2016年宁波大学考研博真题3810数字集成电路设计基础

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宁波大学高级数字系统设计2015--2016,2018,2020年考博初试真题

宁波大学高级数字系统设计2015--2016,2018,2020年考博初试真题
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称:
高级数字系统设计
四、(20 分)利用 ROM 和累加器设计一个频率分辨率小于 0.5Hz 的 DDS 正弦信号发生器,ROM 采用 256×8bit,频率控制字 M 为 8 位。
试给出:1. 相位累加器的最少位数,时钟频率,最高输出频率。(12 分) 2. 画出电路结构框图。(8 分)
③ 完成上述操作后,返回初始状态。
画出该数字系统的算法状态机图。(15 分)
6.简述数字电路设计中流水线技术提升电路运行速度的原理。(20 分)
第2页共2页
宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题(B 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码 : 2606 科目名称:
高级数字系统设计
4. 电路及输入信号波形如下所示,(1)试画出输出信号波形,说明此电路功能;(2)用 HDL 描述该 电路。 (20 分)
Signal DQ
DQ
Out 异或 门
Clk
第1页共2页
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码: 2606 总分值: 100 科目名称:
五、(20 分)设计 4 位乘 3 位二进制数乘法器的算法流程图,电路结构如图 1 所示。
Start
A4 B3
乘法电路
7P
图1
第3页共3页
宁波大学 2015 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(B 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业:
高级数字系统设计 微纳信息系统
科目代码: 2606
表1
第1页共3页

宁波大学《3810数字集成电路设计基础》考博专业课真题试卷

宁波大学《3810数字集成电路设计基础》考博专业课真题试卷

源极
多晶硅
多晶硅
漏极
16λ

源极
图2
图3
3.用 Elmore 延时模型估计一个单位反相器驱动 m 个完全相同的单位反相器时的延时 t pd 。其中
Elmore 延时模型为 t pd RisCi 。 Ris 为输入到节点 i 的等效电阻, Ci 为节点 i 的电容。并假
i
定 NMOS 管的单位栅极电容为 1 C ,单位尺寸的反相器电阻为 R。(8 分)
科目代码: 3810
6.请画出 Y ( A B ) C 的晶体管级电路图(请分别用差分级联开关逻辑 DCVS Logic 和 N 型多米诺逻辑(N-Type Domino Logic )实现)。(6 分)
7.用传输管逻辑、CPL 逻辑实现下列功能的晶体管级电路图 (12 分) 1)二输入的 NAND 2)二输入的 XOR 3)二选一 MUX
宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业:
数字集成电路设计基础 微纳信息系统
科目代码: 3810
1. CMOS 反相器级联时的电路图如图 1(a)所示, Cw 是互连线电容。为研究第一级反相器的特性,
可把第二级反相器的输入电容等效为负载电容 CL 的一部分,如图 1(b)所示。MOS 的电容如图 1
第3页共4页
宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业:
数字集成电路设计基础 微纳信息系统
科目代码: 3810
11. 静态互补二输入与非门如图 6 所示,使用 0.25um CMOS 工艺,沟道长度取最小尺寸(即 L = 0.25um)。设 kn =2 * kp (kn 是 nMOS 的工艺跨导,kp 是 pMOS 的工艺跨导),VTN = - VTP (nMOS 与 pMOS 的阈值电压相同),若静态互补二输入与非门满足最佳延时优化条件,则 MOS 管的宽长 比应如何设置。(8 分)

宁波大学2016年考研真题【010信息学院】913普通物理(B卷)

宁波大学2016年考研真题【010信息学院】913普通物理(B卷)

考试科目:普通物理科目代码:913
适用专业:电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、
集成电路工程
考试科目:普通物理科目代码:913
适用专业:电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、
集成电路工程
考试科目:普通物理科目代码:913
适用专业:电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、
集成电路工程
考试科目:普通物理科目代码:913
适用专业:电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、
集成电路工程
10、(本题10分)
光电管的阴极用逸出功为A=2.2eV的金属制成,今用一单色光照射此光电管,阴极发射出光电子,测得遏止电势差为|U a|=5.0V,试求:
(1)光电管阴极金属的光电效应红限波长;
(2)入射光波长.
(普朗克常量h=6.63×10-34J·s,基本电荷e=1.6×10-19C)。

