自激式串联开关电源

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ST公司基于MOSFET的自激式(RCC)开关电源设计(整合)

ST公司基于MOSFET的自激式(RCC)开关电源设计(整合)

ST公司自激式开关电源设计1 Power Transformer Design Calculationsl The specifications:–V AC= 85~265Vl Line frequency: 50~65Hz–V O= 5V–I O= 0.4ATaking transient load into account, the maximum output current is set asI O(m a x)= 1.2I O= 4.8 A1.1Switching FrequencyThe system is a variable switching frequency system (the RCC switching frequency varies with the input voltage and output load), so there is some degree of freedom in switching frequencyselection. However, the frequency must be at least 25kHz to minimize audible noise.Higher switching frequencies will decrease the transformer noise, but will also increase the levelof switching power dissipated by the power devices.The minimum switching frequency and maximum duty cycle at full load is expressed asf S(m i n)= 50 kHzD m a x= 0.5where the minimum input voltage is 50kHz and 0.5, respectively.1.2 STD1LNK60Z MOSFET Turn RatioThe maximum MOSFET drain voltage must be below its breakdown voltage. The maximum drainvoltage is the sum of:l input bus voltage,l secondary reflected voltage, andvoltage spike (caused by the primary parasitic inductance at maximum input voltage).The maximum input bus voltage is 375V and the STD1LNK60Z MOSFET breakdown voltage is 600V. Assuming that the voltage drop of output diode is 0.7V, the voltage spike is 95V, and themargin is at least 50V, the reflected voltage is given as:V fl= V(B R)DS S–V m arg i n–V D C(ma x)–V s p k= 600 –50 –375 –95 = 80 VThe Turn Ratio is given aswhere,V fl= Secondary reflected voltageV(BR)DSS= MOSFET breakdown voltageV margin= Voltage marginV DC(max)= Maximum input bus voltageV spk= Voltage spikeV f= Voltage dropN = Turn RatioN p= Primary Winding TurnsN s= Secondary Winding Turns1.3Primary Currentl Primary Peak Current is expressed as:l Primary Root Mean Square (RMS) Current is expressed aswhere,I ppk= Primary peak currentV O= Voltage outputI O(max)= Maximum current outputη= Efficiency, equal to 0.7D max= Maximum duty cycleV DC(min)= Minimum input bus voltageI prms= Primary RMS current1.4Primary InductancePrimary Inductance is expressed aswhere,V DC(min)= Minimum Input DC voltage f s(min)= Minimum switching frequency D max= Maximum duty cyclef s(min)= Minimum switching frequencyI ppk= Primary peak currentFor example, if Primary Inductance is set to 5.2mH, the minimum switching frequency is:1.5Magnetic Core SizeOne of the most common ways to choose a core size is based on Area Product (AP), which is the product of the effective core (magnetic) cross-section area times the window area available for the windings.Using a EE16/8 core and standard horizontal bobbin for this particular application, the equation used to estimate the minimum AP (in cm4) is shown aswhere,L p= Primary InductanceI prms= Primary RMS currentk u= Window utilization factor, equal to:–0.4 for margin wound construction, and–0.7 for triple insulated wire constructionB max= Saturation magnetic flux densityT = Temperature rise in the core1.6Primary Winding1.6.1 Winding TurnsThe effective area of an EE16 core is 20.1mm2(in the core’s datasheet). The number of turns of primary winding is calculated aswhere,N p= Primary Winding TurnsV DC(min)= Minimum Input DC voltageD max= Maximum duty cyclef s(min)= Minimum switching frequencyB = Flux density swingA e= Effective area of the core1.6.2 Wire DiameterThe current density (A J) allowed to flow through the chosen wire is 4A/mm2. The Copperdiameter of primary wire is expressed aswhere,d p= Diameter of primary winding wireI prms= Primary RMS currentA J= Current density1.6.3 Number of Primary Winding Turns per LayerThe EE16 bobbin window is about 9mm, so if the enamel wiring chosen has a 0.21mm outerdiameter and a 0.17mm Copper diameter, the number of turns per layer is expressed aswhere,N p1= Layer 1 Primary Winding TurnsN p1= 42 turns per layer, 4 layers neededN p= 168 (total turns for all 4 layers)1.6.4 Practical Flux SwingUsing the N p= 168 value, the practical flux swing is expressed aswhere,B = Flux density swingV DC(min)= Minimum input bus voltageD max= Maximum duty cyclef s(min)= Minimum switching frequencyA e= Effective area of the coreN p= Primary Winding Turns1.7Secondary WindingUsing triple insulation wire with a 0.21mm Copper diameter, the number of turns of secondary