ADS实验报告
ADS理想微带线试验
实验一理想微带传输线特性阻抗模拟ㄧ、原理说明一般常见的电子电路都是以集总模式(lumped mode)来描述电路的行为，主要的假设是电路的工作波长远大于实际电路尺度的大小，在频率很低时可以得到相当正确的近似。
然而电路工作频率变高时，也就是说工作波长与实际电路尺度大小差不多时，以集总模式来描述电路的行为其误差相当大，因此必须以分布式模式(distributed mode )来考虑电路的行为，分布式模式的做法是将电路分成很小的片段，每一小片段可用电阻、电容及电感代表小片段的电路的行为，将每一小片段整合起来即为整个电路的行为。
图1.1为传输线的等效电路图，根据此图可列出电压在x+ x与x处的电压差方程式，配合图 1.1 传输线的等效电路图(,)(,)(,)(,)()(,)()(1-1)(,)(,)(,)(,)()(,)() (1-2)i x t v x x t v x t v x t R x i x t L x tv x x t i x x t i x t i x t G x v x x t C x t ∂+∆-=∆=-∆-∆∂∂+∆+∆-=∆=-∆+∆-∆∂(,)(,)(,) (1-3)(,)(,)(,) v x t i x t Ri x t L x t i x t v x t Gv x t C x t∂∂=--∂∂∂∂=--∂∂ (1-4)222222(,)(,)(,)(1-5)(,)(,)(,)v x t i x t i x t R L x x x t i x t v x t v x t G C t x t t∂∂∂=--∂∂∂∂∂∂∂=--∂∂∂∂ (1-6)22222222(,)(,)(,)()(,)0 (1-7)(,)(,)(,)()(,)0 (1-8)v x t v x t v x t RC LG LC RGv x t x t t i x t i x t i x t RC LG LC RGi x t x t t∂∂∂-+--=∂∂∂∂∂∂-+--=∂∂∂(,)Re[()] (1-9)(,)Re[()] jwt jwt v x t V x e i x t I x e == (1-10)α为衰减常数(attenuation constant)而β为相位常数，而Z o ，定义为R=G=0，所以γ=j β=jw(LC)1/2，传输线阻抗(characteristic impedance)及传输延迟时间1.2222222()()()()()0 (1-11)()()()()()0 (1-12)d V x jw RC LG V x RG w LC V x dx d I x jw RC LG I x RG w LC I x dx-+--=-+--=222222()()0 (1-13)()()0 (1d V x V x dx d I x I x dxγγ-=-=2-14)where wave propagation constant(R jwL)(G jwC)γ=++222()()0 () (1-15)()() (1-16)x xd V x V x V x Ve V e dt R jwL G jwC j γγγγαβ-+--=⇒=+=++=+--++--+--++=+=+=-+=+-=+-=VjwLR I V jwLR I e I e I e V e V jwL R dx x dV jwL R x I x I jwL R dxx dV xx x x γγγγγγγ , )()(1)()()()(jwCG jwL R jwL R I V I V Z ++=+===--++γ0LCT CLZ d o == ,负载端的反射系数(reflection coefficience)，ΓL沿着为若负载端接上Z L 的负载，则负载端的反射系数ΓL 及传输线路的径阻抗Z(x)为输入端的阻抗Z in 为xL xx x xx e eV V e V e V x V incident x V reflected x e V e V x V γγγγγγ22 )()()()(Γ====Γ+=+--+---+)0(Γ==Γ+-VV L rxL xrxL x rx L xrx L x e e e e Z x I x V x Z e e Z V x I e e V x V Γ-Γ+==Γ-=Γ+=---+-+γγγγ00)()()()()()()()(1)(1)(|| and 110x x Z x Z Z Z Z Z e ΓZ Z L L j L L L L L Γ-Γ+=+-=Γ=Γ-Γ+=φ图1.2 具有终端负载的传输线l jZ Z ljZ Z Z e Z Z e Z Z e Z Z e Z Z Z e e e e Z l Z Z L L lL l L lL l L lL l l L l in ββγγγγγγγγtanh tanh )()()()()(000000000++=--+-++=Γ-Γ+=-=----对于无损失之传输线输入端的阻抗Z in 为传输线长度、讯号频率、终端负载及传输线特性阻抗的函数。
