昆明理工大学模拟电子技术基础历期末试卷真题
昆明理工大学模拟电子技术基础历年期末试卷真题版
昆 明 理 工 大 学 试卷 （A ）考试科目： 考试日期： 命题教师：一、单项选择题：(本大题共12小题，每小题2分，总计24分)1、电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R = 4k ，电位u A =1V ，u B =3V ，则电位u F 等于（ ）。
2、电路如图所示，已知D Z 正向压降为0.7V ，图中与之并联的锗管正向压降为0.3V ，若u i < 0，则输出u o =（ ）。
(a) 1 V (b) 3 V (c) 12 V3、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线是由一个固定的（ ）确定。
(a) I C (c) I B (d) I E4、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V E =6V ，V B = 5.3V ，V C = 0V ，则该管为（ ）。
(a) PNP 型 锗 管 (b) NPN 型 锗 管 (c) PNP 型 硅 管 (d) NPN 型 硅 管5、电路如图所示，晶体管处于（ ）。
6、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，此管子的GS(off)U 约为（ ）。
7、高通滤波电路可以用于（ ）。
(a) -5V (b) -0.3V (c) -0.7V (a) 饱和状态 (b) 放大状态 (c) 截止状态(a) 0V (b) ＋2V(c) －2V (d) －1V(a) 滤除高于某一频率的无用信号 (b) 滤除高于某一频率的有用信号 (c) 阻止低于某一频率的无用信号通过8、电路如图所示，u i =2V ，负载电流i L 与负载电阻R L 的关系为( ) 。
(a) R L 增加，i L 减小 (b) i L 的大小与R L 的阻值无关 (c) i L 随R L 增加而增大9、在差动放大电路中，单端输入-双端输出时的差模电压放大倍数( )。
(a) 是双端输入-双端输出的差模电压放大倍数的一半 (b) 等于双端输入-双端输出的差模电压放大倍数 (c) 等于单端输入-单端输出时的差模电压放大倍数10、电路如图所示，若参数选择合理，要满足振荡的相应条件，其正确的接法是（ ）。
昆工09-10下模电A答案
βb s be e o L e be b i R R r R R k R R r R R (2)图略 （4分） 四、（10分） 解：电流并联负反馈 （4分） IIz IL 3.33V 500 1000500 10U 416 1010O min =+?= <=-==截止当z z I D I m A I V U （3分） （3分） 五、（15分） 解：（1）（8分） （2）（7分） V uRR u u V u V u V u u V u u O D O D A I C I B 42271421-==-====== s tut u R u u R u u tV dt u C R u O O O D D o A o 0286.0014041401 313==+-=-=--==? 时，当 六、（10分） 解：（1）（6分） V u V u u u u u u A u u A oM Z oM oM Z oM N u N oM u 36.62 U 92 3
昆工 09-10下模电 A答案
模拟电子技术基础考试(A 卷答案) 题型：三基型（60%） 综合运用型（25%） 提高扩展型（15%） 一、 单项选择题：(本大题共10小题，每小题2分，总计20分) 1、d 2、b 3、b 4、c 5、c 6、a 7、a 8、c 9、a 10、a 二、（10分） 解：（1） （6分） 6V U D 25~5171229291 6 -35I 35V U O z I ==-=-=== =稳压，内，在当mA I mA I I I mA zLz （2）（4分） 稳压管损坏。 此时，负载开路，则当,25I , 291 6 35I I 35V U max I m A I m A z z z =>=-=== 三、（15分） 解：（1） （5分） (3)（6分） V U m A I A I R I U R I V CE C B e E BE b B CC 26.758.2,32===++=µ Ω ≈++=Ω≈++=≈361//// 76)//)1(//(1;=?+=+=?+=MIN OMAX IMIN MAX OMIN IMAX U U U U U U Z /V
