第四章能带理论

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固体物理第四章能带论_01

固体物理第四章能带论_01

1 0 2 0 0 0 2 E± = {Ek + Ek ' ± (Ek − Ek ' ) + 4Vn } 2
ii)
波矢k非常接近 波矢 非常接近
状态的能量和k’能量差别很小 ,k状态的能量和 能量差别很小 状态的能量和


泰勒级数展开
(E − E ) 1 0 0 E± = {Ek + Ek' ± 2Vn + } 2 4Vn
薛定谔方程
1 ikx 0 h2k 2 0 e Ek = 波函数和能量本征值 ψk ( x) = +V L 2m
满足周期 边界条件
2π k =l Na
波函数满 足正交归 一化
0 0 ψk' *ψk dx = δkk ' ∫ 0 L
—— l 为整数
2)微扰下电子的能量本征值 ) 哈密顿量
根据微扰理论, 根据微扰理论,电子的能量本征值
n i 2π x a
计入微扰电子的波函数
Vn 1 ikx 1 ikx ψk (x) = e + e ∑ 2 e n L L 2 2 n h [k − (k + 2π ) ] 2m a
n i 2π x a
Vn 1 ikx ψk (x) = e { + ∑ 2 1 e n L 2 2 n h [k − (k + 2π ) ] 2m a
考虑到 H0ψ = E ψ
0 k 0 k
0 k
and H0ψ = E ψ
0 k' 0 k'
0 k'
得到
分别以 利用

从左边乘方程, 从左边乘方程,对 x 积分
波函数满足正交归一化

《固体物理基础教学课件》第4章-能带理论共34页文档

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孤立原子中电子的 势阱
势垒 电子能级
+
第 四 章 固体的能带
解定态薛定谔方程, 可以得出两点重要结论: [ 2 2 V (r)] E
2m
➢电子的能量是量子化的 ➢电子的运动有隧道效应
# 原子的外层电子(在高能级) 势垒穿透概率较大, 电子可以在整个固体中运动,称为共有化电子。原子 的内层电子与原子核结合较紧,一般不是共有化电子, 称为离子实。
不满带:未填满电子的能带
E
空带:没有电子占据的能带
禁带:不能填充电子的能区
价带:在0k时能被电子占满的最高能
带,对半导体价带通常是慢带
导带:半导体最外面(能量最高)的
一个能带。
空带
禁带体的能带
能带对电导的贡献 满带

电子交换能态并不改变 能量状态,所以满带不 导电。
导带: 不满带或满带以上最低的空带 为什么把空带或不满带称为导带? 因为只有这种能带中的电子才能导电。
第 四 章 固体的能带
导电——电子在电场作用下作定向运动,
以一定速度漂移, v 10 -2 cm/s
E
电子得到附加能量
到较高的能级上去,
这只有导带中的电子才有可能。
第 四 章 固体的能带
p2 E
能级已填满不能再填充电子— 2s
分裂为两条
1s
第 四 章 固体的能带
各原子间的相互作用 原来孤立原子的能级发生分裂
若有N个原子组成一体,对于原来孤立原子的 一个能级,就分裂成N条靠得很近的能级,称
为能带(energy band)。
能带的宽度记作 E,E ~eV 的量级
若N数量级为1023,则能带中两相邻能级的间距约
pentium MMX

