武汉理工大学《833材料科学基础》历年考研真题(含部分答案)专业课考试试题
武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案-第7套
第七套试卷武汉理工大学考试试题（材料科学基础）共3页，共十题，答题时不必抄题，标明题目序号，相图不必重画，直接做在试题纸上）一、判断下列叙述是否正确？若不正确，请改正（30分）1．结晶学晶胞是反映晶体结构周期性的最小重复单元。
2．热缺陷是溢度高于绝对零度时，由于晶体组成上的不纯净性所产生的种缺陷。
3．晶面指数通常用晶面在晶轴上截距的质整数比来表示。
4．固溶体是在固态条件下，种物质以原子尺寸溶解在另种物质中所形成的单相均匀的固体5．扩散的推动力是浓度梯度，所有扩散系统中，物质都是由高浓度处向低浓度处扩散。
6．初次再结晶的推动力是晶界过剩的自由焓。
7．在热力学平衡条件下，二元凝聚系统最多可以3相平衡共存，它们是一个相、一个液相和一个气相。
8．临界冷却速率是形成玻璃所需要的最小冷却速率，临界冷却速率越大越容易形成非9．马氏体相变是种无扩散性相变，相变时成分发生变化但结构不变10．在临界温度、临界压力时，化学势及其阶偏导数连续，“阶偏导数不连续的相变为级相变，发生：一级相变时，体系的体积和热焓发生突变。
11．驰豫表面是指在平行于表面的方向上原子间距不同于该方向上晶格内部原子间距的表面。
12．固态反应包括界面化学反应和反应物通过产物层的扩散等过程，若化学反应速率远大于扩散速率，则动力学上处于化学动力学范围。
二、ZnS的种结构为闪锌矿型结构，已知锌离子和硫离子半径分别为2+Zn 0.068nmr=2 S 0.156nmr−=，原子质量分别为65.38和32.06。
1．画出其品胞结构投影图2．计算ZnS的晶格常数3．试计算ZnS的晶体的理论密度。
（15分）武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案第七套试卷参考答案及评分标准一、2.5×12=301．不正确。
结晶学晶胞是反映晶体结构周期性和对称性的最小重复单元。
2．不正确。
热缺陷是温度高于绝对岺度时，由于晶体晶格热振动（或热起伏或温度波动）所产生的种缺陷3．不正确。
武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案-第3套
武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案 第三套试卷一、金红石是四方晶系，其单胞结构如图 1 所示。
单胞中各离子坐标如下：Ti 4+:（0，0，0）和（0.5，0.5，0.5），O 2−的坐标则是：（0.3，0.3，0）：（0.7，0.7，0）；（0.8，0.2，0.5）。
回答下列问题：1．画出金红石单胞在（001）面上的投影图；2．阴离子若视作准六方最密堆积，指出阳离子填入空隙的种类和空隙填充率； 3．阳离子配位数为多少？这与按离子半径比预测的结构是否相符？已知阴离子半径 0.132 nm ，阳离子半径0.068 nm ； 4．计算氧离子电价是否饱和。
二、1．在一个立方单胞内画出指数为（011）的晶面以及指数为[011]的晶向。
2．下列硅酸盐矿物按照硅氧四面体连接方式分类，各属何种结构类型：[]24Mg SiO ，[]38Na AISi O ，[]32618Be Al Mg Si O ，[]27Ca Al AlSiO ，[]2541122Ca Mg Si O (OH)三、写出下列缺陷反应式；1．NaCl 形成肖脱基缺陷。
2．AgI 形成弗伦克尔缺陷3．TiO 2掺入到Nb 2O 3中，请写出二个合理的方程，指出各得到什么类型的固溶体，写出两种固溶体的化学式四、简单回答下列问题：1．22Na O SiO −系统熔体组成对衣面张力的影响如图所小，请解释其产生原因。
2．种物质表面能按山小到大的顺序为：PbI 2 > PbF 2 < CaF 2，试用清洁表面的离子重排及表面双电层模型解释之。
五、简单回答下列问题1．扩散是否总是从高浓度处向低浓度处进行？为什么？2．烧结的推动力是什么？烧结过程分为几个阶段，各阶段的特征是什么？六、金属铜为面心立方晶体，0.3615a nm =。
已知铜的熔点m T 1385k =，31628/cm H J ∆=、521.7710J /cm γ−=⨯，在过冷度m T 0.2T =的温度下，通过均相成核得到晶体铜。
武汉理工大学《材料科学基础》考研核心题库及答案
Test of Fundamentals of Materials Science 材料科学基础试题库武汉理工大学材料科学与工程学院一、填空题0001.烧结过程的主要传质机制有_____、_____、_____ 、_____，当烧结分别进行四种传质时，颈部增长x/r与时间t的关系分别是_____、_____、_____ 、_____。
0002.晶体的对称要素中点对称要素种类有_____、_____、_____ 、_____ ，含有平移操作的对称要素种类有_____ 、_____ 。
0003.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几何单形、布拉菲格子、空间群的数目分别是_____、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 。
0004.晶体有两种理想形态，分别是_____和_____。
