硅片的等级标准
硅片检验标准2016-2-1资料
文件更改申请单编号：LW-CX-001-A1-03文件名称硅片检验标准文件编号LW-BZ-009-A1 申请部门铸切技术部申请人王伟批准人批准日期更改原因：1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、无2、156-156.73、无4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm个数不限更改后内容及条款1、增加硅片黑色带状区域要求2、155.8-156.73、增加表面玷污定义4、B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm，每片不得超过4处硅片检验标准1 目的规范多晶硅片检测标准。
2 适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3 定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。
3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。
硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。
缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以内的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。
4 职责权限4.1 技术部负责制定硅片检验标准；4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
硅片标准
≤80 μm 氧含量≤ 1x1018atoms/cm 3 ；碳含量≤ 1.5x1017atoms/c m3
目检
抽检
Nicolet6700
硅棒保证
编制：
审核：
批准：
太阳能单,多晶硅片质量等级分类方法 A 序号 1 2 检验项目 导电类型 A P A2 P B B1、B2、B3…B7 C D 检测方法 硅片分选设 备 硅片分选设 备 目测 检验方式 硅棒保证 抽检
隐裂、针孔 无隐裂、无针孔 无隐裂、无针孔 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤2 处； ≤30 μm 200±20 μm 125±0.5 mm/156±0.5 mm 150±0.5 mm/200±0.5 19.9722.13/14.4616.39mm 长度≤1 mm，深 度≤0.5 mm，每 片崩边总数≤3 处； B1— 1mm＜崩边 长度≤5mm，1mm ＜深度≤2mm，1 ＜崩边总数≤3 B2— 30μm＜ ≤30 μm TTV≤50μm； B3— 厚度偏差 200±20 μm 超过±20μm但小 于±40μm B4— 硅片尺寸 125±0.5 mm/156 偏差超过±0.5mm ±0.5 mm 但小于±1.0mm 150±0.5 mm/200 B5— 150± ±0.5 mm 1mm/200±1 mm 19.9722.13/14.4616.39mm
3
崩边
全检
4 5
TTV 厚度
MS-202 MS-203
抽检 抽检
6 7 8
边长 对角线 角长
游标卡尺 游标卡尺 / 目测、必要 时使用表面 粗糙度仪帮 助判定 四探针/RT110 少子寿命测 试仪
硅片检验标准
菱形片0.6-1.0㎜线痕片20-50um弯曲片0.5-0.8㎜（任意一条边以测量最大值计算）（凹进或凸出20-50um）（包括应力片）外形片0.6-1.0mm倒角偏差0.6-1.5mm超厚片220-250um (任意一角以测量最大值计算)（以任意两角最大值相加计算）超薄片150-160um硅晶脱落≤0.3mm 毛边≤0.3mm（双面缺损不在同一位置）尺寸不良124.50-126.00mm 尺寸不良148.00-149.50mm 尺寸不良150.50-151.50mm（两边相差不超过1.0mm ）B 等品电阻率6-10Ω.cm台阶片≤20um厚薄不均最薄不低于150um 最厚不超过280um TTV50-70um边道翘曲0-80um 边道翘曲边缘测量值280umC等品倒角偏差1.5-2.0mm外形片1.0-2.0mm菱形片1.0-1.5mm（以任意两角最大值相加计算）(任意一角以测量最大值计算)（任意一条边以测量最大值计算）线痕片50-80um超厚片250-280um硅晶脱落≤0.5mm（凹进或凸出）（双面缺损不在同一位置）C 等品毛边≤0.5mm尺寸不良124.00-124.50mm尺寸不良126.00-127.00mm尺寸不良151.50-153.00mm 尺寸不良146.50-148.00mm 电阻率退火后6-10Ω.cmC等品边道翘曲80-150um边道翘曲边缘测量值350um厚薄不均150-280um TTV70-100um不合格品倒角偏差＞2.0mm外形＞2.0mm硅晶脱落＞0.5mm毛边＞0.5mm超薄片＜150um弯曲＞0.8mm电阻率＞10Ω.cm电阻率＜0.5Ω.cm超厚片＞280um边道翘曲＞150um孪晶片台阶片＞20um线痕＞80um缺角孔洞外形〉2.0mm隐裂纹。
太阳能多晶硅片质量等级分类方法