winding is expressed aswhere,N s= Secondary Winding TurnsN p= 168 (total turns for all 4 primary winding layers) N p=Primary Winding TurnsN = Number of turns per primary winding layer1.8Auxiliary Winding1.8.1 Winding TurnsThe MOSFET gate voltage at minimum input voltage should be 10V to conduct the MOSFETcompletely. For this application, the optocoupler is powered by the fly-back method, so the number of auxiliary winding turns of auxiliary winding is calculated aswhere,V g= Gate voltageV DC(min)= Minimum input bus voltageN a= Auxiliary Winding Turns N p= Primary Winding Turns V o=Optocoupler voltageV F= Fly-back voltageN s= Secondary Winding Turns1.8.2 Wire DiameterWith the auxiliary winding turns set to 11 (N a=11), the enamel wire chosen has a 0.21mm outerdiameter and a 0.17mm Copper diameter. The Copper diameter of primary wire is expressed as1.9Gap LengthThe gap length setting is based on the number of primary winding turns and primaryinductance during the manufacturing process.Note: In practice, the saturation current value must be ensured. If it is not, then the design activity should be restarted.2 Components2.1MOSFETThe STD1LNK60Z (see Appendix A:STD1LNK60Z-based RCC Circuit Schematics onpage22) has built-in, back-to-back Zener diodes specifically designed to enhance not only theElectrostatic Discharge (ESD) protection capability, but also to allow for possible voltage transients (that may occasionally be applied from gate to source) to be safely absorbed.2.2R3Startup Resistor2.2.1 Minimum Power DissipationThe startup resistor R3 is limited by its power dissipation because of the high input bus voltage that moves across it at all times. However, the lower the R3 value is, the faster the startupspeed is. Its power dissipation should be less than 1% of the converter’s maximum output power.The minimum power dissipation value is expressed as2.2.2 Maximum Power DissipationIf R3is set to 4.2M , its max power dissipation is expressed as2.2.3 Startup Resistors and the Power MarginThe power rating for an SMD resistor with a footprint of 0805 is 0.125W. Three resistors(1.2M , 1.2M ,and 1.8M , respectively) are placed in series to produce the required startupresistor value and still have enough power margin.2.3Optocoupler Power MethodsThere are two methods for powering the optocoupler:l fly-back (see Figure2), andl forward (see Figure3).The fly-back method was chosen for the RCC application because it provides more stable power for the optocoupler.Figure 2. Optocoupler Fly-back PowerFigure 3. Optocoupler Forward Power2.4R7Sense Resistor2.4.1 Minimum Power DissipationSense resistor R7 is used to detect primary peak current. It is limited by its maximum powerdissipation, which is set to 0.1% of the maximum power. The minimum power dissipation isexpressed as2.4.2 Maximum Power DissipationIf R7is set to 3.4 , its maximum power dissipation is expressed as2.4.3 Sense Resistors and the Power MarginTwo resistors (6.8 , and 6.8 , respectively) are placed in parallel to produce the requiredsense resistor value and still have enough power margin.Ramp-up voltage (via R7x I ppk), when added to the DC voltage [(I1+I e)(R7+R9)] achieves good output voltage and current regulation (see Figure4).Note: The R9 value should be much greater than the R7 value. The minimum primary current, I ppk,and the maximum current, I2, are in a stead state at the minimum load, while the maximum I ppk andthe minimum I2are in a stead state at the maximum load.The cathode current, I k, of TL431 is limited to 1mA< I k<100mA, and the maximum diode current ofoptocoupler PC817 is 50mA. In order to decrease quiescent power dissipation, the maximumoperation diode current, I F, of PC817 can be set to 10mA.The Current Transfer Ratio (CTR) of PC817 is about 1:0 at the stead state. As a result, the maximum operation transistor current I e of PC817 is also set to 10mA. Initially the effect of I1is neglected.At minimum load,At maximum load,where,V Qbe= Cut off voltage; when the voltage between the base and the emitter of transistor Q2reaches this value, MOSFET Q1 is turned off.For the purposes of this application design: R9=360 , andC6= 2.2nF; the role of C6is to accelerate the MOSFET’s turning OFF.Figure 4. Current Sense Circuit2.5Constant Power ControlThe pole of capacitor C7 can filter the leading edge current spike and avoid a Q2 switch