半导体工艺试卷(A)
半导体芯片制造工考试试题
半导体芯片制造高级工考试试题•一、填空题• 1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
• 2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。
砷化镓片用( 硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
• 3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
• 4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。
• 5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧结)等。
• 6. 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般( 大于)同类电极系统的楔刀焊接。
•7. 芯片焊接质量通常进行镜检和( 剪切强度)两项试验。
•8. 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合( 不合格)。
•9. 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内( 湿度)控制。
•10 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而( 可靠性)设计也包含在这三部分中间。
•11. 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，( 氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。
•12.微波混合集成电路是指工作频率从300 MHz～100 kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和( 集总参数)微波混合集成电路两类。
•13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
•14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。
半导体试题(A)
陕西科技大学试题纸课程半导体物理班级学号姓名一、选择题（15）1. 金属-半导体接触整流理论：扩散理论和热电子发射理论分别只适用于（）。
（A）厚阻挡层和薄阻挡层（B）薄阻挡层和厚阻挡层（C）正向厚阻挡层和正向薄阻挡层（D）反向厚阻挡层和反向薄阻挡层２突变耗尽层的条件是（）（A）外加电压和接触电势都降落在耗尽层上（B）耗尽层中的电荷是由电力施主和电力受主的电荷组成（C）耗尽层外的半导体是电中性的（D）（A）、（B）（C）３自补偿效应的起因是（）（A）材料中先以存在某种深能级杂质（B）材料中先以存在某种深能级缺陷（C）掺入的杂质是双性杂质（D）掺杂导致某种缺陷产生４某半导体中导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）。
（A）不含施主杂质（B）不含受主杂质（C）不含任何杂质（D）处于绝对零度５实际上，在非平衡条件下，往往起重要作用的是（）。
（A）多数载流子（B）少数载流子（C）多数和少数载流子（D）非平衡少数载流子６硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件。
（A）高可靠性（B）高反压（C）高频（D）大功率７欲在掺杂适度的无表面态ｎ型硅（W m=4.25eV）上做欧姆接触，以下四种金属中最适合的是（）．（A）In(W m=3.8eV) （B）Cr(W m=4.6eV) （C）Au(W m=4.8eV) （D）Al(W m=4.2eV)８在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其（）。
（A）禁带较窄（B）禁带是间接跃迁型（C）禁带较宽（D）禁带是直接跃迁型９. 公式 *m qBn C =ω中的m n *( )。
（A ）对硅取值相同 （B ）对ＧａＰ取值相同 （C ）对ＧａA Ｓ取值相同 （D ）对Ｇｅ取值相同 10. 轻空穴指的是（ ）。
（A ）质量较小的原子组成的半导体中的空穴（B ）价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 （C ）价带顶附近曲率较小的等能面上空穴 （D ）自施－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 11根据费米分布函数，空穴占据（E F +kT) 能级的几率（ ）。
