硅片检验标准2016-2-1
IEC61215-2016-2-CN
3.术语和定义
❖ 就本文档而言，适用于IEC 60050和IEC TS 61836中给出的术语和定义，以及以下内 容。
❖ 3.1精度<测量仪器> 质量[≈VIM 5.18] ：表征测量仪器能够提供接近被测真实值的指示值。
✓ 参赛须知1: 这个术语用于“真实值”方法。 ✓ 参赛须知2: 当指示值与对应的真实值越接近时，准确性越好。 ✓ [来源：IEC 60050-311：2001，311-06-08]
✓ –通过相同的测量程序， ✓ –由同一位观察员 ✓ –使用相同的测量仪器， ✓ –在相同条件下使用， ✓ –在同一个实验室中
在相对较短的时间间隔内[≈VIM 3.6]。 注释1：“测量程序”的概念在VIM 2.5中定义。 [来源：IEC 60050-311：2001，311-06-06]
3.术语和定义
❖ 3.2 控制装置 辐照度传感器(如标准光伏模块)：用于探测太阳模拟器漂移和其他问题
❖ 3.3 电气稳定的功率输出水平 按照IEC 60721-2-1的定义，光伏组件在一般露天气候中，长期暴露在自然阳光下工作 的状态；
3.术语和定义
❖ 3.4 重复性repeatability<测量结果> 在相同的测量条件下进行的相同测量的连续测量结果之间的一致性的接近度，即：
IEC 61215-2 国际标准
Edition 1.0 2016-03 地面光伏组件设计鉴定和定型
第2部分:测试程序
老船主 2020-08-13
前言(摘要)
❖ 国际标准IEC 61215-2由IEC技术委员会82“太阳能光伏能源系统”制定。 ❖ IEC 61215-2的第一版取消并替代了IEC 61215（2005）的第二版和61646（2008）的
硅检检验标准培训
②根据<送检单>，查看已检数量和来料总数，确认待检数量。
38
2. 5S及工具交接 ①5S方面（ATM机器、地面、垃圾箱、桌面）是否干净整洁，各类物品 是否按规定区域有序摆放。 ②工具方面（推车、游标卡尺、外径千分尺、封箱器、计算器、塞尺、 同心度模板、花岗岩平台、面粗糙度计及其标准片、四探针测试 仪及其标准片，ATM机器校准片）是否完好无损，并且按规定区域 有序摆放。
2-2导电类型
导电类型：P型和N型； 目前我们执行的是P型工艺，N型为不合格； 测量仪器ATM机器。
10
2-3电阻率
电阻率： 用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率 ρ 单位 为欧姆·厘米 （ohm*cm ）
（单晶 ） 合格：0.5-3 让步：3-6 不合格：＞6或＜0.5 （多晶 ） 合格：0.5-3 无让步 不合格：＞3或＜0.5 测量仪器：四探针测试仪或ATM自动分选机 注：测试硅片中心点。
A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
3
1-1边长
边长（规格）：125S 156S 156E
合格范围：±0.5mm 例:125合格范围124.50-125.50 让步范围：±0.6mm 例:125让步范围124.40-124.49或125.51-125.60 不合格范围：＜-0.6或＞0.6mm 例:125不合格范围＜124.40或＞125.60
孪晶 不合格
未加工好 不合格
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3-7其它不良
裂纹 不合格
针孔 不合格
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硅片检验要求
1.只接受掺硼片，不接受掺镓片及氧施主片。 2.等外片、让步接收片中不允许有多种缺陷让步，否则作为不合格。 3.正品片试检合格率单晶＜95%、多晶＜98%，作为批退处理；合格率 单晶≥95%、多晶≥98%，进行试投。 4.等外品片试检合格率＜85%（包括单晶、多晶），作为批退处理；合 格率≥85%，进行试投。 5.硅片试检抽样 来料数量 抽检数量 ≤50000pcs 3000pcs 50001-100000pcs 6000-7000pcs ＞100000pcs 10000-12000pcs
硅片检验标准
菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容 中文
地面光伏组件——设计鉴定和定型第二部分：测试步骤1.范围和目的此国际标准系列基于IEC 规定了地面用光伏组件设计鉴定和定型的要求，该组件是在IEC 60721-2-1中所定义的一般室外气候条件下长期使用。
这部分IEC 61215适用于全部地面光伏组件材料，例如晶体硅光伏组件和薄膜组件。
本标准不适用于带聚光器的组件，尽管此项标准能可能用于低聚光组件（1-3个太阳光）。
对于低聚光组件，全部测试使用的电流，电压和功率等级均满足设计要求。
本试验程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能，表明组件能够在规定的气候条件下长期使用。
通过此试验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。
