电力电子技术总复习
电力电子技术
《电力电子技术》复习资料1. 用两个或者非门组成的基本 RS 触发器，其输入信号 Rd 、Sd 必须满足的约束条件是 __________________ (1 分)A. R d+S dB. R d S dC. R d S dD. R d+S d2. (1 分). . ..3. 发射结正偏、集电结也正偏是晶体三极管工作在__________________区的外部条件 (1 分)A. 饱和B. 截止C. 放大D. 可变电阻4. 分析晶体管低频小信号放大电路时，通常采用交、直流量分开的方法，这是由于________________________ (1 分)A. 晶体管是非线性元件B. 放大电路中存在着阻容元件C. 晶体管是有源器件D. 放大电路中既有直流量又有交流量5. 三角形连接的纯电容对称负载三相对称电源上，已知各相容抗 ，各线电流均为10A ，则此三相电路的视在功率为( )。
(1 分)A. 200VAB. 600VAC. 1039VAD. 1800VA6. 一台三相异步电动机工作在额定状态时，其电压为UN ，最大电磁转矩为 Tmax ，当电源电压降到 0.8UN ，而其他条件不变时，此时电动机的最大电磁转矩是原 Tmax 的( )。
(1 分)A. 0.64 倍B. 0.8 倍C. 1.0 倍D. 1.2 倍7. 电感接在有效值为 2V 的交流电压源两端， 已知吸收 Q=1var ，则该电感的感抗是 ( ) 。
(1 分)A. 1ΩB. 2ΩC. 3ΩD. 4Ω8. 工作在某放大电路中的一个晶体三极管，若测得它的三个电极的直流电位为： UB =3.6V 、UE=2.9V 、UC =12V ，据此可判断该管为________________________ (1 分)A. PNP 型 Ge 管B. PNP 型 Si 管C. NPN 型 Si 管D. NPN 型 Ge 管9. 组合逻辑电路是由________________组合而成的 (1 分)A. CMOS 门电路B. TTL 门电路C. 触发器，或者触发器和门电路D. 门电路10. 有源逆变电路中，晶闸管大部份时间承受正压，承受反压的时间为 (1 分)A. π－βB. 30°+βD C B AC. 10°+βD. βC. 120°D. 180°11. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是 (1 分)A. 有源逆变器B. A/D 变换器C. D/A 变换器D. 无源逆变器17. 单相半波可控整流电路，带电阻负载，控制角α的最大移相范围为( )。
《电力电子技术》课后复习题(附答案)
电力电子技术课后复习题（全面）1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换、和传输的技术。
2、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。
3、电力电子技术的基本转换形式和功能：整流电路----AC/DC----整流器直流斩波----DC/DC----斩波器逆变电路----DC/AC----逆变器交流电路----AC/AC----变频器4、电力电子器件是指在可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
5、广义上，电力电子器件也可分为电真空器件和半导体器件。
6、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度的程度进行分类：不可控器件---------电力二极管（功率二极管PD）半控型器件---------晶闸管(SCR)全控型器件---------电力晶体管（GTR）7、全控型器件也称自关断器件。
代表元件：门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
8、按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质进行分类：电流驱动型：晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管等。
电压驱动型：电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管等。
9、按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：双极型器件:电力二极管、晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管单极型器件：电力场效应晶体管。
复合型器件：绝缘栅双极晶体管。
10、功率二极管（PD）又称电力二极管，也称半导体整流器。
其基本结构与普通二极管一样。
有螺栓型和平板型两种封装。
正平均电流I F(A V): 电流最大有效值I 11．功率二极管的测试：用万用表的Rx100或Rx1测量。
【注】严禁用兆欧表测试功率二极管。
选择二极管时要考虑耗散功率。
不可控器件------功率二极管（电力二极管）12、功率二极管的主要类型：普通二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管。
13、半控型器件----晶闸管（SCR）是硅晶体闸流管的简称，又称为可控硅整流器。
电力电子技术复习总结
电力电子技术复习题1第1章电力电子器件1、电力电子器件一般工作在开关状态。
2、在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。
3、电力电子器件组成得系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压与电流得过冲,往往需添加保护电路。
4、按内部电子与空穴两种载流子参与导电得情况,电力电子器件可分为_单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5、电力二极管得工作特性可概括为承受正向电压导通，承受反相电压截止。
6、电力二极管得主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管 _ _肖特基二极管_。
7、肖特基二极管得开关损耗小于快恢复二极管得开关损耗。
8、晶闸管得基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9、对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。