ADS设计混频器 1
ADS 设计混频器实验报告1.实验原理图1为一微带平衡混频器，其功率混合电路采用3dB 分支线定向耦合器，在各端口匹配的条件下，1、2为隔离臂，1到3、4端口以及从2到3、4端口都是功率平分而相位差90°。
图1设射频信号和本振分别从隔离臂1、2端口加入时，初相位都是0°，考虑到传输相同的路径不影响相对相位关系。
通过定向耦合器，加到D1，D2上的信号和本振电压分别为： D1上电压)2cos(1πω-=t V v s s s 1-1)cos(1πω-=t V v L L L 1-2D2上电压)cos(2t V v s s s ω= 1-3)2cos(2πω+=t V v L L L 1-4可见，信号和本振都分别以2π相位差分配到两只二极管上，故这类混频器称为2π型平衡混频器。
由一般混频电流的计算公式，并考虑到射频电压和本振电压的相位差，可以得到D1中混频电流为：∑∑∞-∞=∞-+-=m n L s m n t jn t jm I t i ,,1)]()2(exp[)(πωπω同样，D2式中的混频器的电流为：∑∑∞-∞=∞++=m n L s m n t jn t jm I t i ,,2)]2()(exp[)(πωω当1,1±=±=n m 时，利用1,11,1-++-=I I 的关系，可以求出中频电流为：]2)cos[(41,1πωω+-=+-t I i L s IF1.2主要的技术指标有：1、噪音系数和等效相位噪音(单边带噪音系数、双边带噪音系数)；2、变频增益，中频输出和射频输入的比较；3、动态范围，这是指混频器正常工作时的微波输入功率范围；4、双频三阶交调与线性度；5、工作频率；6、隔离度；7、本振功率与工作点。
1.3设计目标：射频：3.6 GHz，本振：3.8 GHz，噪音：<15。
2.具体设计过程2.2 3dB定向耦合器设计结果如下图所示输出端口间的相位差同样的办法可以看到输出端口的相位差、输入端口的隔离度、输入端口的回波损耗等。
实验1 ADS
实验1 ADS1.2 开发环境使用1、实验目的熟悉 ADS1.2 开发环境，使用 ADS 编译、调试并跟踪一段已有的程序了解嵌入式开发的基本思想和过程2、实验内容本次实验学习使用ADS集成开发环境。
新建一个简单的工程文件，并编译这个工程文件。
ARM仿真器的使用和开发环境的设置。
学会在程序中设置断点，观察系统内存和变量，为高调试应用程序打下基础。
3、预备知识所需的预备知识为：C语言的基础知识、程序调试的基础知识和方法。
4、实验设备及工具硬件：PC机软件：Windows 操作系统、ADS1.2集成开发环境5、实验原理5.1交叉开发环境概述嵌入式系统通常是一个资源受限的系统，因此直接在嵌入式系统的硬件平台上编写软件比较困难，有时候甚至是不可能的。
目前一般采用的解决办法是首先在通用计算机上编写程序，然后通过交叉编译生成目标平台上可以运行的二进制代码格式，最后再下载到目标平台上的特定位置上运行。
需要交叉开发环境（Cross Development Environment）的支持是嵌入式应用软件开发时的一个显著特点，交叉开发环境是指编译、链接和调试嵌入式应用软件的环境，它与运行嵌入式应用软件的环境有所不同，通常采用宿主机／目标机模式，如图1所示。
图 1 交叉开发环境交叉开发环境的组成要素：宿主机（Host）是一台通用计算机（如 PC 机或者工作站），它通过串口或者以太网接口与目标机通信。
宿主机的软硬件资源比较丰富，不但包括功能强大的操作系统（如Windows和Linux），而且还有各种各样优秀的开发工具（如 WindRiver的Tornado、Microsoft 的Embedded Visual C++等），能够大大提高嵌入式应用软件的开发速度和效率。
目标机（Target）一般在嵌入式应用软件开发期间使用，用来区别与嵌入式系统通信的宿主机，它可以是嵌入式应用软件的实际运行环境，也可以是能够替代实际运行环境的仿真系统，但软硬件资源通常都比较有限。
射频ADS软件使用
实验1 ADS软件使用
实验目的：
熟悉ADS软件的使用，掌握利用ADS软件仿真晶体管特性与传输线特性的方法，通过仿真加深对于传输线特性的理解。