malfunction.However, it will also lead to delays in primary peak transfer as well as the turning on of Q2. As aresult, different power inputs are produced at different input voltages.Z1, R11, and R11a provide constant current, which is proportional to the input voltage. This way,power inputs are basically the same at different input voltages.Note: They must be carefully selected and adjusted to achieve basically constant power inputat different input voltages. The basic selection process is expressed aswhere,I = Current changeV DC= Input bus voltage L p= Primary Inductance T d= Transfer delayIn relation to the present RCC application,where,N a= Auxiliary Winding Turns N p= Primary Winding Turns V o=Optocoupler voltageV F= Fly-back voltageN s= Secondary Winding TurnsV z1= Zener diode 1 voltageNote: R11>> R9 >> R7, so in this case, only R11is used:Note: Constant control accuracy is not as good if Z1 is not used, and applying it is very simple.For the purposes of this application design: C7=4.7nF, andR11= 36K2.6Zero Current SenseC5blocks DC current during starting up and allow charge to be delivered from the input voltagethrough starting up resistor until MOSFET turns on for the first time. The MOSFET C5and inputcapacitor C iss form a voltage divider at the MOSFET gate, so C5value should be ten timesmore than that of C iss. This decreases the MOSFET (full) turn-on delay. In this case, C5=6.8nF.R10limits power dissipation of zener diode inside the MOSFET. The selection process isexpressed aswhere,V DC(max)= Maximum input bus voltageN a= Auxiliary Winding Turns N p= Primary Winding Turns V o=Optocoupler voltageV F= Fly-back voltageN s= Secondary Winding TurnsV ZD= Zener diode voltageI ZD= Zener diode currentNote: If a 20V external zener diode is used and the maximum current of the zener diode is10mA, the value of R10is: R10= 1.5KR12limits current I e of PC817, so the value of R12is: R12=1K2.7Constant Voltage And Constant Currentl The Constant Voltage (CV) configuration is comprised of the error amplifier TL431, R21, R22, and C11. TL431 provides the reference voltage. R21 and R22 divide the output voltage andcompare it with the reference. C11 compensates the error amplifier TL431.R19 limits the optocoupler diode current I F(see Figure5and Figure6on page18foroperation characteristics).For the purposes of this application, the devices selected are:R21=1k ;R22=1k ;C11=100nF; andR19=150 .l The Constant Current (CC) can be established simply with a transistor, Q3, R16, R18, R15, and C10. Output current flows through the sense resistor R16. Q3 is turned on when thevoltage drop of R16 reaches the same value as the base turn-on voltage of Q3. This increasesthe current through the optocoupler and the converter goes into constant current regulation.R16 senses the output current, and R18 limits the base current of Q3. The rating power ofR16 must then be considered. If I o= 0.4A and V b= 0.5V, thenTwo resistors, one 3.0 and one 2.2 , with SMD1206 footprint are placed in parallel to get therequired power dissipation and resistance value.Similarly, R15 limits the optocoupler’s I F diode current for constant current regulation. C10compensates the constant current control.For the purposes of this application, the devices are: R15= 75 ,R18= 360 , andC10= 1nF.Note: The parameters of the remaining transformer devices can be seen in the Bill of Materials(BOM, see Appendix B:STD1LNK60Z-based RCC Circuit Bill of Materials).Figure 5. C V and CC Curve at 110V ACNote:V DS=200V/div;time=4μs/div)Figure 6. CV and CC Curve at 220V ACNote:V DS=200V/div;time=4μs/div)3 Test ResultsTable 1. Line and Load RegulationNote:See Figure7and Figure9on page21for operation waveforms. Table 2. Efficiency RatingsTable 3. Standby PowerFigure 7. Drain To Source Voltage Operation Waveform, 85V ACNote:V DS=100V/div;time=4μs/divFigure 8. Drain To Source Voltage Operation Waveform, 110V ACNote:V DS=100V/div;time=4μs/divFigure 9. Drain To Source Voltage Operation Waveform, 220V ACNote:V DS=200V/div;time=4μs/div)Figure 10. Drain To Source Voltage Operation Waveform, 265V ACNote:V DS=200V/div;time=4μs/div)Appendix A: STD1LNK60Z-based RCC Circuit SchematicsFigure 11. RCC Control Circuit Components Schematic (see Section2on page12)Figure 12. STD1LNK60Z-based RCC Schematic (full view)Appendix B: STD1LNK60Z-based RCC Circuit Bill of MaterialsTable 4. BOM4 Revision History。