10、晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为.UDSM大于_UbQ11、逆导晶闸管就是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上得功率集成器件。
12、GTO寻多元集成结构就是为了便于实现门极控制关断而设计得。
13、MOSFE得漏极伏安特性中得三个区域与 GTR共发射极接法时得输出特性中得三个区域有对应关系,其中前者得截止区对应后者得_截止区_、前者得饱与区对应后者得放大区、前者得非饱与区对应后者得饱与区。
14、电力MOSFE得通态电阻具有正温度系数。
15、IGBT得开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降，开关速度小于电力 MOSFET16、按照驱动电路加在电力电子器件控制端与公共端之间得性质,可将电力电子器件分为电压驱动型与电流驱动型两类。
17、IGBT得通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负—温度系数，在 1/2或1/3额定电流以上区段具有 _正_ —温度系数。
18、在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)中,属于不可控器件得就是_电力二极管__,属于半控型器件得就是—晶闸管属于全控型器件得就是_ GTO、GTR、电力 MOSFET IGBT 属于单极型电力电子器件得有_电力MOSFET _属于双极型器件得有_电力二极管、晶闸管、 GTO、GTR_,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控得器件中,容量最大得就是_晶闸管_,工作频率最高得就是_电力MOSFET!于电压驱动得就是丄力MOSFET IGBT _,属于电流驱动得就是_晶闸管、GTO、GTR _ 第2章整流电路电阻负载得特点就是_电压与电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角a得最大移相范围就是_0-180［。
电力电子技术复习题 _含答案)
12、 在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取 U2（）
13、 在单相桥式全控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
（）
14、 单相全控晶闸管整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
（）
15、 三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。（ ）
2 晶闸管整流电路
2、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 （ ）
3、 晶闸管导通后其电流趋向无穷大。
（）
4、 已经导通的晶闸管恢复阻断的唯一条件是 AK 极电源电压降到零或反向。（ ）
5、 晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。 （ ）
6、 晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。 （ ）
7、 触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（ ）
合型 的 PWM 控制方法。 3、 正激电路和反激电路属于 13 励磁，半桥电路和全桥电路属于 14 励磁。 4、 开关电源大都采用 15 PWM 控制器.其原理方案分为 16 、 17 和 18 三类。 5、 试填写下列电路的名称
3 / 14
半桥电路 反激电路
正激电路 全桥电路
推挽电路
4、逆变电路
中，通常采用 规则采样法 来代替上述方法，在计算量大为减小的情况下得到的效果能够满足工程需要。
3. PWM 逆变电路３种目标控制： ７ 电压、 ８
电流和圆形磁链的 ９ 压 比较、 滞环电流比较 和 三角波比较。
5. 相电压正弦波叠加 3 次谐波构成 13 与三角波比较产生 PWM，可以提高 14 利用率并降低 15 。
2 / 14
致集电极电流增大，造成器件损坏。这种电流失控现象被称这 擎住 效应。 11、 IGBT 往往与 反并联 的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 12、电力电子器件是在电力电子电路中是作为可控开关来用。电力电子器件是一种半导体开关，实际上是一种单 向单极开关。它不是理想开关，存在开关时间和开关暂态过程。开关时间尤其是关断时间限制了电力电子器件的 开关频率。 13、电力电子应用系统一般由控制电路、驱动电路和主电路组成一个系统。为了提高系统可靠性，还应加入电 压、电流检测电路和过压、过流保护电路并构成反馈闭环控制。 14.几乎所有的电力半导体器件均为 单向极性 开关。电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可 关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（Power MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中， 在可控的器件中，功率范围最大的是 SCR 晶体管 ，开关频率最高的是_PMOS 电力场效应管
电力电子技术重点知识点总结
《电力电子技术》期末复习题第1章绪论1 电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。
2 电力变换的种类（1）交流变直流AC-DC：整流（2）直流变交流DC-AC：逆变（3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现，也叫斩波电路（4）交流变交流AC-AC：可以是电压或电力的变换，一般称作交流电力控制3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术。
4、相控方式;对晶闸管的电路的控制方式主要是相控方式5、斩空方式：与晶闸管电路的相位控制方式对应，采用全空性器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调制方式。
相对于相控方式可称之为斩空方式。