最新昆明理工大学数字电子技术a-期末试卷(含答案)
昆 明 理 工 大 学 试 卷 （A ）考试科目：数字电子技术A 考试日期： 命题教师：集体一、填空题（每小题4分，共计28分）1．在函数F=AB+CD 的真值表中，F=1的状态有（ ）个。
2．由4变量组成的逻辑函数D C BC A D C B A F )(),,,(+=，其反函数的表达式为=F （ ）， 原函数的最小项之和表达式为∑=m F （ ）， 最大项之积表达式为M F ∏=（ ）。
3．具有8个、12个、16个触发器个数的二进制异步计数器，各有（ ）、（ ）、( )个状态。
4．一个十位二进制加法计数器在0.002s 内选通，假定初始状态为0，若计数器脉冲频率为250kHz 。
在选通脉冲终止时，计数器的输出是（ ）。
5、完成把输入数据分配给2n路输出通道的逻辑器件叫（ ）。
6、对COMS 或非门电路多余输入端的处理办法有（ ）和（ ）等。
7、由555定时器组成的施密特触发器，在5脚接入6V 电压后，其上限阈值电压和下限阈值电压分别为（ ）和（ ）。
二、化简下列逻辑函数（方法不限，每题6分，共18分） 1、 Y=C A +ABC+D AC +CD2、 Y(A,B,C,D)=∑m(0,1,2,5,8,9,10,12,14)3、))(()(C B BA D CB B A Y ++++=，给定约束条件为ABC+ABD+ACD+BCD=0三、分析图中电路的逻辑功能，写出输出的逻辑函数式，列出真值表，说明电路逻辑功能的特点。
（7分）四、试画出用3线—8线译码器74LSl38和门电路产生如下多输出逻辑函数的逻辑图。
（9分）A⎪⎩⎪⎨⎧+=++==C AB C B Y BC C B A C B A Y AC Y 321 AA B C YA B C五、已知CMOS边沿触发结构JK触发器各输入端的电压波形如图所示，试画出Q、Q 端对应的电压波形。
（9分）六、用74LS161和74LS153设计一个灯光控制逻辑电路，要求红、绿、黄三种颜色的灯在时钟信号作用下按表规定的顺序转换状态。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
2021年云南昆明理工大学电工及电子技术基础考研模拟试题A卷
2021年云南昆明理工大学电工及电子技术基础考研模拟试题A卷一、选择题（每题3分，共45分）1、图1所示桥式电路中电流i= ( )。
A 1AB 1.5AC 2A图 12、如图2所示两级直接耦合放大电路，设U BE=0.7V，要求在U i=0时，U o2=7V，则R E应为 ( )。
A 3.32k ΩB 4.32kΩC 5.32kΩ图 23、图3电路中a、b端子间的等效电阻为( )。
A 9ΩB 12ΩC 5Ω图 34、电路如图4所示，图中电阻R可调，R获得的最大功率为( )。
A 20WB 40WC 60W图 45、电路图5中输出电压v0与输入电压v i的比值v0 /v i =( )。
A -4B 6C -8图 56、图6所示运放电路为( )。
A 加法运算电路B 减法运算电路C 同相比例电路图 6β=，则当开关S合向( )时，晶体管处于放大7、在图7所示电路中，晶体管100工作状态。
A a端B b端C c端图 78、在电源对称的三相四线制电路中，不对称的三相负载作星型连接，负载各相电流( )。
A 不对称B 对称C 不一定对称9、一台三相异步电动机，其铭牌上标明额定电压为220/380V，其接法是( )。
A Y/△B △/YC △/△10、三相异步电动机在运行中提高其供电频率，该电动机的转速将( )。
A 基本不变B 增加C 降低11、如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管( )。
A 正常B 已被击穿C 内部断路12、电路如图8所示，二极管D为理想元件，输入信号ui为如图所示的三角波，则输出电压uo的最大值为( )。
A 5VB 2VC 7VDuiRE5Vui5V0t uO+-+-+-图 813、电路如图9所示，晶体管T的电流放大系数β=50，RB=300kΩ，R E=3kΩ，晶体管T处于( )。
A 放大状态B 截止状态C 饱和状态12V14、当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（）。
昆明理工大学模电试卷
昆明理⼯⼤学模电试卷模拟电⼦技术试卷（第1套）⼀、⼀、填空题（20分，每空1分）1．双极型三极管是控制器件，当其⼯作在放⼤区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