半导体工艺原理测试题及答案大全
半导体工艺原理测试题及答案大全一、选择题（每题2分，共20分）1. 下列关于半导体材料的叙述中，错误的是：A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
B. 半导体材料的导电性随温度升高而增加。
C. 半导体材料的导电性受光照影响。
D. 半导体材料的导电性不受掺杂影响。
答案：D2. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 沉积薄膜B. 氧化C. 刻蚀D. 形成图案答案：D3. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 无掺杂D. 以上都是答案：D4. 氧化层在半导体工艺中的作用不包括：A. 保护B. 绝缘C. 导电D. 隔离答案：C5. 扩散工艺在半导体工艺中主要用于：A. 形成晶体管B. 形成绝缘层C. 形成金属层D. 形成氧化层答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 在半导体工艺中，____是形成晶体管PN结的关键步骤。
答案：扩散2. 半导体工艺中的氧化层通常采用____材料。
答案：二氧化硅3. 光刻胶在光刻过程中的作用是____。
答案：形成掩模4. 离子注入技术可以用于____掺杂。
答案：N型或P型5. 在半导体工艺中，____技术用于去除不需要的材料。
答案：刻蚀三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述CMOS工艺中晶体管的工作原理。
答案：在CMOS工艺中，晶体管的工作原理基于PN结的开关特性。
N型晶体管（NMOS）在栅极电压高于源极电压时导通，而P型晶体管（PMOS）在栅极电压低于源极电压时导通。
通过控制栅极电压，可以实现晶体管的开关控制。
2. 描述氧化层在半导体工艺中的作用。
答案：氧化层在半导体工艺中主要起到保护、绝缘和隔离的作用。
它可以保护硅片不受化学腐蚀，防止杂质扩散，同时作为绝缘层隔离不同的晶体管或电路元件，确保电路的稳定性和可靠性。
3. 离子注入技术在半导体工艺中的应用是什么？答案：离子注入技术在半导体工艺中主要用于掺杂，通过将掺杂原子注入硅片，可以精确控制掺杂的类型、浓度和深度，从而制造出具有特定特性的半导体器件，如晶体管、二极管等。
（最新）半导体芯片制造工初级职业资格鉴定理论试卷（a卷）
半导体芯片制造工初级职业资格鉴定理论试卷（A 卷）注 意 事 项1. 请首先按要求在试卷的标封处填写您的姓名、考号和所在单位的名称。
2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写您的答案。
3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在标封区填写无关内容。
一、单项选择(第1题～第40题。
选择一个正确的答案，将相应的字母填入题内的括号中。
每题2分，满分80分。
)1. 示波器中的扫描发生器实际上是一个（ ）振荡器。
A 、正弦波 B 、多谐 C 、电容三点式 D 、电感三点式2. 发电机的基本工作原理是:( )A 、电磁感应B 、电流的磁效应C 、电流的热效应D 、通电导体的磁场中受力 3. 下列属于轮廓控制型数控机床是（ ）A 、数控车床B 、数控钻床C 、加工中心D 、数控镗床 4. 在多极直流放大器中，对零点飘逸影响最大的是（ ） A 、前级 B 、后级 C 、中间级 D 、前后级一样5. 由基本RS 处发起组成的数码寄存器清零时，须在触发器（ ）A 、R _端加一正脉冲 B 、R_端加一负脉冲C 、S _端加一正脉冲 D 、S _端加一负脉冲6. 工时定额通常包括作业时间、布置工作地时间、（ ）与生活需要的时间、以及加工准备和结束时间等。
A 、辅助B 、休息C 、停工损失D 、非生产性工作时所消耗 7. 串励直流电动机的机械特性是（ ）A 、一条直线B 、双曲线C 、抛物线D 、圆弧线 8. JSS-4A 型晶体管h 参数测试仪的电源为：（ ）电源。
A 、交流 B 、脉动直流 C 、高内阻稳压 D 、低内阻稳压9. 使用JSS-4A 型晶体三极管测试仪时，在电源开关未接通前，先将电压选择开关、电流选自开关放在（ ）量程上。
A 、所需B 、最小C 、最大D 、任意10. 单项半桥逆变器（电压型）的每个导电臂有一个电力晶体管和一个二极管（ ）组成。
A 、串联 B 、反串联 C 、并联 D 、反并联 11. 简单逆阻型晶闸管斩波器的调制方式是（ ）。
半导体工艺习题01——A
半导体工艺01——A题号一二三四五总分分数评卷人一名词解释（18分）1.分辨率及焦深的定义。
分辨率：在光刻中，分辨率被定义为清晰分辨出硅片上间隔很近的特征图形对的能力（例如相等的线条和间距）。
