图腾柱驱动电路你了解多少
双模式图腾柱无桥PFC电路的研究
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电器与能效管理技术!"!#$%&#"
电能质量
图 %!双模式图腾柱 LbG电路关键波形!倍压 LbG模式#
图 S!双模式图腾柱 LbG电路模态图! 倍压 LbG模式#
J88OA功率因 数 校 正 变 换 器 因 其 输 入 电 流 纹 波小%电路实现简单等优点$成为单级有源 LbG 变换器最常用的拓扑,&/$- & 传统的有源功率因数 校正电路大多采用带有整流桥的 J88OA电路$这
种电路首先采用工频整流桥对输入的交流电压进 行整流$再通过采用相应控制策略的 J88OA电路 进行功率因数校正& 但是$在电路的任意工作状 态下$输入电流均流过 , 个半导体器件$给电路带 来了固有的导通损耗$限制了整体效率的提升& 针对传统 J88OALbG电路整流桥的导通损耗对电 路效率提升的限制$ 一系列的无桥 LbG电 路 被 提出,#/"S- &
进入稳态后$电路工作各模态& 模态 ", G) RG" - .如图 S! :# $此时电路工作过 程与图腾柱模式模态 " 相同$不做赘述& 模态 ., G" RG. - .如图 S ! 9# $G" 时刻 >d*. 两端 电压达到 )(%@9PO时$dBd*, 开始导通$电感电流 通过 +H_ 管 d*, 的体二极管和二极管 dB. 构成 的回路 续 流& G" 时 刻 开 始$ 电 感 两 端 的 电 压 为 )(%@9POX*53$电感电流线性下降$直到 G. 时刻电感 电流 0/ 下降到零& 模态 ,, G. RG, - .如图 S! 2# $G. 时刻电感电流 下降到零后$为实现开关管的零电压导通! fd_# 或谷底导通! d_# $通常让开关管延时至 G, 时刻导 通& 从 G. 时刻开始$J88OA电感和寄生电容 >d*" % >d*. 发生谐振$谐振电压表达式为 *>d*.!G# A@53," B28O!)=G#- J)(%@9PO28O!)=G#
分立元件构成的NMOS、PMOS驱动电路
采用分立元件构成的NMOS、PMOS驱动电路：
驱动NMOS的电路
驱动PMOS的电路
这里针对NMOS驱动电路做一个简单分析：
Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。
这个数值可以通过R5和R6来调节。
最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。
必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
这个电路提供了如下的特性：
1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3，gate电压的峰值限制
4，输入和输出的电流限制
5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
6，PWM信号反相。
NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
图腾柱电路解析整理
再谈图腾柱驱动电路(diànlù)之一、之二、之三汇总（注：根据(gēnjù)davida的建议，觉得还是(hái shi)把这个三个帖子综合起来跟方便大家探讨。
）一、驱动(qūdònɡ)电路之一由于本人最近(zuìjìn)接触才saber，仿真能力有限，本想仿真，但实在是由于有关saber的基础东西还很多不会呢，所以只能请教大家了1、问：（1）在下面电路中，VCC的选择和哪些因素有关系？VCC和后级的mos管的Vgs电压相等吗？（2) NPN、PNP管子的选取的依据？三极管的电流Ic要满足什么样的条件才能驱动后端的mos？在下帖/bbs/2169.html15楼胡庄主曾提到“1）首先要确定(quèdìng)的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实(qíshí)就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑(kǎolǜ)你有几个MOS并联(bìnglián)，门级电容有多大？MOS的Rg 有多大，加上驱动回路寄生电感(diàn ɡǎn)等，其实就是一个LRC串联回路。
2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。
这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。
3)得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。
”针对上边的内容我有些疑问：1、MOS属于单级型电压驱动器件，是栅极电压来控制漏极电流的，如果从表面理解的话，是不是只要保证栅极的电压达到Vgs就可以？和电流没有关系？？2、MOS管的门极电容是怎么确定的？是下图这些参数吗？二、驱动电路之二问：1、图中的C18的作用(zuòyòng)？二极管D是否有必要加？要加的话(dehuà)，起作用？2、R15、R16加与不加(bù jiā)？R15、R16在一般(yībān)电路中，是并接在mos的GS端，起消除(xiāochú)Cgs累计电荷的作用，防止mos处于开始处于导通或者状态不明确的情况。
采用图腾柱方式驱动MOSFET电路设计
采用图腾柱方式驱动MOSFET的电路分析1、原理图上图为典型的图腾柱输出方式驱动MOSFET的电路。
