第5章：光刻
光刻胶厚度
t=k p2
k约等于100
p是光刻胶中固体含量百分比（p越大粘度越大）
ω是涂胶的旋转转速
光刻胶越厚，台阶覆盖和抗刻蚀性能越好，但分辨 率越差，一般厚度1微米左右。
光刻胶旋转速度曲线
3. 软烘（Soft Bake）
工艺目的：去除光刻胶中的溶剂
改善胶的粘附性
优化胶的光吸收特性和显影能力
掩膜版（Reticle或Mask）
掩膜版的材质有玻璃和石英之分，亚微米及以下 技术都用石英版，石英版的透光性好、热膨胀系 数低。版上不透光的图形是金属铬膜。
掩膜版的制造
用设计软件例如Cadence生成版图文件（ .gds）。
制版机根据版图文件用激光或者电子束将图形写 到掩膜版上，小尺寸图形需要用电子束，花费也 相对更高。
的粘附性和抗蚀性。
这一步是稳固光刻胶，对下一步的刻蚀或离子注
入过程非常重要。
工艺方法：热板，温度高于前两次烘焙
8. 显影检查
8. 显影检查
由于光刻胶和 衬底折射率不 匹配，抗反射 膜（ARC）类 型不匹配
由于光刻胶 和衬底酸碱 不平衡
由于光刻胶 顶部受到过 多的显影
8. 显影检查
由于光刻胶 受到空气中 氨分子（碱 性）对其光 酸分子在表 面的中和
4. 对准和曝光（Align and Exposure）
对准曝光系统分为两大类：接触式对准曝光系统 和投影式对准曝光系统。 接触式对准曝光系统简单、相对便宜，硅片上图 形与掩膜版完全相同
接触式曝光 易损坏掩膜版
接近式曝光 掩膜版寿命长、分辨率差
投影式曝光是集成电路主流工艺
可实现4倍到10倍的图形缩小，分辨率高
成分的显影液
涂胶工艺
工艺目的：在硅片上沉积一层均匀的光刻胶薄膜。
工艺方法：
1. 滴胶
2. 匀胶 ：转速500rpm～700rpm
3. 旋转：转速 3000rpm-5000rpm
工艺要求：
厚度：1.0μm左右 均匀性：3％以内
自动涂胶/显影系统－涂胶模块
涂胶模块剖面图
涂胶模块 示意图
套准精度
套准精度与曝光前的对准步骤相关
好的套准精度可以有更宽松的版图设计规则，从 而减小器件尺寸
光刻质量监控图形
光刻质量监控图形
光刻质量监控图形
光刻质量监控图形
光刻质量监控图形
最大曝光场（步进光刻机）
一般来说，曝光视场决定了最大芯片面积。
投影缩小越大，制版要求越低，曝光视场越小。
制版时需说明为亮版还是暗版。
版图文件
亮版
暗版
5.2 光刻工艺原理
光刻工艺的8个基本步骤 2. 旋转涂胶
1. 气相成底膜
3. 软烘
5. 曝光后烘培（PEB）
4. 对准和曝光
6. 显影
7. 坚膜烘培
8. 显影检查
光刻工艺的8个基本步骤
1. 气相成底膜（HMDS priming)
工艺目的： 增加光刻胶（共价键）与硅片表面层的粘附性，在 表面为二氧化硅等（离子键、亲水）时尤其重要。
缓解涂胶时产生的应力
防止曝光时挥发污染设备。
溶剂含量
65%~85% 10%~20% 4%~7%
涂胶前
涂胶后
软烘后
工艺方法：热板烘烤 温度：85oC到120oC
时间：30秒到60秒
特点：光刻胶底部溶剂先挥发，避免气泡
每次一片，适合自动轨道流水作业
自动涂胶/显影系统设备－热板
软烘不当的后果 温度过高或时间过长： 光刻胶光敏感度降低 温度过低或时间不够： 光刻胶显影选择比下降
特点：碱性、水性显影液、轻度腐蚀硅
1. TMAH 喷淋显影，转速1000rpm～1500rpm
2. 去离子水喷淋定影，转速 1000rpm～1500rpm
3. 原位旋转甩干
工艺要求： 均匀性：3％以内
显影及显影后的硅片图形
7. 坚膜烘培（Hard Bake）
工艺目的：
使存留在光刻胶中的溶剂彻底挥发，提高光刻胶
工艺步骤： 1、硅片清洗：污染物会导致光刻胶起层和针孔 2、脱水烘焙：光刻胶与水分子的粘附性差 3、HMDS成底膜：防止硅片吸潮、增强光刻胶粘附
气相HMDS成底模技术
最常用的HMDS成底模技术 原理：HMDS是液态具有很高的蒸汽压，使HMDS 气流通过加热的硅片表面即可形成底膜。 优点：HMDS消耗量小 工艺时间短 沾污风险小
NIKON光刻机
5. 曝光后烘培（PEB）
