TAC2305升压恒流IC
鼎日DTS2305规格书
FEATURES
• Halogen-free Option Available • TrenchFET® Power MOSFET
APPLICATIONS
• Load Switch for Portable Devices
TO-236 (SOT-23)
G 1 3 S 2 D G
S
D Top View P-Channel MOSFET
2
DTS2305
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
20
VGS = 5 V thru 2 V
15
10
ID - Drain Current (A) ID - Drain Current (A)
12
TC = 25 °C
0.15 1200
Transfer Characteristics
0.12
RDS(on) - On-Resistance (Ω) C - Capacitance (pF)
1000
800
Ciss
0.09
VGS = 1.8 V
600
0.06
VGS = 2.5 V
400
Crss
Coss
0.03
VGS = 4.5 V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction) Pulsed Drain Currenta L = 0.1 mH TC = 25 °C TC = 125 °C Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy Maximum Power Dissipationa Operating Junction and Storage Temperature Range TC = 25 °C TC = 125 °C SYMBOL VDS VGS ID IS IDM IAS EAS PD TJ, Tstg LIMIT - 20 ±8 -5 -3 - 2.5 - 20 - 11 6 2 0.67 - 55 to + 175 mJ W °C A UNIT V
泉芯电子技木 高亮度LED灯升压驱动控制器 QX2305 说明书
高亮度LED灯升压驱动控制器 QX2305概述QX2305 是一款高效率，稳定可靠的高亮度LED灯驱动控制IC，内置高精度比较器，off-time控制电路，恒流驱动控制电路等，特别适合大功率，多个高亮度LED灯串恒流驱动。
QX2305采用固定off-time控制工作方式，其工作频率高达2.5MHz，可使外部电感和滤波电容、体积减少，效率提高。
off-time最小时间，可通过外部电阻和电感进行设置，工作频率根据用户要求而改变。
在EN端加PWM信号，可调节LED灯的亮度。
通过调节外置的电阻，能控制高亮度LED 灯的驱动电流，使LED灯亮度达到预期恒定亮度，流过高亮度LED灯的电流可从几毫安到1安培变化。
订货信息QX2305XLG:SO-8 特性y可编程驱动电流y高效率：最高达90%y宽输入电压范围：2V~400Vy高工作频率：>1.5MHzy工作频率可调：500KHz~1.5MHzy驱动LED灯功能强：LED灯串可从1个到几十个LED高亮度灯y亮度可调：通过EN端PWM，调节LED灯亮度应用范围y干电池供电LED灯串y LED灯杯y RGB大显屏高亮度LED灯y平板显示器LED背光灯y恒流充电器控制y通用恒流源方框图管脚排列图管脚定义:管脚序号管脚名称功能描述1 VSS电源地2 EN芯片使能端3 COMP内部比较器补偿4 FB电压反馈端5 DRV外部MOS驱动端6 CS电流反馈检测脚7 TOFF关断时间设定8 VDD电源正(2V-6.5V)极限参数参数符号描述值单位Vmax VDD脚电电压8 V 电压Vmin-max EN, CS 和 FB 脚电压值-0.3-VDD+0.3 VTmin-max 工作温度范围-20-85 o C 温度Tstorage 存储温度范围-40-165 o C ESD VESD ESD 电压（人体模式）2000 V主要电气性能和指标参数参数 符号测试条件最小 典型最大单位电源电压 VDD 2.56.5 VCS 脚反馈电压 V CS 240 250 260 MVFB 脚反馈电压 V FB970 1000 1030 MV工作电流IDD0.5 1 MA关断时间 (Toff 脚悬空) T OFF0640 ns待机电流 IDDQ1 uAEN 脚逻辑高电平 V ENH 2.0 VEN 脚逻辑低电平 V ENL 0.8 V DRV 脚电压上升时间T RISE500pF 电容在DRV 脚上时50 nsDRV 脚电压下降时间 T FALL 500pF 电容在DRV 脚上时50 ns应用指引QX2305是一款开关工作模式的大功率LED 驱动IC ，正常工作时给外部的电感充放电，通过反馈脚的反馈，可以得到恒定的输出电流。
AP2305AGN中文资料
Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp.POWER MOSFET▼Simple Drive Requirement BV DSS-30V▼Small Package Outline R DS(ON)80mΩ▼Surface Mount Device I D- 3.2ADescriptionAbsolute Maximum RatingsSymbol UnitsV DS VV GS VI D@T A=25℃AI D@T A=70℃AI DM AP D@T A=25℃WW/℃T STG℃T J℃Symbol Value Unit Rthj-amb Thermal Resistance Junction-ambient3Max.90℃/WData and specifications subject to change without noticeParameterDrain-Source VoltageGate-Source VoltageContinuous Drain Current3-55 to 150Linear Derating Factor1.38-55 to 150Thermal DataParameterTotal Power DissipationOperating Junction Temperature RangeStorage Temperature RangeContinuous Drain Current3-2.6Pulsed Drain Current1,2-10200731031AP2305AGNRating- 30± 12-3.20.01Pb Free Plating ProductThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,, low on-resistance and cost-effectiveness.The SOT-23 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltageapplications such as DC/DC converters.DGSSOT-23AP2305AGNElectrical Characteristics@T j=25o C(unless otherwise specified) Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Units BV DSS Drain-Source Breakdown Voltage V GS=0V, I D=-250uA-30--V ΔB V DSS/ΔT j Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃, I D=-1mA--0.1-V/℃R DS(ON)Static Drain-Source On-Resistance V GS=-10V, I D=-3.2A--60mΩV GS=-4.5V, I D=-3.0A--80mΩV GS=-2.5V, I D=-2.0A--150mΩV GS=-1.8V, I D=-1.0A--250mΩV GS(th)Gate Threshold Voltage V DS=V GS, I D=-250uA-0.5--1.2V g fs Forward Transconductance V DS=-5V, I D=-3.0A-9-S I DSS Drain-Source Leakage Current (Tj=25o C)V DS=-30V, V GS=0V---1uA Drain-Source Leakage Current (T j=70o C)V DS=-24V, V GS=0V---25uAI GSS Gate-Source Leakage VGS=--nA Q g Total Gate Charge2I D=-3.2A-1018nC Q gs Gate-Source Charge V DS=-24V- 1.8-nC Q gd Gate-Drain ("Miller") Charge V GS=-4.5V- 3.6-nC t d(on)Turn-on Delay Time2V DS=-15V-7-ns t r Rise Time I D=-3.2A-15-ns t d(off)Turn-off Delay Time R G=3.3Ω,V GS=-10V-21-ns t f Fall Time R D=4.6Ω-15-ns C iss Input Capacitance V GS=0V-7351325pF C oss Output Capacitance V DS=-25V-100-pF C rss Reverse Transfer Capacitance f=1.0MHz-80-pF Source-Drain DiodeSymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Units V SD Forward On Voltage2I S=-1.2A, V GS=0V---1.2V trr Reverse Recovery Time I S=-3.2A, V GS=0V,-24-ns Qrr Reverse Recovery Charge dI/dt=100A/µs-19-nCNotes:1.Pulse width limited by Max. junction temperature.2.Pulse width <300us , duty cycle <2%.3.Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board ; 270℃/W when mounted on min. copper pad.± 12V±100AP2305AGNFig 2. Typical Output CharacteristicsFig 3. On-Resistance v.s. Gate VoltageFig 4. Normalized On-Resistancev.s. Junction TemperatureFig 5. Forward Characteristic ofFig 6. Gate Threshold Voltage v.s. Reverse DiodeJunction TemperatureAP2305AGNFig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance CharacteristicsFig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal ImpedanceFig 11. Switching Time WaveformFig 12. Gate Charge Waveform。
TC3085CL
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概述
TC3085CL 是一款开关调光/调色的线性 LED 恒流驱动芯片，集成了高压 MOS 管和 JFET 高压供电功能。
主要用于驱动由市电供电的高电压、低电流 LED 灯串。
由于不需要电解电容和磁性元件，LED 驱动器可以实现小体积、长寿命，并符合 EMI 规定。
TC3085CL 通过打开和关闭电源开关，根据 SEL 引脚配置，依次切换芯片内部两路恒流输出的通断状态，通过不同的外围 CS 电阻接法，达到调光或调色的效果。
特点
➢ 外围电路非常简单，驱动器体积非常小 ➢ 无需电解电容和磁性元件 ➢ 500V 内置高压 MOS 管 ➢ 超快 LED 启动 ➢ ±5% LED 输出电流精度 ➢ L ED 电流可外部设定
➢
过温调节功能 ➢ 3 秒内可实现开关切换 ➢ 调光比例 100%，50%，X% ➢ 兼容 2 状态、3 状态切换 ➢
采用 ESOP-8封装
应用
➢ GU10/E27 LED 球泡灯、射灯 ➢ LED 蜡烛灯 ➢ 其它 LED 照明
订购信息 引脚示意图及说明
引脚示意图
序号 名称 引脚说明 1
VCC
电源端
2 SEL 开关逻辑选择控制端
3 CS1 芯片电流采样端口 1
4 CS2 芯片电流采样端口 2
5 D2 恒流输出端口 2
6 D1 恒流输出端口 1
7 NC 悬空 8 VIN 供电端口 衬底
GND
地
定购型号 封装 温度范围 包装形式
TC3085CL
ESOP-8
-40 ℃到 105 ℃ 编带 4,000 颗/盘。
LED降压恒流驱动IC
LED降压恒流驱动IC大功率LED驱动IC-TAC7135 价格为:1.2元TAC Microtech（台创科技)针对大功率LED(发光二极管)的不同应用推出一款解决方案TAC7135。
TAC7135是一款输入电压2.7V-6V 的350mA超低压差稳流器。
350mA恒定电流输出推动1W的大功率LED,达到稳定亮度、增加电池总输出功率的效果，输出电流分别有300mA、330mA、350mA、380mA，其超低压差、低静态电流特性更延长了电池使用时间。
使用两个380mA并联则可直接驱动3W大功率LED，无须任何外接组件,并具有输出短路/开路保护与内建过热保护装置。
SOT-89-3封装。
应用范围：大功率LED手电筒、大功率LED矿灯、低压降压模块、汽车LED灯、LED灯箱、LED台灯照明, 并可直接代替AMC7135。
规格书下载：TAC7135大功率LED驱动IC-TAC7136 价格为:1.5元TAC7136 是一款低静态电流、低压差的LED恒流驱动器。
输入电压2.7V-6V，使用一个外接电阻，可使输出电流能在100mA到400mA范围内进行调节。
仅仅需要一个外接电阻就可构成一个完整的LED恒流驱动电路。
内部自带软启动、过热保护、低压保护。
提供一个可以用于扩压和扩流的DR脚。
外接一个MOS 场效应管或NPN三极管，可以扩大输出电流和输出电压范围，最大电流可达2A。
SOT-89-5封装。
应用范围：大功率LED手电筒、大功率LED矿灯、低压降压模块、汽车LED灯、LED灯箱、LED台灯照明,LED 显微镜灯。
