2015期末总复习-模拟电子技术资料
模拟电子技术复习指导(成教)2015
C. 交 流 串 联
8. 图示电路（ C ） 。
A．能振荡，振荡频率是 f =
1 B．满足振荡的相位条件，不满足振幅条件，所以不能振荡 2πRC
C．不满足振荡的相位条件，所以不能振荡 D．满足相位条件，所以能振荡
9. 集 成 运 放 存 在 失 调 电 压 和 失 调 电 流 ， 所 以 在 小 信 号 高 精 度 直 流 放 大 电 路 中 必 须 进 行 （ D ） 。 A. 虚地 B. 虚短 C. 虚断 D. 调零 10. 乙类互补对称功率放大电路（ C ） A．能放大电压信号，但不能放大电流信号 B．既能放大电压信号，也能放大电流信号 C．能放大电流信号，但不能放大电压信号 D．既不能放大电压信号，也不能放大电流信号 11. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ A
17. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（
A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D.
为了防止干扰信号的混入， 应选用 18. 已知输入信号的频率为 40Hz ~10kHz， A．带 阻 B．低 通 C．带 通 D．带阻
19. 串联型稳压电路中，用作比较放大器的集成运算放大器工作在（ A
A. 线性放大 B. 饱和或截止 C. 开环
２
2U 2 sin ωt V，负载电阻为 RL，则半波整流电路流过二极管的平均电流为
（
A ） 。 A. 0.45
U2 RL
B. 0.9
U2 RL
C.
U2 2 RL
D.
2U 2 2 RL
B ）时处于正偏导通状态。
5. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（
A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压
C. 0.9U 2
D.
模拟电子技术总复习
IE= Ic + IB =(+1)IB IC
12
电容短路,直流电源短路，画出交流通道
ui
RB
RC
RL
uo
13
用晶体管的微变等效电路代替晶体管，画出该电路的 微变等效电路，并计算电压放大倍数、输入电阻、输 出电阻
ii
ib
ic ib
R A u L rbe
ui
RB
rbe
RC
RL
uo
10 F
ui
R E1 RB 2 3.3k 15 RE 2 10 F 1.5k
RB 4 1.8k
5.1k RL
10 F
uo
RE 3 1k
PNP管的 微变等 效电路 与NPN管 完全一 样！
27
例3:
如图所示的两级电压放大电路， 已知β 1= β 2 =50, T1和T2均为硅管。
（1）计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V)； （2）求放大电路的输入电阻和输出电阻； （3）求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。
ib
RC RL uo
+
ui
C1
RB 2
RE
-
-
20
3.动态分析 ——电压增益
ib rbe ui RB1 RB 2 RE
ib
RC RL uo
输出回路：uo 输入回路： ui
β ib (Rc || RL )
ib rbe ie Re ib rbe ib (1 β) RE
+24V
RB1 1M C1 + T1
82k
C2 +
RB1
RC2 10k T2
C3 + +
模拟电子技术总复习
vi>VT+时，vo=VOL，vo在VT-处由VOL翻转为VOH。
第8章 直流稳压电源
考核知识点： 直流稳压电源组成；整流、滤波和稳压的概
念；桥式整流电容滤波电路结构及其分析 计算；串联稳压电路组成及输出电压的调 节范围计算；集成稳压器的使用。
串联负反馈 —— 增大输入电阻 并联负反馈 —— 减小输入电阻 电压负反馈 —— 减小输出电阻，稳定输出电压 电流负反馈 —— 增大输出电阻，稳定输出电流
特别注意表4.2.1的内容 负反馈对放大电路性能的改善，是以牺牲增
益为代价的，且仅对环内的性能产生影响。
end
4.3.1 放大电路引入负反馈的一般原则
由此可以得出结论：PN结具有单 向导电性。
判断二极管工作状态的方法：断开 二极管，利用戴维宁定理求出其阳 极至阴极间的电压，若该电压大于 正向导通电压，则导通；反之，则 截止。
晶体管的三个工作状态 1.放大状态： 特点：iC=βiB，即iC受iB控制，与v CE无关，呈近似恒流源性质。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