2.引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中全部或部分引用而构成了本标准的条文。
标注日期的标准，仅引用的版本有效。
未标注日期的标准，可使用最新版本标准（包括任何修订）。
IEC 60050，国际电工词汇（网址：）IEC 60068-1 环境测试-第一部分：总述和指导IEC 60068-2-21 环境测试-第2-21部分测试-测试U：引出端强度以及整体支架安装设备IEC 60068-2-78 环境测试-第2-78部分：测试Cab：湿热，稳定状态IEC 60721-2-1 环境状态的分类-第2-1部分：在自然条件下的环境状态-温度和湿度 IEC 60891 光伏设备-温度和辐照度的修正来测量I-V特性的步骤IEC 60904-1 光伏设备-第一部分：光电流-电压特性的测量IEC 60904-2 光伏设备-第二部分：光伏标准设备的要求IEC 60904-3 光伏设备-第三部分：地面光伏设备和标准光谱福照度数据的测量原则 IEC 60904-7 光伏设备-第七部分：光伏设备光谱错配修正的测量IEC 60904-8 光伏设备-第八部分：光伏设备光谱响应率的测量IEC 60904-9 光伏设备-第九部分：太阳光模拟器操作要求IEC 60904-10 光伏设备-第十部分：线性测试的方法IEC 61215-1 地面光伏组件-设计鉴定和定型-第一部分：测试要求IEC TS 61836 太阳光伏系统能量-术语，定义和符号IEC 61853-2 光伏组件测试结果和能量等级-第二部分：光谱响应，入射角，和组件操作测试温度IEC 62790 光伏组件的接线盒-安全要求和测试ISO 868 塑料和橡胶-通过硬度测验器测量压痕硬度（回跳硬度）3.术语和定义本文件的目的，术语和定义由IEC 60050和IEC TS 61836中给出，其他如下。
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容中文
IEC61215：2016-2地面光伏组件-测试内容中文地面光伏组件——设计鉴定和定型第二部分：测试步骤1.范围和目的此国际标准系列基于IEC规定了地面用光伏组件设计鉴定和定型的要求，该组件是在IEC -2-1中所定义的一般室外气候条件下长期使用。
这部分IEC 适用于全部地面光伏组件材料，例如晶体硅光伏组件和薄膜组件。
本标准不适用于带聚光器的组件，尽管此项标准能可能用于低聚光组件（1-3个太阳光）。
对于低聚光组件，全部测试使用的电流，电压和功率等级均满足设计要求。
本试验程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能，表明组件能够在规定的气候条件下长期使用。
通过此试验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。
2.引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中全部或部分引用而构成了本标准的条文。
标注日期的标准，仅引用的版本有效。
未标注日期的标准，可使用最新版本标准（包括任何修订）。
IEC ，国际电工词汇（网址：IEC -1情况测试-第一部分：总述和指导IEC-2-21环境测试-第2-21部分测试-测试U：引出端强度以及整体支架安装设备IEC -2-78情况测试-第2-78部分：测试Cab：湿热，稳定状况IEC -2-1情况状况的分类-第2-1部分：在自然前提下的情况状况-温度和湿度IEC 光伏设备-温度和辐照度的修正来测量I-V特征的步骤IEC -1光伏设备-第一部分：光电流-电压特征的测量IEC -2光伏设备-第二部分：光伏标准设备的要求IEC -3光伏设备-第三部分：地面光伏设备和标准光谱福照度数据的测量原则IEC -7光伏设备-第七部分：光伏设备光谱错配修正的测量IEC -8光伏设备-第八部分：光伏设备光谱相应率的测量IEC -9光伏设备-第九部分：太阳光模拟器操作要求IEC -10光伏设备-第十部分：线性测试的方法IEC -1地面光伏组件-设计鉴定和定型-第一部分：测试要求IEC TS 太阳光伏系统能量-术语，定义和符号IEC -2光伏组件测试结果和能量等级-第二部分：光谱相应，入射角，和组件操作测试温度IEC 光伏组件的接线盒-安全请求和测试ISO 868塑料和橡胶-通过硬度测验器测量压痕硬度（回跳硬度）3.术语和定义本文件的目的，术语和定义由IEC 和IEC TS 中给出，其他如下。
硅片检验标准
版本状态临时版文件名称硅片检验页码1/5编制/日期：审核/日期批准/日期：1．目的监测硅片质量，确保电池片质量稳定。
J2．适用范围适用于本公司品质部对所有来料硅片质量的监视和测量。
3．职责3.1 品质部负责制订硅片检验文件。
3.2 品质部负责来料硅片质量的控制。
4．检验4.1核对对照送检单，核对硅片的来源、规格和数量，供方所提供的参数、如电阻率、厚度、对角线长、边长。
检查供方出具的材质报告（碳含量、氧含量、晶向及位错密度），如有不符，须先与采购部沟通，无误后进行检验。