工艺目的：促进关键化学反应（DUV光刻胶）
去除溶剂增强粘附性（I线光刻胶）
防止产生驻波效应（I线光刻胶）
工艺方法：热板，温度高于软烘
6. 显影 （Develop）
工艺目的： 溶解硅片上 曝光区域 的胶膜，形 成精密的光 刻胶图形。
工艺方法：
正胶显影液： 2.38% 的四甲基氢氧化铵（TMAH）
焦深限制光刻胶厚度，并要求表面平坦化
焦深
从焦深公式中看出提高分辨率降低了焦深，两个 参数互相制约。 分辨率和焦深是现代分步重复光刻机或步进扫描 光刻机非常重要的参数
套准精度
套准精度是掩膜版上的图形与硅片上的图形的对 准程度。
根据光刻的要求，版上的图形与片上图形要精确
对准。套准精度也是光刻中一个重要的性能指标。 套准精度一般是特征尺寸的1/5 ~ 1/4
由于光刻胶 对光的吸收， 使得光刻胶 底部接收到 的光比顶部 少
由于光刻胶 同衬底的粘 附性不好， 或者HMDS 表面处理不 良，或底部 切入
5.3 光学光刻
光谱
光的能量能满足激活光刻胶，成功实现图形转移 的要求。光刻典型的曝光光源是紫外（UV ultraviolet）光源以及深紫外（DUV）光源、极 紫外（EUV）光源。
入射光线
θ1
折射率n1
折射率n2
θ2
折射光线
Snell定律：n1 sinθ1 = n2 sinθ2
光的衍射
当光穿过一个小孔或经过一个轮廓分明的边缘时，
沿小孔边缘产生了干涉图形，结果得到了一个模糊
的图像，这种现象称为衍射。
波长越大 小孔尺寸越小 衍射越明显
光的衍射
衍射光强度随衍射角的变化由小孔图形的傅里叶变
投影式对准曝光系统组成
1. 紫外光源 2. 光学系统
3. 投影掩膜版
4. 对准系统 5. 载片台
投影式对准曝 光系统示意图
对准和曝光
工艺目的： 对准和曝光是将掩膜板上的图形通过镜头由紫外线
传递到硅片表面光刻胶膜上, 形成光敏感物质在空
间的精确分布，最终达到图形精确转移的目的。
工艺方法：
4. 添加剂（控制光刻胶特殊方面的化学物质，备选）
正胶和负胶 正胶：曝光的部分易溶解，占主导地位 负胶：曝光的部分不易溶解 负胶的粘附性和抗刻蚀性能好，但分辨率低
正胶 光刻胶 负胶
光刻胶的种类： 根据光刻的要求，光刻胶制成与特定波长的紫外 线有显著的光化学响应，一般按照紫外线把胶分 类：i线光刻胶、g线光刻胶、DUV线光刻胶等。
提高分辨率的方法
减小工艺因子k：先进曝光技术 减小光源的波长：汞灯准分子激光（等离子体） 增大介质折射率：浸入式曝光
增大θm：增大透镜半径、减小焦距
图中分辨率为0.25μm
焦深（DOF）
焦深是焦点上下的一个范围，在这个范围内图像 连续保持清晰。焦深类似照相的景深，集成电路 光刻中的景深很小，一般在1.0μm左右。
气相成底模工艺方法：
硅片放在成底膜真空腔中的热板上，热板温度控 制在200 ℃ ～250℃，用N2携带六甲基二硅胺烷 （HMDS）进入真空腔，处理时间60秒。这样在 硅片上形成了底膜。
自动涂胶/显影系统－气相成底膜模块
2. 旋转涂胶（Spin Coating）
光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显 影液中的溶解度发生显著变化。
传统的正性I线光刻胶溶解于显影液的机理
1. 树脂是悬浮于溶剂中的酚醛甲醛聚合物（ 线性酚
醛树脂）
2. 感光剂化合物作为强的溶解抑制剂（不溶解于显
影液）被加到线性酚醛树脂中
3. 在曝光过程中，感光剂（通常为DNQ）发生光化 学分解产生羧酸 4. 羧酸提高光刻胶曝光区域的线性酚醛树脂的溶解 度
化学放大（CA）深紫外光刻胶 常规的I线光刻胶体系的光吸收敏感性对于更短的 DUV波长较差。
RA与步进光刻机上的基准标记对准
2. 整场对准标记(GA):第一次曝光时被光刻在硅片左 右两边，用于每个硅片的粗对准 3. 精对准标记(FA)：每个场曝光时被光刻的，用于 每个硅片曝光场和投影掩膜版的对准
对准标记
8张掩膜版及经过8次对准和曝光形成的CMOS器件结构
分步重复式光刻机
NSR2005 i9c 型
光刻胶的目的