BA1A2B1、B2、B3…B91导电类型P P硅片分选设备抽检2隐裂、针孔无隐裂、无针孔无隐裂、无针孔硅片分选设备抽检3崩边长度≤1 mm，深度≤0.5 mm，每片崩边总数≤2 处；长度≤1 mm，深度≤0.5mm，每片崩边总数≤2 处；B1— 1mm＜崩边长度≤5mm，1mm＜深度≤2mm，1＜崩边总数≤3目测全检4TTV ≤30 μm ≤30 μm B2— 30μm＜TTV≤50μm；硅片分选设备抽检5厚度200±20 μm 200±20 μm B3— 厚度偏差超过±20μm但小于±40μm硅片分选设备抽检6尺寸156±0.5 mm 156±0.5 mm B4— 硅片尺寸偏差超过±0.5mm但小于±1.0mm 硅片分选设备抽检7倒角1±0.5 mm、45°±10º1±0.5 mm、45°±10ºB5— 倒角尺寸偏差超过±0.5mm但小于±0.8mm 硅片分选设备抽检8线痕深度≤8 μm 深度≤15 μmB6— 15μm＜深度≤30μm目测、必要时使用表面粗糙度仪帮助判定全检9电阻率0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cm0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cmB7— 电阻率＜0.5Ω.cm硅片分选设备抽检10少子寿命≥2μs≥2μsB8— 0.5μs≤少子寿命＜2μs少子寿命测试仪按硅块检验规程进行抽检11表面质量状况硅片表面及侧面无凹坑，无沾污，无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；硅片表面及侧面无凹坑，无明显沾污（表面沾污总面积小于3mm 2，每一百片单边侧面沾污总面积小于20mm 2）（判断时参照沾污样本片进行判定），无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；B9— 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑；油点或其他赃物不得有3处，每处沾污或其他赃物面积≤1mm2目测全检12弯曲度≤80 μm ≤80 μm ≤80 μm塞尺抽检13氧碳含量氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm3氧含量≤8x1017atoms/cm 3；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧碳含量测试仪客户要求时才抽检检测方法检验方式可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级表1 太阳能多晶硅片质量等级分类方法序号检验项目A CD。
prime级硅片 参数
prime级硅片参数【原创实用版】目录1.引言2.Prime 级硅片的定义和重要性3.Prime 级硅片的参数4.结语正文【引言】在半导体制造领域，硅片作为基础材料，其质量和性能直接影响到集成电路的性能和可靠性。
其中，Prime 级硅片作为高品质硅片，在半导体制造中具有举足轻重的地位。
本文将对 Prime 级硅片的参数进行详细介绍。
【Prime 级硅片的定义和重要性】Prime 级硅片是指在硅片生产过程中，通过严格控制各种参数，使其达到较高品质的硅片。
这种硅片具有低缺陷密度、高电子迁移率、良好的热稳定性和可靠性等优点，被广泛应用于高性能计算、通信、汽车电子等领域。
Prime 级硅片的出现，极大地推动了半导体技术的发展，提高了集成电路的性能和可靠性。
【Prime 级硅片的参数】Prime 级硅片的参数主要包括以下几个方面：1.厚度：硅片的厚度是其重要参数之一，通常根据实际应用需求来选择。
较薄的硅片可以降低成本、减少重量，但可能会影响其机械强度和可靠性；较厚的硅片则具有较好的机械性能和可靠性，但成本较高。
2.尺寸：硅片的尺寸也对其性能和应用产生影响。
一般来说，较大的硅片可以提高生产效率，降低成本，但可能会影响其均匀性和可靠性；较小的硅片则可以提高集成度，提高性能，但成本较高。
3.纯度：硅片的纯度是衡量其质量的重要指标。
高纯度的硅片可以降低缺陷密度，提高电子迁移率，从而提高集成电路的性能和可靠性。
4.缺陷密度：缺陷密度是评价硅片质量的重要指标。
低缺陷密度可以提高硅片的可靠性和性能。
5.电子迁移率：电子迁移率是衡量硅片导电性能的参数。
高电子迁移率的硅片具有较高的导电性能和较低的功耗。
6.热稳定性：热稳定性是衡量硅片在高温环境下性能变化的参数。
良好的热稳定性可以保证硅片在高温环境下仍具有较高的可靠性和性能。
【结语】总之，Prime 级硅片作为高品质硅片，其各项参数对半导体制造和集成电路性能具有重要影响。
硅片检验标准
好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01单晶硅片检验标准.版本号：A/1 页码：第1页共4页生效日期：2009-7-15一、目的为明确产品质量要求，加强产品质量管控，使公司单晶生产成品执行的检测工作有据可依，特制定本标准。
二、适用范围适用于线切割后太阳能级单晶硅片的品质检验。
三、主要内容1、检测环境要求：温度18～28℃，湿度不大于60%。