2．在有源滤波器中，运算放⼤器⼯作在区；在滞回⽐较器中，运算放⼤器⼯作在区。
3．在三极管多级放⼤电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放⼤器，A u2是放⼤器，A u3是放⼤器。
4．在双端输⼊、单端输出的差动放⼤电路中，发射极R e 公共电阻对信号的放⼤作⽤⽆影响，对信号具有抑制作⽤。
差动放⼤器的共模抑制⽐K CMR ＝。
5．设某⼀阶有源滤波电路的电压放⼤倍数为2001200fj A += ，则此滤波器为滤波器，其通带放⼤倍数为，截⽌频率为。
6．如图所⽰的功率放⼤电路处于类⼯作状态；其静态损耗为；电路的最⼤输出功率为；每个晶体管的管耗为最⼤输出功率的倍。
⼆、基本题：（每题5分，共25分）1．如图所⽰电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
2．测得电路中NPN 型硅管的各级电位如图所⽰。
试分析管⼦的⼯作状态（截⽌、饱和、放⼤）。
3．已知BJT 管⼦两个电极的电流如图所⽰。
求另⼀电极的电流，说明管⼦的类型（NPN 或PNP ）并在圆圈中画出管⼦。
4．如图所⽰电路中，反馈元件R 7构成级间负反馈，其组态为；其作⽤是使输⼊电阻、放⼤电路的通频带变。
三、如图所⽰电路中，β＝100，Ω='100b b r ，试计算：(15分)1．放⼤电路的静态⼯作点；（6分）2．画出放⼤电路的微变等效电路；（3分）3．求电压放⼤倍数A u 、输⼊电阻R i 和输出电阻R o ；（6分）四、判断如图所⽰电路中引⼊了何种反馈，并在深度负反馈条件下计算闭环放⼤倍数。
（9分）五、电路如图所⽰。
试⽤相位条件判断下⾯的电路能否振荡，将不能振荡的电路加以改正。
理工大学模拟电子技术期末考试试卷1
,考试作弊将带来严重后果！理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类06级，2008.07.11）1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 选择题和填空题在试卷首页的相应空白处作答，其它题直接答在试卷纸上； 3．考试形式：闭卷；4. 本试卷共 四 大题，满分100分，考试时间120分钟。
选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分）1．在本征半导体中加入（ ）元素可形成N 型半导体，加入（ ）元素可形成P 型半导体。
A.五阶,四阶 B.四阶,三阶C.三阶,五阶D.五阶,三阶2．增强型N 沟道MOS FET 构成放大电路，要求则其栅源间电压GS u （ ） A ．GS(off )U > B.GS(off )U <C.GS(th )U > D.GS(th )U <3． 在共射基本放大电路中，适当增大集电极负载电阻R C ，电压放大倍数和输出电阻将( )A ．放大倍数变大，输出电阻变大B ．放大倍数变大，输出电阻不变C ．放大倍数变小，输出电阻变大D ．放大倍数变小，输出电阻变小4． 如右图所示电路中，晶体管≈100，估算该电路的电压放大倍数和输入电阻约为（ ）A ．011k u i A .,R ≈≈ΩB. 012k u i A .,R ≈≈ΩC.1200k u i A ,R ≈≈ΩD.1100k u i A ,R ≈≈Ω5．NPN 型三极管构成的基本共射放大电路中,输入信号为1kHz,10mV 的正弦波,当出现饱和失真时,其输出波形的( )将削去一部分。
A. 底部B. 顶部C. 中间D. 顶部和底部同时6． RC 耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率L f 将( ),放大电路通频带BW 将( ).A.上升,变宽B.下降,变宽C.上升,变窄D.下降,变窄7． 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，便可以得到幅频特性和相频特性，条件是（ ）。
2019年昆明理工大学电子技术(含模拟、数字部分)考研真题
昆明理工大学2019年硕士研究生招生入学考试试题(A卷) 考试科目代码：815 考试科目名称：电子技术（含模拟、数字部分）考生答题须知1．所有题目（包括填空、选择、图表等类型题目）答题答案必须做在考点发给的答题纸上，做在本试题册上无效。
请考生务必在答题纸上写清题号。
2．评卷时不评阅本试题册，答题如有做在本试题册上而影响成绩的，后果由考生自己负责。