固体物理 第4章 能带理论5

固体物理 第4章 能带理论5

当温度趋于0k时定域态中电子迁移率趋于零,而扩展态中迁移率仍然 为有限值,因此莫特将EC称为迁移率边缘.对于任意E态,定域化 E 条件为:
W > 2Z V e 2E 1 W
1 2 2
2E 1 W
W
2E 1+ W
莫特还进一步提出了安德森转变(Anderson transition)的概念,如果 在Si晶体中掺入施主杂质磷,由于施主杂质的分布是无规的,就形成 无序系统,无序性将导致有一个迁移率边缘,设导带中电子的费米能 无序性将导致有一个迁移率边缘,
§4-7 能态密度和费米面 一,能态密度函数 在单个原子中电子的本征态形成一系列分立的能级,可以具体标 明各个能级的能量,说明它们的分布情况.而在晶体中电子能级是准 连续分布的,为了概括这种情况下的能级分布,引入"能态密度"的概 E 念.用 表示能量在 E→E+ 之间的状态数,则能态密度函数定义 Z 为: Z dZ
对于无序系统的电子态理论研究有两种处理方法;其一是对无序系 统作某种平均后近视当作有序系统处理,这种方法以相干势近似为代 表.其二是从无序系统的定域态出发,设计一些无序模型,研究无序 系统与有序系统电子态的差别,这种方法以安德森的工作为代表. 1,安德逊(P.W.Anderson)无序模型 无序系统由于不具有平移对称性,波矢k不再是描述电子状态的 好量子数,必须从定域态(或者原子轨道态)出发设计模型和讨论 从定域态(或者原子轨道态) 问题.安德森将紧束缚近似(TBA)方法推广用于无序系统,用 旺尼而函数作为基本函数把波函数进行二次量子化展开,引入反映 "无序程度"的变化宽度的参量W,而格点近邻交叠积分均取相同的 无序程度" 值V则表示无序系统的"短程有序"特征.因此,这个简化的模型概括 则表示无序系统的"短程有序" 了无序系统的主要特点,由此出发将便于求得定域化条件和引进 迁移率边界等新概念.安德森定域化条件为(E=0态): W > e 2Z V (z为每个格点的近邻数,e为自然对数的底数). 2,莫特(N.F.Mott)模型 当安德森条件不满足时,三维无序系统中E=0态不满足收敛条件,

第四章能带理论§4.1能带理论的基本假定资料

第四章能带理论§4.1能带理论的基本假定资料

第i个电子的哈密顿算符 :
2
H i 2m 2 Ui (ri ) ui (ri )
所有的电子都满足同样的方程:
Hi i (ri ) Ei i (ri )
解此方程即可得到晶体电子系统的电子状态和能量
使一个多电子体系问题变成一个单电子问题
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4.1.3 周期场假设
第四章 能带理论
为了进一步简化,可以利用一种平均场来代替价电子之 间的相互作用,即假定每一个电子所在处的势能都相同, 从而使每个电子与其它电子之间的相互作用势能仅与该 电子的位置有关,而与其它电子的位置无关。
4.1.2 平均场近似(单电子近似)
Ui (ri )
uia
uia ui
a
电子i与所有其它电子的相互作用势能 电子i与原子核之间的相互作用能 所有原子核对第i个电子的作用能
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第四章 能带理论
i
Ui (ri )
1 2
i j
e2
40r rij
所有电子之间的库仑作用势能
V (r1...ri , R1...Ra...)
uia ui
ia
i
电子与原子核间的总相互作用势能
在上述近似下,每一个电子都处在同样的势场中运动。
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第四章 能带理论
薛定谔方程中势能项: V (r) U(r) u(r)
u(r) ua a
离子实对电子的势能,它具有与晶格相同 的周期性
U (r)
代表一种平均势能,是一恒量
V (r) V (r Rn ) 具有晶格周期性
2
[ 2 V (r)] (r) E (r) 单电子薛定谔方程
2m
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固体物理 第4章 能带理论2

固体物理 第4章 能带理论2

k V k 0
Vn
2 2
最后得:
(1)
( 2) Ek
2 2 n k k 2 2m a

k (3)
ห้องสมุดไป่ตู้
(1) k n
Vn 2 2 n k k 2 2m a
2

e
a
能量的抛物线形状。能量较高的能带较宽,较低的能带较窄; 跃变处的能量间隔随着n的增加而增加。
由于周期性边界条件使得k只能取k
l (2 ) Na
l 为整数。每一个 l 对应
一个量子态,当N足够大时,k的取值非常密集,相应地能级也十分 密集成为准连续的。这些准连续的能级以间断点划分成一系列带, 如上图。
其中利用到: k V k k V k 0, k V k k V k Vn
该关于A,B的齐次方程组有非零解的条件是系数矩阵的行列式等于零 即; 0
E Ek Vn Vn 0 0 E Ek
得到:
1 0 E0 E0 0 E Ek Ek k k 2
k V k
能量非简并: (1) (1)E k
(2)E k
( 2)
(1) Ek k V k k V ( x) k k V k 0
k V k k V ( x) k k V k k V ( x) k
1 N 1 = i ( k k ) x e V ( x)dx Na n 0 na 令 x na ,则 V ( na) V ( ) ,于是有
2Tn 2 1 V Tn Vn Tn V n E 2Tn V T V 2T 1 n n n V n