4.2 外观检验4.2.1用刀片划开封条，划时刀片不宜切入太深，刀尖深入不要超过5mm，防止划伤泡沫盒内的硅片。
塑封好的硅片，用刀尖轻轻划开热缩膜四个角，然后撕开热缩膜。
4.2.2 抽出两边的隔版，观察盒内有没有碎片，如有则要及时清理碎片。
4.2.3 检验时戴PVC手套。
从盒内拿出100片硅片（不得超过100片），先把硅片并齐并拢后观察硅片四边是否对齐平整,并用硅片模板进行对照，鉴别是否存在尺寸不对的现象，如不符合，则用游标卡尺测量，并及时记录于硅片外观检验原始记录表上。
4.2.4 再将100片硅片分出一部分使其旋转90度或180度，再并拢观察硅片间是否有缝隙，如有则说明有线痕或是TTV超标的现象。
将缝隙处的硅片拿出来，用MS-203测硅片上不固定的数点厚度(硅片边缘2-5cm以内取点),根据厚度结果确定是否超标。
将线痕、TTV超标片区别放置。
再观察四个倒角是否能对齐，如有偏差，对照硅片模板进行鉴别，把倒角不一致硅片分开放置。
并在硅片外观检验原始记录表上分别记录数量。
4.2.5 观察硅片是否有翘曲现象，翘曲表现为硅片放在平面上成弧形或是一叠硅片并拢后容易散开。
如有，则要把硅片放在大理石平面上，用塞尺测量其翘曲度，将翘曲度超标片区别放置，在硅片外观检验原始记录表上记录数量。
4.2.6 逐片检验硅片，将碎片、缺角、崩边、裂纹、针孔、污物、微晶（特指多晶硅片）等不合格品单独挑出，分别存放，并在硅片外观检验原始记录表上记录。
硅片检验SOP
晶体硅多晶硅片检验作业指导书
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1.目的
规范多晶硅片检验项目和判定准则，指导多晶硅片进料检验作业流程，控制多晶硅片的品质，提供符合生产需求的原材料。
2.范围
适用于正常购入及代加工的多晶硅片的检验判定
3.职责
3.1电池技术部负责编制多晶硅片技术要求。
3.2电池质量部负责下发受控多晶硅片技术要求文件至相关部门
3.3电池质量部负责根据技术要求编制多晶硅片检验标准
3.4电池质量部硅料检验员负责根据多晶硅片检验标准的要求操作。
4.内容
4.1多晶硅片基本检验要求
4.1.1 检验环境
室温、有良好光照（光照度≧700lux左右）
4.1.2 运输/储存要求
4.1.2.1 产品应储存在清洁、干燥的环境中，避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘
颗粒气氛。
4.1.2.2 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施4.1.3 核对相关信息
4.1.3.1收料凭证与供应商来料规格信息核对，外包装无破损。
4.1.3.2报料信息需与实物料号一致，数量、规格准确无误。
4.2晶体硅多晶硅片检验项目、术语定义、测量仪器、测试方法、判定基准
注：部分完整不良硅片（例如色差硅片、崩点硅片、轻微线痕等）根据客户要求考量是否投料。
硅片分级检验标准
项 目 等 级
尺寸要求
缺陷类型 厚片 薄片 翘曲度 弯曲度 电阻率 厚度公差 总厚度变化 220μm≤厚度≤225μm （中心点测量值） 175μm≤厚度≤180μm (中心点测量值） ≤30μm ≤100μm 1Ω.cm-3Ω*cm ±20μm ≤30μm 缺陷类型 崩边 线痕 密集线痕 划伤 TTV 应力片 表面清洁度 列痕 色差 亮点 硅脱 亮线 棱面黑斑黄斑 外形片 硅脱 崩 边 线痕 脏污 亮点 亮线 花斑 划伤 边缘 应力片 倒角黑印 大崩边 硅脱 手写缺陷
A 级
B 级
电阻率 厚片 77V 倒角差 菱形片 翘曲度 弯曲度
1Ω.cm-3Ω.cm 225＜厚度≤235μm（中心测量值） 30μm＜77V≤50μm ≥0.5μm 外凸-内凸≤1.0μm ≤200μm ≤20μm
C 级
电阻率 尺寸不Βιβλιοθήκη 翘曲度 弯曲度电阻率不分档 超B级规格上限于下限 ﹥200μm ﹥200μm
外观要求
深≤0.3㎜、长≤0.5㎜、数量≤2个 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 ≤30μm 无 表面无可见花斑、脏污 无 允许 ≤2个 直径＜0.5㎜、深度≤20μm、数量≤2个 数量≤2个 允许（包括四边及倒角脏污） ≤1.0μm（含边距，直径，倒角圆弧 尺寸不良） 深度≤30μm、直径＜0.5㎜、数量≤2个 长≤1㎜、深≤1㎜、数量≤2个 20μm≤单面线痕≤25μm同一位置双面线痕 深度相加＞30μm 允许 允许 允许 允许 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 允许 允许 允许 0.5㎜＜尺寸＜2㎜（少于3处）或0.3㎜≤深 ≤0.5、长度≤0.5、总数＞5个 尺寸＞0.5㎜，数量≤3个 不能归B级或D级部分又不能做原料回收的 其他不良：“C+缺名称”整盒包装标示清楚
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硅片检验标准
1 目的
规范多晶硅片检测标准。
2 适用范围
本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3 定义