R=kλ / NA （k—工艺因子0.6-0.8；λ—曝光波长；NA—数值孔径）焦深：焦点周围的一个范围，在这个范围内图像连续保持清晰，这个范围被称做焦深DOF。
DOF=λ / 2（NA*NA）2.什么是热退火？在一定的温度下，经过适当时间的热处理，则晶片中的损伤就可能部分或全部得到消除，少数载流子寿命以及迁移率也会不同程度的得到恢复，掺入的杂质也得到一定比例的电激活，这样的处理过程称为热退火。
3 什么是深紫外光刻胶的化学放大？随着一种基于化学放大的DUV波长光刻胶的引入，光刻胶技术发生了一个重大的变化。
化学放大的意思是对于那些DNQ线性酚醛树脂极大的增加它们的敏感性，所有的正性和负性248nm的光刻胶都可以化学放大；4.什么是金属化？列举几种金属化工艺金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。
金属化工艺包括蒸发、溅射、金属CVD、铜电镀5. 鸟嘴效应在局部氧化工艺过程中，由于氧化层比消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化生长将抬高氮化物的边缘，我们称这种现象为鸟嘴效应。
6.SOG、BPSG、FSG、CVD、CMP、RTP各是什么的缩写？旋涂玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃、化学气相淀积、化学机械平坦化、快速热处理1二填空（22分）1.常见的外延方法：汽相外延（VPE）、液相外延（LPE）、分子束外延（MBE）；2. 集成电路封装的4个重要功能有：保护芯片以免由环境和传递引起的损坏为芯片的信号输入和输出提供互连成一片芯片的物理支撑散热2.引线键合的方法有：热压键合超声键合热超声球键合4. CVD的五种类型：化学气相淀积（CVD）、电镀、物理气相淀积（PVD或濺射）、蒸发、旋涂方法；5.列出Si/SiO界面处的四种氧化物电荷：界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷、正氧化物陷阱电荷、负氧化物陷阱电荷6 主要的ESD控制方法有：防静电的净化间材料. ESD接地空气电离三简答（24分）1. 简述光刻的步骤1）气相成底膜处理。
东南大学半导体物理考研复习系列试题(A卷)
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(luobin 考研复习卷)
产生率 2.(15分) 如果稳定光照射在一块均匀掺杂的 n 型半导体中均匀产生非平衡载流子， 14 3 1 2 为 Gop 3 10 cm s ，且无外场作用，空穴迁移率 p 430cm / V s ， p 5us ， 半导体的长度远远大于空穴的扩散长度，如图所示。假设样品左侧存在表面复合，表面复 合率为 U s 7.5 10 cm s ，比例系数(表面复合速度)为 s 。
共 9 页 第 1 页 (luobin 考研复习卷)
位于导带底下方 0.026eV 处，半导体的状态为 __________ （填“简并” ， “弱简并” 或“非简并” ） ，判断的依据为 __________ 。 8. 强电场效应会使半导体器件的载流子速度达到饱和，还可能使载流子成为热载流子， 影响器件性能。半导体器件的热载流子由于具备高能量，常常会导致载流子 __________ ； 热 载 流 子 可 与 晶 格 发 生 碰 撞 电 离 ， 利 用 这 一 原 理 可 以 制 备 __________ 器件。 9. 早期锗硅等半导体材料常利用测其电阻率的办法来估计纯度，室温下较纯 Ge 样品的 电子迁移率 n 3900cm2 / V s ，锗原子密度 4.42 1022 cm3 ，若测得室温下电阻 率为 10 cm ，则利用此方法测得 n 型锗的掺杂浓度为 __________ ，这种测量方法 来估计纯度的局限性是 __________ 。 10. 金属的费米能级位于导带之上， n 型半导体与金属接触形成整流接触，那么半导体与 金属的功函数哪个大？ __________ 。由于半导体与金属之间存在整体载流子水平差 异，所以会产生载流子（电子）的扩散，形成内建电场；内建电场几乎全部建立在半 导体一侧的原因是 __________ 。具有整流接触的金-半接触称为肖特基接触，肖特基 结相比普通 pn 结， 在高频高速器件具有更重要的作用， 其原因在于肖特基接触不存在 电荷存储现象。肖特基接触不存在电荷存储现象的原因是 __________ 。制造 pn 结 可选用的技术主要有合金、扩散、外延生长、 __________ 等，用掺杂制作 pn 结克 服了金-半接触的一大缺点： __________ 。 11. 下图是 p 型半导体的能带图。三图中哪些图表明半导体存在电流？ __________ 。图
半导体设备工艺流程优化考核试卷
3. ABD
4. ABCD