第四章 固体的能带

第四章   固体的能带

外,贵金属和碱金属以及铝等都有这种情况。贵金属的价电
子数是奇数,本身的能带也没填满,因而是良导体。
4.过渡金属
过渡金属具有未满的d壳层,d电子态形成的d带比较窄。
d电子轨道有5个,结晶成固体后形成5个子能带,具有紧束缚
电子态特征。而s带很宽,具有准自由电子特征。粗略说,过 渡金属的能带是由很窄的d带与较宽的s带交叠在一起形成的, 实际上s带与d带不是简单交叠受到杂化的影响,具有导电性, 对电导贡献的是4s带的s带电子以及3d带的空穴(因未填满电
14
遵守 泡利不相容原理
能量最小原理 10×N
6×N
2×N
6×N 2×N
2×N
最多容纳电子数
说明: 一般情况下,价带是被电子所填充的能量最高的能带。
15
能带的宽度记作E ,数量级为 E~eV。
若N~1023, 则能带中两能级的间距约10-23eV。
一般规律:
1. 越是外层电子,能带越宽,E越大。 2. 点阵间距越小,能带越宽,E越大。
受外电场的能量,所以形不成电流。
从能级图上来看,是因为满带与空带之间有一
个较宽的禁带(Eg 约3~6 eV),共有化电
子很难从低能级(满带)跃迁到高能级(空带)
上去。
半导体 的能带结构,满带与空带之间也是禁带,
但是禁带很窄(E g 约0.1~2 eV )。
28
二、绝缘体与半导体的击穿
当外电场非常强时,它们的共有化电子
在几率最大的点)速度,而不是构成整个波包的各个傅里叶
成分的波的相速度ω/k。 晶体中的电子在外场中的运动规律是把波包用粒子的观 点来讨论的波包运动。
18
以k0为中心,波矢在Δ k范围内变化的布洛赫波包,在Δk

第四章+能带理论pdf

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1第四章固体的电子能带理论4-1 周期场和布洛赫定理晶体具有由大量分子、原子或离子有规则排列的点阵结构因此在固体中有关电子的研究实际上是一个多电子问题不仅应该包括电子与离子相互作用的单电子势还包括电子与电子相互作用的两电子势。

解决多体问题是非常复杂的而且严格解是不可能的。

要解决这些问题只能抓住主要矛盾建立模型作充分的近似才可以求解。

其中把多体问题简化为单电子问题需要经过多次简化。

第一是把原子核与核外内层电子考虑成一个整体——离子实使原子中的多体问题简化为离子实与外层电子的问题。

考虑到离子实的质量比较大离子运动速度相对慢位移相对小在讨论电子问题时可以认为离子是固定在瞬时的位置上这样多种粒子的问题就简化成多电子问题第二是忽略电子之间的相互作用理想电子气多电子问题简化为单电子问题每个电子是在固定的离子势场和其它电子的平均场中运动第三步的简化是认为所有离子势场和其它电子的平均场是周期性势场电子在固体中将受到周期性势场的作用。

在本章的讨论中我们做了独立电子近似。

电子在晶体中所受到的周期场可用一个函数Vr来表示称为有效单电子势函数。

周期性势场Vr应该具有布喇菲格子的周期性即VrRVr其中R为布喇菲格矢。

a电子可以在整个晶体中运动称为共公有化电子。

由于a的数量级为10-8cm势场Vr的周期与索末菲自由电子气模型中的电子德布罗意波长相当因此周期势场对电子运动的影响应在量子力学中考虑。

我们考虑单电子薛定谔方程其中势函数Vr具有布喇菲格子的周期性。

在独立电子近似中每个电子都遵循具有周期势场的单电子薛定谔方程这样的电子称为布洛赫电子。

2固体能带论的两个基本假设是什么布洛赫定理一个在周期场中运动的电子的波函数应具有哪些基本特点在量子力学建立以后布洛赫F.Bloch和布里渊Brillouin等人就致力于研究周期场中电子的运动问题。