1. 做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图 形） 2. 在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子 注入）
光刻对光刻胶的要求：
1. 分辨率高（区分硅片上两个相邻特征尺寸图形的 能力强） 2. 对比度好（指曝光区和非曝光区过渡的陡度）
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第五章：光刻
数值孔径
分辨率（R）
分辨率是将硅片上两个相邻的特征尺寸（或关键尺 寸）光刻胶图形区分开的能力。分辨率是光刻中一 个重要的性能指标。
k为工艺因子，范围是0.6～0.8， λ为光源的波长NA 为曝光系统的数值孔径 要提高曝光系统的分辨率即减小特征尺寸，就要降 低紫外光的波长λ
图中分辨率为0.25μm
涂胶/显影系统设备（AIO-700型）
涂胶/显影系统设备（AIO-700型）
涂胶/显影系统设备（AIO-700型）
涂胶/显影系统设备（AIO-700型）
涂胶/显影系统设备（AIO-700型）
涂胶/显影系统设备（AIO-700型）
涂胶/显影系统设备（AIO-700型）
第五章 光 刻
光刻：
5.1 引 言
将掩膜版上的电路图形精确转移到硅片表面光刻
胶膜上的复制过程。
光刻是集成电路制造的关键工艺
掩膜版（Reticle或Mask）
材质—玻璃/石英，亚微米及以下技术—石英版， 石英版优点：透光性好、热膨胀系数低。
金属铬膜 — 版上不透光的图形
光刻是产生特征尺寸的工序
透 镜 光 学 系 统
数值孔径（NA）
透镜能够把一些衍射光会聚到一点成像，把透镜 收集衍射光的能力称为透镜的数值孔径。（ 通常 UV光通过掩膜版上的特征尺寸小孔会发生衍射 现象）
NA＝（n）Sinθm≈（n）×透镜半径/透镜焦长 n为图像介质的折射率，θm为主光轴与透镜边缘 光线的最大夹角。透镜半径越大数值孔径越大成 像效果越好。但受到镜头成本的限制。分步重复 光刻机和步进扫描光刻机的NA都能做到0.60～ 0.68的水平
（b）对比度好
3. 敏感度好（是指硅片表面光刻胶中产生良好图形 所需要的一定波长光的最小能量值，以mJ/cm2为 单位）
第04章 硅的氧化
A 2D( ) ks hg
激活能。
2. 对于抛物线速率常数B，温度的影响 是通过扩散系数D体现的。具体表现
B 2DHPg N1
在干氧和水汽氧化具有不同的激活能，
这是因为干氧和水汽在硅中的扩散激
活能不一样。
氯对氧化速率的影响
掺氯能增大B/A和B。Si-O键能4.25 eV, Si-Cl键能0.5 eV, Cl2先与S 反应生成氯硅化合物，然后再与氧反应生成SiO2，起催化作用。
该处气体物质的压强成正比：
CO HPS
可求得
F1
hg
(CG
PS kT
)
hg
(CG
CO HkT
)
令h=hg/HkT，C*=HkTCG=HPG，则 F1 h(C* CO )
F2：从氧化物层表面扩散到Si/SiO2界面的氧分子流密度
根据费克Fick第一定律，有
F2
D
CO
CI x
假设：稳态过程，氧化剂 通过SiO2没有损耗
水汽法氧化
气体仪表板
高温炉
尾气 洗涤室 燃烧室
HCl N2 O2 H2
在氧化中硅的消耗
氧化前
x 0.56 x 0.44 x
氧化后
穿过氧化层的氧扩散
供应到 反应表面的氧
O2
O2/SiO2 表面
SiO2/Si 表面
SiO2
Si
Deal－Grove模型－硅的热氧化模型
• Deal－Grove模型（线性－抛物线模型）
栅氧化
栅
源
漏
晶体管位置
p+ 硅衬底
Comments: 通常栅氧化膜厚度从大约30 Å 到 500 Å. 干法氧化是优选的生长方法。
电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺
Example Viper defect clips
p
Hot Plate
Spin Station
光刻机
Track Robot