N型半导体或 P型半导体整体呈中性。 杂质半导体的导电性能主要取决于多数载流子浓度， 多数载流子浓度取决于掺杂浓度，其值较大且稳定； 少数载流子浓度与本征激发有关，对温度敏感。
end
PN结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流，称为正向 导通。
PN结加反向电压时，呈现高电阻， 具有很小的反向漂移电流，称为反向 截止。
晶体管进入 iB/? A 截止区工作，
原因iB：/?静A 态工作点太低造；成截止失真。
波形：输出电压正半波平顶适（当对增N加PN基）；
2015电子期末复习试题
电子技术基础一、填空题（每空2分，共20分）1．模拟信号的特点是在＿＿＿和＿＿＿上是连续的。
2．在N型半导体中＿＿＿＿＿是多子。
在P型半导体中＿＿＿＿＿＿是少子。
3．用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二级管＿＿＿＿，若两次读数都接近尽于0，则此二极管＿＿＿＿，若一次读数很大、一次读数小，则此二极管＿＿＿＿。
4．PN结加正向电压时＿＿，加反向电压时＿＿＿，这种特性称为PN结的＿＿＿特性。
5．常温下，硅二极管的开启电压约＿＿V，导通后在较大电流下的正向压降约＿＿V；锗二极管的开启电压约＿＿V，导通后在较大电流下的正向压降约＿＿V。
9．变容二极管工作时需要加＿＿＿＿＿＿电压。
10．整流电路的任务是将电网＿＿＿＿电压变换成单向脉动＿＿＿＿电压，再通过滤波电路滤去其中的＿＿＿＿成分，得到比较平滑的直流电压。
11．在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位①端为1.5V，②端为4V，③端为 2.1V，则①端为＿＿极，②端为＿＿＿极，③端为＿＿极。
该管为＿＿＿型三极管。
12．放大电路的静态工作点Q随温度变化，是由于三极管的参数＿＿、＿＿和＿＿随温度变化引起的。
13．当三极管上所加直流电压使得＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿时，三极管工作在放大状态。
14．工作在放大状态的三极管，其各极电流之间关系式为＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
15．工作在放大状态的NPN型三极管三个电极的电位关系是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
16．三极管输出特性曲线族可以分为＿＿＿＿＿区、＿＿＿＿＿＿区和＿＿＿＿＿区。
17．放大电路中直流分量符号，例如基极电流用＿＿表示；交流分量符号，例如基极电流用＿＿表示；直流分量与交流分量之和的符号，例如基极电流的总量用＿＿＿＿表示。
18．放大器＿＿＿＿＿时的直流工作状态叫静态。
19．放大器必须设置＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，才能避免产生非线性失真。
21．交流通路是放大器的＿＿＿＿等效电路，是放大器＿＿＿＿信号的流经途径。
模拟电子技术基础完整版
rD 正向约为几-几十
第一章
半导体器件
半导体物理基础知识
电子—空穴对 当T 或光线照射下,少数价电子因热激发而获得 足够的能量挣脱共价键的束缚 ,成为自由电子. 同时在原来的共价键中留下一个空位称 空穴 在本征半导体中电子和空穴是成对出现的 本征半导体在热或光照射作用下, 产生电子空穴对-----本征激发 T↑光照↑→电子-空穴对↑→导电能力↑ 所以 半导体的导电能力 与 T，光照 有关
§1.1 PN结及二极管
二 PN结的特征——单向导电性 1.正向特征—又称PN结正向偏置 外电场作用下多子 推向耗尽层，使耗尽 层变窄，内电场削弱 扩散 > 漂移 从而在外电路中出现 了一个较大的电流 称 正向电流
Vb
V
§1.1 PN结及二极管
在正常工作范围内，PN结上外加电压 只要有变化，就能引起电流的显著变化。 ∴ I 随 V 急剧上升，PN结为一个很 小的电阻（正向电阻小） 在外电场的作用下，PN结的平衡状态 被打破，使P区中的空穴和N区中的电子 都向PN结移动，使耗尽层变窄
单向导电 性
§1.1 PN结及二极管
3.PN结伏安特性表示式
Is —— 反向饱和电流
决定于PN结的材料，制造工艺、温度 UT =kT/q ---- 温度的电压当量或热电压 当 T=300K时, UT = 26mV K—波耳兹曼常数 T—绝对温度 q—电子电荷 u—外加电压 U 为反向时，且
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术期末总复习
4、 作图：vi→iB→iC、vCE→vo 5、求放大倍数：
AV
vo vi
e j
Vom Vim
20
假设uBE有一微小的变化
iB IB uA
45 35 25 15
t
iC
Q