自激开关电源设计的注意事项

自激开关电源设计的注意事项

自激开关电源设计的注意事项在设计和制作开关电源时。

必须注意一些常识。

下面以附图所示的自激式开关电源为例加以说明。

1.一次侧和二次侧的绝缘 必须重视交流侧和二次侧的绝缘。

对这一问题各国都有相应的规定。

如对一次侧和二次侧的相邻印刷电路的间隔(平面距离)为3mm,一次侧和二次侧相邻元件的空间距离为5mm等,并利用变压器来作电气绝缘。

连接一次侧和二次侧的元件有三个,即图中的变压器T1、电容器C12、光耦合器IC2,它们必须满足各自的安全规格。

对变压器T1,主要关注其初次级间的绝缘层。

C12用于去除来自电源线的噪声,需选用交流电容器。

并有足够的耐压,其容量不能过大。

否则会增大泄漏电流。

2.一次侧元件不能有短路隐患 图中一次侧的浪涌电压吸收器SAl、Rl、Cl、C2、整流桥Dl直接承受交流市电,如果发生短路可能引起火灾。

C1、C2用于降低共模噪声,要使用交流电容器。

并保证其耐压大于交流市电电压的倍,如对220V电压可选400V交流耐压。

3.电路中的保护措施不能省略 图中的熔断器F1,在电路发生短路时及时熔断,切断交源以免发生火灾,应选用快速熔断型:而F2是保护开关管Trl 的温度熔断器。

应紧贴Trl安装。

此外。

ICl内藏过电流限制电路,通过R12上的电压降检测出过电流;SA1可吸收外部过电压。

4.注意出口产品的安全规路 用于出口的开关电源,设计时应按进口国的安全标准进行设计、生产。

除了进行绝缘和泄漏的检测外。

要保证当电容器短路时其他部件不会损坏,不慎插入外壳的金属杆不会引起触电和短路。

 tips:感谢大家的阅读,本文由我司收集整编。

仅供参阅!。

自激式开关电源的原理

自激式开关电源的原理

第3章 自激式开关电源的原理与应用自激式开关电源利用调整管、变压器辅助绕组构成正反馈通路,实现自激振荡,再借助反馈信号稳定电压输出。

由于调整管兼作振荡管,所以无须专设振荡器,故所用的元器件较少,电路简单、成本低,在一定程度上简化了电路。

由于自激式开关电源经济实用,目前仍有较多的电子设备采用自激式开关电源,比如手机充电器、打印机、自动化仪器仪表、电视机和显示器等。

本章拟在讲述自激式开关电源基本电路的基础上,以几种变压器耦合型自激式开关电源的电路实例为载体,配合关键点的测试波形,剖析它们的工作原理,希望引领读者进入开关电源的万千世界。

3-1 自激式开关电源的工作原理3.1.1 自激式开关电源的特点1.自激式开关电源现在所有由市电供电的AC-DC 设备,几乎全部采用变压器耦合型开关电源,也称为隔离型开关电源。

功率管周期性通断,控制开关变压器初级绕组存储输入电源的能量,通过次级绕组进行能量释放。

显然,开关电源的输入与输出是通过变压器的磁耦合传递能量的。

由于变压器绕组之间是绝缘的,因此初次级绕组完全隔离,即“热地”和“冷地”是绝缘的,且绝缘电阻和抗电强度均可达到很高,这一特点对用电安全尤为重要。

若开关管的激励脉冲是由变压器辅助绕组与开关管构成的正反馈环路自激振荡产生的,称为自激式开关电源。

由于自激式开关电源的调整管兼作振荡管,因此无须专设振荡器。

除非特别说明,本书讲述的自激式开关电源均是指自激式变压器耦合型开关电源,下面就介绍这方面的知识。

2.自激式开关电源的特点(1)自激式开关电源结构简单,生产制造成本低廉。

(2)自激式开关电源的脉冲信号是自激振荡产生的,是一种非固定频率的变换电路,随输入电压和负载变化而变化,轻载时开关频率较高或间歇振荡,满载时频率会自动降低。

(3)自激式开关电源在占空比D 发生改变时,开关管的C I 与CE U 相对值发生变化,因此D 变化范围较小,一般小于50%。

(4)自激式开关电源具备一定的自保护功能,一旦负载过重,必然破坏反馈条件,振荡将因损耗过大而减少或和间歇振荡,因此保护电路比较简单,这是自激式开关电源的一大优点。

并联自激式单管开关电源电路

并联自激式单管开关电源电路

并联自激式单管开关电源电路自激式开关电源是一种利用间歇振荡电路组成的开关电源,此类开关电源占有量不多,结构也不是太复杂,下面以图5-1所示电路简要进行说明。

识图时,应注意以下几个要点。

自激式单管开关电源中的开关管既可以采用三极管,也可以采用场效应管,这里采用的是三极管。

开关管VT513起着开关及振荡的双重作用,省去了控制电路(一般没有专用电源控制芯片)。

自激振荡的过程如下。

接通电源后,220V市电电压经VD503~VD506整流、C507滤波,在滤波电容C507两端得到近300V直流电压,通过开关变压器T511的3-7绕组加到开关管VT513的集电极。

同时该电压还经启动电阻R520~R522、R524为VT513的基极提供启动电流,使VT513导通。

T511绕组3-7中有电流通过并感应出3正、7负的感应电压,同时1-2反馈绕组也感应出1正、2负的正反馈电压,该电压经R519、C514、R524加至VT513的基极,使VT513迅速饱和导通。

随着C514充电电压的升高,VT513基极电位逐渐变低,致使VT513退出饱和区,厶开始减小,在T511的1-2绕组感应出1负、2正相位相反的电压,使VT513迅速截止。

VT513截止后,T511的1-2绕组中没有感应电压,300V直流供电输入电压又经R520~R522给C514反向充电,逐渐提高VT513基极电位,使其重新导通,再次翻转达到饱和状态,电路就这样重复振荡下去。

从开关变压器T511的同名端(T511中的小圆点)可以看出,这是一个反激型开关电源,也就是说,当开关管VT513导通时,开关变压器T511的3-7 -次绕组感应电压为3正、7负,而二次绕组11-12感应电压为11正、12负,整流二极管VD552处于截止状态,在一次绕组3-7中储存能量。