Developer dispenser
Hot Plate
Track
思考题： 如果使用了不正确型号的光刻胶进行光刻 会出现什么情况？
5.3 光学光刻
光学光刻是不断缩小芯片特征尺寸的主要限制因 素。 光源 光的能量能满足激活光刻胶，成功实现图形转移 的要求。光刻典型的曝光光源是紫外（UV ultraviolet）光源以及深紫外（DUV）光源、极 紫外（EUV）光源。 1.高压汞灯 2.准分子激光
美国的gca日本的canonnikon及荷兰的asml用较小的透镜尺寸获得较大的曝光场从而获得较大的芯片尺寸扫描过程调节聚焦透镜缺陷硅片平整度变化自动补偿步进扫描光刻机系统工作过程nsr2005i9c型nikon光刻机步进式序号性能参数参数要求分辨率045m焦深07m套刻精度110nm最大曝光面积2020mm曝光光强600mwcmnsr2005i9c型nikon光刻机主要性能指标nsr2005i9c型nikon光刻机光刻关键尺寸sem照片1nsr2005i9c型nikon光刻机光刻关键尺寸sem照片255硅片平坦化cmp减小表面的凹凸度显出边缘的相移层阻挡层1111硅片上光强上电场硅片上电场相移掩膜技术psm光学邻近修正级次衍射级次衍射针孔掩膜投影光学系统wafer离轴照明极紫外光刻技术示意图步进扫描承步进扫描4倍反射投影掩膜版大功率激光靶材料euv等离子多层涂层镜投影掩膜版的14图形真空腔电子束步进扫描静电透镜系统4
平均曝光 干涉增强 强度 过曝光 干涉相消 欠曝光
光刻胶表面
/nPR
衬底表面
5、半导体工艺原理-光刻
6. 显影 （Develop）
工艺目的： 溶解硅片上 曝光区域 的胶膜，形 成精密的光 刻胶图形。
工艺方法： 正胶显影液： 2.38% 的四甲基氢氧化铵（TMAH）
特点：碱性、水性显影液、轻度腐蚀硅 1. TMAH 喷淋显影，转速1000rpm～1500rpm 2. 去离子水喷淋定影，转速 1000rpm～1500rpm 3. 原位旋转甩干 工艺要求：
版图文件
亮版
暗版
光刻机
IC制造中最关键的步骤 IC 晶圆中最昂贵的设备 最有挑战性的技术 决定最小特征尺寸
接触式光刻机 光刻的三种方式 接近式光刻机
投影式光刻机
5.2 光刻工艺原理
光刻工艺的8个基本步骤
1. 气相成底膜 3. 软烘 5. 曝光后烘培（PEB） 7. 坚膜烘培
2. 旋转涂胶 4. 对准和曝光 6. 显影 8. 显影检查
光的衍射
方形小孔的衍射图像（接触孔）
透镜
透镜是一种光学元件，来自物体的光并通过它折 射形成物体的像。 光通过透镜聚焦相当于做一次傅里叶变换。例如 平行光聚焦成一个点。
光通过掩膜版小孔图形衍射进行第一次傅里叶变 换，再通过透镜聚焦进行第二次傅里叶变换，掩 膜版图形在硅片上成像。
曝 光 机 光 学 系 统
投影式对准曝 光系统示意图
对准和曝光
工艺目的： 对准和曝光是将掩膜板上的图形通过镜头由紫外线 传递到硅片表面光刻胶膜上, 形成光敏感物质在空 间的精确分布，最终达到图形精确转移的目的。
对准标记
8张掩膜版及经过8次对准和曝光形成的CMOS器件结构
接触式光刻机
设备简单 70年代中期前使
自动涂胶/显影系统－涂胶模块
涂胶模块剖面图
涂胶模块 示意图
(第五章)光刻工艺
第五章 光刻
学习目标：
光刻基本概念 负性和正性光刻胶差别 光刻的8个基本步骤 光刻光学系统 光刻中对准和曝光的目的 光刻特征参数的定义及计算方法 五代光刻设备
5.1 引言
光刻是把掩膜版上的电路图形超精确地转移到涂 覆在硅片上的光刻胶膜上，为后续刻蚀或离子注 入提供掩蔽膜，以完成图形的最终转移的工艺过 程。
光刻是集成电路制造的关键工艺
一、光刻技术的特点
产生特征尺寸的关键工艺； 复印图像和化学作用相结合的综合性技术； 光刻与芯片的价格和性能密切相关，光刻成本占
整个芯片制造成本的1/3。
二、光刻三个基本条件
掩膜版 光刻胶 光刻机
掩膜版（Reticle或Mask）的材质有玻璃 版和石英版，亚微米技术都用石英版，是 因为石英版的透光性好、热膨胀系数低。 版上不透光的图形是金属铬膜。