2016年宁波大学考研博真题3822材料科学基础

2016年宁波大学考研博真题3822材料科学基础

入学考试试题(A卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目:材料科学基础科目代码:3822适用专业:渔业工程与材料一、解释下列概念(每题4分,共12分)1、下坡扩散与上坡扩散2、凝固与结晶3、动态回复与动态再结晶二、选择题(每题1.5分,共15分,单选或多选)1、晶体的宏观对称要素中,对称面的对称操作是________。

A.旋转B.反伸C.反映D.旋转+反映2、依据玻璃形成动力学,高粘度熔体倾向于形成________。

A.晶体B.玻璃C.陶瓷D.准晶体3、晶体的表面能与所显露的那个晶面有关,密排的晶面表面能________。

A.最低B.最高C.适中D.不确定4、.润湿的过程是体系吉布斯自由能________的过程。

A.升高B.降低C.不变D.变化无规律5、根据相变过程的温度条件,若相变过程是放热过程,则该过程必须________。

A.过热B.过冷C.吸热D.平衡6、对于无机化合物,当Δ=(r1-r2)/r1=15-30%、晶体结构类型相同、电价相等、电负性差值>0.4,则生成________。

A.化合物B.连续型固溶体C.有限型固溶体D.不生成固溶体7、非晶高聚物的力学状态有________。

A.玻璃态B.高弹态C.液态D.粘流态8、三斜晶系的晶体常数特征为________。

A.a≠b≠c,α=β=γ=90°B.a=b≠c,α=β=γ=90°C.a=b=c,α=β=γ=90°D.a≠b≠c,α≠β≠γ≠90°9、马氏体转变是________。

A.扩散型相变B.二级相变C.液-固相变D.无扩散型相变10、小角度晶界模型中的倾转晶界是由________组成的。

A.刃型位错B.螺旋位错C.混合位错D.位错中心重叠入学考试试题(A卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目:材料科学基础科目代码:3822适用专业:渔业工程与材料三、判断下列叙述是否正确(每小题1分,共10分,正确T,错误F)1、三元相图垂直截面的两相区内不适用杠杆定律。

宁波大学2020年《3810数字集成电路设计基础》考博专业课真题试卷

宁波大学2020年《3810数字集成电路设计基础》考博专业课真题试卷
宁波大学 2020 年博士研究生招生考试初试试题(A 卷)
(答案必须写在考点提供的答题纸上)
科目代码: 3810 总分值: 100 科目名称:
Hale Waihona Puke 数字集成电路设计基础一、设计满足下列要求的电路图,要求使用的 MOS 管最少。(15 分)
1.用静态互补 CMOS 电路实现逻辑关系 Y ABD CD ;(8 分)
D cp3 cp1
cp1
cp1
cp2
Q
Q
V(cp1)
V(D)
三、求如图所示的 CMOS 反相器在理想阶跃输入情况下的上升和下降时间。设VTP ,VTN 分别为 PMOS 和 NMOS 的阈值电压, KP , KN 分别表示 PMOS 和 NMOS 的器件跨导。(15 分)
VDD
Vin CL
四、 如图所示是一个 CMOS 版图,采用 0.25um 双阱 CMOS 工艺,NMOS 宽长比 6λ/2λ,PMOS 宽长比 6λ/2λ。(15 分)
数字集成电路设计基础
(N-diffusion)、P+扩散层(P-diffusion)、各类通孔(Vias);
3) 标明版图尺寸(MOS 管使用指定尺寸,其它版图使用最小尺寸)。
五、设 N 型扩散层(n-diffusion)的方块电阻 Rndiff=2Ω/□,N 型扩散层底部电容(bottomwall capacitance)Cndiff, 为 bot 0.6fF/um2,N 型扩散层侧壁电容(sidewall capacitance)Cndiff, side 为 0.3fF/um,λ=0.25um。计算图示所示的漏极寄生电阻与寄生电容。(20 分)
多晶硅
源极
漏极 16λ

宁波大学信号与系统考研真题试题2009年—2019年(缺13、14、15)

宁波大学信号与系统考研真题试题2009年—2019年(缺13、14、15)

R
t=0
V
i(t)
C vC(t)
题图 4
5. (16 分) 某一离散时间因果 LTI 系统的差分方程为
y(n) 3 y(n 1) 1 y(n 2) x(n) ax(n 1) 。
4
8
(1) 若输入 x(n) (1)n 时,输出 y(n) 16 (1)n ,求系统函数 H(z),画出零极点图,标明 ROC 15
② 求该系统的频率响应,并判断该系统的稳定性;