当开关管VT513截止时,变压器T511 -次绕组3-7中存储的能量,通过二次绕组及VD552整流和电容C561滤波后向负载输出。

自激式开关电源的分析方法

自激式开关电源的分析方法

浅谈自激式开关电源的分析方法摘要 crt彩色电视机中主要采用分立元件组成的自激振荡式并联型开关电源电路,工作原理复杂、维修较困难。

本文结合笔者多年教学实际,提出了以自激振荡过程为核心的电路分析方法,便于学生较快地熟悉其工作原理,掌握保护电路和稳压电路的分析方法,具备快速检修开关电源的能力。

关键词自激振荡;开关电源;分析中图分类号tn86 文献标识码a 文章编号 1674-6708(2011)44-0078-020 引言目前,crt彩色电视机中主要采用分立元件组成的自激振荡式并联型开关电源电路。

由于其核心器件电源调整管工作在非线性状态,与串联稳压电源相比,具有体积小、重量轻、效率高、电压适应范围宽等显著优点,但是其工作原理复杂、维修困难,在实际教学过程中学生难以迅速掌握。

本文介绍了以自激振荡过程为核心的分析方法,便于在教学过程中使学生熟悉其工作原理,具备快速检修开关电源的能力。

1 开关电源的工作原理220v交流电直接经低频整流滤波后得到300v左右的直流电压,利用高频自激振荡电路将直流电转化为30khz~60khz的脉冲信号,再经储能变压器的能量转换送入高频整流滤波电路,经高频续流二极管整流后得到所需的多组直流电压输出。

通过取样调整电路,改变高频脉冲的脉冲宽度或脉冲周期来稳定输出电压。

开关电源电路常分为低频整流滤波电路、自激振荡电路、稳压电路、保护电路和高频整流滤波电路等部分。

其工作过程中的关键环节是产生高频脉冲,在将能量转化为高频脉冲时,开关管工作在饱和导通和截止状态,提高了能量利用效率;将能量转化为高频脉冲,可以通过改变占空比调节向输出端提供的能量,有利于适应电网电压大范围的波动;将能量转化为高频脉冲后,可以减小高频滤波电容容量,有利于缩小电源体积,减少电源重量。

2 自激振荡电路原理分析自激振荡电路起振是自激式开关电源正常工作的必要条件,开关调整管和变压器初级绕组l1参与振荡过程。

当开关调整管工作在饱和导通状态时,在变压器初级绕组l1上产生上正下负的感应电动势,次级绕组l2产生上负下正的感应电动势,初级绕组l1中的电流逐渐增大;当开关调整管截止时,变压器初级绕组l1上产生上负下正的感应电动势,次级绕组l2产生上正下负的感应电动势,续流二极管vd导通,向负载提供能量,并对电容c充电。

开关电源的9种分类方式

开关电源的9种分类方式

开关电源的9种分类方式
(1)按技术、开关管的连接方式、电源技术划分,开关电源可分为串联型开关电源和并联型开关电源。

串联型开关电源的开关管是串联在输入电压和输出负载之间,属于降压式稳压电路;而并联型开关电源的开关管是在输入电压和输出负载之间并联的,类似于冗余电源一类的属于升压式稳压电路。

(2)按激励方式,开关电源可分为自激式和他激式。

在自激式开关电源中,由开关管和变压器技术'>高频变压器构成正反馈环路,来完成自激振荡,类似于间歇振荡器;而他激式开关电源必须附加一个振荡器,振荡器产生的开关脉冲加在开关管上,控制开关管的导通和截止,使开关电路工作并有直流电压输出。