0005.晶体是指内部质点排列的固体。
0006.以NaCl晶胞中（001）面心的一个球（Cl-离子）为例，属于这个球的八面体空隙数为，所以属于这个球的四面体空隙数为。
0007.与非晶体比较晶体具有自限性、、、、和稳定性。
0008.一个立方晶系晶胞中，一晶面在晶轴X、Y、Z上的截距分别为2a、1/2a 、2/3a，其晶面的晶面指数是。
0009.固体表面粗糙度直接影响液固湿润性，当真实接触角θ时，粗糙度越大，表面接触角，就越容易湿润；当θ，则粗糙度，越不利于湿润。
0010.硼酸盐玻璃中，随着Na2O（R2O）含量的增加，桥氧数，热膨胀系数逐渐下降。
当Na2O含量达到15%—16%时，桥氧又开始，热膨胀系数重新上升，这种反常现象就是硼反常现象。
0011.晶体结构中的点缺陷类型共分、和三种，CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为。
0012.固体质点扩散的推动力是________。
0013.本征扩散是指__________，其扩散系数D＝_________,其扩散活化能由________和_________ 组成。
2008年武汉理工大学833材料科学基础考研真题(含参考答案)(圣才出品)
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2008 年武汉理工大学 833 材料科学基础考研真题（含参考答案）
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武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案-第二套试题
武汉理工大学《材料科学基础》考试试卷第二套试卷一、填空题（共20分，每个空1分）1、材料按其化学作用或基本组成可分为（）、（）、高分子材料、复合材料四大类。
2、晶胞是从晶体结构中取出来的反应晶体（）和（）的重复单元。
3、热缺陷形成的一般规律是：当晶体中剩余空隙比较小，如NaCl型结构，容易形成（）缺陷；当晶体中剩余空隙较大时，如萤石CaF2型结构等，容易产生（）缺陷。
4、根据外来组元在基质晶体中所处的位置不同，可分为（）固溶体和间隙型固溶体：按照外来组元在基质晶体中的固溶度，可分为（）固溶体和有限固溶体。
5、硅酸盐熔体中，随着Na2O含量的增加，熔体中聚合物的聚合度（），熔体的粘度（）。
6、当熔体冷却速度很快时，（）增加很快，质点来不及进行有规则排列，晶核形成和晶体长大难以实现，从而形成了（）。
7、粉体在制备过程中，由于反复地破碎，所以不断形成新的表面，而表面例子的极化变形和重排，使表面晶格（），有序性（）。
8、非稳态扩散的特征是空间仟意一点的（）随时间变化，（）随位置变化。
9、动力学上描述成核生长相变，通常以（）、（）、总结晶速率等来描述。
10、温度是影响固相反应的重要外部条件。
一般随温度升高，质点热运动动能（），反应能力和扩散能力（）。
二、判断题（共10分，每个题1分）1、（）位错的滑移模型解释了晶体的实际切变应力与晶体的理论切变强度相差悬殊的内在原因。
2、（）空位扩散机制适用于置换型固溶体的扩散，3、（）一般来说在均匀晶体中引入杂质，都将使扩算系数增加4、（）-般来说，扩散粒子性质与扩散成指性质间差异越大，扩散系数也越大。
5、（）成核生长相变中晶体的生长速*与界面结构和原子迁移密切相关，当析出晶体和熔体组成相同时，晶体长大由扩散控制。
6、（）对于许多物理或化学步骤综合而成的在相反应中，反应速度由反应速度最快的步骤控制。
7、（）在烧结过程中，发生的初次再结晶使大鼎粒长大而小晶粒消失，气孔进入晶粒内部不易排出，烧结速度降低甚至停止。
武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案-第4套
第四套试卷 武汉理工大学考试试卷一、根据Na 2O 晶胞图（见右图）回答下列问题： 1．画出Na 2O 晶胞图{100}面族的投影图。
2．根据晶胞结构指出正、负离子的配位数？3．阴离子作何种堆积，阳离子作何种填隙，填隙率是多少？ 4．计算说明O 2−的电价是否饱和二．1．在立方单胞内画出指数为（112）的晶面及指数为[112]的晶向。
2．下列硅酸盐矿物按照硅氧四面体连接方式分类，各属何种结构类型；[][][][][]243832618272541122Mg SiO ,Na AISi O ,Be Al Mg Si O ,Ca Al AlSiO ,Ca Mg Si O (OH)三．写出缺陷反应方程式，每组写两个合理方程，并写出相应的固溶体化学式。
1．Al 2O 3加入到MgO 中 2．TiO 2加入到Nb 2O 3中武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案四.1．在简单碱金属硅酸盐系统（22R O SiO −）中，碱金属离子+R 系统粘度的影响如图所示。
说明为什么产生这种现象。
2．种物质表面能按由小到大的顺序为：222PbI >PbF >CaF ，试用清洁表面的离子重排及表面双电层模型解释之。
五．简单回答下列问题1．Al/Au 焊接接头处克肯达尔效应造成的紫灾可以用什么法延缓或消除？为什么？ 2．烧结的推动力是什么？烧结过程分为几个阶段，各阶段的特征是什么？六．在液-固相变时，产生球形固相粒子，系统自由焓的变化为32443V G r G r ππσ∆=∆+。