实验内容：
1．晶体管特性的仿真
仿真晶体管NPTB00004的直流特性。
（转移特性与输出特性）
2．传输线特性仿真
(a)仿真如下两个电路原理图，观察电压波形vv，解释结果差异。
(b)改变传输线的特性阻抗与电长度，观察电压波形vv。
如果电长度为θ=90°，特性阻抗为70.71Ω，观察电压波形vv并解释其变化原因。
3. 仿真如下电路，观察波形vv；如果θ=0°，观察波形vv，并解释变化原因。
将开路线TLOC变为短路线TLSC，观察θ为0°和90°时的电压vv波形，解释变化原因。
实验结果仿真图：
1、晶体管特性的仿真
图（1）实验原理图
图（2）晶体管直流特性
图（3）晶体管直流特性
图（4）晶体管直流特性
2、传输线特性仿真
图（1）传输线特性仿真
图（2）改变阻抗后的传输线特性仿真3. 开路线TLOC和短路线TLSC仿真
图（1）开路线TLOC原理图
图（2）开路线TLOCθ=0时电压波形图
图（3）开路线TLOCθ=90时电压波形图
图（4）短路线TLSC原理图
图（5）短路线TLSCθ=0时电压波形图
图（6）短路线TLSCθ=90时电压波形图
实验心得：
通过这次实验，我熟悉了ADS软件的使用，也掌握利用了ADS软件仿真晶体管特性与传输线特性的方法，通过这次仿真，使我更加深了对于传输线特性的理
解。
电子电路设计(ADS)实验报告
电子电路设计实验（一）实验报告一、实验名称：低通滤波器的设计二、低通滤波器的作用及组成：低通滤波器就是让某一频率以下的信号分量通过，而对该频率以上的信号分量大大抑制的电容、电感与电阻等器件的组合装置。
低通滤波器容许低频信号通过, 但减弱(或减少)频率高于截止频率的信号的通过。
三、仿真原理图：四、仿真过程：1、建立工程，编辑工程文件。
选择电容、电感、电阻、接地和Simulation-S_Param 元器件，放置在合适的位置，用导线连接各元件（详见仿真电路图）。
2、设置S参数控件参数。
双击S参数控件，打开参数设置窗口，将“Step-size”设置为0.5GHz，在【display】选项卡勾选需要显示的参量，单击OK,保存退出。
3、显示仿真数据。
执行菜单命令【Simulate】/【Simulate】，开始仿真，显示相关的状态信息。
选择矩形图图标以方块图显示数据，选择S（2,1）参数，显示低通滤波器的响应曲线。
执行菜单命令【Marker】/【New】，将三角标志放置到仿真曲线上。
4、保存数据窗口。
5、调整滤波器电路。
调整原理图显示方式，使其与当前窗口的大小相适应，单击调谐图标，选中L1和C2，在数据窗口调节L1和C2的值，在调节过程中，单击“Update Schematic”按钮更新原理图中相应元件的参数值。
在调整到仿真曲线达到技术指标后，保存参数退出。
五、仿真结果：六、实验总结：通过本次实验，我初步掌握了ADS2009仿真软件的使用方法，并按要求使用该软件设计了一个低通滤波器，而且仿真成功，得到了理想的实验数据。
在实验操作过程中，我逐渐熟悉了ADS20009仿真软件的各项功能，并且能够熟练操作，这为将来使用该仿真软件打下了基础。
电子电路设计实验（二）实验报告1、 实验名称：直流仿真2、直流仿真介绍：直流仿真用于测试所设计电路的直流工作点特性，可以检测电路的拓扑结构、功耗等。
对于交流仿真和S参数仿真，直流仿真用于确定非线性元件的线性模型。
实验1使用ADS
Processor Views菜单：利用该菜单可以进行处理器状态观察，查看寄存器、内存等。
（1）“Memory”选项：查看存储器内容。
（2）“registers ”：列出所有寄存器，双击可以进行修改，修改后按回车键
（3）“disassembly”：显示当前映像文件的反汇编代码（由此可知代码的存放位置）
1.Target选项设置
Targetsettings设置以下内容：
Target Name文本框显示了当前的目标设置。
Linker选项：选择的ARM Linker
Post-Linker：本实验只是用ADX进行调试，选择none
nguage Settings
（1）设置armasm
Target选项卡下的设置内容：
;fiq mode
MRS r0,CPSR
BIC r0,r0,#0x1F
ORR r0,r0,#0x11
MSR CPSR_c,r0
MOV r8,#16
MOV r9,#17
MOV r10,#18
MOV r11,#19
MOV r12,#20
MOV r13,#21
MOV r14,#22
;svc mode
MRS r0,CPSR
RW Base对于简单连接方式，不需输入RW Base值