(3)按调制方式,像服务器电源的开关电源可分为脉宽调制(PWM)方式和脉频调制(PFM)方式。

PWM是通过改变开关脉冲宽度来控制输出电压稳定的方式,而PFM是当输出电压变化时,通过取样比较,将误差值放大后去控制开关脉冲周期(即频率),使输出电压稳定。

(4)按输出直流值的大小,开关电源可分为升压式开关电源和降压式开关电源,也可分为高压开关技术'>高压开关电源和低压开关电源。

(5)按输出波形,开关电源可分为矩形波和正弦波电路。

(6)按输出性能,开关电源可分为恒压恒频和变压变频电路。

(7)按开关管的个数及连接方式又可将开关电源分为单端式、推挽式、半桥式
和全桥式等。

单端式仅用一只开关管,推挽式和半桥式采用两只开关管,全桥式则采用四只开关管。

(8)开关电源按能量传递方式又可分为正激式和反激式。

(9)按软开关方式分,开关电源有电流谐振型、电压谐振型、E类与准E类谐振型和部分谐振型等。

自激式开关电源原理

自激式开关电源原理

自激式开关电源原理
自激式开关电源原理是一种广泛应用于电子设备中的电源供应构架。

它是由一组电路所组成的,主要作用是将交流电转化为稳定的直流电。

以下是该原理的详细说明:
一、自激电路
自激电路是自激式开关电源的核心部分,也叫反馈电路。

它通过控制
开关管的导通或截止来调节变压器的工作状态,使输出电压保持稳定。

当输出电压过高时,自激电路会降低开关管的导通时间,使变压器的
耦合度降低,从而输出电压下降。

反之,当输出电压过低时,自激电
路会增加开关管的导通时间,使变压器的耦合度增加,从而输出电压
上升。

二、开关管
开关管是自激式开关电源工作时的控制元件。

它主要用来控制变压器
的输入电压,使得开关管的导通和截止能够改变输出电压。

常用的开
关管有 MOS、IGBT 和二极管等。

三、变压器
变压器是用来变换输入电压的元器件,也是自激式开关电源的核心之一。

它可将交流电转换为稳定的直流电,通过调整自激电路来控制输
出电压。

变压器主要包括原边和副边两个部分,它们之间通过互感耦
合实现电能的传输。

四、输出电路
输出电路是自激式开关电源输出端的电路。

它主要用来稳定输出电压,防止电压变化或波动等现象。

输出电路通常包括平滑电容、负载电路
和过载保护等。

自激式开关电源是一种具有高效率和输出稳定的电源供应构架。

它可
广泛应用于计算机、通讯、家电、医疗等领域。

随着技术的不断进步,自激式开关电源将会更加成熟、稳定和高效。

详解自激开关电源电路图

详解自激开关电源电路图

详解自激开关电源电路图该文章讲述了详解自激开关电源电路图.自激开关电源电路图,STR41090电源属于自激式并联型开关电源,适应电网电压能力为150-280V。

振荡过程 C808上约300V直流电压经R811加到N801的(2)脚内部开关管的B极,同时经T802的(1)、(3)绕组加到N801的(3)脚内部开关管的C极,开关管开始导通,电流流过T802的(1)、(3)绕组,在(1)、(3)绕组产生感应电压,极性为(3)正(1)负,经耦合,在(6)、(7)绕组也产生感应电压,极性为(7)正(6)负,此正反馈电压经C819、R817、R816送回到N801的(2)脚,使开关管电流进一步增大,雪崩的过程使开关管迅速饱和。

开关管饱和期间,T802(1)、(3)绕组的电流线性增大,VD821、VD822截止,T802储存磁场能量。

由于C819不断被充电,使N801的(2)脚电压不断下降,到某一时刻,N802(2)脚上的电压不能维持内部开关管的饱和,开关管退出饱和状态,C极电流减小,T802各绕组的感应电压极性全部翻转,反馈绕组(6)、(7)脚的电压极性为(6)正(7)负,经C819、R817、R816送到N801的(2)脚,使N801(2)脚电压进一步减小,又一雪崩过程使开关管迅速截止。

开关管截止期间,VD821导通,在C822电容上形成112V电压;VD822也导通,在C824电容上形成18V电压,T802储存的磁场能量被释放。

另一方面,C819上的电压经R817、R816、VD812、VD813放电,同时300V电压经R811给C819反向充电,这两个因素使C819左端的电压回升,即N801(2)脚的电压回升,当(2)脚电压上升0.6V以上时,开关管再次导通,开始下一周期的振荡。

稳压电路稳压电路由STR41090内部完成,T802的(5)、(6)脚为取样绕组,经VD814整流、C817滤波,在C817上形成取样电压,在正常情况下,C817上的电压约为84V,若输出电压112V升高,则取样电压也必定升高,该取样电压经R815送到N801的(1)脚,通过内部调节,最终使输出电压稳定在112V。

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第3章 自激式开关电源的原理自激式开关电源驱动开关管的信号由自激振荡产生,在一定程度上简化了电路。

它所用的元器件少,电路简单成本低。

由于自激式开关电源经济实用,目前仍有较多的电子设备采用自激式开关电源,比如自动化仪器仪表、视盘机、电视机、显示器、打印机和手机充电器等。

本章在讲述自激式开关电源的基本电路的基础上,以自激式开关电源的电路实例为载体,分析几种变压器耦合型开关电源的工作原理。

∮3-1 自激式开关电源的工作原理3.1.1 自激式开关电源的特点1.自激式开关电源的工作原理(1)自激式开关电源结构简单,生产制造成本低廉。

(2)自激式开关电源的脉冲信号是自激振荡形成的,是一种非固定频率的变换电路,随输入电压和负载变化而变化,空载时开关频率可达100kHz ,满载时可能会降到20kHz ,频率的变化几乎与变压器的匝数和电感量无关。

(3)自激式开关电源的具备了一定的自保护功能,一旦负载过重,必然破坏反馈条件,振荡将因损耗过大而减少或和停振,因此保护电路也比较简单,这是自激式开关电源的一大优点。

(4)自激式开关电源在改变占空比D 时,振荡兼开关管的E i 与CE U 相对值发生变化,因此D 变化范围较小,一般不大于0.5。

(5)自激式开关电源的开关电流峰值高、纹波电流大,由于它的工作频率随着输入电压和负载电流变化而变化,在高功率、大电流工作时稳定性差,因此仅用于60W 以下的小功率场合。