5. AB
6. ABCD
7. AC
8. ABC
9. ABC
10. ABC
11. ABCD
12. ABABC
16. ABC
17. AC
18. AC
19. ABCD
20. AD
三、填空题
1. PN结
2.硅、锗
3.空穴
4.正性光刻胶、负性光刻胶
A.清洗
B.氧化
C.光刻
D.封装
2.在半导体制造过程中，下列哪种材料常用作绝缘层？（）
A.硅
B.硅氧化物
C.硅化物
D.砷化镓
3.下列哪种光刻技术分辨率最高？（）
A.接触式光刻
B.接近式光刻
C.投影式光刻
D.电子束光刻
4.下列哪个过程是去除半导体表面杂质的常用方法？（）
A.清洗
B.氧化
C.光刻
D.离子注入
B.光照
C.辐射
D.沟道长度
2.半导体设备工艺流程中，哪些步骤属于前道工艺？（）
A.清洗
B.氧化
C.光刻
D.封装
3.以下哪些材料可以用作半导体器件的绝缘层？（）
A.硅氧化物
B.硅化物
C.钽氧化物
D.多晶硅
4.下列哪些技术可以用于半导体器件的光刻过程？（）
A.接触式光刻
B.投影式光刻
C.电子束光刻
D.紫外线光刻
5.以下哪些方法可以用于半导体的掺杂？（）
A.离子注入
B.扩散
C.化学气相沉积
D.光刻
6.以下哪些因素会影响半导体器件的热稳定性？（）
A.材料的热导率
B.器件的尺寸
半导体工艺试卷及答案
XX电子科技大学研究生考试卷〔B卷〕考试课程《半导体工艺与技术》考试日期年月日成绩学院电子信息学院学号X X1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。
〔12分〕2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺点。
〔10分〕3、什么是LOCOS和STI？为什么在高级IC工艺中，STI取代了LOCOS？〔12分〕4、描述双大马士革铜布线〔图示〕。
〔12分〕5、列举光刻工艺流程。
〔12分〕6、列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。
〔10分〕7、列举离子注入和扩散的优缺点。
〔10分〕8、什么是CMP？列举CMP的优缺点。
〔10分〕9、列举并阐述三种以上未来32nm CMOS制造新工艺？〔12分〕共页第页1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。
〔12分〕答：闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管〔又称寄生可控硅，简称SCR〕被触发导通，在电源和地之间形成低阻抗大电流的通路，导致器件无法正常工作，甚至烧毁器件的现象。
这种寄生双极晶体管存在CMOS器件内的各个部分，包括输入端、输出端、内部反相器等。
当外来干扰噪声使某个寄生晶体管被触发导通时，就可能诱发闩锁，这种外来干扰噪声常常是随机的，如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。
闩锁效应往往发生在芯片中某一局部区域，有两种情况：一种是闩锁只发生在外围与输入、输出有关的地方，另一种是闩锁可能发生在芯片的任何地方，在使用中前一种情况遇到较多。
2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺点。
〔10分〕答：〔1〕原因：因为区熔法可以得到低至1011cm-1的载流子浓度。
区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。
柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料在结晶为为单晶。
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5、解释相移掩模（PSM）。（12分）
6、列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。（10分）
7、列举离子注入和扩散的优缺点。（10分）
8、什么是CMP？列举CMP的优缺点。（10分）
9、列举并简述三种以上32nm CMOS制造新工艺？（12分）
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杭州电子科技大学研究生考试卷（A卷）
考试课程
《Байду номын сангаас导体工艺》
考试日期
年月日
成绩
学院
电子信息学院
学号
姓名
1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。（12分）
2、为什么要用区熔法生长硅晶体？描述区熔法。（10分）
3、什么是LOCOS和STI？为什么在高级IC工艺中，STI取代了LOCOS？（12分）