由于前端I/O口的对外驱动能力（一般为十几或者二十几mA）有限，为了提高对MOSFET的驱动能力，因此采用图腾柱电路。
由于MOSFET是压控型器件，则GS两端电压只要大于4.5V（导通时的阈值电压）时即可导通，为了使MOSFET可靠导通，则一般要求GS两端的电压要大于12V（不同型号的管子该电压不同），因此要求MOSFET的驱动电压幅值至少要大于12V。
此外，由于MOSFET的GS两端存在寄生电容，驱动MOSFET 的过程就是对该电容充放电的过程，充电的快慢反应MOSFET导通或关断的速度，而开关的速度又影响了MOSFET的开关损耗及EMI等内容，同时，充电的快慢又由充电电流的大小决定。
综上所述，要想驱动MOSFET正常导通和关断，则要考虑驱动幅值电压及对GS两端电容充电电流的大小。
因此，下面分别从驱动MOSFET的幅值电压及充电电流（驱动能力）的大小两个方面来分析该电路。
而幅值电压及充电电流与图中的驱动方波的幅值、电源电压V cc、电阻R2及电阻R3等有关。
因此，以下主要通过改变这些参数来验证电路设计的合理性。
2、电路分析（1）驱动方波幅值为15V、电源电压为10V、电阻R2=0R。
电路如下图所示：10V下图为仿真测试波形：流过R3的驱动电流波形E点驱动电压波形Q1的ce两端的电压波形R1两端的电压波形最低0V:完全饱和导通放电波形充电波形R1两端有5V压降Q1饱和导通时，其E极电压为10V从以上波形可知，在驱动波形为高电平（15V）时，Q1完全饱和导通，其ce间的压降为0V，此时电源电压直接加在点E处，即MOSFET的驱动电压幅值为10V，而不是驱动波形的射极跟随电压14.3V，这样存在的问题是，如果电源电压再小的话，则MOSFET的驱动电压幅值会更低。
同时，在驱动波形刚变为高电平时，流过电阻R3有一个尖峰电流，该电流就是对MOSFET的GS端电容充电的电流波形，由于C gs电容很小，因此充电时间很短，充满后就不存在充电电流，因此该电流波形在很短的时间内为尖峰。
图腾柱原理分析
图腾柱型驱动增强电路如图所示即为图腾柱型驱动增强电路。
图腾柱型驱动电路的作用在于：提升电流提供能力，迅速完成对于门极电荷的充电过程，而并不是提供一个门极电压。
所以电容C1的电压稳态时只会到达V1，因为如果高于V1的话，Q1的工作状态就是变化，BE之间没有压降的话Q1就截止了；同理，当Q2工作时，存在一个CE导通之后，电压被迅速拉低，但是由于Q2的工作状态要保持Q2的BE之间必须有0.7V的压降，所以等C1的电压到达0.7V以后Q2截止，所以C1的电压范围是0.7V（略低于）-4.3V（略低于）之间。
所以，图腾柱提升驱动能力的关键不是在于多增加级数，例如在同一个电源下面采用多级图腾柱串联，这样做是不能够提高驱动能力的，能做的只是将功率分散开，平分了电流I，用以驱动更大的IGBT或者mos管；要增加驱动能力，关键在于增加供电电源数量，多个电源供电之后电流增大，相当于提高了VDD的电压。
分析：MOS管/IGBT等驱动的原理就是给内部的电容充电，等效为C1充电过程：当V1为高电平时，Q1导通；Q2关断；等效电容C1由V1充电（稳态C1电压和VDD关系不大），当C1电压高于开关器件阀值时，开关器件导通，一般IGBT阀值在2V左右。
此时C1充电至（V1-0.7V）（去除Q1一个二极管压降）。
此处为什么C1的稳态电压不会VDD呢？原因在于Q1的导通状态需要位置，则Vbe之间必须有压降，如果C1的电压超过（V1-0.7V）那么Q1立刻截止，所以放电过程：当V1为低电平时，Q1关断；Q2由于C1充电至（V1-0.7V），处于高电平，此时V1拉低之后，Q2被导通，C1放电，但是由于Q2要导通的前提是C1-V1>0.7V,所以C1>0.7V时Q2可以导通，当C1<0.7V时，Q2截止，放电停止这一步的主要作用是给C1形成一个放电回路，快速释放C1的电荷，防止开关器件的导通电容C1无法放电而一直存在，处于高电平状态，开关器件的工作状态不明确。
mosfet的10种驱动电路图
MOSFET的10种驱动电路图1. PWM芯片直接驱动MOSFET2. 开通和关断速度分开控制的MOSFET驱动电路3. 带图腾柱扩流的MOSFET驱动电路4. 使用TL494,SG3524内部的输出电路采用的单端集电极和射极开路的驱动电路5. 使用光耦隔离的驱动电路（原原理图有误，Q1\Q2位置对调）6. 使用光耦隔离的带负压关断驱动电路：（原原理图有误，Q1\Q2位置对调）7. 采用专用驱动光耦驱动的隔离驱动电路：8. 电动车控制器驱动电路9. P管驱动电路：10. 多管并联驱动电路：下面是赠送的几篇网络励志文章需要的便宜可以好好阅读下，不需要的朋友可以下载后编辑删除！！谢谢！！出路出路，走出去才有路“出路出路，走出去才有路。
”这是我妈常说的一句话，每当我面临困难及有畏难情绪的时候，我妈就用这句话来鼓励我。
一定有很多人想说：“这还在北京混个什么劲儿啊！”但他每天都乐呵呵的，就算把快递送错了也乐呵呵的。
某天，他突然递给我一堆其他公司的快递单跟我说：“我开了家快递公司，你看得上我就用我家的吧。
”我有点惊愕，有一种“哎呦喂，张老板好，今天还能三蹦子顺我吗”的感慨。
之后我却很少见他来，我以为是他孩子出生了休假去了。
再然后，我就只能见到单子见不到他了。
某天，我问起他们公司的快递员，小伙子说老板去上海了，在上海开了家新公司。
我很杞人忧天地问他：“那上海的市场不激烈吗？新快递怎么驻足啊！”小伙子嘿嘿一笑说：“我们老板肯定有办法呗！他都过去好几个月了，据说干得很不错呢！”“那老婆孩子呢？孩子不是刚生还很小吗？”“过去了，一起去上海了！”那个瞬间，我回头看了一眼办公室里坐着的各种愁眉苦脸的同事，并且举起手机黑屏幕照了一下我自己的脸，一股“人生已经如此的艰难，有些事情就不要拆穿”的气息冉冉升起。