当输入
x(n)
1 2
n
u(n)

y(1)
0,
y(2) 8 时,求该系统的零输入和零状态响应;

当输入
x(n)
3
1 2
n
u(n)

y(1)
0,
y(2) 4 时,求该系统的完全响应。
第3页共3页
宁波大学 2018 年硕士研究生招生考试初试试题(A 卷)
信号与系统
电路与系统 通信与信息系统 信号与信息处理 电子与通信工程 集成电路工程
1.(12 分)一系统由如下方程描述: y(t) x(t)sin(t) ,试论证如下问题:
① 该系统是不是线性系统?为什么? ② 该系统是不是时不变系统?为什么? ③ 该系统是不是因果系统?为什么?
2. ( 14 分 ) 一 线 性 时 不 变 系 统 , 在 相 同 起 始 状 态 下 , 当 激 励 为 f (t) 时 , 其 全 响 应 为 y1(t) 2et cos(2t), t 0 ;当激励为 2 f (t) 时,其全响应为 y2 (t) et 2 cos(2t), t 0 。 试求在同样起始状态下,当激励为 4 f (t) 时系统的全响应 y(t) 。

十四套名校数电考研真题、答案与详解

十四套名校数电考研真题、答案与详解

十四套名校数电考研真题、答案与详解网学天地()出品版权所有!目 录1华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案 (1)2电子科技大学2010年《数字电路》考研真题与答案 (6)3浙江大学2011年《信号系统与数字电路》考研真题与答案 (14)4吉林大学2010年《电子技术》考研真题与答案 (20)5南开大学2011年《电子综合基础》考研真题与答案 (23)6华南理工大学2011年《电子技术基础》考研试题 (27)7哈尔滨工业大学2010年《电子技术基础》考研真题与答案 (33)8哈尔滨工业大学2010年《电路与数字电子技术》考研真题与答案 (39)9哈尔滨工业大学2010年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (40)10复旦大学2009年《电子线路与集成电路设计》考研真题与答案 (48)11东南大学2008年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (52)12深圳大学2011年《数字电路与专业综合》考研真题与答案 (60)13重庆大学2010年《电子技术一》考研真题与答案 (67)14北京邮电大学2009年《电子电路》考研真题与答案 (71)网学天地( )出品 版权所有! 11 华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案数字电子技术部分一、填空题(每空1分,共20分)4.数字电路中的三极管一般工作于________区和________区。

答案:截止 饱和5.(63)O 的二进制补码是________,格雷码是________。

答案:(101100)B (101010)B6.四个逻辑变量的最小项最多有________个,任意两个最小项之积为________。

答案:16 07.触发器是对脉冲________敏感的存储单元电路,锁存器是对脉冲________敏感的存储电源电路。

答案:边沿 电平8.对于一个含有逻辑变量A 的逻辑表达式L ,当其他变量用0或1代入后,表达式可化简为:L =________或________时,会产生竞争冒险。