0.68 0.7 0.72
UV BE ui
直流负载线
IC
mA
3.3 2.7 2.1
1.5
0.9
交流负载线
55 ib
45
h参数等效电路：
Ii
Ib
Ic
Ui R'B rbe
Ib RL
U o
动态：
AV
rbe
R' L (1 )RE1
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE1]
RE1 RC
Ro RC
RB C1
ui
RE
+VCC
C2
RL uo
静态：
IB
VCC VBE
放大器的性能指标：
电压放大倍数、输入电阻ri 、输出电阻ro 、通频带
17
（二）放大器的分析方法
A、图解法分析法：
1、静态工作点的图解分析：
（1）近似估算Q点: +
ΔVI
RB
T
-
VBB
I BQ
=
VBB－
V BE
RB
ICQ I BQ
VCEQ VCC ICQ RC
C+
RC
ΔVO
VCC
-
18
22
电路参数对Q点的影响：
Rb：
iC
Rb↗
IBQ↘
《模拟电子技术》期末总复习PPT课件
{ 硅管： IsnA级
•反向饱和电流Is 锗管： IsA级
•电压当量（室温下）： UT 26mV
半导体器件基础
3.2二极管的等效电阻 • 等效电阻为非线性电阻，与工作点有关。
•
直流电阻:
RD
UQ IQ
交流电阻：
rD
26mV IQ
半导体器件基础
3.3 二极管的主要参数 • 最大正向平均电IF; • 最大反向工作电压URM； • 反向电流IR； • 最高工作频率fM。 3.4 稳压二极管(利用电击穿特性) • 稳压条件： • 反向运用, • Iz,min<Iz<Iz,max，(或偏压大于稳压电压） • 加限流电阻R
形成漂移电流。
半导体器件基础
2.1PN结 • 形成过程：扩散扩散、漂移扩散＝漂移
•导通电压 硅（Si）: U 0.6 ~ 0.8V
锗（Ge）： U 0.2 ~ 0.3V 2.2 PN结伏安特性
（1）加正向电压：扩散>漂移，（耗尽层变窄）
正向电流
I
I eU D /UT s
（2）加反向电压：扩散<漂移， （耗尽层变宽 ）
《模拟电子技术》 期末总复习
总要求： 抓住基本概念基本知识和基本分析 方法； 注重知识的综合应用。
半导体器件基础
1.1半导体特性 • 掺杂可改变和控制半导体的电阻率 • 温度可改变和控制半导体的电阻率 • 光照可改变和控制半导体的电阻1.2 本征
半导体 • 排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。 • 两种载流子（电子、空穴），成对出现。 • 在电场作用下，载流子作定向运动形成漂
'
(RL ' RC / /RL )(需看射极是否有偏置电阻及旁路电容）
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（二） BJT的V-I特性曲线
1、输入特性： UCE =0.5V
UCE=0V IB(A)
80
UCE 1V
60
40
死区电压，
硅管0.5V， 20
锗管0.2V。
工作压降： 硅管 UBE0.6~0.7V,锗管 UBE0.2~0.3V。
0.4 0.8 UBE(V) 14
2、输出特性
此区域中
4 UCEUBE,
UBE ↘ ↑
T↑
ICEO ↑
U（BR）CBO ↑
U（BR）CEO ↑
18
二、放大电路的组成及分析计算
（一） 常用放大电路： 共射放大器、共集放大器、共基放大器
工作过程:
NPN管：Vbc<0；PNP管：Vbc>0
1、发射区向基区扩散其多数载流子
2、载流子在基区的扩散与复合 3、集电区收集载流子
电流关系式:
IE= IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN
IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO
集电结正
偏， 3
IB>IC，
UCE<0.3V
称为饱和 2
区。
IC(mA )
此区域满足
IC=IB称为线
100性区A（放大
区）。
80A
60A
40A
1
此I电C2I=区 压0BIC=域，E0AO中称，为U: IB截BE=<止0死，区区。
3 6 9 12 UCE(V)
15
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
电子浓度大大增加的杂质。 施主原子（离子） 多数载流子（多子）：自由电子 少数载流子（少子）：空穴
P 型半导体（空穴导电型半导体） ：掺3价元素使用空穴
浓度大大增加的杂质。 受主原子（离子）
多数载流子（多子）：空穴 少数载流子（少子）：自由电子
6
三、 PN结与半导体二极管
1、 PN结的形成过程：
接触 扩散 形成空间电荷区
IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)