他们的工作为晶体中电子的能带理论奠定了基础。

布洛赫定理指出了在周期场中运动的电子波函数的特点。

固体物理 第四章 能带理论4.6 晶体能带的对称性

固体物理 第四章 能带理论4.6 晶体能带的对称性
§4.6 晶体能带的对称性
1. 能带关于k的周期性
2 E (k ) E (k n ) a
电子波矢 的布洛赫函数
04_06_晶体能带的对称性 —— 能带理论
—— 在k的状态中观察到的物理量与在k’的状态中是相同的
—— 三维情况中表示
2. 能带的时间反演对称性 可以证明
04_06_晶体能带的对称性 —— 能带理论
3. 能带的3种表示图式
1) 扩展能区图式 第一能带 Nhomakorabea第二能带
04_06_晶体能带的对称性 —— 能带理论
2) 简约能区图式
—— 对于同一个能带来说能量在k空间具有周期性
—— 每一个能带在简约布里渊 区都有各自的图像
—— 简约布里渊区标志一个状态
i) 它属于哪一个能带 ii) 它的简约波矢 是什么
04_06_晶体能带的对称性 —— 能带理论
3) 周期能区图式
—— 对于同一个能带而言能量是波矢周期性函数 —— 将任意一条能 量曲线通过倒格子 矢量从一个布里渊 区移到其它布里渊 区,在每一个布里 渊区画出所有能带, 构成 k 空间中能量分 布的完整图像
04_06_晶体能带的对称性 —— 能带理论
0406晶体能带的对称性能带理论46晶体能带的对称性电子波矢的布洛赫函数0406晶体能带的对称性能带理论三维情况中表示在k的状态中观察到的物理量与在k的状态中是相同的能带的时间反演对称性可以证明0406晶体能带的对称性能带理论扩展能区图式第一能带第二能带0406晶体能带的对称性能带理论简约能区图式对于同一个能带来说能量在k空间具有周期性每一个能带在简约布里渊区都有各自的图像它属于哪一个能带ii它的简约波矢是什么简约布里渊区标志一个状态0406晶体能带的对称性能带理论周期能区图式对于同一个能带而言能量是波矢周期性函数将任意一条能量曲线通过倒格子矢量从一个布里渊区移到其它布里渊区在每一个布里渊区画出所有能带构成k空间中能量分布的完整图像
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1
晶体中电子状态的认识过程
金属自由电子论(特鲁德、洛伦兹)
现代能带理论
2
第四章能带理论
能带理论是目前研究固体中电子运动的一个主要理论 基础。它最初的成就在于定性地阐述晶体中电子运动的普 遍性特点,例如: 固体为什么会有导体、非导体的区别? 晶体中电子的平均自由程为什么会远大于原子间距? 五六十年代以后,随着半导体技术的发展,固体实 验手段的发展,电子计算机的应用等等,能带理论的研究 从定性的普遍性规律发展到对具体材料复杂能带结构的计 算。
3
能带理论建立基础
(1)绝热近似 (2)单电子近似
单电子近似:含有大量电子的体系中,每个电子受到其
它电子作用比较接近于平均作用,故用“平均势场”来替代 电子的真实相互作用,即每个电子都在一个相同的有效势场 中运动。这种方法称为单电子近似,对于晶格,单电子有效 势由两部分组成,即晶格离子势和电子间平均作用势。
e
e ik Rm e (r )
ik m1a1
ik m 2 a 2
e
ik m3a3
(r )
证毕
19
本章主要内容
§4-1布洛赫定理 §4-2一维周期场中电子运动的近自由电子近似 §4-3三维周期场中电子运动的近自由电子近似 §4-5紧束缚近似——原子轨道线性组合法 §4-7能态密度和费米面
第四章
能带理论
前面我们介绍了绝热近似,是将电子运动与离 子运动分开来考虑:
(1)研究离子运动时,认为电子能跟上离子位置 变化,不考虑其影响——即晶格振动问题,描 述原子或离子围绕平衡位置的小振动问题。 (2)研究电子运动时,假定离子实静止在平衡位 置上,晶格具有严格周期性,而晶格振动对电 子影响当作微扰来处理——即能带理论,研究 固体中的电子状态。
10
定理说明
1、满足布洛赫定理的波函数 ( r ) 称为布洛赫函 数,由它所描述的电子称为布洛赫电子。
( r )与自由电子波函数比较,多一项周期函 2、
数 u( r ),故 ( r )可形象看成被晶格周期函数调幅
的平面波。
11
3、关于简约波矢 k k 标志着电子状态的量子数,不同的 k 表示
T T f (r ) T f (r a ) f (r a a ) T T f (r )
T T T T
性质2: TαTβ=ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱTα+β
T f ( r ) f ( r a a ) T T f ( r ) f ( r a a ) T T T
ik Rm (r ) 等价 (r Rm ) e
证明:
H E T1 1 , T2 2 , T3 13 ,
1 e
波矢空间矢量 晶格平移矢量
, 2 e , 3 e l1 l 2 l3 k b1 b2 b3 , N1 N2 N3 Rm m1a1 m2a2 m3a3
7
V (r )
单电子所处周期性势场图示
a
r
能带理论是一种绝热近似下的单电子近似理论。
8
本章主要内容
§4-1布洛赫定理 §4-2一维周期场中电子运动的近自由电子近似 §4-3三维周期场中电子运动的近自由电子近似 §4-5紧束缚近似——原子轨道线性组合法 §4-7能态密度和费米面
9
§4-1 布洛赫定理
故晶体势场对电子运动的影 响看作微扰处理。 近自由电子近似
紧束缚近似
6
能带理论基本思想
理想晶体 具有周期性的晶格结构,因而等效势场V(r)也应具有周期性。 晶体中的电子 是在一个具有晶格周期性的等效势场中运动,其波动方 程为(即单电子薛定谔方程):
2 2 V r E 2m 其 中V r V r Rn , Rn为 晶 格 平 移 矢 量 。
4
能带理论的处理方法
(1)电子的共有化运动:认为固体中的电子不 再束缚于个别的原子,而是在整个固体内运动。 (2)微扰处理:在讨论共有化电子运动状态时, 假定原子实处在其平衡位置,而把原子实偏离平
衡位置的影响看成微扰。
5
能带理论是一种近似方法
晶体中电子有两类
外层价电子 能量高; 晶体势场较弱; 电子行为类似于自由电子; 内层电子 能量低; 晶体势场较强; 电子基本上围绕原子核 运动;故相邻原子的影 响看作是微扰处理。
表明:H与Tα可以互相对易。
16
(2)定理证明
第一步:若令 Tn ( x ) n ( x )[一维情况 ],