Options标签页：
Image entry point文本框：它指定映像文件的初始入口点地址值，例如-entry 0x0
Layout标签页的设置
Object/Symbol处填写其目标文件名ARMMode.o，在Section处填写程序入口的起始段名。它的作用是通知编译器，整个项目的开始运行，是从该段开始的。
实验一 ADS开发环境实验
实验一ADS开发环境实验一、实验目的1、熟悉ADS开发环境中CodeWarrior for ARM Developer Suite组件的应用；2、掌握使用ADS开发环境编译工程项目的方法；3、了解S3C44B0工程基本结构和基础内容。
二、实验内容1、熟悉ADS开发环境及其中的CodeWarrior for ARM Developer Suite组件；2、编译原有工程文件；3、新建工程文件。
三、实验设备1、硬件：JX44B0实验板；PC机；2、软件：PC机操作系统（WINDOWS 2000）;ARM Developer Suite v1.2；四、基础知识1、了解ARM体系结构；2、了解ARM汇编语言；3、掌握C、C++语言。
五、实验说明1、ADS简介ADS是一个使用方便的集成开发环境，全称是“ARM Developer Suite v1.2 ”，它是由ARM公司提供的专门用于ARM相关应用开发和调试的综合性软件。
在易用性上比上一代的SDT开发环境有较大提高，是一套功能强大又易于使用的开发环境。
ADS囊括了一系列的应用，并有相关的文档和实例的支持。
使用者可以用它来编写和调试各种基于ARM家族RISC处理器的应用。
你可以使用ADS来开发、编译、调试采用包括C、C++和ARM汇编语言编写的程序。
ADS主要由以下部分构成：——命令行开发工具；——图形界面开发工具；——各种辅助工具；——支持软件。
我们在本实验指导书中用到了“CodeWarrior for ARM Developer Suite”和“AXD Debugger”两个部件。
其中CodeWarrior for ARM Developer Suite用于生成和编译工程，AXD Debugger用于下载和调试工程项目。
本节实验讲解使用CodeWarrior for ARM Developer Suite 编译生成工程项目。
AXD Debugger将在下一节使用。
通信电子电路—ADS仿真 实验报告
《通信电子电路—ADS仿真》实验报告专业：班级：姓名：学号：教师：时间：实验项目实验一电路模拟基础实验二直流仿真和建立电路模型实验三交流（AC）仿真实验四 S参数仿真与优化Agilent公司推出的ADS软件以其强大的功能成为现今国内各大学和研究所使用最多的软件之一。
ADS电子设计自动化(EDA软件全称为Advanced Design System)是美国安捷伦（Agilent）公司所生产拥有的电子设计自动化软件；ADS功能十分强大，包含时域电路仿真（SPICE-like Simulation）、频域电路仿真（Harmonic Balance Linear Analysis）、三位电磁仿真（EM Simulation）、通信系统仿真（Communication System Simulation）和数字信号处理仿真软件（DSP）；支持射频和系统设计工程师开发所有类型的RF设计，从简单到复杂，从离散的射频/微波模块到用于通信和航天/国防的集成MMIC，是当今国内各大学和研究所使用最多的微波/射频电路和通信系统仿真软件。
在本次实验中采用的软件版本为ADS2006。
实验一：实验名称：电路模拟基础实验目的：●建立一个新的项目和原理图设计●设置并执行S参数模拟●显示模拟数据和储存●在模拟过程中调整电路参数●使用例子文件和节点名称●执行一个谐波平衡模拟●在数据显示区写一个等式实验电路图：仿真过程：（1）.建立一个项目，设计一个原理图，按照实验要求书上的规则说明寻找到所需要的集中参数原件库原件，放置好电容电感等之后用线连接起来，用ESC结束放置元件和仿真控件命令。
（2）. 设置S参数模拟, 开始模拟并显示数据 , 储存数据窗口, 画出S21数据, 提高增益，再模拟，绘制出另一条曲线仿真结果：调整滤波器电路，在原理图窗口，用光标选择C1和L1，在控制对话框中调节L1和C1的结果会即时显示在数据显示窗口中线上的三角标志会自动调整到最新的曲线上。
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射频微波EDA课程报告学院：班级：姓名：学号：指导老师：2015年5月一、本课设学习目的通过射频微波EDA课程设计的学习，在学习EDA仿真软件ADS使用方法的基础上，掌握最基本的射频无源/有源电路的工作原理与系统仿真设计。
