UK系列接线端子选型表
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接线端子 冷压端头 接线端子标准 接线端子规格 (26)
网站首页 / 产品目录 / 铜管端子 / 日成铜管端子 HUPD90 日成铜管端子 HUPD90 特点:90度端头 产品材质,日成HUP铜管端子采用优质紫铜制成,导电性良好,,耐久性不易老化. 产品特点:采用优质亚光电镀,防锈时间大大加长,无锋利部位；配套日成端子钳即可压紧电线,接线 美观, 产品颜色:见实物图片 国际认证:欧盟RoHS环保认证,欧洲CE认证. 产品特性:品质优良,压紧后不断裂松开,-40度耐热至150度正常使用. 使用方法:将电线剥开外皮,穿入端子后铜管,使用日成端子钳压紧即可. 特性: 管端尺寸适于细绞线，标准 VDE60228（如VDE 0295 第 5、6 类） HUP内孔扩大型，易于插入电缆 不带窥视孔的电缆端子，型号：HUP35D-8/N Hole for eyes 细绞线截面图 优势： 在受到机械应力时或在强振下连接，同样可以实现最优的稳定性。 维修和维护工作较少。应用领域更为广泛。 压接电缆端子形成 45°和 90°的角度。 为即使是转角型的和困难的安装提供合适的解决方案。 接线端子冷压端子铜管端子 产品规格
90度-型号Item No.E DφdφW B L1 HUPD90-10/5 5.38 5.5121413.5 HUPD90-10/6 6.58 5.5121413.5 HUPD90-10/88.58 5.5161418.5 HUPD90-10/1010.58 5.5161422.5 HUPD90-10/12138 5.5191422.5 HUPD90-16/5 5.39.5 6.6131513.5 HUPD90-16/6 6.59.5 6.6131513.5 HUPD90-16/88.59.5 6.6161520 HUPD90-16/1010.59.5 6.6171524 HUPD90-16/12139.5 6.6191524 HUPD90-25/5 5.3117.9151715 HUPD90-25/6 6.5117.9151715 HUPD90-25/88.5117.9171720 HUPD90-25/1010.5117.9171724 HUPD90-25/1213117.9191724 HUPD90-35/6 6.512.59.2171915 HUPD90-35/88.512.59.2181920 HUPD90-35/1010.512.59.2181924 HUPD90-35/121312.59.2191924 HUPD90-35/141512.59.2211924 HUPD90-50/6 6.51511212120 HUPD90-50/88.51511212120 HUPD90-50/1010.51511212124 HUPD90-50/12131511212126 HUPD90-50/14151511232126 HUPD90-50/16171511282126 HUPD90-70/88.51713252520 HUPD90-70/1010.51713252524
91常用电气设备选择的技术条件
9 电气设备选择 9.1 常用电气设备选择的技术条件和环境条件 9.1.1 电气设备选择一般原则[65,63] （1）应满足正常运行、检修、短路和过电压情况下的要求，并考虑远景发展； （2）应按当地环境条件校核； （3）应力求技术先进和经济合理； （4）与整个工程的建设标准应协调一致； （5）同类设备应尽量减少品种； （6）选用的新产品均应具有可靠的试验数据，并经正比鉴定合格。 9.1.2 技术条件 选择的高压电器，应能在长期工作条件下和发生过电压、过电流的情况下保持正常运行。各种高压电器的一般技术条件如表9?1?1所示。 表9?1?1 选择电器的一般技术条件 注①悬式绝缘子不校验动稳定。
9.1.2.1 长期工作条件 （1）电压：选用的电器允许最高工作电压max U 不得低于该回路的最高运行电压z U ，即 max U ≥z U （9?1?1） 三相交流3kV 及以上设备的最高电压见表9?1?2。 （2）电流：选用的电器额定电流n I 不得低于所在回路在各种可能运行方式下的持续工作电流 z I ，即 n I ≥z I （9?1?2） 不同回路的持续工作电流可按表9?1?3中所列原则计算。 由于变压器短时过载能力很大，双回路出线的工作电流变化幅度也较大，故其计算工作电流应根据实际需要确定。 表9?1?2 额定电压与设备最高电压 kV 表9?1?3 回路持续工作电流
表9?1?4 套管和绝缘子的安全系数 注①悬式绝缘子的安全系数对应于一小时机电试验荷载，而不是破坏荷载。若是后者，安全系数则分别应为5.3和3.3。 高压电器没有明确的过载能力，所以在选择其额定电流时，应满足各种可能运行方式下回路持续工作电流的要求。 （3）机械荷载：所选电器端子的允许荷载，应大于电器引线在正常运行和短路时的最大作用力。 电器机械荷载的安全系数，由制造部门在产品制造中统一考虑。套管和绝缘子的安全系数不应小于表9?1?4所列数值。 9.1.2.2 短路稳定条件 （1）校验的一般原则： 1）电器在选定后应按最大可能通过的短路电流进行行动、热稳定校验。校验的短路电流一般取三相短路时的短路电流，若发电机出口的两相短路，或中性点直接接地系统及自耦变压器
线缆接线端子规格.