规格书下载：TAC7136大功率LED驱动IC-TAC9920 价格为:1.5元TAC9920 是一款高效率，稳定可靠的大功率LED驱动IC，内置高精度比较器，off-time控制电路，恒流驱动控制电路等，特别适合大功率，多个大功率LED灯串恒流驱动。
TAC9920采用固定off-time控制方式，其工作频率可高达2.5MHz,可使外部电感和滤波电容，体积减少，效率提高。
QX2305升压型DC-DC控制器
极限参数（注 1）
参数
符号
描述
最小值 最大值 单位
电压
VMAX
VDD 最大电压
EN、COMP、FB、DRV、CS 和 VMIN_MAX TOFF 脚电压
-0.3
7
V
VDD+0.3
V
最大功耗 温度
PSOP8 TJ TA
TSTG TSD
SOP8 最大功耗
结温范围
-20
工作温度
-20
存储温度
-40
焊接温度范围（时间少于 30 秒）
芯片通过 CS 管脚采样电感电流，实 现峰值电流控制，此外，CS 脚还用来限制 最大输入电流，实现过流保护功能。
系统关断时间可通过连接到TOFF管 脚的电容COFF来设置，通过设定关断时间， 可设置系统的工作频率。
COMP 管脚是误差放大器输出端，可 以在 COMP 脚外接电阻、电容来实现频率 补偿。
客户服务中心
泉芯电子技术(深圳)有限公司 地址：中国深圳市南山区南头关口二路智恒新兴产业园 22 栋 4 楼 邮编：518052 电话：+86-0755-88852177 传真：+86-0755-86350858 网址：
QX2305_DS01CN
泉芯电子技术(深圳)有限公司
DRV 脚接 500pF 电容 DRV 脚接 500pF 电容
1000
KHz
ns
V
0.8
V
50
ns
50
ns
QX2305_DS01CN
泉芯电子技术(深圳)有限公司
5 of 10
TOFF(us) IINQ(uA)
典型参数曲线
除非特别说明，VDD=5V，TA =25 oC
TPS5430中文资料
（1-2）
式中： KIND 是一个系数， 代表了电感纹波电流相对最大输出电流,推荐值为 0.2～0.3。 （4） 钳位二极管 D1 该款 TPS5430 在 PH 和 GND 之间接外部钳位二极管。选定的二极管必须满足 大于该系统的绝对最大额定值：反向电压必须比最高 PH 电压还高，这是 VINMAX + 0.5， 峰值电流必须大于 IOUTMAX 再加上峰峰值电感电流一半。 重要的是要注意 该二极管传导时间通常长于高侧 FET，因此重视对二极管参数配置可以使整体效率 显着提高。对于这个二极管，反向电压 40V，正向电流 3 A，正向压降为 0.5V。
2
②升压电容器 在 PH 引脚与 BOOT 引脚之间接一个 0.01μF 的低 ESR 陶瓷电容。 这电容器提 供了高边 MOSFET 栅极驱动电压。 ③输出反馈（VSENSE）和内部补偿 该稳压器输出电压是由反馈到 VSENSE 管脚由外部电阻分压器设定的。在稳态 运行时，VSENSE 管脚电压应等于参考电压 1.221V。该款 TPS5430 实现内部补偿， 以简化稳压管的设计。由于该款 TPS5430 采用电压模式控制，为了提供高交叉频率 和高稳定性的相位裕度，芯片设计采用Ⅲ型补偿网络[8]。 ④电压前馈 尽管输入电压有变化，内部电压前馈提供恒定直流功率级增益。这大大简化了 稳定性分析，提高了瞬态响应。前馈电压随输入电压的峰值斜坡电压成反比，使调 制器和功率级增益是在反馈增益不变的情况下，TPS5430 典型的前馈增益为 25。 ⑤脉宽调制（PWM）控制 该稳压器采用固定频率脉宽调制（ PWM）控制方法。首先，利用高增益误差 放大器和补偿网络将反馈电压（VSENSE 管脚电压）与参考恒压相比较的，产生误 差电压。然后，由 PWM 比较器将误差电压与斜坡电压进行比较。这样，误差电压 幅度转换为脉冲宽度即占空比。最后，PWM 的输出反馈到栅极驱动电路来控制上 高边 MOSFET 的开通时间和频率。 ⑥过流保护 过电流保护是通过检测高侧 MOSFET 的漏源电压来动作。然后将漏源电压与 代表过流阈值的临界电压值相比较。如果漏源电压超过过流阈值临界值，过电流标 志位设置为真。该系统将在每个周期的开始时忽略前沿消隐时间的过流指示，以避 免任何噪声故障。 一旦过流标志设置为真，过流保护被触发。高侧 MOSFET 在一定的延迟后将 关闭，为下个周期作准备。过电流保护是所谓的循环周期电流限制。如果检测电流 在逐周期电流限制期内继续增加，将触发过电流保护的“间歇”模式替代逐周期限流 模式。在“间歇”模式过流保护，参考电压接地且高侧 MOSFET 为关闭，下次“间歇” 作准备。一旦“间歇”持续时间完成，调节器在慢启动电路控制下重启。
BL8530
第三，一般来说，不考虑效率问题，小电感可以带动的负载能力强于大电感。但是由于在相同
负载条件下，大电感的电流纹波和最大的电流值小，所以大电感可以使得电路在更低的输入电压下
参考电压电路提供稳定的参考电平。并且由于采用内部的修正技术，保证了输出电压精度达到 ±2%，同时由于参考电压经过精心的温度补偿设计考虑，使得芯片的输出电压的温度漂移系数小于 100ppm/℃。