第2章电力电子器件1 电力电子器件与主电路的关系（1）主电路：电力电子系统中指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。
（2）电力电子器件：指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。
广义可分为电真空器件和半导体器件。
2 电力电子器件一般特征：1、处理的电功率小至毫瓦级大至兆瓦级。
2、都工作于开关状态，以减小本身损耗。
3、由电力电子电路来控制。
4、安有散热器3 电力电子系统基本组成与工作原理（1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。
（2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。
（3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。
（4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。
4 电力电子器件的分类根据控制信号所控制的程度分类（1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
如SCR晶闸管。
（2）全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。
如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。
（3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。
电力电子技术总复习
电力电子技术总复习第一章绪论1、电子开关型电力电子变换有哪四种基本类型？2、第二章课本P6电力电子的应用：要知道是何种电力电子技术的应用。
第二章电力电子器件1、器件按控制方式分为：什么是半控器件？晶闸管是：它的派生类包括：什么是全控器件？它包括：全控器件中，开关频率最高的是：应用最广泛的是：大功率场合广泛应用的是：存在二次击穿现象的器件是：驱动功率小的器件是：2、器件按驱动方式分：SCR、GTR、GTO是：IGBT、MOSFET是：3、SCR在门极开路的情况下正向导通的原因是：在实际应用中为保证SCR的可靠导通脉冲宽度由那个参数决定？用万用表如何区分SCR的三个极？SCR门极所加最高电压、电流、或平均功率超过允许值时会发生：门极所加最高反向电压超过10V以上会造成：第三章整流电路1、什么是控制角？导通角？相位控制方式？2、阻性负载下单相半波、单相桥式、单相全波、三相半波、三相桥式整流电路的移相范围为：阻感负载下为：3、三相桥式整流电路的共阴极组的三只管子脉冲互差：同一相的两个管子脉冲互差：管子的导通顺序为：每只管子工作多少度：4、掌握各种整流电路的计算公式：U d、I d I VT I TA V U FM I2掌握u d i d i vt1u vti的波形画法5、掌握三相桥式整流电路考虑变压器漏抗下的计算：ΔU d、I d U d6、单相半波、单相桥式、单相全波、三相半波、三相桥式整流电路整流输出电压脉动次数分别为：如果脉动次数是12那么，输出电压的最低次谐波是：交流侧最低次谐波是：脉动次数越高，最低次谐波的次数就越，可使尺寸及体积减小。
7、整流电路多重化的主要目的是什么？如何实现？8、何为逆变失败？最小逆变角是：第四章逆变电路1、有源逆变和无源逆变电路有何不同？2、什么是换流？换流方式有哪些？各有何特点？3、什么是电压逆变型和电流逆变型电路？两者各有何特点？4、会画三相电压型桥式逆变电路的工作波形。
电力电子复习资料
《电力电子技术》复习题一一、填空题（每空2分，共20分）1、电力电子技术包括（1）、（2）和（3）三个部分，它的研究任务是电力电子器件的应用。
2、电力电子的根本任务是实现电能的变换和控制，其基本形式可以分成四种，分别是（1）、（2）和（3）和（4）。
3、请填写下面各元件的英文简称，电力二极管（1）、晶闸管（2）。
4、请填写下面各元件的英文简称，功率晶体管（1）、绝缘栅双极型晶体管（2）。
5、按照电力电子器件的开关特性进行分类，可以分为（1）器件、（2）器件和（3）器件三类。
6、晶闸管的导通条件可以定性归纳为（1）和（2）。
7、对于晶闸管在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为（1）。
8、给晶闸管门极施加触发电压，当元件刚从阻断状态转为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需的最小阳极电流称为（1）。
9、允许开关频率在400Hz以上工作的晶闸管称为（1），而开关频率在10kHz以上工作的晶闸管称为（1）。
10、双向晶闸管在结构和特性上可以看作是一对（1）的普通晶闸管。
11、GTR发生二次击穿必须同时具备三个条件，即（1）、（2）和（3）。
12、按照导电沟道的不同，电力MOSFET可以分为（1）和（2）两种。
13、IGBT有三个电极，分别是（1）、（2）和（3）。
14、型号为KS30-3的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5）V，额定电流为（6）A。
15、型号为KP20-5的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
16、型号为KK10-2的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
17、在逆变电路中，根据负载的特点进行分类包括（1）和（2）两类逆变电路。
18、绝缘栅双极晶体管是（1））和（1）复合，结合二者的优点19、三相全控控整流电路整流输出电压的脉动频率为（1）H Z。
20、将直流电能变为交流能输出至负载的逆变电路称为（1）。
河北科技大学《电力电子技术》综合复习资料
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
3、整流是指将变为的变换。
4、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
5、逆变角β与控制角α之间的关系为。
6、MOSFET的全称是。
7、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是；另一方面是。
8、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为器。