加深对于EDA的理解，并将理论与实践相结合，用实践证明理论，更深入掌握EDA。
二、本课设报告内容（一）、利用ADS进行放大器匹配电路设计。
要求：1）使用晶体管为bjt_pkg （参数beta=50），2）中心频率为1900MHz，对应的S21>30dB，S11和S22<-30dB。
1）相关电路原理简介：（一）1.导入ac_vcc.dns，按照书本所示更改电路图，添加终端负载等元件，写入改变终端阻抗的方程：2）必要的设计参数、步骤、仿真电路图2.开始仿真，引入S21的矩形图，并插入标志，得到如下：3.运行仿真，输出portZ （2）数据列表，可以看出，当频率大于等于400MHz 时，负载阻抗为35欧：4.在数据显示窗中计算感抗，容抗值：（3）插入列表，显示电感值和感抗范围:freq100.0 M Hz200.0 M Hz 300.0 M Hz 400.0 M Hz 500.0 M Hz 600.0 M Hz 700.0 M Hz 800.0 M Hz 900.0 M Hz 1.000 GHz 1.100 GHz 1.200 GHz 1.300 GHz 1.400 GHz 1.500 GHz 1.600 GHz 1.700 GHz 1.800 GHz 1.900 GHz 2.000 GHz 2.100 GHz 2.200 GHz 2.300 GHz 2.400 GHz 2.500 GHz 2.600 GHz 2.700 GHz2.800 GHz2.900 GHz3.000 GHz 3.100 GHz 3.200 GHz 3.300 GHz 3.400 GHz 3.500 GHz 3.600 GHz 3.700 GHzPortZ(2)50.000 / 0.000 50.000 / 0.000 50.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000 35.000 / 0.000(二)1.代入L 和C 的计算值并仿真，电路图如下：2.在数据显示窗口显示，对传输参数S12和S21，和反射参数s11和S22仿真数据绘图并做标志，如下图所示：freq, GHzd B (S (2,2))d B (S (1,1))d B (S (2,1))m3freq=dB(S(1,1))=-1.8271.900GHz（三）匹配电路设计：1.启动史密斯原图工具，由上可知ZL 阻抗值为419627-j*154419，设置完成后，并联相应的电容和电感，使之达到匹配点：2.频率范围为0~3.8GHz 时，S11参数曲线如下图所示：freq (100.0MHz to 4.000GHz)S (1,1)S (2,2)m4freq=S(1,1)=0.810 / -4.472impedance = Z0 * (8.393 - j3.088)1.900GHzfreq (100.0MHz to 4.000GHz)S (1,1)S (2,2)m4freq=S(1,1)=0.810 / -4.472impedance = 419.627 - j154.4191.900GHz3.完成匹配之后，单击史密斯控件，并单击按钮，进入子电路，如下图所示：4.将史密斯控件直接进入电路输入端，如图所示：5.进行仿真，添加S11，S21，S22数据显示，输入端已经达到匹配，但输出端没有匹配：0.51.01.50.0freq, GHz d B (S (2,2))d B (S (1,1))d B (S (2,1))m3freq=dB(S(1,1))=-34.4241.900GHz（四）输出端阻抗匹配：1.引入S11和S22的史密斯圆图，并在1900MHz 处插入标志，如图所示;2.通过史密斯圆图可得知S22的实际阻抗值，输入并进行阻抗匹配，可得如下结果：3.将史密斯控件插入电路并仿真得出如下结果：freq (100.0MHz to 4.000GHz)S (1,1)S (2,2)m4freq=S(1,1)=0.019 / -84.736impedance = 50.139 - j1.8981.900GHzm5freq=S(2,2)=0.955 / -3.341impedance = Z0 * (16.721 - j20.985)1.900GHz0.51.01.50.0freq, GHz d B (S (2,2))d B (S (1,1))d B (S (2,1))m3freq=dB(S(1,1))=-11.3171.900GHz由图可看出，尽管S22达到了指标要求，但S11,没有达到要求。
