电力电子技术总复习

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电力电子技术复习题

电力电子技术复习题

《电力电子技术》一一、单选题1、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是(D)。

A、30°~150°B、0°~120°C、15°~125°D、0°~150°2、已经导通的晶闸管被关断的条件是流过晶闸管的电流(B)。

A、减小至擎住电流以下B、减小至维持电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下3、直流斩波电路是一种(D)。

A、DC/ACB、AC/ACC、AC/DCD、DC/DC4、下列电路中,不可以实现有源逆变的是(C)。

A、三相桥式全控整流电路B、三相半波可控整流电路C、单相桥式可控整流电路外接续流二极管D、单相全波可控整流电路5、三相桥式全控整流电路中,晶闸管可能承受的正反向峰值电压(D)。

A、2U2B、U2C、U2D、U26、对于单相交交变频电路如下图,在t2~t3时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是(B)。

A、P组阻断,N组逆变B、N组阻断,P组逆变C、P组阻断,N组整流D、N组阻断,P组整流7、只适用于全控型电力电子器件的换流方式为(A)。

A、器件换流B、负载换流C、强迫换流D、电网换流8、把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中,在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,可以方便地调节输出电压的有效值,这种电路称为(B)。

A、交流调功电路B、交流调压电路C、交流电力电子开关D、变频电路9、调制法是把希望输出的波形作为调制信号,把接受调制的信号作为载波,通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。

通常采用(A)作为载波。

A、等腰三角波B、方波C、矩形波D、正弦波10、采用(B)是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。

A、直流快速断路器B、快速熔断器C、过电流继电器D、过电流保护的电子电路二、填空题1、PWM控制就是对脉冲的(宽度)进行调制的技术,它的重要理论基础是(面积等效原理)。

电力电子技术复习总结

电力电子技术复习总结

电力电子技术复习题1第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三局部组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的根本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发那么导通、反向电压那么截止__ 。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_〔如何连接〕在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE〔th〕随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

电力电子技术(王兆安)复习重点

电力电子技术(王兆安)复习重点

第一章电力电子器件1、电力电子技术是用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术交流(AC—AC)。

常用电力电子器件、电路图形文字符号和分类:二、晶闸管的导通条件:阳极正向电压、门极正向触发电流.三、晶闸管关断条件是:晶闸管阳极电流小于维持电流。

导通后晶闸管电流由外电路决定实现方法:加反向阳极电压。

3、晶闸管额定电流是指:晶闸管在环境温度40和规定的冷却状态下,稳定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

4、IT(AV)与其有效值IVT的关系是IT(AV)=IVT/1.575、晶闸管对触发电路脉冲的要求是:1)触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 2)触发脉冲应有足够的幅度3)所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极电压,电流和功率额定且在门极伏安特性的可靠触发区域之内4)应有良好的抗干扰性能,温度稳定性与主电路的电气隔离。

第二章:整流电路1、单相桥式全控整流电路结构组成:A.纯电阻负载:α的移相范围0~180º,Ud 和Id的计算公式,要求能画出在α角下的Ud ,Id及变压器二次测电流的波形(参图3-5);B.阻感负载:R+大电感L下,α的移相范围0~90º,Ud 和Id计算公式要求能画出在α角下的Ud ,Id,Uvt1及I2的波形(参图3-6);2、三相半波可控整流电路:α=0 º的位置是三相电源自然换相点A)纯电阻负载α的移相范围0~150 ºB)阻感负载(R+极大电感L)①α的移相范围0~90 º②Ud IdIvt计算公式③参图3-17 能画出在α角下能Ud IdIvt的波形(Id电流波形可认为近似恒定)3、三相桥式全控整流电路的工作特点:A)能画出三相全控电阻负载整流电路,并标出电源相序及VT器件的编号。

B)纯电阻负载α的移相范围0~120 ºC)阻感负载R+L(极大)的移相范围0~90 ºUd IdIdvtIvt的计算及晶闸管额定电流It(AV)及额定电压Utn的确定D)三相桥式全控整流电路的工作特点:1)每个时刻均需要两个晶闸管同时导通,形成向负载供电的回路,其中一个晶闸管是共阴极组的,一个共阳极组的,且不能为同一相的晶闸管。

电力电子技术复习总结(判断题答案)

电力电子技术复习总结(判断题答案)

电力电子技术复习一、选择题(每小题10分,共20分)1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。

