130 A.
p τΔp B. ()[]dt t Δp d - C. n τΔn D. τ
1 4．下面pn 结中不属于突变结的是（ D ）P158、159 A.合金结 B.高表面浓度的浅扩散p +n 结
C.高表面浓度的浅扩散n +p 结
D. 低表面浓度的深扩散结 5.关于pn 结，下列说法中不正确的是（ C ）P158、160 A. pn 结是结型半导体器件的心脏。
B. pn 结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用。
C.平衡时，pn 结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等。
D.所谓平衡pn 结指的是热平衡状态下的pn 结。
6. 对于小注入下的N 型半导体材料，下列说法中不正确的是（ B ）P128 A. 0n n <<∆ B. 0p p <<∆ C. =∆n p ∆ D. 0n p <<∆
7.关于空穴，下列说法不正确的是（ C ）P15 A. 空穴带正电荷 B ．空穴具有正的有效质量 C ．空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子 D ．半导体中电子空穴共同参与导电
8. 关于公式2i np n =，下列说法正确的是（ D ）P66、67
A.此公式仅适用于本征半导体材料
B. 此公式仅适用于杂质半导体材料
C. 此公式不仅适用于本征半导体材料，也适用于杂质半导体材料
D.对于非简并条件下的所有半导体材料，此公式都适用
9. 对于突变结中势垒区宽度D X ，下面说法中错误的是（C ）P177 A. p +n 结中n D x X ≈ B. n +p 结中p D x X ≈ C. D X 与势垒区上总电压D V V -成正比 D. D X 与势垒区上总电压D V V -的平方根成正比 10. 关于有效质量，下面说法错误的是（D ）P13、14 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用
B. 原子中内层电子的有效质量大，外层电子的有效质量小
C. 有效质量可正可负
D. 电子有效质量就是电子的惯性质量。
二、填空题
1. N 型半导体中多子为_ 电子_，少子为___空穴_____；P 型半导体中多子为__空穴______，少子为__电子______。
0p n 表示_ _P 区电子______的浓度；
0n p 表示__N 区空穴___的浓度。
P163
2．若单位体积中有个n 电子，p 个空穴，电离施主浓度为D n +
，电离受主浓度为A p -，则电中性条件为__p+D n +=n+A p -_____。
P78
3．T >0K 时，电子占据费米能级的概率是__1/2______。
P61
4.pn 结空间电荷区中内建电场的方向是由_N__区指向_P__区；在耗尽近似下，空间电荷密度等于_ 电离杂质的浓度______。
P160、163
5. pn 结加正向偏压V 时势垒高度由D qV 变成__q(V D —V)____；pn 结加反向偏压V 时势垒高度由D qV 变成___ q(V D +V)_____。
P164、165
6. 理想pn 结的电流电压方程()1/-=kT qV s e J J 又称为__肖克莱方程式______，其中-s J 叫做__反向饱和电流密度______；在国际单位制下，s J 的单位是__A/m2______。
由此方程可知，pn 结的最主要特性是具有__单向导电性______或___整流效应·_____。
7. 状态密度就是每单位能量间隔内的___量子态数_____。
计算状态密度时，我们近似认为能带中的能级作是__连续______分布的。
8. 半导体材料最常见的三种晶体结构分别是__金刚石型结构______、__闪锌矿型结构______和___纤锌矿型结构_____。
比如，硅是___金刚石型结构_____结构，砷化镓是___闪锌矿型结构_____结构。
P1—3
9．氢原子电离能220400)4(2 πεq m E =，则类氢杂质电离能为=∆D E ________。
P41
10. 稳压二极管应用的是PN 结的________特性，整流二极管应用的是PN 结的________特性。
三、简答题
1. “半导体照明工程”的目标是使LED 成为照明光源。
这个工程目前的主要任务是寻找或合成便宜、环保、波长合适、发光效率高的半导体材料。
试就这一话题回答下列问题：（1）什么是LED ？ （2）已知的最便宜的半导体材料是什么？
2. pn 结热平衡时势垒高度D qV 的大小与中性P 区和N 区的费米能级
fn fp E E （和）的关系是什么？平衡pn 结能带最主要的两个性质是什么？ 答案： （期末考试样题3 ）
3. 图1是隧道结的平衡示意图，试根据此图回答下列问题： （1）隧道结对结两边半导体掺杂的要求是什么？
（2）如图1所示状态时隧道结有无隧道电流？
（3）隧道结电流电压曲线的主要特性是什么？ P186
图1
4. 图2是Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的能隙示意图，试根据此图回答下列问题：
（1）蓝光的光子能量大约在2.76eV，图2中那种材料最适合作为蓝光的发光材料？
（2）发光材料需要满足二个条件，第一，发光波长在所需要的范围；第二，发光效率高。
这两个要求分别决定于半导体的那两个性质？
（3）图中半导体材料哪些是Ⅲ-Ⅴ，那些是Ⅱ-Ⅵ族？各列举三个。
图2
5.图3是硅导带电子浓度与温度的关系曲线。
请指出强电离区、高温本征激发区的位置（即温度范围，用a、b、c表示）。
一般而言，实际器件工作在那个区域？
图3
P74
答：b是强电离区，c是高温本征激发区；一般工作在b区强电离区
6.图4是非平衡N型半导体准费米能级偏
离平衡费米能级的示意图。
其中A、E分别
表示导带底和价带顶。
问B、C、D哪个表
示平衡费米能级？哪个表示电子的准费米
能级？哪个表示空穴的准费米能级？
P76
答：C表示平衡费米能级
B表示电子的准费米能级
D 表示电子的准费米能级
7.图5中C是空穴电流方向，问A、B、D中哪个是电子漂移方向？哪个是电子电流方向？哪个是空穴漂移方向？
图5
P95
答：A 是电子漂移方向
B 是电子电流方向 D 是空穴漂移方向
8．PN 结上的电容包括势垒电容和扩散电容两部分。
请问PN 结上的势垒电容和扩散电容是并联还是串联？ 若记总电容为C j ，势垒电容和扩散电容分别为
ＣT 和ＣＤ，请写出C j 与ＣT 和ＣＤ的关系式。
四、计算题
1． Si 晶格常数为a ，其原子半径近似为8
a 。
求：晶胞中所有Si 原子占据晶胞的百分比。
P38
2． N 型硅,室温下光稳定照射后获得非平衡载流子浓度31410-=∆=∆cm p n 。
突然撤掉光照,经过20微秒后，非平衡空穴浓度变为31010-cm ，求硅材料的寿命。
P156 第4题类似
3．掺有1.1×1016 cm -3硼原子和9×1015 cm -3磷原子的Si 样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度及样品的电阻率。
P125 第13题
4．硅中掺入百万分之一的砷，求砷的实际掺杂浓度。
P125 第2小题
5．计算温度为400K和300K时，Si p-n结反向饱和电流密度的比值（假设扩散长度和扩散系数与温度无关）。