9、变频电路从变频过程可分为变频和变频两大类。
10、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
11、就无源逆变电路的PWM控制而言，产生SPWM控制信号的常用方法是。
12、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题，通常主要采取的隔离措施包括：和。
13、IGBT的全称是。
14、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为。
15、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为或。
16、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的和时间比，即调节来控制逆变电压的大小和频率。
17、型号为KP100-8的元件表示管、它的额定电压为伏、额定电流为安。
二、判断题1、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
3、在单相桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
4、GTO属于双极性器件。
5、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
6、对于三相全控桥整流电路，控制角α的计量起点为自然换相点。
7、IGBT属于电压驱动型器件。
8、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
9、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。
10、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
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电力电子技术总复习
第一章：绪论
1、什么是电力电子技术？
2、电力电子技术应用于电力领域的电子技术，是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
3、电力变换的种类？
4、电力电子技术的有哪两个分支？电力电子器件制造技术和变流技术，变流技术也称为电力电子器件的应用技术。
5、电力电子器件制造技术是电力电子技术的基础，而变流技术是电力电子技术的核心。
6、他们的理论基础分别是半导体物理和电路理论。
7、电力电子技术与那些学科有关？
第二章：电力电子器件
1、什么是主电路？
2、什么是电力电子器件？
3、电力电子器件的分类？
4、电力电子器件的工作状态？
5、电力电子器件的损耗有哪几部分组成？
6、电力电子系统的组成？
7、电力电子器件按控制程度的分类？
8、电力电子器件按控制信号的分类？
9、电力电子器件按器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的
情况分类？
10、常用的电力二极管主要有哪些？
11、晶闸管的外形结构？
12、晶闸管正常工作时的特性？
13、晶闸管的主要参数？
14、晶闸管的派生器件？
15、GTO的结构？
16、GTO与普通晶闸管不同的是什么？
17、GTO的主要参数？GTO的一个主要缺点？
18、GTR的输出特性曲线？
19、GTR的主要参数？
20、GTR的二次击穿现象？
21、GTR的安全工作区？
22、MOSFET的特点？
23、MOSFET的结构？
24、MOSFET的输出特性曲线？
25、MOSFET具有正温度系数。
26、MOSFET的主要参数？
27、IGBT是GTR和MOSFET结合而成的复合器件。
28、IGBT的输出特性曲线？
29、IGBT的主要参数？
30、IGBT的擎柱效应和安全工作区？
第三章：整流电路
1、整流电路的工作原理、波形分析。
2、对各种负载的计算、移相范围、晶闸管承受的最大正反向电压
3、选择晶闸管
4、续流二极管的作用？
5、单相时反电势负载时晶闸管的导通条件？电阻负载时导通角是多少？
6、自然换相点距圆点多少度？
7、三相半波和三相全控桥电阻负载电流的临界连续点是多少度？
8、三相全控桥整流电路的特点？
9、换相重叠角？
10、换相过程中整流电路的输出电压？
11、变压器漏感对整流电路的影响？
12、什么是逆变？什么是有源逆变？什么是无源逆变？
13、产生有源逆变的条件？
14、什么是逆变失败？逆变失败产生的原因？
15、最小逆变角？
16、锯齿波触发电路的三个基本环节？
17、各环节的组成？
18、触发电路的定相？
第四章：逆变电路
1、换流方式有几种？特点？
2、逆变电路根据直流测电源性质分类？
3、电压型逆变电路的特点？
4、电压型逆变电路的工作原理？
5、三相电压型桥式逆变电路的基本工作方式？
6、反馈二极管的作用？
7、电流型逆变电路的特点？
8、电流型逆变电路的工作原理？
9、三相电流型桥式逆变电路的基本工作方式？
第五章：直流-直流变流电路
1、斩波电路的工作原理及工作波形、计算、推导出输出输入关系？
2、斩波电路的三种控制方式？
3、复合斩波电路的工作原理。
4、采用直-交-直电路来完成直流-直流的变换原因？
第六章：交流-交流变流电路
1、交流-交流变流电路的分类及基本概念。
2、单相交流调压电路的工作原理及波形分析、计算。
3、交流调功电路和电力电子开关的基本概念。
4、单相交流调功电路的电路形式、控制方式、计算。
5、单相交-交变频电路的构成和基本工作原理
6、阻感负载时交-交变频电路有4种工作状态，哪组工作，由什么决定？
7、输出的上限频率？
8、三相交-交变频电路的接线方式？
第七章：PWM控制技术
1、PWM控制的基本原理
2、PWM控制方法？
3、单极性和双极性控制方式？
4、特定谐波消除法
5、同步调制、异步调制的特点？分段同步调制的优点？
6、什么是自然采样法？什么是规则采样法？规则采样法的优点？
7、为什么要提高直流电压的利用率和减少开关次数？
8、PWM跟踪控制技术？跟踪控制法常用滞环比较方式和三角波比较方式。
9、滞环比较方式的原理
10、PWM整流电路的工作原理？
11、PWM整流电路的控制方法？
第九章：电力电子器件应用的共性问题
1、驱动电路的概念
2、过电压分类、过电压产生的原因、过电压保护
3、过电流分类、过电流产生的原因、过电流保护
4、缓冲电路的概念、分类、原理
5、晶闸管的串并联的目的、原则。