7.颗粒少
旋转涂胶参数 光刻胶厚度∝1/(rpm)1/2
传统正性I线光刻胶
1. 树脂是悬浮于溶剂中的酚醛甲醛聚合物 2. 感光剂化合物作为强的溶解抑制剂（不溶解于显影液）被加到线性酚 醛树脂中 3. 在曝光过程中，感光剂（通常为DNQ）发生光化学分解产生羟酸 4. 羟酸提高光刻胶曝光区域的线性酚醛树脂的溶解度
光刻胶成分：
1. 树脂（是一种有机聚合物材料，提供光刻 胶的机械和化学特性） 2. 感光剂（光刻胶材料的光敏成分） 3. 溶剂（使光刻胶具有流动性） 4. 添加剂（控制光刻胶特殊方面的化学物质， 备选）
光刻工艺对光刻胶的要求：
1.分辨率高（区分硅片上两个相邻的最小特征尺 寸图形的能力强）
2.对比度好（指曝光区和非曝光区过渡的陡度）
工艺宽容度，工艺发生一定变化时，在规定范 围内仍能达到关键尺寸要求的能力。
学习目标：
光刻基本概念 负性和正性光刻胶差别 光刻的8个基本步骤 光刻光学系统 光刻中对准和曝光的目的 光刻特征参数的定义及计算方法 五代光刻设备
5.1 引言
光刻是把掩膜版上的电路图形超精确地转移到涂 覆在硅片上的光刻胶膜上，为后续刻蚀或离子注 入提供掩蔽膜，以完成图形的最终转移的工艺过 程。
光刻是集成电路制造的关键工艺
一、光刻技术的特点
产生特征尺寸的关键工艺； 复印图像和化学作用相结合的综合性技术； 光刻与芯片的价格和性能密切相关，光刻成本占
整个芯片制造成本的1/3。
二、光刻三个基本条件
掩膜版 光刻胶 光刻机
掩膜版（Reticle或Mask）的材质有玻璃 版和石英版，亚微米技术都用石英版，是 因为石英版的透光性好、热膨胀系数低。 版上不透光的图形是金属铬膜。
7.颗粒少
旋转涂胶参数 光刻胶厚度∝1/(rpm)1/2
传统正性I线光刻胶
1. 树脂是悬浮于溶剂中的酚醛甲醛聚合物 2. 感光剂化合物作为强的溶解抑制剂（不溶解于显影液）被加到线性酚 醛树脂中 3. 在曝光过程中，感光剂（通常为DNQ）发生光化学分解产生羟酸 4. 羟酸提高光刻胶曝光区域的线性酚醛树脂的溶解度
光刻胶成分：
1. 树脂（是一种有机聚合物材料，提供光刻 胶的机械和化学特性） 2. 感光剂（光刻胶材料的光敏成分） 3. 溶剂（使光刻胶具有流动性） 4. 添加剂（控制光刻胶特殊方面的化学物质， 备选）
光刻工艺对光刻胶的要求：
1.分辨率高（区分硅片上两个相邻的最小特征尺 寸图形的能力强）
2.对比度好（指曝光区和非曝光区过渡的陡度）
工艺宽容度，工艺发生一定变化时，在规定范 围内仍能达到关键尺寸要求的能力。
第04章硅的氧化
D－G模型小结
适用条件： 1. 平坦、无图形的平面硅的氧化 2. 轻掺杂硅的氧化 3. 单一O2或H2O的氧化 4.初始氧化硅的厚度大于20 nm
B/A被称为线性速率系数； B被称为抛物线速率系数
薄氧化层
1. D－G模型在薄氧化层范围内不适用。 2. 在薄氧化阶段，氧化速率非常快，其氧化机理
至今仍然存在争议，但可以用经验公式来表示。 3. 由于薄氧化阶段的特殊存在， D－G模型需要用
D：氧化剂在SiO2中的 扩散系数，cm2/s
F3：通过Si/SiO2界面产生化学反应的氧分子流密度
F3ksCI
பைடு நூலகம்
ks：界面反应 速率，cm/s
在稳态条件下，应有 F1F2F3
CI 1kC s * ksx1 C k*sx (hks) hD D
Cg
x
Cs
C*
CI=C*
SiO2
Si
Cg
x
Cs C*
SiO2
栅氧化
栅
源
漏
晶体管位置
p+ 硅衬底
Comments: 通常栅氧化膜厚度从大约30 Å 到 500 Å. 干法氧化是优选的生长方法。
氧化硅的应用: 垫氧化层
Purpose: 做 Si3N4缓冲层以减小应力
Nitride
Passivation Layer
ILD-5 M-4
ILD-4 M-3
Pad oxide
O Si 0.162nm
0.262nm
➢由Si－O四面体组成 四面体中心是硅原子，四个顶角上是氧原子 四面体之间由Si-O-Si连接 与两个硅连接的氧原子称为桥键氧或氧桥
结构