并不是说都跳槽出去开公司才厉害，在公司瞪着眼睛看屏幕就是没发展，我是想说，只有勇气才能让自己作出改变。
我们每个人都觉得自己越活越内向，越来越自闭，越长大越孤单，以至于滋生了“换个新环境，我这种性格估计也不会跟其他人相处融洽，所以还是待着忍忍凑合过算了”的思想感情。
5种常用MOS电路
5种经典MOSFET驱动电路MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。
MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。
下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。
但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。
更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。
对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
（2）开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
（4）驱动电路结构简单可靠、损耗小。
（5）根据情况施加隔离。
下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。
1：电源IC直接驱动MOSFET图1 IC直接驱动MOSFET电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。
第一，查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。
第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图1中C1、C2的值。
如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。
如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图1中Rg减小，也不能解决问题！IC 驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。
图腾柱驱动电路你了解多少
图腾柱驱动电路你了解多少
图腾柱驱动电路你了解多少
图腾柱输出（Totem Pole的音译）
图腾大多和生殖器有关，图腾柱驱动的原理是由阴阳2管做推挽（或者叫灌拉)运动，类似于床上运动故以得名....
图腾柱驱动电路，实际上是一个电流放大电路，一般用于驱动MOS管或IGBT管，提供足够的灌电流和拉电流。
好吧，别太水了
今天对手上两对对管进行了仿真测试，只是仿真而已，因为没有示波器嘛。
首先是2n2222 和2n2907 这对管跟8050和8550差不多，话说我买不到8050和8550
信号源输出60KHz，占空比0.45的信号通过限流电阻送到图腾的b极，那个10R电阻是抑制振铃的，仿真中可以去掉，但是实际中不行，因为走线电感会和结电容谐振。
那个快恢复二极管是用了结电容放电时短路10R电阻的，加速放电。
上升沿397ns 下降沿338ns
看起来不错，但是这对管电流不够。
那我们试试大功率的TIP41 TIP42，这对管子能过6A，非常变态的驱动。
仍然是图腾接法。
上升沿到了656ns，非常缓慢，下降沿399ns。
为什么会这样呢？这就涉及到hFE（DC Current Gain 直流电流增益）的问题了，TIP4142的hFE只有40-70,而2n2222却是75-300，差距出来了吧。
那怎么解决呢？我决定使用2级图腾，2n2222 2907负责放大，TIP4142负责推动。
哈哈，上升395ns，下降308ns，完美解决了！下降沿还是有点慢，想办法调调应该能降到100ns。
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图腾柱驱动电路你了解多少
图腾柱驱动电路你了解多少
图腾柱输出（Totem Pole的音译）
图腾大多和生殖器有关，图腾柱驱动的原理是由阴阳2管做推挽（或者叫灌拉)运动，类似于床上运动故以得名....
图腾柱驱动电路，实际上是一个电流放大电路，一般用于驱动MOS管或IGBT管，提供足够的灌电流和拉电流。
好吧，别太水了
今天对手上两对对管进行了仿真测试，只是仿真而已，因为没有示波器嘛。
首先是2n2222 和2n2907 这对管跟8050和8550差不多，话说我买不到8050和8550
信号源输出60KHz，占空比0.45的信号通过限流电阻送到图腾的b极，那个10R电阻是抑制振铃的，仿真中可以去掉，但是实际中不行，因为走线电感会和结电容谐振。
那个快恢复二极管是用了结电容放电时短路10R电阻的，加速放电。
上升沿397ns 下降沿338ns
看起来不错，但是这对管电流不够。
那我们试试大功率的TIP41 TIP42，这对管子能过6A，非常变态的驱动。
仍然是图腾接法。
上升沿到了656ns，非常缓慢，下降沿399ns。
为什么会这样呢？这就涉及到hFE（DC Current Gain 直流电流增益）的问题了，TIP4142的hFE只有40-70,而2n2222却是75-300，差距出来了吧。
那怎么解决呢？我决定使用2级图腾，2n2222 2907负责放大，TIP4142负责推动。
哈哈，上升395ns，下降308ns，完美解决了！下降沿还是有点慢，想办法调调应该能降到100ns。