可控硅晶闸管的基础知识

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带你了解接近完美的半导体开关:可控硅(晶闸管)!

带你了解接近完美的半导体开关:可控硅(晶闸管)!

带你了解接近完美的半导体开关:可控硅(晶闸管)!可控硅(Silicon Controlled Rectifier,简称SCR),是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。

具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。

家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

假如没有电流无法随时关断的缺点,那晶闸管就是完美的半导体开关。

下面小编就为大家简单介绍一下晶闸管吧!恕晶闸管的结构和工作原理本文主要是想简单聊聊晶闸管的触发条件及特性,在此之前,需要先了解一下它的结构和工作原理。

晶闸管的基本结构和由两个双极型晶体管组成的等效模型晶体管工作原理小编不想在此占用过多篇幅,想了解更多内容可以直接百度,这方面并不是什么秘密,很容易搜到!触发条件晶闸管可分成两个子晶体管,一个pnp晶体管和一个npn晶体管,这两个晶体管的共基极电流增益分别为α1和α2。

晶闸管分解成两个子晶体管及其等效电路晶体管的触发条件为:α1+α2≥1。

现在我们来推导一下这个触发的基本条件:施加一个门极电流IG,会在晶体管2中产生一个集电极电流,即IC2=β2IG式中,β2是晶体管2的共射极电流放大倍数。

由于IC2=IB1,晶体管1会产生相应的集电极电流,即IC1=β1IC2=β1β2IG式中,β1是晶体管1的共射极电流放大倍数。

由于IC1=IB2,故门极电流增量为ΔIG的电流增益为βthyr=ΔIB2/ΔIG=β1β2只有当基极电流IB2持续增长时晶闸管才能擎住。

要达到这种效果,反馈信号ΔIB2必须比原输入信号ΔIG大,故下面的式子应当满足βthyr=β1β2≥1双极型晶体管的共射极电流放大倍数β和共基极电流放大倍数的关系是β=α/1-α从而得到晶闸管的触发条件为α1+α2≥1静态伏安特性接下来,我们讨论一下晶闸管的I(V)特性。

晶闸管的基础知识

晶闸管的基础知识

晶闸管的基础知识晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又称作可控硅整流器(Silicon Controlled Rec(ti)fier——SCR),以前被简称为可控硅。

由于其能承受的电压和(电流)容量仍然是目前(电力电子)器件中最高的,而且工作可靠,因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。

1结构和(工作原理)晶闸管的结构:从外形看,晶闸管主要有螺栓型和平板型两种封装结构。

有阳极A、阴极K和门极G(控制端)三个连接端。

内部是PNPN四层(半导体)结构。

a) 外形b) 结构c) (电气)图形符号晶闸管的工作原理:为了更好地分析晶闸管的工作原理,我们采用双(晶体管)模型分析,具体见下图按照晶体管工作原理,可列出如下方程:式中α1和α2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益;ICBO1和ICBO2分别是V1 和V2的共基极漏电流。

由上面四个等式可得晶体管的特性是:在低发射极电流下α是很小的,而当发射极电流建立起来之后,α迅速增大。

在晶体管阻断状态下,IG =0,而α1 +α2是很小的。

由上式可看出,此时流过晶闸管的漏电流只是稍大于两个晶体管漏电流之和。

如果注入触发电流使各个晶体管的发射极电流增大以致α1 +α2趋近于1的话,流过晶闸管的电流IA(阳极电流)将趋近于无穷大,从而实现器件饱和导通。

由于外电路负载的限制,IA实际上会维持有限值。

除门极触发外其他几种可能导通的情况:阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光触发这些情况除了光触发由于可以保证(控制电路)与主电路之间的良好绝缘而应用于(高压)电力设备中之外,其它都因不易控制而难以应用于实践。

只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。

2基本特性静态特性正常工作时的特性:当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。

当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。

晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用

晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用

上海交通职业技术学院学生毕业论文毕业论文题目晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用专业港口物流设备与自动控制学号0910032姓名指导老师目录目录 (1)摘要 (2)1 绪论 (3)1.1 课题背景及发展方向 (3)1.2 本文主要工作 (3)2 晶闸管元件 (4)2.1晶闸管元件简介 (4)2.1.1.单向晶闸管的工作原理和主要参数 (4)2.1.2 双向晶闸管的工作原理和主要参数 (7)3.晶闸管的应用 (10)3.1 单相半波可控整流电路 (11)3.1.1电阻性负载 (11)3.1.2电感性负载及续流二极管 (13)3.1.3反电动势负载 (17)结束语 (19)参考文献 (20)致谢 (21)晶闸管的基础知识和在可控整流技术方面的应用李坤清摘要:晶闸管是晶体闸流管的简称,俗称可控硅整流器(SCR ,SiliconControlled Rectifier),简称可控硅,其规范术语是反向阻断三端晶闸管。