这时需要用参数优化功能，进一步完善电路要求：（五）参数优化1.设定Goal 和optim 控件， 对Goal 进行设置：2.对电容进行设置，将optimization status 选项改为enable ，使之能进行优化，并以此为基础，对L3，L4，C3，C4进行设置：.freq (100.0MHz to 4.000GHz)S (1,1)S (2,2)m4freq=S(1,1)=0.272 / -108.132impedance = 37.256 - j20.7761.900GHzm5freq=S(2,2)=0.005 / 102.786impedance = 49.881 + j0.5141.900GHz3.完成设置后的电路图如下：4.对电路进行仿真，可看到仿真状态显示窗口5.在数据显示窗口中插入矩形图，找到最后一次迭代的仿真数据，并显示S11，S21，S22仿真曲线。
如下图所示：6.在数据显示窗口中，插入史密斯圆图并绘制S11和S22仿真曲线，同时利用Z0=50欧进行阻抗替换：7.在将各优化变量的值更新为最终优化值后，最终电路图如下所示：freq, GHzd B (O p t i m 1.S P 1.S P .S (1,1))d B (O p t i m 1.S P 1.S P .S (2,1))d B (O p t i m 1.S P 1.S P .S (2,2))m6freq=dB(Optim1.SP1.SP.S(2,1))=32.037optIter=1141.900GHzm7freq=dB(Optim1.SP1.SP.S(1,1))=-34.194optIter=1141.900GHzm8freq=dB(Optim1.SP1.SP.S(2,2))=-22.664optIter=1141.900GHzfreq (100.0MHz to 4.000GHz)m10freq=Optim1.SP1.SP.S(1,1)=0.020 / -22.289optIter=114impedance = 51.833 - j0.7681.900GHz8.双击电感L3，将电感的optimization status参数设置为“disable”，并单击ok，并以同样的方法使其他的电容和电感禁止优化，并修正4个L和C匹配元件值，得到如下电路图：9.进行仿真。
得到如下：数据显示窗口打开后，插入S11，S12，S22数据，并在史密斯圆图上对S11和S22绘图，得到如下：（二）、 利用ADS 进行Wilkinson 功分器设计。
要求：1）通频带为1.1~1.3GHz ，2）功分比1：1，3）带内各端口反射系数S11，S22，S33小于-20dB ，两输出端隔离度S23小于-25dB ，传输损耗S21和S31小于3.1dB ，4）要求S 参数在带宽内尽量呈对称分布。
1）相关电路原理简介：freq, GHzd B (S (1,1))d B (S(2,1))d B (S (2,2))m1freq=dB(S(2,1))=30.1701.900GHzm2freq=dB(S(1,1))=-12.5861.900GHzm3freq=dB(S(2,2))=-13.1101.900GHzfreq (100.0MHz to 4.000GHz)S (1,1)S (2,2)m4freq=S(2,2)=0.221 / 101.146impedance = Z0 * (0.839 + j0.382)1.900GHzm5freq=S(1,1)=0.235 / 43.475impedance = Z0 * (1.323 + j0.452)1.900GHz2）必要的设计参数、步骤、仿真电路图：1、计算微带线的宽和长：中心频率为1.2GHz，z0=50Ω：2、设置VAR的参数，依次添加微带线的W，L，S参数如下图所示：3、添加三个端口，选择SP控件，并设置扫描频率范围和步长。
再选择控件Optim，并设置优化方法及优化次数。
选择优化目标Goal，并设置优化目标，如下图：4、单击仿真按钮进行优化仿真，仿真结束后，执行菜单命令【Simulate】/【Update Optimization Values】开始优化,弹出优化窗口，保存优化后的变量值。
3）结果及分析关掉优化控件再观察仿真的曲线如下：由上图可看出，在频率为1.2GHz时，S11小于-20dB,满足设计要求，S21、S31小于3.1dB，均满足设计数值要求，但从图中可看出仿真结果曲线不对称，S23为-22.213大于-25dB,未达设计要求，因S参数曲线不满足指标要求，故无法进行版图仿真。