1.DTL 型铜铝接线端子 返回 DTL 系列铜铝接线端子适用于配电装置中各种圆形、半圆扇形铝芯、电力电缆与电气设备铜端的过度连接.使用铝棒为L3，铜棒为T2.该产品采用摩擦焊接工艺制造,具有机械强度高,通电性能好,抗电化腐蚀,使用寿命长等优点. DTL 系列铜铝接线端子尺寸表 下 2.ＤT 型堵油式铜接线端子 返回
铜接线端子适用于配电装置中各种圆形、半圆扇型铜芯、 电力电缆与电气设备的连接，该产品采用T 2铜棒压制而成， 导电性能好，是铜线电缆终端连接最佳的选择。 ＤＴ型堵油式铜接线端子尺寸表 （注：表面处理：①纯化、②镀银、③镀锡，表面要求由用户选择） 上一页 下一 3.ＤＬ型堵油式铝接线端子 返回
铝接线端子适用于配电装置中各种圆型、 半圆扇型铝芯、电力电缆与电气设备的连接， 该产品采用L 3铝棒压制而成，导电性能好 ，是铝线电缆终端连接最佳的选择。 上一页 下一
4.BT 型铜连接管 返回 铜连接管适用于配电装置中各种圆型、半圆扇型铜芯、电力电 缆之间的连接。该产品采用T 2铜管加工而成，具有导电性能好，连接方便等优点。 （注：表面处理：①纯化、②镀银、③镀锡，表面要求由用户选择） 上一页 下一页 5.BT1型堵油式铜连接管 返回
堵油式铜连接管适用于配电装置中各种圆型、半圆扇 型铜芯、电力电缆之间的连接。该产品采用T 2铜棒加工而成，具有导电性能好，连接方便等优点。 BT1型堵油式铜连接管外形尺寸 （注：表面处理：①纯化、②镀银、③镀锡，表面要求由用户选择） 上一页 下 6.BTL 型铜铝连接管 返回
MOS功率与选型
品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls
关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3
MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）
设备选型
设备选型是水泥工厂设计非常重要的步骤，设备选型的优良也直接影响着水泥生产的成本节约，以及材料的减少，效率的提高。 车间设备选型一般步骤如下： 1、确定车间的工作制度，确定设备的年利用率。 2、选择主机的型式和规格，根据车间要求的小时产量、进料性质、产品质量要求以及其他技术条件，选择适当型式和规格的主机设备，务必使所选的主机技术先进，管理方便，能适应进料的情况，能生产出质量符合要求的产品。同时，还应考虑设备的来源和保证。 3、标定主机的生产能力，同类型规格的设备，在不同的生产条件下（如物料的易磨性、易烧性、产品质量要求以及具体操作条件等），其产量可以有很大的差异。所以，在确定了主机的型式和规格后，应对主机的小时生产能力进行标定。即根据设计中的具体技术条件，确定设备的小时生产能力。标定设备生产能力的主要依据是：定型设备的技术性能说明；经验公式（理论公式）的推算；与同类型同规格生产设备的实际生产数据对比。 4、计算主机的数量 ·h h l G n G = 式中：n ——主机台数， h G ——要求主机小时产量（t/h ）， ·h l G ——主机标定台时产量（t/h ）。 5、核算主机的年利用率 主机的实际年利用率和每周实际运转小时数，可用公式 ·h h l G nG ηη?= 式中：η?——主机的实际年利用率， η——预定的主机年利用率。 水泥厂主机年利用率选择参考表2-1， 表2-1 水泥厂主机年利用率（以小数表示） 主机名称 周别 每日工作班数 适宜利用率 备注 石灰石破碎 不连续周 1 0.24—0.28 也可连续周
石灰石破碎 不连续周 2 0.48—0.58 回转烘干机 连续周 3 0.70—0.80 生料磨（圈流） 连续周 3 0.70—0.78 生料磨（开流） 连续周 3 0.70—0.80 机械立窑 连续周 3 0.80—0.85 旋窑 连续周 3 0.82—0.88 水泥磨（圈流） 连续周 3 0.70—0.82 水泥磨（开流） 连续周 3 0.75—0.85 水泥包装 不连续周 1 0.24—0.28 水泥散装 不连续周 2 0.48—0.56 一， 破碎设备 1，石灰石破碎设备 一般石灰和石灰石大量用做建筑材料，也适用于工业的原料。石灰石可直接加工成石料和烧制成生石灰。石灰石刚开采出来粒度较大，并且大小不一，需要使用石灰石破碎机进行破碎后再运输使用。 （1）确定破碎车间的工作制度 石灰石破碎车间采用二班制，每班工作6.5小时，每年工作290天。 （2）根据车间运作班制和主机运转小时数，确定主机的年利用率： 232902 6.5 0.4387608760k k k η????= == 式中：k ——每年工作日数， 2k ——每日工作班数， 3k ——每班主机运转小时数。 （3）主机要求小时产量： 1.31331551250 600/2902 6.50.9y H gG G t h dntk ?= = =??? ,/H G t h 要求主机小时产量 ,/y G t y 烧成车间年产熟料量 ,0.8~1,0.9k 供料不平衡系数在之间取值这里取 ,d 每年工作日数 , n 每年工作班数
IR功率MOS管选型
I D Continuous Drain Current (A)70°Micro3 Surface Mount Packages V (BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()?I D Continuous Drain Current 25°C (A) R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1Fax on Demand Number Case Outline Key Part Number P D Max.Power Dissipation (W)https://www.360docs.net/doc/3915997216.html, N-Channel Logic Level IRLML2402*912570.54200.25 1.20.95230H1 IRLML2803 91258 0.54 30 0.25 1.2 0.93 230 P-Channel Logic Level IRLML6302*912590.54-200.6-0.62-4.8230H1 IRLML5103 91260 0.54 -30 0.6 -0.61 -4.8 230 * Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7V Measured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case. 1Micro3 SO-8 D-Pak D -Pak SOT-227 Micro6 SOT-223 Micro8 2 Illustrations not to scale