桥联氧 非桥联氧
水晶
半导体工艺与制造技术习题答案(第五章)
第五章图形转移1.典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
涂胶：在衬底上涂布一层光刻胶前烘：蒸发光刻胶中的溶剂对准：保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准曝光：使光刻胶产生化学反应而变性曝光后烘烤：减少驻波效应；激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团，发生反应并移除基团使之能溶解于显影。
显影：显影液溶剂溶解掉光刻胶中软化部分，将图形从掩膜版转移到光刻胶上坚膜：完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂，提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力，进一步增强光刻胶与硅片表面之间的粘附性，减少驻波效应显影检查：检查图形是否对准，临界尺寸及表面是否良好2.光刻对准标记中RA，GA，FA分别是什么？它们有什么用？投影机-掩膜版对准标记（Retical Alignment,RA）在投影掩膜版的左右两侧，与安装在步进机机身上的对准标记对准。
整场对准标记（Global Alignment,GA）在第一次曝光时被光刻在硅片左右两边，被用于每个硅片的粗对准。
精对准标记（Fine Alignment,FA）每个场曝光时被光刻，用于每个硅片曝光场和投影掩膜版的对准调节。
3.什么是光刻胶的对比度？它对曝光图形产生什么样的影响？光刻胶的对比度（）是对光刻胶完全曝光所需要的最小剂量和光刻胶不发生曝光效果所允许的最大剂量比例的函数，表征的是曝光并显影后从曝光区域到非曝光区域的图形侧壁陡峭程度。
对比度越大，显影后光刻胶侧壁越陡峭，图形越明晰。
4.什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？穿过光刻胶的光会从晶圆片表面反射出来，从而改变投入光刻胶的光学能量。
当晶圆片表面有高度差时，表面反射会导致线条缺失，无法控制图形，这就是表面反射和驻波效应。
解决方法：改变沉积速率以控制薄膜的反射率；避免薄膜表面高度差，表面平坦化处理（CMP）；光刻胶下涂覆抗反射的聚合物（Anti-reflect coating,ARC）5.简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
半导体集成电路复习题及答案
第8章动态逻辑电路填空题对于一般的动态逻辑电路，逻辑部分由输出低电平的网组成，输出信号与电源之间插入了栅控制1、极为时钟信号的 ,逻辑网与地之间插入了栅控制极为时钟信号的。
【答案：NMOS, PMOS, NOMS】对于一个级联的多米诺逻辑电路，在评估阶段：对PDN网只允许有跳变，对 PUN网只允许有跳变，2、PDN与PDN相连或PUN与PUN相连时中间应接入。
【答案：】解答题从逻辑功能，电路规模，速度3方面分析下面2电路的相同点和不同点。
从而说明CMOS动态组合逻辑1、电路的特点。
【答案：】图A是CMOS静态逻辑电路。
图B是CMOS动态逻辑电路。
2电路完成的均是NAND的逻辑功能。
图B的逻辑部分电路使用了2个MOS管，图A使用了4个MOS管，由此可以看出动态组合逻辑电路的规模为静态电路的一半。
图B的逻辑功能部分全部使用NMOS管，图A即使用NMOS也使用PMOS，由于NMOS的速度高于PMOS，说明动态组合逻辑电路的速度高于静态电路。
2、分析下面的电路，指出它完成的逻辑功能，说明它和一般动态组合逻辑电路的不同,说明其特点。
【答案：】该电路可以完成OUT=AB的与逻辑。
与一般动态组合逻辑电路相比，它增加了一个MOS管M kp,这个MOS 管起到了电荷保持电路的作用，解决了一般动态组合逻辑电路存在的电荷泄漏的问题。
3、分析下列电路的工作原理，画出输出端OUT的波形。