晶闸管是一种既具有开关作用,又具有整流作用的大功率半导体器件,应用于可控整流变频、逆变及无触点开关等多种电路。

对它只要提供一个弱点触发信号,就能控制强电输出。

所以说它是半导体器件从弱电领域进入强电领域的桥梁。

目前为止,晶闸管是电子工业中应用最广泛的半导体器件,尽管有各种不同的新型半导体材料不断出现,但半导体材料中98%仍是硅材料,硅材料仍是集成电路产业的基础,其中晶闸管具有体积小、重量轻、功率高、寿命长等优点而得到广泛应用。

晶闸管的作用主要有以下几种,1.变流整流,2.调压,3. 变频,4.开关(无触点开关)。

普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。

大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。

如果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。

在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。

这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。

晶闸管

晶闸管

晶闸管(SCR)晶闸管是晶体闸流管的简称,又称为可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier, SCR)俗称可控硅。

一、外形与符号晶闸管有3个电极:阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。

图1 晶体管图1(a)中所示为一些常见晶闸管的实物外形,图1(b)所示为晶体管的图形符号。

二、结构与工作原理1. 结构晶闸管的内部结构和等效图如图2所示。

它相当于PNP型三极管和NPN型三极管以图2(b)所示的方式连接而成。

图2 晶闸管的内部结构和等效图2. 工作原理下面以图3所示的电路来说明晶闸管的工作原理。

电源E2通过R2为晶闸管A(阳极)、K(阴极)极提供正向电压U AK,电源E1经电阻R1和开关S为晶闸管G(门极)、K(阴极)极提供正向电压U GK。

当开关S处于断开状态时,VT1无I b1电流而无法导通,VT2也无法导通,晶闸管处于截止状态,I2电流为0。

如果将开关S闭合,电源E1马上通过R1、S为VT1提供I b1电流,VT1导通,VT2也导通(VT2的I b2与VT1的I c1相等),I c2增大,这样会形成强烈的正反馈,正反馈过程是:正反馈使VT1、VT2对进入饱和状态,I b2、I c2都很大,I b2、I c2都是由VT2的发射极流入,即晶体管A极流入,I b2、I c2电流在内部流经VT1、VT2后从K极流出。

很大的电流从晶闸管A极流入,然后从K极流出,相当于晶闸管A、K极之间导通。

晶闸管导通后,若断开开关S,I b2、I c2电流继续增大,晶闸管继续导通。

这时如果慢慢调低电源E2的电压,流入晶闸管A极的电流(即图中的I2电流)也慢慢减小,当电源电压调到很低时(接近0),流入A极的电流接近0,晶闸管进入截止状态。

3. 晶闸管导通和关断(截止)条件。

综上所述,晶闸管有以下性质。

(1)无论A、K极之间加什么电压,只要G、K极之间没有加正向电压,晶闸管就无法导通。

(2)只有A、K极之间加正向电压,并且G、K极之间也加一定的正向电压,晶闸管才能导通。

晶闸管原理以及参数介绍

晶闸管原理以及参数介绍

晶閘管結構可等效為一個 NPN型和一個PNP型三極管, 根據其連接方式等效電路 可以基本瞭解到晶閘管控 制導通方式
控制極G加正 向脉衝電壓
NPN管導通
PNP管導通
PNP管關閉
Y
N
NPN管關閉
IT>IH?
整個晶閘管關閉
整個晶閘管 導通
晶閘管的分類
基本分類
按关断导通控制 方式 普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、门极关断晶闸 管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管(LTT)等多种。
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整 流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管,就可 以构成可控整流电路。
晶閘管的基本應用
1.单相半波相控整流电路 下图为单相半波相控整流电路(Single-phase half wave
controllable rectifier),整流变压器二次电压有效值用U2表 示,瞬时值用u2表示,负载上输出电压用uo表示。
(2)维持电流IH(Holding current) 指在室温和门极开路时,逐渐减小导通状态下晶闸管的
阳极电流,最后能维持晶闸管持续导通所必须的最小阳极电 流,结温越高,维持电流IH越小,晶闸管越难关断。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
(3)掣住电流IL(Latching current) 指晶闸管触发后,刚从正向阻断状态转入导通状态,在立
(6)通态正向平均电压UF
在规定的环境温度和标准散热条件下,器件正向通过正弦 半波额定电流时,其两端的电压降在一周期内的平均值,又称 管压降,其值在0.6~1.2V之间。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数

晶闸管

晶闸管

晶闸管1、认识1.1 晶闸管的表示方法晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称,俗称可控硅,它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。