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
mos管选型指导
MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
常用mos管(选型)
常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应
常用MOS管选型参考
常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应
设备选型
第五章设备选型 设备选型与计算是选煤厂设计中的重要步骤。选型的好坏，不仅体现设计人员和设计本身的水平，更重要的是关系到选煤厂投产后的生产效率。近年来，我国选煤设备发展迅猛，设备的品种、规格日渐繁多，国产的、引进的、仿制的应有尽有。随着科学技术的发展和原煤入选量增大，选煤设备向大型化、高效化方向发展。由于地方小煤矿的崛起，各种小型的、成套的选煤设备也随之发展起来。这使设备选择的范围更宽，但难度也相应增大。这就需要更好地了解各种设备的性能及适用条件，正确计算与选型。 5.1 工艺设备选型与计算的原则和规定 5.1.1 设备选型与计算的任务及原则 设备选型与计算的任务是根据已经确定的工艺流程及各作业的数、质量，并考虑原煤特征和对产品的需求，选出适合生产工艺要求的设备型号与台数，从而使选煤厂投产后达到设计所要求的各项生产指标。 设备选型时应注意以下几项原则： （1）所选设备的型号与台数，应与所设计厂型相匹配，尽量采用大型设备，充分考虑机组间的配合，使设备与厂房布置紧凑，便于生产操作。 （2）所选设备的类型应适合原煤特征和产品质量要求。 （3）做到技术先进、性能可靠，应优先选用高效率、低能耗、成熟可靠的新产品。 （4）经济实用，综合考虑节能、使用寿命和物品备件等因素，尽可能选用同类型、同系列的设备产品，以便于维修和备件的更换。优先选用具有“兼容性”的系列设备，以便于新型设备对老型设备的更换，也便于更新和改扩建。 （5）在设备选用过程中，要贯彻国家当前的技术经济政策，考虑长远规划。设备招标应考虑性能价格比，切忌一味最求低价格。 （6）噪声应小于85dB。 5.1.2 设备生产能力与台数的确定原则 （1）设备生产能力的确定原则 在设计中常用的确定设备能力的方法有：单位负荷定额，产品目录保证值以及理论计算公式或经验公式。
各类常用端子大集合
各类常用端子大集合 模拟音频端子 RCA 端子：这是目前为止最为常见的一种音/视频接线端子，这种双线连接方式的端子早在收音机出现的时代便由RCA录音公司发明出来，还有一个更老式、也比较奇怪的称呼叫作“唱盘”接头。RCA端子采用同轴传输信号的方式，中轴用来传输信号，外沿一圈的接触层用来接地，也可以用来传输数字音频信号和模拟视频信号。RCA音频端子一般成对地用不同颜色标注：右声道用红色（字母“R”表示“右”或者“红色”）；左声道用黑色或白色。有的时候，中置和环绕声道连接线会用其他的颜色标注来方便接线时区分，但整个系统中所有的RCA接头在电气性能上都是一样的。一般来讲，RCA立体声音频线都是左右声道为一组，每声道外观上是一根线。 XLR平衡端子：这是一种三线的连接端子，三根导线分别是正极、负极和屏蔽。XLR被称作“平衡端子”和“麦克风插头”，一般来讲应用在专业或广播电视领域，但在一些Hi-End级别的消费器材中也得到采用，在前级放大器和后级放大器之间进行信号传输。在连接方面，三线XLR插头输出音频信号，而三线插孔输入音频信号。XLR端子的优势在于平衡线性传输信号，这样可以在长距离传送音频信号时大大减少电子系统工作时的电磁、射频干扰而在音频信号中产生的噪音和哼声。不过呢，在一般的消费类家用电器中，XLR传输的优势并不是非常明显。 Phone/Mini-phone耳机端子：标准的1/4英寸（6.35mm）直径的耳机插头和插孔的设计是从早期电话接线板来的，这种接线端子在AV器材上一般是三线结构（分为左/右声道各一以及接地），作立体声信号输出。耳机插头与插孔通常也用于专业或广播器材上，此时是双线结构（分为信号和接地）用于传输单声道信号；有时也采用三线结构（分为正极、负极和屏蔽）以平衡方式传输单声道信号。而直径1/8英寸（3.5mm）的小型耳机端子在功能上是和标准耳机端子一样的，多用于便携式器材上供立体声信号传输。 数字音频端子 Coaxial同轴端子：按照SPDIF（Sony-Philips Digital Interface Format，索尼-飞利浦数字界面格式）的标准，外观与RCA模拟音频端子一样的线材也可以用于传输数字音频信号。同轴端子可以用于传输立体声（CD格式）或多声道（杜比数字/DTS）数字信号，插头一般用桔红色和黑色进行标注。尽管任何采用RCA插头的线材都可以用来传输数字音频信号，但是最好还是使用专门为数字音频设计的线材，以取得尽可能好的传输效果，也就是说，插头和插孔的阻抗都要标注为75Ω。 Toslink（Optical）光纤端子：Toslink光纤端子的标准和同轴RCA端子是一样的，都是S PDIF数字音频格式，但是数据传输不是通过波动的电流，而是通过脉动的光波，采用特殊的光纤维作介质。从Toslink的输出端口，你可以看到红色的光线，这不是激光，也不会对人眼有害。污物和灰尘会阻碍光波的传输，所以使用时不要用手接触连接口，不用的时候也要把防尘帽套到端口上，另外，光纤线也不能够过分地弯折扭曲，否则会造成永久性的损伤而不能使用。
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧 MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。 那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。 首先是确定N、P沟道的选择 MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。 MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型 在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压 额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。 此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS 管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220VAC应用时MOS管VDS为450～600V。 第三步为确定电流 确定完电压后，接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定，MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的最大电流；与电压的情况相似，MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。 电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。 器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算（Iload：最大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。 对系统设计人员来说，这就需要折中权衡。 对便携式设计来说，采用较低的电压即可(较为普遍)；而对于工业设计来说，可采用较高的电压。需要注意的是，RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS（漏源额定电压）时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
MOS管常见型号 全
MOS管常见型号 场效应管分类型号简介封装 1.MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 2.MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 3.MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 4.MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 5.MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 6.MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 7.MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 8.MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 9.MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 10.MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 11.MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 12.MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 13.MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 14.MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 15.MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 16.MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 17.MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 18.MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 19.MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 20.MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 21.MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 22.MOS FET IRF9520 TO-220 23.MOS FET IRF9540 TO-220 24.MOS FET IRF9610 TO-220 25.MOS FET IRF9620 TO-220 26.MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P 27.MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P 28.MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P 29.MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK 30.MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK 31.MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK 32.MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK 33.MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK 34.MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK 35.MOS FET IRFR9020TF D-PAK 36.MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F 37.MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F 38.MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F 39.MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F 40.MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F