【答案：】答案：4、结合下面电路，说明动态组合逻辑电路的工作原理。
【答案：】动态组合逻辑电路由输出信号与电源之间插入的时钟信号PMOS,NMOS逻辑网和逻辑网与地之间插入的时钟信号NMOS组成。
当时钟信号为低电平时，PMOS导通，OUT被拉置高电平。
此时电路处于预充电阶段。
当时钟信号为低电平时，PMOS截至，电路与V DD的直接通路被切断。
这时NOMS导通，当逻辑网处于特定逻辑时，电路输出OUT被接到地，输出低电平。
否则，输出OUT仍保持原状态高电平不变。
第5章 选择性激光烧结成形技术
SLS系统的工艺原理和基本组成
SLS系统基本 组成： C02激光器、 光学系统、粉 料送进与回收 系统、升降机 构、工作台、 构造室等。
Surface Finish: The surface of an SLS® part is powdery, like the base material whose particles are fused together without complete melting. The smoother surface of an SLA part typically wins over SLS® when an appearance model is desired. In general, SLA is a better process where fine, accurate detail is required. However, a varnish-like coating can be applied to SLS® parts to seal and strengthen them. Varnish n.清漆, 凡立水, 光泽面, 掩饰 v.修饰
Material Properties: The SLA (stereolithography) process is limited to photosensitive resins which are typically brittle. The SLS® process can utilize polymer powders that, when sintered, approximate thermoplastics quite well.
逆向工程与快速成形技术 Reverse Engineering and Rapid Prototype Technology
第5章 选择性激光烧结成形技术
Selective Laser Sintering 方法介绍
天津科精技选大可编学辑Tppiat njin University of Science & Techn5ology
Selective Laser Sintering (SLS®, registered trademark by DTM™ of Austin, Texas, USA) is a process that was patented in 1989 by Carl Deckard, a University of Texas graduate student. Its chief advantages over Stereolithography (SLA) revolve around material properties. Many varying materials are possible and these materials can approximate the properties of thermoplastics such as polycarbonate [化]聚碳酸酯, nylon, or glass-filled nylon.
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Copper Pellets
Part
Ramp
Ceramic plPlate
模具制造过程原理
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