高增益的误差放大器保证了在不同输入电压和不同负载电流情况下稳定的输出电压。为了减小 输出电压的纹波和噪声，误差放大器采用司密特比较器结构，同时具备很快的响应速度。
Rswon ILXleak VCEH VCEL Fosc Maxdty
MC2305ADS规格书
o
Symbol
VGS(th) IGSS IDSS ID(on)
A
Test Conditions
VDS = VGS, ID = -250 uA
VDS = 0 V, VGS = ±8 V
Limits Unit Min Typ Max
-0.7
±100
nA uA A
VDS = -16 V, VGS = 0 V
A
rDS(on) g fs VSD Qg Qgs Qgd Ciss Coss Crss t d(on) tr td(off) tf
VDS = -5 V, VGS = -4.5 V VGS = -4.5 V, ID = -3.6 A VGS = -2.5 V, ID = -3.1 A VGS = -1.8 V, ID = -2.7 A VDS = -5 V, ID = -1.25 A IS = -0.46 A, VGS = 0 V
VDS = -16 V, VGS = 0 V, T J = 55oC
-1 -10 -10 52 72 120 12 -0.60 12.0 2.0 2.0
1312 130 106
Drain-Source On-Resistance Forward Tranconductance Diode Forward Voltage
2
Freescale
Si 2305ADS/ MC2305ADS
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
宽电压稳压IC方案HT7533
Rev. 1.5012014-03-19• 低压降• 较低的温度系数• 高输入电压 (高达 30V)• 静态电流 2.5μA • 大电流输出：100m A • 输出电压精度：±1%• 封装类型：TO92, SOT89 和 SOT23-5应用领域• 电池供电设备• 通信设备• 音频/视频设备HT75xx-2 系列是一组CMOS 技术实现的三端低功耗高电压稳压器。
输出电流为 100m A 且允许的输入电压可高达 30V 。
具有几个固定的输出电压，范围从 2.1V 到 12.0V 。
CMOS 技术可确保其具有低压降和低静态电流的特性。
尽管主要为固定电压调节器而设计，但这些 IC 可与外部元件结合来获得可变的电压和电流。
选型表注：“xx ”代表输出电压。
Rev. 1.5022014-03-19引脚图nt极限参数电源供应电压 ...................................................−0.3V ~ 33V 储存温度范围 ...............................................−50°C ~ 125°C工作环境温度 .................................................−40°C ~ 85°C注： 这里只强调额定功率，超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害，无法预期芯片在上述标示范围外的工作状态，而且若长期在标示范围外的条件下工作，可能影响芯片的可靠性。
热能信息注：P D 值是在 Ta = 25°C 时测得。
电气特性HT7521-2, +2.1V 输出类型注：在 V IN = V OUT+2V 与一个固定负载条件下使输出电压下降 2%，此时的输入电压减去输出电压就是Dropout 电压。
HT7523-2, +2.3V 输出类型注：在 V IN = V OUT+2V 与一个固定负载条件下使输出电压下降 2%，此时的输入电压减去输出电压就是Dropout 电压。
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Preliminary
Preliminary
Preliminary
Preliminary
通过储能电感的最大电流为I
LMAX =250／R
CS
(mA)，通过LED的平均电流ILED约为3R×I
LMAX。
Rcs
阻值不同，就可设置通过LED的驱动电流，R CS越小，驱动电流越大。
R
CS
的选择公式如下：
Rcs=250mV
（I LED+0.5×I L）
I LED为通过LED灯的电流；I L为通过电感L的峰值电流
例如：I L＝150mA I LED=500mA 则R CS=0.43Ω
RC和CC的选用
RC和CC为补电容和电阻，通常在工作频率高才使用。
MOSFET的选用
首先要考虑MOS管的耐压，一般要求MOS管的耐压高于输出电压2倍。
其次，根据驱动LED灯电流的大小，选择MOS管的I DS最大电流。
一般情况下，应选用MOS管的I DS最大电流是LED灯驱动电流的5倍以上。
另外,MOS管的内阻要小，以减小在MOS管上的功率损耗；MOS 管的R DS应小于0.3欧以下，LED驱动电流越大；R DS应越小，R DS越小，变换效率越高。
包装。