2、硅片分类原则：项目内容A符合《硅单晶切割片企业内控标准》的硅片B物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、边缘、色差、外圆未磨光、尺寸不良（边长、对角线）、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－B级品判定标准C物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、尺寸不良（边长、对角线）、应力、花片、污片、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－C级品判定标准不合格品物理性能不合格或缺角、缺口、亮点、穿孔；备注：电阻率按照0.5~1Ω.cm，1~3Ω.cm，3~6Ω.cm单独包装入库2、判定标准（见下表）：批准审核编制修改履历页码内容状态备注受控好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01 单晶硅片检验标准版本号：A/1页码：第2页 共4页生效日期：2009-7-15内容 项目检测标准A等外品不合格品备注BC厚度T 及 厚度偏差TV 总厚度变化TTV WARP ：① 180u m ±20 u m ； ② 200 u m ±20 u m ③ TTV ≤30um ； ④warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um其中厚度T 为硅片中心点厚度，TV 为一批硅片中心点厚度偏差，TTV 同一张硅片厚度最大值减去最小值，warp 为硅片的翘曲度。
硅片标准集合
硅片厚度
A级片标准 任意点厚度在180±18um， 95%中心点厚度在180±10um 任意点厚度在190±18um， 95%中心点厚度在190um±10um 任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um 任意点厚度在180±18um， 95%中心点厚度在180±10um
02
02 01
02
厚度总偏差 翘曲 线痕 崩边、边缘 应力 色差 尺寸 未磨光 倒角差 污片
TTV≤30um warp≤50um 单面线痕深度小于15um，不允许在1cm内有5条以上 允许周长＜1mm深0.5mm的崩边数目不多于两个；深 无 不允许有由于切片中引起的色差（参照样片） 尺寸、对角线公差±0.5mm 无 ≤0.5mm 不允许有可见的污点、污斑 电阻率 1~3Ω.cm，3~6Ω.cm [O] ≤20ppma [C]≤5ppma г≥10μs 在正常检验条件下（正常灯 光和方向） 在客户特殊要求时，按客户 要求执行 ASTM 83 标准 FTIR检测
200um 180um
156×156×200
8'掺硼
190um 200um
任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um 任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um 任意点厚度在180±18um， 95%中心点厚度在180±10um 任意点厚度在190±18um， 95%中心点厚度在190um±10um 任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um
任意点厚度在190±18um， 95%中心点厚度在190um±10um 任意点厚度在200±18um， 95%中心点厚度在200±10um 任意点厚度在180±18um， 95%中心点厚度在180±10um
硅片分级检验标准
项 目 等 级
尺寸要求
缺陷类型 厚片 薄片 翘曲度 弯曲度 电阻率 厚度公差 总厚度变化 220μm≤厚度≤225μm （中心点测量值） 175μm≤厚度≤180μm (中心点测量值） ≤30μm ≤100μm 1Ω.cm-3Ω*cm ±20μm ≤30μm 缺陷类型 崩边 线痕 密集线痕 划伤 TTV 应力片 表面清洁度 列痕 色差 亮点 硅脱 亮线 棱面黑斑黄斑 外形片 硅脱 崩 边 线痕 脏污 亮点 亮线 花斑 划伤 边缘 应力片 倒角黑印 大崩边 硅脱 手写缺陷
A 级
B 级
电阻率 厚片 77V 倒角差 菱形片 翘曲度 弯曲度
1Ω.cm-3Ω.cm 225＜厚度≤235μm（中心测量值） 30μm＜77V≤50μm ≥0.5μm 外凸-内凸≤1.0μm ≤200μm ≤20μm
C 级
电阻率 尺寸不Βιβλιοθήκη 翘曲度 弯曲度电阻率不分档 超B级规格上限于下限 ﹥200μm ﹥200μm
外观要求
深≤0.3㎜、长≤0.5㎜、数量≤2个 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 15μm≤单面线痕≤20μm同一位置 双面线痕深度相加≤30μm 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 ≤30μm 无 表面无可见花斑、脏污 无 允许 ≤2个 直径＜0.5㎜、深度≤20μm、数量≤2个 数量≤2个 允许（包括四边及倒角脏污） ≤1.0μm（含边距，直径，倒角圆弧 尺寸不良） 深度≤30μm、直径＜0.5㎜、数量≤2个 长≤1㎜、深≤1㎜、数量≤2个 20μm≤单面线痕≤25μm同一位置双面线痕 深度相加＞30μm 允许 允许 允许 允许 长≤0.2㎜、宽≤0.2㎜、数量≤2个 允许 允许 允许 0.5㎜＜尺寸＜2㎜（少于3处）或0.3㎜≤深 ≤0.5、长度≤0.5、总数＞5个 尺寸＞0.5㎜，数量≤3个 不能归B级或D级部分又不能做原料回收的 其他不良：“C+缺名称”整盒包装标示清楚