3.1检测工具：
数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3.2检测术语
斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。
硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。
缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以内的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限
4.1 技术部负责制定硅片检验标准；
4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
5 正文
5.1 表面质量
表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查看B4（崩边），B7（线痕）、B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。
5.2 外型尺寸
几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。
如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。
5.3 电性能
依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。
硅片电阻率测量一点数值，当超出B级范围时，测量五个晶粒的电阻率，计算平均值X，以X值作为最终判定值。
5.4抽检方法
（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于0.5%。
每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。
（2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。
6 相关文件
无
7 相关记录
无
附表1：自检硅片检验项目及判定标准
附件1：B 级硅片分类及标识方法 按优先级B2至B9无重复排序标示如下： B2晶粒小，其它检验参数符合A 级品标准。
B3少子寿命以硅块少子寿命为标准。
B4小崩边，其它检验参数符合A 级品标准。
B5电阻率标准以硅块电阻率为标准。
B6 156mm*156mm 硅片划片后的125mm*125mm 硅片（以后存在划片可能）。
B7锯痕15～35μｍ或亮线B 级（参考《亮线判定标准》。
），其它检验参数符合A 级品标准。
B8 30μｍ<TTV ≤50μｍ,其它检验参数符合A 级品标准。
B9 表面沾污
如果存在两种以上的B 级缺陷，以级别较高的等级作为归类依据，优先级别排列如下：
附件2 ：硅片“亮线”的判定标准
2.1亮线片：硅片表面存在由于钢线直接和硅片摩擦出现的类似抛光的硅片。
2.1.1亮线处，测试深度小于10µm 的硅片 2.1.1.1单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为 B7 亮线面积小于硅片面积的1/2，为A 级 2.1.1.2双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7 亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级 2.1.2亮线处，测试深度10～20µm 的硅片 2.1.2.1单面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/4，为 B7 亮线面积小于硅片面积的1/4，为A 级 2.1.2.2双面亮线：
亮线面积大于硅片面积的1/2，为 不合格 亮线面积小于硅片面积的1/2，为B7
2.2黑色带状区：断线处理往复升降工作台或类似操作导致钢线带着砂浆将硅片表面摩擦，清洗后出现黑色矩形区域。
2.2.1 带状区小于20mm 硅片，按照附表1内检验标准判定；
2.2.2 带状区大于20mm 硅片，若满足附表1内A 、B 级标准，则判定为B ；不满足B 级标准的，判定为不合格；
注：检测亮线及黑色带状区域线痕深度使用自动分选设备。
附件3 TTV 测试点选取
TTV 测试5点，分别为硅片中心点和边角处距离边角各边10-15mm 处硅片厚度。
见下图：
附件4 崩边
崩边:硅片分选机在测量边缘崩边时受硅片厚度、光学衍射、成像精度限制，容易出现误判。
针对B4档硅片需要人工搓开硅片进行检测。
微晶：硅片上细小晶粒连续密集分布区域，使用带刻度光学放大镜进行检测。
此类硅片属于不合格硅片。
杂质片
硬点杂质：表现为硅片表面有凸起线痕，线痕上能够发现黑点。
硅片清洗后表面有絮状黑斑或者密集小黑点的，使用无水乙醇擦拭不能够去除为不合格硅片，此类硅片为不合格硅片。
孔洞片检测方法：
眼睛与硅片平面及光源成直线，距硅片40cm观察有无光线透过或者发现亮点。
若存在以上情况，挑选出来硅片为不合格产品。