设KG ∆为临界自由焓，K V 为临界晶核的体积。
试证明：12K K V G V G ∆=∆（只证明在均匀成核的条件下）。
七．粒径为l μ球状Al2O3由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石的形成，在恒定温度下，第一个小时有20%的Al2O3起了反应，计算完全反应的时间。
1．用扬德方程计算2．用金斯特林格方程计算，对计算结果进行比较并说明为什么？八．如图A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题；1．在图上划分副三角形、用箭头表示各条界线上温度下降方向及界线的性质；2．判断化合物D的性质；3．写出各三元无变量点的性质及其对应的平衡关系式；4．写出组成点M1在完全平衡条件下的冷却结晶过程，结晶结束时各物质的百分含量（用线段比表示）；5．写出组成点M2在完全平衡条件下的冷却结晶过程，在M2熔体的液相组成点刚刚到达J1时，求其相组成（用线段比表示）。
2009年武汉理工大学833材料科学基础考研试题
课程代码
Bs3
课程名称 材料科学基础
(共 3页 ,共 七题 ,答 题时不必抄题 ,标 明题 目序号
即可
;
相平衡题 目直接做在试卷上 ,不 必另外画 图
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一、 填 空题 (30分
)
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三 均态核化 的形核功大小是否ˉ致 ?一 般情况下两者哪个大 ? =甾
武汉理工大学《材料科学基础》考试试题及答案-第6套
第六套试卷武汉理工大学考试试卷一、右图是CaF2的理想晶胞结构示意图，试回答：1．画出其投影示意图。
2．晶胞分子数是多少？结构中何种离子做何种密堆积？何种离子填充何种空隙，所占比例是多少？3．结构中正负离子的配位数是多少？4．萤石的结构决定了其具有哪种特殊的性能？请说明。
二、1．α-Fe为体心立方结构，试画出晶胞中质点在（001）晶面上的投影图。
2．在立方单胞内画出指数为（112）的晶面及指数为[112]的晶向。
3．下列硅酸盐矿物按照硅氧四面体连接方式分类，各属何种结构类型：[][][][][]Mg SiO,Na AISi O,Be Al Mg Si O,Ca Al AlSiO,Ca Mg Si O(OH) 243832618272541122三、1．写出下列缺陷方应方程式1）TiO2加入到A12O3中（写出两种）；2）AgI形成弗伦克尔缺陷（Ag+进入间隙）2．实验室要合成镁铝尖晶石，可供选择的原料为Mg（OH）2、MgO、Al2O3·3H2O、γ-A12O3、α-A12O3从提高反应速率的角度出发，选择什么原料较好？请说明原因。
四．A12O3和过量MgO粉末进行反应形成尖晶石，反应在温度保持不变的条件下进行且由扩散控制。
反应进行1 h时测得有20%的反应物发生了反应。
分别用杨德方程和金斯特林格方程计算完全反应的时间，并说明两者产生差异的原因。
五．简单回答下列问题1．Al/Au焊接接头处克肯达尔效应造成的紫灾可以用什么方法延缓或消除？为什么？2．烧结的推动力是什么？烧结过程分为几个阶段，各阶段的特征是什么？六．在熔融态的R2O-SiO2中，增加SiO2的含量，熔体的粘度和表面张力将如何变化？为什么？七．按相变机理不同可将相变分为四类，最常见是的成核-生长相变，另外三类分别是什么？对于成核生长相变，假定在恒温恒压下，从过冷液体形成的新相呈球形，且不考虑应变能，请推导均态核化情况下形成的临界晶核的半径及相变势垒。
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二、1．在一个晶胞中画出 面与【 】的向量；
2．写出以下硅酸盐晶体的结构类型（书P58表2.13的例子，全部是表中 的，一共8个）
三、1． ， 程式；
， ，分别可能是何种缺陷，并写出缺陷反应方
2．请叙述微裂纹原理。间隙固溶体与置换固溶体相比，哪种强化效果 更好，为什么？（考的是缺陷扎理论，书P150最下面一段）
5．计算说明
晶体中 的电价是否饱和。
6．解释说明有无自发极化现象。
图1 CaTiO3晶胞结构
二、高岭石（
）结构示意图，试回答：
1．高岭石属于哪种硅酸盐结构类型；分析层的构成和层的堆积方向； 分析结构中的作用力。
2．用Pauling的连接规则说明氧电价是否平衡？ 3．解释说明该结构的解理性如何。 4．高岭石是否容易形成玻璃，为什么？
2006年武汉理工大学440材料科学基础考研真题（含部分答案）
2007年武汉理工大学440材料科学基础考研真题（含参考答案）
2008年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（含参考答案）
2009年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（含参考答案）
五、还有就是ZnO的固相反应，也是书本上的。
六、烧结过程，前中后期特点以及晶粒大小，怎样控制晶粒大小？
七、考察了相变理论，以及将反应分类
八、最后就是答题三元相图，记得考的好像是不一致熔融三元化合物的 三元相图，三元相图，和七套试题里的题几乎一样。
2014年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版）