2.自激式开关电源的类型自激式开关电源按输入、输出连接方式可分为串联型(降压式非隔离型)、并联型(升压式非隔离型)和变压器耦合型(隔离型)。

在变压器耦合型自激式开关电源中,按开关管的连接方式又可分为单管式、推挽式和桥式等。

由于自激式并联型属于升压型,实际应用很少,所以,本章我们主要讲述用于AC-DC 变换的自激式中的串联型和变压器耦合型开关电源。

3.1.2 自激式串联型开关电源1.自激式串联型开关电源的工作原理 自激式串联型开关电源是早期采用的一种开关电源,由于开关管、储能电感与负载串联,其输出电压比输入电压低,也称为降压式非变压器耦合型开关电源。

如图3-1所示为自激式串联型开关电源的结构原理图。

I C 、O C 分别是输入电压I U 、输出电压O U 的滤波电容;开关管用一个开关符号模拟替代;L 为储能电感;VD 为续流二极管。

电路中还包含采样电路、电压基准、比较放大和脉宽调制电路的功能框图。

图3-1 自激式串联型开关电源结构原理图输入直流电压I U 经过功率开关管的通断控制,变成周期性矩形波;设周期为T ,开关管导通时间为ON t ,截止时间为OFF t 。

当开关管导通时,电感L 的电压极性为“左正右负”,续流二极管VD 反偏截止;电感L 中的电流随时间ON t 线性增大、电感储能;当开关管截止时,电感L 的电压极性为“左负右正”,续流二极管VD 正偏导通,电感L 中的电流随时间OFF t 线性减小、电感释能。

为了控制和调节输出电压,用分压器对输出电压采样,送入误差放大器一个输入端,误差放大器另一个输入端接基准电压。

两个输入电压进行比较、放大后经脉宽调制电路控制开关管通断时间比,从而调节和稳定输出电压。

2.自激式串联型开关电源的基本电路自激式串联型开关电源的基本电路如图3-2所示。

I C 、O C 分别是输入、输出电压的滤波电容; VT 1为功率开关管;T 为储能变压器;VD 1为放电二极管;VD 2为续流二极管;VT 2为脉宽调制管;VT 3为误差放大器;4R 、5R 构成输出电压的采样电路;6R 、VS 1构成基准电压。

变压器T 有两种功能:一是由初级绕组③-④构成储能电感;二是由次级绕组①-②构成脉冲变压器,使VT 1可以依靠正反馈作用产生振荡脉冲。

图3-2 自激式串联型开关电源基本电路初始上电时,1R 给VT 1提供启动电流。

VT 1导通时,T 绕组②端输出正极性感应脉冲加到VT 1基极,使VT 1快速进入饱和;当③-④绕组电流开始下降时,同样的正反馈过程使VT 1快速截止,完成一个振荡周期,功率开关管完成一次通断过程。

在上述过程中,2R 构成1C 的充电通路,同时2R 还限制了正反馈电流,防止过大的正反馈电流使VT 1进入过饱和状态,增大VT 1基区电荷的存储效应①,加大开关管的损耗。

VD 2构成1C 的放电通路,1C 的容量对振荡频率影响较大,即使VT 1未进入饱和区,在VT 1导通期间的正反馈过程中,1C 的充电电流小到一定程度,也会迫使VT 1截止,提前进入下一个振荡周期。

VT 2是VT 1导通周期的基极可变分流器,可以控制VT 1的导通时间。

在VT 1振荡过程中,VT 1由通态转为止态的转折点是C B I I <β的某一点;在此进程,如果VT 2导通、分流VT 1基极电流,即可减小I B1,使VT 1提前达致转折点,VT 1的通态时间变短,储能电感的储能减小,开关电源的输出电压必然降低——这就是VT 2的脉宽调制功能。

VT 2的导通电流受控于VT 3。

VT 3为误差检测和电流放大管,其发射极接入简单的二极管稳压电路,作为基准电压;输出电压O U 由4R 、5R 采样后送到VT 3基极。

正常工作时,采样电压比基准电压高一个VT 3发射结压降。

若某种原因使O U 升高时,则VT 3发射结压降增大、集电极电流增大,VT 3导通电流也增大,控制VT 2导通电流也增大,分流更多VT 1正反馈的电流,VT 1的通态时间变短,输出电压降低。

由于VT 2发射极电压几乎等于输入电压I U ,故VT 2始终工作于放大状态。

若VT 2饱和,VT 1将截止;若VT 2截止,VT 1将失去控制,处于2R 、1C 参数决定的充电过程的最大脉宽状态,造成输出电压异常升高,还会增大VT 1的开关损耗甚至于热击穿。

虽然这个电路能够实现降压,但不能完成过大的降压比。

因为大幅度地降低电压,必然是尽量缩短VT 1的通态时间,这将使得VT 1的自激振荡处于临界状态,导致振荡不稳定,输出电压的纹波增大且稳定性也难以保证;同时,VT 1的通态时间过短,输出电流也无法增大,所以,这种电源只适合于小功率的负载。