A、180°,B、60°,c、360°,D、120°2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

`A,0度,B,60度,C,30度,D,120度,3、晶闸管触发电路中,若改变B的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。

A、同步电压,B、控制电压,C、脉冲变压器变比。

4、可实现有源逆变的电路为A。

A、三相半波可控整流电路,B、三相半控桥整流桥电路,C、单相全控桥接续流二极管电路,D、单相半控桥整流电路。

5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。

A、30º-35º,B、10º-15º,C、0º-10º,D、0º。

6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCDA、三相半波可控整流电路。

B、三相半控整流桥电路。

C、单相全控桥接续流二极管电路。

D、单相半控桥整流电路。

7、在有源逆变电路中,逆变角的移相范围应选B为最好。

A、=90º∽180º,B、=35º∽90º,C、=0º∽90º,8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于C。

A、U相换相时刻电压u U,B、V相换相时刻电压u V,C、等于u U+u V的一半即:9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。

请选择B。

10、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C=0,改变C的大小,可使直流电动机负载电压U d=0,使触发角α=90º。

达到调定移相控制范围,实现整流、逆变的控制要求。

B、同步电压,B、控制电压,C、偏移调正电压。

电力电子技术

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《电力电子技术》复习资料1. 用两个或者非门组成的基本 RS 触发器,其输入信号 Rd 、Sd 必须满足的约束条件是 __________________ (1 分)A. R d+S dB. R d S dC. R d S dD. R d+S d2. (1 分). . ..3. 发射结正偏、集电结也正偏是晶体三极管工作在__________________区的外部条件 (1 分)A. 饱和B. 截止C. 放大D. 可变电阻4. 分析晶体管低频小信号放大电路时,通常采用交、直流量分开的方法,这是由于________________________ (1 分)A. 晶体管是非线性元件B. 放大电路中存在着阻容元件C. 晶体管是有源器件D. 放大电路中既有直流量又有交流量5. 三角形连接的纯电容对称负载三相对称电源上,已知各相容抗 ,各线电流均为10A ,则此三相电路的视在功率为( )。

(1 分)A. 200VAB. 600VAC. 1039VAD. 1800VA6. 一台三相异步电动机工作在额定状态时,其电压为UN ,最大电磁转矩为 Tmax ,当电源电压降到 0.8UN ,而其他条件不变时,此时电动机的最大电磁转矩是原 Tmax 的( )。

(1 分)A. 0.64 倍B. 0.8 倍C. 1.0 倍D. 1.2 倍7. 电感接在有效值为 2V 的交流电压源两端, 已知吸收 Q=1var ,则该电感的感抗是 ( ) 。

(1 分)A. 1ΩB. 2ΩC. 3ΩD. 4Ω8. 工作在某放大电路中的一个晶体三极管,若测得它的三个电极的直流电位为: UB =3.6V 、UE=2.9V 、UC =12V ,据此可判断该管为________________________ (1 分)A. PNP 型 Ge 管B. PNP 型 Si 管C. NPN 型 Si 管D. NPN 型 Ge 管9. 组合逻辑电路是由________________组合而成的 (1 分)A. CMOS 门电路B. TTL 门电路C. 触发器,或者触发器和门电路D. 门电路10. 有源逆变电路中,晶闸管大部份时间承受正压,承受反压的时间为 (1 分)A. π-βB. 30°+βD C B AC. 10°+βD. βC. 120°D. 180°11. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是 (1 分)A. 有源逆变器B. A/D 变换器C. D/A 变换器D. 无源逆变器17. 单相半波可控整流电路,带电阻负载,控制角α的最大移相范围为( )。

电力电子技术复习资料

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电力电子技术复习资料第一章 电力电子器件及驱动、保护电路1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换和传输的技术。

P12、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。

P13、电力电子技术的主要功能:1)、整流与可控整流电路也称为交流/直流(AC/DC )变换电路;2)、直流斩波电路亦称为直流/直流(DC/DC)转换电路;3)、逆变电路亦称为直流/交流(DC/AC)变换电路;4)、交流变换电路(AC/AC 变换)。

P14、电力电子器件的发展方向主要体现在:1)、大容量化;2)、高频化;3)、易驱动;4)、降低导通压降;5)、模块化;6)、功率集成化。

P25、电力电子器件特征:1)、能承受高压;2)、能过大电流;3)、工作在开关状态。

P46、电力电子器件分类:1)、不可控器件,代表:电力二极管;2)、半控型器件,代表:晶闸管;3)、全控型器件,代表:电力晶体管(GTR )。

P57、按照加在电力电子器件控制端和公共端之间的驱动电路信号的性质又可以将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。