3．答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答（画图可用铅笔），用其它笔答题不给分。
4．答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。
一、选择题（30分）（每题3分，10题共30分）1、二极管D和灯泡HL相串联，电路如图所示。
设电源电压u =2U sinωt，且二极管的正向压降及反向漏电流可忽略，则灯泡两端的电压平均值U A B为（）。
(A) 0.5U(B) 0.707U(C) 0.45U(D) U2、已知处于放大状态的三极管三个极的直流电位分别为：12V、11.8V、0V，判断管子的类型（）。
(A) NPN型锗管(B) PNP型锗管(C) NPN型硅管(D) PNP型硅管3、射极带有恒流源的差动放大电路，单端输出时，对共模信号的电压放大倍数理想情况下等于（）。
(A)零(B)单管电压放大倍数(C)单管电压放大倍数的一半4、阻容耦合放大电路在高频段电压放大倍数下降的主要原因是()。
(A)耦合电容的影响(B)晶体管的结电容和线路分布电容的影响(C)发射极旁路电容的影响U=时，不能够在恒流区工作的场效应管是（）。
5、0GS(A)结型管(B)增强型MOS管(C)耗尽型MOS管6、高通滤波电路可以用于（）。
（A）滤除低于某一频率的无用信号（B）滤除高于某一频率的无用信号（C）让低于某一频率的有用信号通过昆明理工大学2019年硕士研究生招生入学考试试题7、下列几种TTL 电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ ）。
A 、或非门B 、与非门C 、OC 门8、在数字电路中将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（ ）。
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昆 明 理 工 大 学 试 卷 （A ）考试科目： 考试日期： 命题教师：一、单项选择题：(本大题共12小题，每小题2分，总计24分)1、电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R = 4k ，电位u A =1V ，u B =3V ，则电位u F 等于（ ）。
2、电路如图所示，已知D Z 正向压降为0.7V ，图中与之并联的锗管正向压降为0.3V ，若u i < 0，则输出u o =（ ）。
3、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线是由一个固定的（ ）确定。
(a) I C (c) I B (d) I E4、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为V E =6V ，V B = 5.3V ，V C = 0V ，则该管为（ ）。
(a) PNP 型 锗 管 (b) NPN 型 锗 管 (c) PNP 型 硅 管 (d) NPN 型 硅 管 5、电路如图所示，晶体管处于（ ）。
(a) 1 V (b) 3 V (c) 12 V(a) -5V (b) -0.3V (c) -0.7V6、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，此管子的GS(off)U 约为（ ）。
7、高通滤波电路可以用于（ ）。
(a) 滤除高于某一频率的无用信号 (b) 滤除高于某一频率的有用信号 (c) 阻止低于某一频率的无用信号通过8、电路如图所示，u i =2V ，负载电流i L 与负载电阻R L 的关系为( ) 。
(a) R L 增加，i L 减小 (b) i L 的大小与R L 的阻值无关 (c) i L 随R L 增加而增大9、在差动放大电路中，单端输入-双端输出时的差模电压放大倍数( )。
(a) 是双端输入-双端输出的差模电压放大倍数的一半 (b) 等于双端输入-双端输出的差模电压放大倍数 (c) 等于单端输入-单端输出时的差模电压放大倍数10、电路如图所示，若参数选择合理，要满足振荡的相应条件，其正确的接法是（ ）。
(a) 饱和状态 (b) 放大状态 (c) 截止状态(a) 0V (b) ＋2V(c) －2V (d) －1V11、电路如图所示，R C ＝3k Ω，晶体管的β＝50，欲使晶体管工作在放大区，R B 应调至( )。