① 由于晶体管基区电荷的存储效应,发射结电压突变为零时,晶体管并不能立即关断;越是过饱和,基区存储的电荷越多,延时关断的时间越长。

43.2.8 显示器开关电源有许多计算机显示器使用自激式开关电源,如图3-40所示为一种双频彩色显示器的自激式开关电源电路。

它主要由电源滤波、整流滤波、自激振荡与稳压、同步激励与保护、输出电压与转换等电路组成,各部分电路工作过程如下。

图3-40 自激式显示器开关电源电路原理图1.市电输入电路及变换 市电经保险管F 901输入,901C 滤除差模干扰;903C 、904C 与901L (45μH )构成共模滤波器,滤除共模干扰;NTC 是热敏电阻,减小开机冲击电流,实现软启动保护。

为了适应各种不同的输入电压,显示器开关电源电路设置有110/220V 转换开关,电路分解如图3-41所示。

(a )S 1开路,适用于220V (b )S 1闭合,适用于110V图3-41 110/220V 转换电路分解图如图(a ),当S 1开路时,电路为桥式全波整流,适用于输入电压为AC220V 的情况,电源输入L 正N 负,D 901、D 903导通,电流方向见图中①所示,906C 、907C 串联同时充电;电源输入L 负N 正,D 902、D 904导通,电流方向见图中②所示,也是906C 、907C 串联同时充电。

如图(b ),当S 1闭合时,电路变为全波倍压整流。

电源输入L 正N 负,D 901导通对906C 充电,电流方向见图中①所示;电源输入L 负N 正,D 904导通对907C 充电,电流方向见图中②所示。

两种工作状况D 902和D 903均不导通。

倍压整流、滤波电压为输入市电电压最大值的两倍,适用于输入电压为AC110V 的情况。

2.自激振荡与稳压电路开关变压器T 901与功率管VT 92构成自激振荡功率变换器,901R 、902R 是VT 92的启动偏置电路。

907R 与913C 引入绕组的正反馈脉冲至VT 92的基极,使VT 92间歇振荡通断工作。

在VT 92截止期,T 901向次级负载电路提供电压。

光电耦合器4N35和精密可调稳压器TL431构成稳压控制系统。

电源的行供电电压输出后,经957R 、963R 和R p91分压,得到取样电压,送到TL431的控制极。

当输出电压升高时,TL431电流增大,光电耦合器4N35内部三极管C-E 间的内阻降低,经V 901使VT 91的基极电压升高,导通程度增强,分流VT 92的基极电流,VT 92提前截止,迫使输出电压降低。

若输出电压降低时,电路动作与上述相反,以维持输出电压的稳定。

电路中,V 905对正反馈绕组整流,911C 滤波后作为光电耦合器4N35内部三极管的电源。

3.过流保护与延时电路功率管VT 92的导通电流,在906R 上产生与其阻值成正比的电压降,该电压降经903R 加到VT 91的基极。

当VT 92电流增大到600mA 时,906R 压降达到0.6V ,VT 91开始导通,分流VT 92基极电流,迫使VT 92集电极电流减小,提前导通。

903R 和909C 构成VT 91的延迟导通电路,如果VT 92的电流只是瞬间增大,906R 的压降经903R 对909C 充电,因电流峰值过后,909C 尚未充满到克服VT 91发射结的死区电压,所以VT 91不会导通,这样延迟导通,就是为了避免开机瞬间的冲击电流使VT 91产生误动作。

4.同步激励电路该电源还设有行逆程同步电路“行FBT ”。

“行FBT ”是用绝缘导线在行输出变压器磁心旁柱上穿绕一圈,以产生感应行逆程脉冲。

行逆程期间,其极性为①正②负,正脉冲通过901C 使 V 902导通,VT 92触发导通,以使自激振荡与行频同行。

5.输出电压转换电路双频显示器可以支持两种不同模式的显示卡,兼容CGA 、VGA 模式,因此其行扫描频率应适应适应15.75kH 和31.5kHz 两种频率。

在行扫描电路中,行振荡电路受控于模式识别系统而改变其振荡频率。

由于行频的差别较大,转换显示模式的同时行输出级的供电电压必须改变。

当行频升高时,行偏转线圈的感抗相应增大,行偏转电流随之减小。

此时,为了使行扫描满幅,只有提高行扫描电压,使行扫描偏转电流增大。

当行频降低时,行偏转线圈的感抗减小,行偏转电流增大,此时要降低行扫描电压,否则,不仅行幅增大,还会损坏显像管。

需要指出的是,此时只降低行输出级的供电,其他各绕组供电必须保持不变。

在图3-39中,行供电设有两组电压:一组由V 954整流、955C 滤波的45V ,用于低行频供电;另一组由V 952整流、953C 滤波的65V ,用于高行频供电。

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