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硅片的检测
1：硅片表面光滑洁净
2：TV：220±20um 。
3：几何尺寸：
边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；
边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm；
边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3
二、合格品
一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5
二级品：1：表面有少许污渍、线痕。
凹痕、轻微崩边。
2：220±30um ≤TV≤220±40um。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um
4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：
边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；
边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm；
边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8
三级品：
1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。
2：220±40um ≤TV≤220±60um。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品
严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。
崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片
气孔片：硅片中间有气孔
外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm
菱形片：（垂直度）：任意两边的夹角＞90°±0.8
凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30um
脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑
尺寸偏差片：几何尺寸超过二级片的范围。
注：以上标准针对的硅片厚度为220um 。
硅片等级分类及标准（150*150）
一、优等品（Ⅰ类片）
1、物理、化学特性
①型号：P 晶向[100]±1°
②氧含量：≤1.0X1018at/cm3
③碳含量：≤5X1016 at/cm3
④勺子寿命：T=1.3—3.0us（在测试电压≥20mv下裸片的数据）
⑤电阻率：0.9—1.2、1。
2—3.0 、3.0-6.0Ω/cm
⑥位错密度：≤3000个/cm
2、几何尺寸：
①边长：125*125±0.5mm
②对角：150*150±0.5mm
③同心度：任意两弧长之差≤1mm
④垂直度：任意两办的夹角90°±0.3°
⑤厚度：200±20 um，（中心点厚度≥195um，边缘四角厚度≥195um）
180±20 um，（中心点厚度≥175um，边缘四角厚度≥160um）
⑥TTV: ≤30um
⑦弯曲度：≤40um
3、表明指标：
①线痕：无可视线痕
②目视表面：无粘污、无水渍、染色、白斑、指印等
③无崩边：无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲
二、合格品（Ⅱ类片）
2、物理、化学特性
①型号：P 晶向[100]±1°
②氧含量：≤1.0X1018at/cm3
③碳含量：≤5X1016 at/cm3
④勺子寿命：T=1.3—3.0us（在测试电压≥20mv下裸片的数据）
⑤电阻率：0.5-0.8Ω/cm
⑥位错密度：≤3000个/cm
2、几何尺寸：
①边长：125*125±0.5mm
②对角：150*150±0.5mm
③同心度：任意两弧长之差≤1.5mm
④垂直度：任意两办的夹角90°±0.3°
⑤厚度：200±20 um，（中心点厚度≥195um，边缘四角厚度≥180um）
180±20 um，（中心点厚度≥175um，边缘四角厚度≥160um）
⑥TTV: ≤30um
⑦弯曲度：≤40um
3、表明指标：
①线痕：无明显线痕、触摸无凹凸感。
③崩边范围：崩边口不是“V”型，长X 深≤1X0.5mm ，无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲
三、等外品（Ⅲ类片）
3、物理、化学特性
①型号：P/N 晶向[100]±3°
②氧含量：≤1.0X1018at/cm3
③碳含量：≤5X1016 at/cm3
④勺子寿命：T＜1.0us（在测试电压≥20m下裸片的数据）
⑤电阻率：≤0.5Ω/cm
⑥位错密度：＞3000个/cm
2、几何尺寸：
①边长：125*125±1.0mm
②对角：150*150±1.0mm
③同心度：任意两弧长之差≤1.5mm
④垂直度：任意两办的夹角90°±0.5°
⑤厚度：＜160um
3、表明指标：
①有明显视线痕，触摸有凹凸感。