(a) 10 k Ω (b) 100 k Ω(c) 300 k Ω (d) ∞12、电路如图所示，若输入电压u i = -10 V ，则u O 约等于( ) 。
(a) 50 V (b) －50 V (c) 15 V (d) －15 V二、（本大题8分）已知共射放大电路的波特图如图所示，求电路下限频率f L 、上限频率f H ，放大电路的通频带f B W ，写出uA 的表达式。
(a) 1与3相接，2与4相接 (b) 1与4相接，2与3相接 (c) 1与3相接，2与5相接三、(本大题10分)求解如图所示比较器电路的阈值电压U T ，在图（a ）中画电压传输特性，根据电压传输特性在图（b ）中画u o 的波形。
四、( 本大题12分)图示整流电路，二极管为理想元件，已知变压器副边电压2V u t ω=，负载电阻Ω=315L R 。
求直流电流表)(A 3、电压表 (V)的读数各是多少？(设电流表内阻视为零，电压表内阻视为无穷大)，然后在不考虑电压波动情况下计算二极管最高反向电压U RM 和电流I D ，在表中选择合适的二极管。
（a ）（b ）五、(本大题14分)电路如图所示，晶体管的 ＝80，r b e=1kΩ。
（1）求出电路静态值I B、U C E；（2）画电路的小信号模型，求出R L＝3kΩ时电路的A u和R i。
六、(本大题13分)如图所示电路中，已知u I1＝4V，u I2＝1V。
求解电流i、A、B、C、D各点电位和u O的值。
七、( 本大题6分)判断图示电路中引入了哪种组态的交流负反馈，并计算反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数。
八、（1）若电路需要按以下要求形成负反馈，问应该分别引入什么类型的负反馈？(6分)A、减小放大电路从信号源索取的电流并增强带负载能力；B、将输入电流i i转换成与之成稳定线性关系的输出电流i o；C、将输入电流i i转换成稳定的输出电压u o答：A为B为C为（2）若需要引入一个电流并联型负反馈，以提供的图为框架，构建该反馈。
（7分）昆明理工大学试卷（A）考试科目：模拟电子技术考试日期：命题教师：集体学院：专业班级：学生姓名：学号：任课教师：上课班级：考试座位号：一、基础题（36分）1、写出图(a)、(b)所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（6分）(a) (b)2、测得放大电路中图(a)和图(b)两只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们的管型（NPN、PNP）是硅管还是锗管。
（6分）(a) (b)3、分别改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
（6分）4、已知两级放大电路的第一级和第二级的电压增益分别是20dB 和40dB ，问总电压增益为多少？相当于把信号放大了多少倍？如果另有一个放大器的电压放大倍数为5000，用分贝表示应是多少？（6分）5、电路如图所示，试说明各晶体管的作用。
（6分）6、电路如图所示，场效应管的夹断电压V U o f f GS 4)(-=，饱和率漏极电流mA I DSS 4=，试问：为保证L R 上的电流为恒流，L R 的取值范围应为多少？（6分）u O R L二、两级交流放大电路如图所示，各电容足够大。
已知：V CC =24V ，β1=β2=50，r be1＝r be2=1.6K ，U BE1=0.7V ，R L =R C =10K ，R B =300K ，R E1=27K ，R B1=82K ，R B2=48K 。
（22分）1）画出该放大电路的微变等效电路（小信号模型）；（6分） 2）求第一级放大电路的静态值I B1、I E1、U CE1；（4分） 3）求电路的输入电阻R i 和第二级电压放大倍数A u2。
（4分）4）第一级和第二级电路中1E R 、2E R 对本级电路产生的反馈分别是什么组态？（4分）5）A u =u o ／u i 的大小，在求出A u2后，可否不经计算而估计出来？约为多少？u o 、u i 的相位关系如何？（4分）R B1R B2R BR E1R E2R C u ioR T 1T 2+E C＋V CC三、判断所示电路是否可能产生正弦波振荡，为什么？（10）(a) (b)四、由理想运放构成的电路如图（a ）、（b ）所示。
V U OM 13±=。
（12分） 1）判断两图引入何种极性的反馈？若为负反馈说明反馈组态。
（4分） 2）分别画出两图的电压传输特性曲线： )(i o u f u =。