则n具有指数形式。 T ( x ) ( x )
T ( x ) ( x ) T T ( x ) T ( x ) ( x ) T T ( x) T ( x) ( x)
ik a1
ik a 2
ik a3
18
ik Rm 证明: (r Rm ) e (r )
即可。
m1 m2 m3 (r Rm ) T1 T2 T3 (r ) m1 m 2 m3 1 2 3 ( r )
15
性质3:平移算符Tα与H互相对易
2 2 H r V (r ) 2m
HT ( r ) H( r a ) 2 2 ( r V ( r )) ( r a ) 2m 2 2 ( r a V ( r a )) ( r a ) 2m H ( r a ) ( r a ) H ( r ) Ta
e ik 推广到三维

ik
17

只有指数形式才具备这样的特点,考虑晶格周期性,可选择
e
第二步
ik Rm 证明: (r Rm ) e (r )
即可。
ik r ( r ) e u( r ) u( r ) u( r R )
不同状态,具有不同的能量,其物理意义是表示原 胞之间电子波函数之间的位相差。
定理说明
自由电子: k
代表动量本征值,其波矢 k 取
值无限制;
布洛赫电子: k
代表准动量,其波矢 k 取值在
某指定范围内,常为简约布里渊 区(第一布里渊区或中心布里渊 区)。
12
定理证明
(1)平移算符Tα及其性质;
——1928 年布洛赫提出
一、定理内容:晶格具有平移对称性的单 电子哈密顿
2 2 H V (r ) 2m
的本征函数 ( r )可表示为
ik r (r ) e u(r )
其中
u(r ) u(r R) ,k 为简约波矢。
u( r ) 是一个具有晶格周期性的函数:
(2)定理证明。
13
(1)平移算符Tα及其性质
定义:平移算符Tα对于任意函数,都有:
T f (r ) f (r a ), 1,2,3;
性质1:平移算符Tα与Tβ互相对易。
性质2: TαTβ= Tα+β
性质3:平移算符Tα与H互相对易。
14
性质1:平移算符Tα与Tβ互相对易。
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