P68、晶闸管电气符号。

P19、晶闸管关断条件:阴极电流小于维持电流;晶闸管导通条件:阳极加正压,门极加正压。

导通之后门极就失去控制。

P1110、晶闸管的主要参数(选管用)重复峰值电压——额定电压U Te ;晶闸管的通态平均电流I T(A V)——额定电流。

P1311、K f =电流平均值电流有效值===2)(πAV T T I I 1.57。

P14 12、根据器件内部载流载流子参与导电的种类不同,全控型器件又分为单极型、双极性和复合型三类。

P1713、门极可关断晶闸管(GTO )具有耐压高、电流大等优点,同时又是全控型器件。

P1814、电力晶体管(GTR)具有自关断能力、控制方便、开关时间短、高频特性好、价格低廉等优点。

P1915、GTR 发生二次击穿损坏,必须具备三个条件:高电压、大电流和持续时间。

电力电子技术总复习

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电力电子技术总复习第一章绪论1、电子开关型电力电子变换有哪四种基本类型?2、第二章课本P6电力电子的应用:要知道是何种电力电子技术的应用。

第二章电力电子器件1、器件按控制方式分为:什么是半控器件?晶闸管是:它的派生类包括:什么是全控器件?它包括:全控器件中,开关频率最高的是:应用最广泛的是:大功率场合广泛应用的是:存在二次击穿现象的器件是:驱动功率小的器件是:2、器件按驱动方式分:SCR、GTR、GTO是:IGBT、MOSFET是:3、SCR在门极开路的情况下正向导通的原因是:在实际应用中为保证SCR的可靠导通脉冲宽度由那个参数决定?用万用表如何区分SCR的三个极?SCR门极所加最高电压、电流、或平均功率超过允许值时会发生:门极所加最高反向电压超过10V以上会造成:第三章整流电路1、什么是控制角?导通角?相位控制方式?2、阻性负载下单相半波、单相桥式、单相全波、三相半波、三相桥式整流电路的移相范围为:阻感负载下为:3、三相桥式整流电路的共阴极组的三只管子脉冲互差:同一相的两个管子脉冲互差:管子的导通顺序为:每只管子工作多少度:4、掌握各种整流电路的计算公式:U d、I d I VT I TA V U FM I2掌握u d i d i vt1u vti的波形画法5、掌握三相桥式整流电路考虑变压器漏抗下的计算:ΔU d、I d U d6、单相半波、单相桥式、单相全波、三相半波、三相桥式整流电路整流输出电压脉动次数分别为:如果脉动次数是12那么,输出电压的最低次谐波是:交流侧最低次谐波是:脉动次数越高,最低次谐波的次数就越,可使尺寸及体积减小。

7、整流电路多重化的主要目的是什么?如何实现?8、何为逆变失败?最小逆变角是:第四章逆变电路1、有源逆变和无源逆变电路有何不同?2、什么是换流?换流方式有哪些?各有何特点?3、什么是电压逆变型和电流逆变型电路?两者各有何特点?4、会画三相电压型桥式逆变电路的工作波形。

《电力电子技术》复习资料

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《电力电子技术》复习资料一 电力电子器件1. 要点:① 半控器件:晶闸管(SCR )全控器件:绝缘栅双极型晶体管(IGBT )、电力晶体管(GTR )、 门极关断晶闸管(GTO )、电力场效应管(MOSEFT ) 不可控器件:电力二极管各器件的导通条件、关断方法、电气符号及特点。

②注意电流有效值与电流平均值的区别: 平均值:整流后得到的直流电压、电流。

有效值:直流电压、电流所对应的交流值。

波形系数:K f =有效值/平均值 。

③电力电子技术器件的保护、串并联及缓冲电路: du /dt :关断时,采用阻容电路(RC )。

di/dt :导通时,采用电感电路。

二 整流电路1. 单相半波电路:① 注意电阻负载、电感负载的区别: ② 有效值与平均值的计算:平均值:整流后得到的直流电压、电流。

21cos 0.452d U U α+=d d U I R=有效值:直流电压、电流所对应的交流值。

U U =U I R = 波形系数:电流有效值与平均值之比。

f dIk I =② 注意计算功率、容量、功率因数时要用有效值。

③ 晶闸管的选型计算:Ⅰ求额度电压:2TM U =,再取1.5~2倍的裕量。

Ⅱ 求额度电流(通态平均电流I T (AV )) 先求出负载电流的有效值(f d I k I =); →求晶闸管的电流有效值(I T =I );→求晶闸管的电流平均值(()/T AV T f I I k =),再取1.5~2倍裕量。