（8分）10k Ω10k Ω10k Ω（a ）（b ）五、求解如图所示各电路的运算关系（提示21I I I u u u -=）。
（10分）六、某直流稳压电源如图所示：（共10分）1）估计W R 变化时O U 的变化范围；（6分） 2）如果滤波电容器C 取值满足2)5~3(TRC =，其中T 是交流电的周期，为了使电容器两端的直流电压是24伏，所需变压器的副边电压2U 有效值是多少？（4分）昆明理工大学试卷（B）考试科目：电子技术考试日期：命题教师：集体学院：专业班级：学生姓名：学号：任课教师：课序号：040304032 考试座位号：一、单项选择题：（每题2分，共30分）1、在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体,加入( )元素可形成P型半导体。
（a）五价（b）四价（c）三价2、设二极管导通电压U D＝0.7V，则下图中输出U O等于（）。
（a）2.7V （b）1.3V （c）2V （d）0V ΩΩΩU O 2VA3、稳压管的稳压区是其工作在( )状态。
（a ）正向导通 （b ）反向截止 （c ）反向击穿4、晶体管工作在放大区时,发射结和集电结的偏置情况应为( )。
（a ）前者反偏,后者也反偏 （b ）前者正偏,后者反偏 （c ）前者正偏,后者也正偏5、工作在放大区的三极管,如果I b 从12μA 增大到22μA,I c 从1mA 增大到2mA,则交流β约为( )。
（a ）83 （b ）91 （c ）1006、一个两级放大电路，各级的放大倍数都是100，则该放大电路总的放大倍数是( )。
（a ）等于100 （b ）等于200 （c ）等于10000 7、整流的目的是( )。
（a ）将交流电压变成直流电压 （b ）将高频电压变成低频电压 （c ）将正弦波变成方波8、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（ ）。
(a)处于放大区域 (b)处于饱和区域 (c)处于截止区域 (d)已经损坏9、差动放大电路作为集成运算放大电路的输入级，其主要优点是（ ）。
（a ）放大倍数稳定 （b ）输入电阻很大 （c ）可以有效抑制零漂10、由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为( )。
(a)“与”门 (b)“或”门(c)“非”门11、全加器逻辑符号如图所示，当=i A “1”，=i B “0”，=-1i C “0”时，C i 和S i 分别为( )。
S I C IA IB IC I 1-12、阻容式耦合放大电路可以对以下那些信号进行放大（ ）。
(a)交流信号 (b)直流信号 (c)所有信号13、 如图所示电路，若D 1开路，则输出（ ）。
（a ）只有半波整流波形输出 （b ）全波整流波形输出（c ）无波形输出且变压器损坏14、用作电压比较器的运放与用于运算电路中的运放应用的主要区别在于，前者的运放是工作在（ ）。
（a ）开环或正反馈状态 （b ）深度负反馈状态（c ）放大状态 （d ）线性工作状态15、振荡电路自激振荡的幅度条件是（ ），相位条件是（ ）。
（a ）│A U F │=1，u f 与u i 同相 （b ）│A U F │=1，u f 与u i 反相 （c ）│A U F │≠1，u f 与u i 反相 （d ）│A U F │≠1，u f 与u i 同相(a) =i C 0 =i S 0(b) =i C 1 =i S 1(c) =i C 0 =i S 1D 1u oD 3 D 2D4二、在图示电路中，已知晶体管的β＝80，r be ＝1k Ω， ＝20mV ；静态时U BEQ ＝0.7V ，U CEQ ＝4V ，I BQ ＝20μA 。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（12分）（1）200102043-=⨯-=-uA （ ） （2）71.57.04-≈-=u A （ ） （3）4001580-=⨯-=u A （ ） （4）20015.280-=⨯-=uA （ ）（5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （ ） （6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （ ）（7）Ω≈k 3i R （ ） （8）Ω≈k 1i R （ ）（9）Ω≈k 5o R （ ） （10）Ω≈k 5.2o R （ ）（11）s U ≈20mV ( ) （12）sU ≈60mV ( )三、求所示电路的运算关系，假设电容未充电。