2016年宁波大学考研博真题3802机械振动

2016年宁波大学考研博真题3802机械振动

m k c
x
k c m y O L k k z Y
v0 m
2 x ,其中 Y=4cm,L=10m,如右 L
图所示,求小车在以水平速度 v=36km/h 行驶时,车身上下振 动的振幅。(18 分)
x
4、在右图所示系统中,质量受到一常值力 F0 的作用,试用杜 哈梅积分求出零初值条件下的运动规律。(12 分)
m F0
c
5、如右图所示,扭振系统两端固支,盘的主转动惯量分别为 J 和 4J,轴的抗扭刚度分别为 k、k 和 7k。列出该振动系统的 动 力 学 方 程 , 求 出 其 固 有 频 率 和 固 有 振 型 。 设 t=0 时 ,
θ1
θ2
k
J
k
4J 7k
0) θ1(0)=θ10, (18 ( 0 ,θ2(0)=0, ( ) 0 ,求系统响应。 1 2 0
分) 6、用矩阵迭代法计算右图所示系统的基频和第 一阶振型。(18 分) k m 2k
2m
3k
3m
k
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宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业: 机械振动 工程力学 科目代码: 3802
1、一弹簧 k 与阻尼器 c 并联பைடு நூலகம்无质量的板下,如右图所示, 若将一质量 m 轻放在板上后立即释放, 系统即作衰减运动。 求 系统的响应, 及质量 m 的最大位移。 (仅考虑欠阻尼状态) (18 分) 2、在右图所示系统中,质量 m 以匀速 v0 撞向弹簧 k 和阻尼器 c 后一起运动,写出其动力学方程,求出运动规律。(仅考虑 欠阻尼状态)(16 分) 3、小车重 490N,可以简化为用弹簧支在轮上的一个重量,弹 簧系数 k=50N/cm,轮子的重量与变形都忽略。设路面成正弦 波形,可表示为 y Y sin
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2
源极
多晶硅
漏极 8λ 多晶硅
16λ
源极
图2
图3
3.用 Elmore 延时模型估计一个单位反相器驱动 m 个完全相同的单位反相器时的延时 t pd 。其中 Elmore 延时模型为 t pd
R C
i is
i
。 Ris 为输入到节点 i 的等效电阻, Ci 为节点 i 的电容。并假
定 NMOS 管的单位栅极电容为 1 C ,单位尺寸的反相器电阻为 R。(8 分) 4. 分析图 3 电路的功能,简要说明该电路的使用场合。(10 分) 5.分析如下图 4 电路的工作特点并指出是什么电路。(10 分)
图4 第 2 页 共 4 页
宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业: 数字集成电路设计基础 微纳信息系统 科目代码: 3810
6.请画出 Y ( A B ) C 的晶体管级电路图(请分别用差分级联开关逻辑 DCVS Logic 和 N 型多米诺逻辑(N-Type Domino Logic )实现)。(6 分) 7.用传输管逻辑、CPL 逻辑实现下列功能的晶体管级电路图 (12 分) 1)二输入的 NAND 2)二输入的 XOR 3)二选一 MUX
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宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业: 数字集成电路设计基础 微纳信息系统 科目代码: 3810
11. 静态互补二输入与非门如图 6 所示,使用 0.25um CMOS 工艺,沟道长度取最小尺寸(即 L = 0.25um)。设 kn =2 * kp (kn 是 nMOS 的工艺跨导,kp 是 pMOS 的工艺跨导),VTN = - VTP (nMOS 与 pMOS 的阈值电压相同),若静态互补二输入与非门满足最佳延时优化条件,则 MOS 管的宽长 比应如何设置。(8 分)
M 2 V in
Cw
M 4 V out V out2
M 1
M 3
图 1 (a)GC源自S SCGD DCSB
CGB
CDB
B
图 1 (b)
图 1 (c)
第 1 页 共 4 页
宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业: 数字集成电路设计基础 微纳信息系统 科目代码: 3810
宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生 入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)
考试科目: 适用专业: 数字集成电路设计基础 微纳信息系统 科目代码: 3810
1. CMOS 反相器级联时的电路图如图 1(a)所示, Cw 是互连线电容。为研究第一级反相器的特性, 可把第二级反相器的输入电容等效为负载电容 CL 的一部分,如图 1(b)所示。MOS 的电容如图 1 (c)所示。请推导 CL 的计算公式。(10 分) V DD V DD
2. 采用 0.25um CMOS 工艺, 设 N 型扩散层(n-diffusion)的方块电阻 Rndiff=2.5Ω/□,N 型扩 散层底部电容(bottomwall capacitance)Cndiff, bot 为 0.8fF/um , N 型扩散层侧壁电容(sidewall capacitance)Cndiff, side 为 0.4fF/um。计算图 2 漏极的寄生电阻与寄生电容。(8 分)
8. 简述 CMOS 集成电路功耗的组成以及低功耗设计策略。(10 分)
9. NMOS 管版图如下图 5 所示,采用 0.25um CMOS 工艺,沟道长度为 2λ,沟道宽度取 3λ,请 在图中标出版图尺寸,并说出名称。(8 分)
图5 10. 试回答下列问题: (1)在 CMOS 版面设计规则中,多晶硅线能否与金属线相交?若多晶硅与 P 扩散区交叉,则会产生什么器件。(2)MOS 管有三种主要漏电流,试分别说明: 在 65nm 以下 工艺,哪二种漏电流起主要作用?(10 分)
VDD
A
B Y B A
Y
Y
图6
第 4 页 共 4 页
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