2. 单相全桥电路负载:①注意电阻负载、电感负载和反电动势负载的区别: ② 电阻负载的计算:α移相范围:0~π负载平均值:整流后得到的直流电压、电流。

(半波的2倍)21cos 0.92d U U α+=d d U I R=负载有效值:直流电压、电流所对应的交流值。

U U =U I R = 晶闸管:电流平均值I dT 、电流有效值I T :dT d12I I =T I =③ 电感负载的计算:Ⅰ加续流二极管时,与电阻负载相同。

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1
说明: ② Features of power electronic devices(电力电 子器件的主要特征,与信息电子器件的不同点) • 容量远大于电子器件 • 工作在开关状态以减小功率损耗 • 由控制电路控制,控制电路与功率电路之间需要加驱动 电路 • 功率损耗远大于电子器件,需要散热器 说明: ③ 注意:计算开关损耗时,要先画出开关过程中 管子上的电压电流波形,电压电流波形不同,开关损耗的 计算式也不同。 说明:④通态损耗:
12
本节小结
6、理解晶闸管(SCR) MOSFET) 器件的工作原理、特点、主 要参数的含义;掌握晶闸管额定电流的计算方法;理解电路 中dv/dt、di/dt参数对晶闸管器件的影响 。
13
本节小结
说明:① 晶闸管额定电流计算 Average on-state current---IT(AV)
IAV
11
说明:③ 驱动电路的功能/作用 Provide an interface between the control circuit and power switch (作为控制电路与功率开关间的接口) ⑴ 信号放大作用 ⑵ 使功率开关与控制电路电气隔离作用
⑶ 驱动信号整形作用
⑷ 过流过压预防和保护作用
Latching current (擎住电流)
for the same thyristor: IL≈(2~4) IH
16
说明:③ 晶闸管基本概念 di/dt must be less than the rated value. If di/dt exceeds the rated value, the device may be damaged. Rate of rise of the voltage at turn-off---dv/dt If a thyristor is in a blocking state, a rapidly rising voltage applied across the device can cause high current flow through its internal junction capacitor. This current may be high enough to damage the device. Thus, the applied dv/dt must be less than the rated value.
通常主电路与控制电路之间的电压等级相差悬殊,为了 控制电路的安全器件,驱动电路一般需要隔离。另外,当 主电路含有多个功率器件时,由于这多个功率器件的驱动 端无公共信号端,因此这些驱动端的驱动信号必须隔离, 因而驱动电路必须进行隔离。
② 常用的隔离方式有:磁隔离(变压器隔离)和光隔 离(光耦隔离、光纤隔离)
I
1
i
2
(t )d (ωt )
② Find the average on state current through a SCR.
I AV I (1.5 ~ 2) 1.57
15
说明:② 晶闸管基本概念 Holding current (维持电流) junction temperature ↑→IH↓
一、器件及应用 1、理解电力电子器件的主要损耗、与普通电子器件的不同点; 掌握开关器件的开关过程损耗(Switching loss)和通态损耗 (On-state loss)的基本计算方法。 说明:① Total power loss includes: • conduction loss(通态损耗) • Switching loss (开关损耗)(turn-off loss + turn-on loss) • off-state loss (断态损耗)(usually very small and can be neglected)
18
说明: (3)主要概念: ①什么是连续工况、什么是不连续工况; ②注意各电路的输入电流是否连续,与Buck-boost 电路 相比, Cuk电路的一个重要特点是输入电流连续,因而不需 要另加输入滤波器。 ③各电路轻载或空载时会出现什么问题。 (4)主要计算:见例题和习题
19
2、掌握隔离型DC-DC:Forward、Fly-back、Push-Pull、 Full bridge 和Half bridge 电路的工作原理和特点、开关 器件选择。注意它们隔离变压器的激磁电流如何复位。
17