2009年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2010年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2011年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2012年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2013年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2013年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版）
一、钙钛矿（ 答下列问题：
）是 结构的典型，根据其晶胞图（见下图）回
1．画出
晶胞在
晶向。
面上的投影图；在晶胞图上画出
晶面和
2．何种离子添何种空隙，空隙利用率是多少？
3．晶胞分子数是多少？结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多 面体；
4．结构中是否存在 离子，为什么？
图2.60 高岭石的结构
要求解释鲍林规则，高岭石结构，解理性，玻璃形成难易程度、晶体与 表面的不同（这些内容比较杂，但都是书本上的，如果单纯计算会比较 简单，但要求用文字解释的话就要求你把书本吃透了）
三、MO(1＋x)与M(1－x)O非化学计量
四、去年考的比较偏的就是考了扩散系数，以及高斯函数，这些考题都 是源于书本，你看了就会做，你不看，计算起来无从下手。
3． 的氧空位与氧氛围浓度的关系（考的是成负六分之一的关系，
导电性）
四、微晶表面分类有哪些？密度随着结晶度变化的变化。 表面？
是哪类
五、书P175图4.10，请问 （一价碱金属）如图，你得出什么样的结 论，为什么？
六、相图（是7套内部试题里的原版，外加了几问，都很容易。） 七、如下表（书P408）所示，请问你从中看出了什么规律？ 表7.6 若干金属在铅中的扩散系数
பைடு நூலகம்
2015年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版）
2016年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版） 说明：以下回忆版试题来自于网络，考生朋友可借鉴参考！ 一、晶体结构 1．简述石墨，滑石，高岭石的结构特点及性质。 2．在面心立方晶胞中画出（0，－1，2）（上划线不好打出来，只能不 规范的写了）的晶面，计算面心立方（110）晶面密度。 3．画出钙钛矿的晶胞结构图，解释自发极化和温度的关系。
目 录
2004年武汉理工大学440材料科学基础 考研真题
2005年武汉理工大学440材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2006年武汉理工大学440材料科学基础 考研真题（含部分答案）
2007年武汉理工大学440材料科学基础 考研真题（含参考答案）
2008年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（含参考答案）
三、玻璃这章
请问用什么方法鉴别透明陶瓷和玻璃？简述陶瓷和玻璃的结构特点。
八、粒径为1 球状 由过量的 微粒包围，观察尖晶石的形成， 在恒定温度下，第1h有20%的 起了反应，计算完全反应的时间。
（1）用杨德方程计算；
（2）用金斯特林格方程计算。
九、相变的一章，又是原题，推导公式。唯一的改变就是增加了推导正 方体的模型。
十、烧结氧化铝的时候，为什么在氢气氛中比在氮、氖、空气气氛中更 容易烧结？（书P533烧结气氛影响的部分）
4．
是反尖晶石结构，说明什么阳离子填充什么位置，计算氧离
子电价是否饱和。
二、缺陷
1．写出MgO生成肖特基缺陷的缺陷反应方程式。计算273K和2273K下 的肖特基缺陷浓度，题目给出了每mol的缺陷形成能，好像是 230KJ/mol。记不清了。
2．1% （质量分数）掺入到MgO中，问杂质缺陷浓度是多少？ 3．比较在273K和2273K时，纯净的MgO和掺杂的MgO哪个的电导率 高，并解释原因。
2014年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2015年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2016年武汉理工大学833材料科学基础 考研真题（回忆版）
2004年武汉理工大学440材料科学基础考研真题
2005年武汉理工大学440材料科学基础考研真题（含参考答案）
2010年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（含参考答案）
2011年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（含参考答案）
2012年武汉理工大学833材料科学基础考研真题（回忆版） 一、图是Na2O的理想晶胞结构示意图，试回答： 1．结构中何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙，所占比例 是多少？ 2．结构中各离子的配位数为多少？写出其配位多面体；