它有三个极:阳极(A)、阴极(K)和门极(或控制极)(G)。

电力电子上常用的单向晶闸管KP5A/1000V 作为整流器件。

电子学上常用2P4M。

双向晶闸管的三个极分别为:第一阳极A1,第二阳极A2和控制极G。

1.2 晶闸管的种类1)按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管(单向晶闸管)、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。

2)按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。

3)按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。

其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。

4)按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。

通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。

5)按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。

下图是晶闸管的电路图形符号和晶闸管的外形。

1.3 晶闸管的工作原理1.3.1 晶闸管工作电路的组成晶闸管在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。

1.3.2 晶闸管的工作条件1)晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。

2)晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才能导通。

3)晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。

晶闸管可控硅

晶闸管可控硅

工作原理
工作原理
晶闸管可控硅由PNPN四层半导体结 构组成,通过控制门极电压来控制内 部晶体管的通断状态,从而实现电流 的调节和控制。
工作过程
当门极电压达到一定阈值时,晶闸管 可控硅内部晶体管导通,电流可以通 过器件;当门极电压消失或低于阈值 时,内部晶体管断开,电流截止。
种类与用途
种类
按照功能和应用,晶闸管可控硅可分为普通晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等。
总结词
控制无功补偿
详细描述
通过晶闸管可控硅控制无功补偿装置,能够动态调节无 功功率,改善电力系统的功率因数,降低线损,提高供 电质量。
总结词
保护和控制变压器
详细描述
晶闸管可控硅可以用于保护和控制变压器,通过控制变 压器两侧的开关,实现变压器的远程控制和自动投切。
在电机控制中的应用
01
总结词:调速控制
用途
在电机控制中,晶闸管可控硅常用于直流电机、交流电机、步进电机等的驱动和控制;在电力电子中,用于整流、 逆变、斩波等电路中实现电能的转换和调节;在自动控制中,用于温度、压力、流量等控制系统中实现信号的放 大和处理。
02
晶闸管可控硅的应用
在电力系统中的应用
总结词
调节电压和电流
详细描述
晶闸管可控硅在电力系统中主要用于调节电压和电流, 实现无触点控制,提高电力系统的稳定性和可靠性。
晶闸管可控硅
• 晶闸管可控硅简介 • 晶闸管可控硅的应用 • 晶闸管可控硅的优缺点 • 晶闸管可控硅的发展趋势与未来展

01
晶闸管可控硅简介
定义与特性
定义
晶闸管可控硅是一种半导体器件 ,通过控制电流的通断来实现电 能的转换和调节。
特性

晶闸管总结

晶闸管总结

晶闸管总结简介晶闸管(Thyristor),也被称为可控硅(SCR),是一种电子元件,广泛应用于电力控制和电子开关电路中。

晶闸管具有双向导通特性,可以实现电流的单向控制,是一种非常重要的功率电子器件。

工作原理晶闸管是一种多层半导体结构,主要由P-N-P-N四层半导体材料构成。

其基本结构包括阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。

当控制极施加正向电压时,晶闸管处于关断状态,不导通;当控制极施加负向电压时,晶闸管处于可控导通状态,可以通过施加正向电压的方式控制电流通过。

晶闸管具有开关特性,分为关态和导态。

在关态时,晶闸管具有很高的阻抗,电流几乎为零;在导态时,晶闸管的阻抗非常低,电流可以流过。

应用领域晶闸管在电力控制和电子开关电路中具有广泛的应用,包括以下几个方面:1.电力控制:晶闸管可以用于实现电源控制和电压调节。

通过控制晶闸管的导通时间和导通角,可以控制电源对负载的输出功率,实现对电力的调节。

2.交流电压调节:晶闸管在交流电源电路中可以用来实现电压和功率的调节。

通过控制晶闸管的导通时间,可以改变负载所受到的电压,实现调光和电压调节功能。

3.直流电机控制:晶闸管可以用于对直流电机进行调速控制。

利用晶闸管的开关特性,可以控制电机的启动、制动和调速过程,实现对电机的精确控制。

4.交流电机控制:晶闸管可以用于对交流电机进行调速控制。

通过控制晶闸管的导通时间,可以改变交流电机所受到的电压和频率,实现对电机转速的调节。

5.电流变换和矩阵转换:晶闸管可以用于实现电流的变换和矩阵转换。

通过控制晶闸管的导通时间和序列,可以实现电流的调节和改变电流的方向。

优缺点晶闸管作为一种功率电子器件,具有以下几个优点:1.可控性强:晶闸管可以通过控制极的正负偏置实现对电流的控制,具有较高的可控性和灵活性。

2.节能高效:晶闸管具有低导通压降和低导通损耗,能够提高效率和节能。

3.可靠性高:晶闸管结构简单,无机械部件,不易损坏,寿命长。

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关于可控硅一、可控硅的概念和结构?晶闸管又叫可控硅。

自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。

今天大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。

从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

二、可控硅的种类可控硅有多种分类方法。

(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

(二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

(三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。

其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

(四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。

通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。

图2三、晶闸管的主要工作特性为了能够直观地认识晶闸管的工作特性,大家先看这块示教板(图3)。

晶闸管VS与小灯泡EL串联起来,通过开关S接在直流电源上。

注意阳极A是接电源的正极,阴极K接电源的负极,控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管,若采用KP1型,应接在1.5V直流电源的正极)。

晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接,也就是说,给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。

现在我们合上电源开关S,小灯泡不亮,说明晶闸管没有导通;再按一下按钮开关SB,给控制极输入一个触发电压,小灯泡亮了,说明晶闸管导通了。

这个演示实验给了我们什么启发呢?图3这个实验告诉我们,要使晶闸管导通,一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压,二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。

晶闸管导通后,松开按钮开关,去掉触发电压,仍然维持导通状态。

晶闸管的特点:是“一触即发”。

但是,如果阳极或控制极外加的是反向电压,晶闸管就不能导通。

控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通,却不能使它关断。

那么,用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断,可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。

如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压,那么,在电压过零时,晶闸管会自行关断。

四、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。

大家知道,晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕,相当于一个二极管,G为正极、K为负极,所以,按照测试二极管的方法,找出三个极中的两个极,测它的正、反向电阻,电阻小时,万用表黑表笔接的是控制极G,红表笔接的是阴极K,剩下的一个就是阳极A了。

测试晶闸管的好坏,可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。

接通电源开关S,按一下按钮开关SB,灯泡发光就是好的,不发光就是坏的五、晶闸管在电路中的主要用途是什么?普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。

大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。

如果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路。

现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。

在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。

现在,画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕,可以看到,只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。

Ug到来得早,晶闸管导通的时间就早;Ug到来得晚,晶闸管导通的时间就晚。

通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。

在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。

这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。

很明显,α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。

通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。

六、在桥式整流电路中,把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?在桥式整流电路中,只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。

现在画出电路图和波形图(图5),就能看明白了。

七、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?晶闸管触发电路的形式很多,常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等。

今天大家制作的调压器,采用的是单结晶体管触发电路。

八、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?单结晶体管又叫双基极二极管,是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。

我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。

在一块N型硅片两端,制作两个电极,分别叫做第一基极B1和第二基极B2;硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结,相当于一只二极管,在P区引出的电极叫发射极E。

为了分析方便,可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB,称为基区电阻,并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。

值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变,具有可变电阻的特性。

如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB,则A点的电压UA为:若发射极电压UE<UA,二极管VD截止;当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD+UA)时,二极管VD导通,发射极电流IE注入RB1,使RB1的阻值急剧变小,E点电位UE随之下降,出现了IE增大UE反而降低的现象,称为负阻效应。

发射极电流IE继续增加,发射极电压UE不断下降,当UE下降到谷点电压UV以下时,单结晶体管就进入截止状态。

九、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢?单结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。

为了说明它的工作原理,我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。

它是由单结晶体管和RC 充放电电路组成的。

合上电源开关S后,电源UBB经电位器RP向电容器C充电,电容器上的电压UC按指数规律上升。

当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时,单结晶体管突然导通,基区电阻RB1急剧减小,电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电,使R1两端电压Ug发生一个正跳变,形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。

随着电容器C的放电,UE按指数规律下降,直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。

这样,在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。

此时,电源UBB又开始给电容器C充电,进入第二个充放电过程。

这样周而复始,电路中进行着周期性的振荡。

调节RP可以改变振荡周期。

十、在可控整流电路的波形图中,发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内,发出第一个触发脉冲的时刻都相同,也就是控制角α和导通角θ都相等,那么,单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?为了实现整流电路输出电压“可控”,必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内,触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同,这种相互配合的工作方式,称为触发脉冲与电源同步。

怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。

请注意,在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。

在晶闸管没有导通时,张弛振荡器的电容器C被电源充电,UC按指数规律上升到峰点电压UP时,单结晶体管VT导通,在VS导通期间,负载RL上有交流电压和电流,与此同时,导通的VS两端电压降很小,迫使张弛振荡器停止工作。

当交流电压过零瞬间,晶闸管VS被迫关断,张弛振荡器得电,又开始给电容器C充电,重复以上过程。

这样,每次交流电压过零后,张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同,这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。

调节RP的阻值,就可以改变电容器C的充电时间,也就改变了第一个Ug发出的时刻,相应地改变了晶闸管的控制角,使负载RL上输出电压的平均值发生变化,达到调压的目的。

双向晶闸管的T1和T2不能互换。

否则会损坏管子和相关的控制电路。

十一.可控硅参数符号参数符号说明:IT(A V)--通态平均电流VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(A V)--正向平均电流。

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