二、DC-DC 1、掌握 Buck、Boost、Buck-boost 和 Cuk 四种电路的基本 工作原理 (Operation principle ) 和各自特点。掌握除 Cuk 以 外的三种电路的输入输出电流电压关系(连续工况),以及开 关器件、二极管、电感和滤波电容的选择计算。 说明: (1)会叙述工作原理;会画Buck、Boost、Buck-boost电 路,会画这3个电路连续工况下各器件上的电压、电流波形; 会推导这3个电路输出电压表达式。 (2)理解Cuk电路的工作原理。
s
+
Df Vd Sw Dov Cov Io Rov
The roles of elements Cov的作用是限制Sw上的dv/dt和限制关断过电压; Rov的作用泄放Cs上的能量,并限制放电电流; Ds的作用是提供Cs充电回路,更好发挥限制上Sw的dv/dt 和限制关断过电压的作用。
10
5、掌握电力电子器件的驱动技术。 说明:① 功率开关与控制电路之间为什么需要隔离:
说明:
(1)会叙述工作原理,会画Forward、Fly-back,Push-Pull、 Full bridge 和Half bridge 电路,会画这5个电路各器件上的 电压、电流波形;会分析各管子承受的电压应力。
20
(2)主要概念:① Forward、Fly-back 属单端激磁电路, Full bridge 、Push-Pull、Half bridge 属双端激磁电路; ② 在一个工作周期内变压器铁芯的激磁电流或磁通必须复 位,否则会造成铁芯磁通饱和; ③ 典型Forward 电路的激磁电流通过去磁绕组实现磁通复 位, Fly-back 电路在开关管截止器件通过向负载释放激磁 能量实现磁通复位,Push-Pull、Full bridge 、Half bridge 电路也是通过向负载释放激磁能量实现磁通复位。 ④ 为了防止直流偏磁,在Push-Pull、 Full bridge 、Half bridge 电路的变压器原边一般要串隔直电容。 (3)主要计算:见例题和习题
抑制器件在关断过程中承受的过电压
抑制器件在关断过程中承受承受的dv/dt 限制器件开通过程中承受的过电流和承受的di/dt
限制器件开通过程中承受的di/dt
7
说明:②关断Snubber的三种形式。 R-C snubbers(用于二极管及晶闸管) Goal: Used to protect diodes and thyristors by limiting the maximum voltage and dv/dt at reverse recovery
+ Vd Ls Df
The roles of elements Cs的作用是限制Df上的dv/dt和关 断过电压; Rs的作用是限制Cs的放电电流。
Rs vD + Sw Cs
Io
8
turn-off snubbers (关断Snubber)(用于全控器件) Goal: 改变可控器件的开关轨迹限制可控器件瞬时过电压和 dv/dt
Operation • Ds shorts out Rs during Sw turn-off. • During Sw turn-on, Ds reversebiased and Cs discharges through Rs.
+ iDf Df Io Ds Sw Rs Cs iCs
Turn-off snubber
21
三、DC-AC 1、掌握SPWM的相关概念、术语和基本原理。 说明: ① 会画单相、三相逆变器的主电路; ② 理解SPWM的工作原理; ③ 基本术语 : modulating frequency (调制频率), carrier frequency (载波频率) , Amplitude modulation ratio (index) (调制比、调制深度)
I AV
rm s
1 2
I
I AV


0
I m sin tdt
Im

1 2


0
Im ( I m sin ωt ) d (ωt ) 2
2
14
2 I I 1.57
☆ How to Calculate the rated current value of the SCR
① Find the rms value of the current through a SCR.
t4
0.25Irr
I rr t5 trr
5
3、理解电力二极管、电力场效应晶体管(电力MOSFET)和绝 缘栅双极晶体管(IGBT)等常用电力电子器件的工作原理、特 点、主要参数的含义、静态特性。
6
4、掌握电力电子器件的缓冲吸收技术。 说明:① Snubber 的作用。 改变器件开通/关断轨迹来降低器件的开关损耗
4
说明:② 反向恢复的概念,软恢复、硬恢复。 二极管在关断过程中,由于半导体PN结需要进行反向充 电,以便与阻断电压相平衡,二极管中的电流会反向流动, 并持续一段时间后才衰减为零,这段时间称为反向恢复时 间trr。
“snappiness” factor 恢复系数
S=下降时间t5/延迟时间t4 Soft-recovery diode软恢复: t5>>t4 Abrupt-recovery diode硬恢复: t5<<t4
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