IE =IC+IB
ICN IC
I EN I E
ICN IC ICBO IC
I BN I B ICBO I B
IC = βI B + ICEO I E = IC + IB = (1 + β)IB + ICEO IC = αI E ≈I E
主要参数:最大整流电流 IFM 、反向峰值电压URM 、反向 直流电流 IR 等
特殊二极管：稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、 光电二极管、发光二极管、激光二极管等。 特别是稳压二极管，利用其反向击穿效应
9
四、 二极管的基本电路及其分析方法
1、图解分析法：
iD VDD /R
R iD
+
VDD
D vD
击穿特性
反向击穿(电击穿)
雪崩击穿和齐纳击穿
稳压二极管利用击穿特性
击穿 特性
IR= -IS VBR
反向 特性
4、 PN结的电容效应：
ID
正向 特性 VD
死区电压 硅 管 0.5V, 锗管0.2V
势垒电容CB （PN结反偏） 和扩散电容CD （PN结正偏）
8
5、半导体二极管：
二极管的电路符号：
P
N
分为：点接触型、面接触型、平面型。
内电场
阻碍多子扩散 促使少子漂移
动态平衡
PN结
空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、 PN结
2、PN 结的最主要的特性——单向导电性： PN 结加正向电压导通，PN 结加反向电压截止
7
3、PN结的伏安特性：
导通压降: 硅管 0.6~0.7V, 锗 管
0.2~0.3V
正向特性 反向特性
VD
ID IS (eVT 1)
即： IC=IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：VCEUBE ， IB>IC，
硅管：VCE<0.3V 锗管： VCE<0.1V (3) 截止区： VBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
16
（三） BJT的主要参数
1. 电流放大系数：α、β 2、极间反向电流：
-
ID
Q
2、简化模型分析法：
VD
VDD vD
简化模型：理想二极管模型、恒压降模型、 折线模型、小信号模型
应用简化模型分析：
10
4 双极型三极管及放大电路基础
一、 BJT的结构、原理与特性
（一） BJT的结构与工作原理:
两种类型：NPN型和PNP型。
NPN型
基b 极
c b
e
c 集电极 集电极 c
集电结
（1）集-基极反向饱和电流ICBO （2） 集-射极反向饱和电流ICEO
3、极限参数：
（1）集电极最大电流ICM
（2）反向击穿电压：射-基反向极击穿电压U(BR)EBO 集-基反向极击穿电压U(BR)CBO 集-射反向击穿电压U(BR)CEO
（3） 集电极最大允许功耗PCM
4、频率参数：
17
（四） 温度对BJT参数及性能的影响
模拟电子技术
《模拟电子技术》 期末总复习
授课人：庄友谊
1
题型：
一、填空题（20分） 二、选择题（10分） 三、分析判断题（26分）(4+2小题 ) 四、计算题（34分） （3题） 五、设计题（10分） （1题）
2
1 绪论
一、电子电路中的信号：模拟信号和数字信号
二、放大电路性能指标：
1、电压放大倍数Au
++ +
44
4
+ ++ 4 44
4
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
载流子
自由电子 空穴
动态平衡
本征激发:产生自由电子-空穴对 复合：空穴和自由电子相遇一起消失
本征半导体中电流由两部分组成：
1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。
5
二、 杂质半导体
N 型半导体（电子导电型半导体） ：掺5价元素使用自由
N
P
P
B
N
基
N
极
P
发射结
e发射极
e
发射极
PNP型
c b
e
11
三个极（集电极c、基极b、发射极e）、三个区、两个PN结。
内部结构：
发射区：掺杂浓度较高
基区：较薄，掺杂浓度低
集电区：面积较大
为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备
的外部条件是：
a.发射结加正向电压(正向偏置):
NPN管：Vbe>0； PNP管：Vbe<0 b.集电结加反向电压(反向偏置):
电压增益=20lg|Au|
(dB)
功率增益=10lg|Ap|
(dB)
2、输入电阻ri 3、输出电阻ro 4 Nhomakorabea通频带 5、失真：失真
线性失真
幅度失真: 相位失真:
非线性失真： 3
3 二极管及其电路
一、半导体与本征半导体：
半导体的性质：负温度系数、光敏特性、掺杂特性
惯性核
价电子 半导体的共价键结构：
++ + 44 4