MOSFET继电器外形尺寸图·外观示例
西门子SIRIUS继电器接口继电器和变送器
mA 动作次数 动作次数
1 V AC/DC，0.1 20 x 106 1 x 105
动作频率
动作次数 5000
/ 小时
触头材料， 3TX7 00.-...02
Ag/Ni 0.15 硬金镀层
硬金镀层功率限值，3TX7 00.-...02
• 电压
V
30
• 电流
mA
20
注：如果连接感性负载，可延长接口继电器的使用寿命。 1）容性负载会导致触头出现微小熔焊。
11/5
SIRIUS
3TX70 接口继电器
插针式 / 非插针式接口继电器
技术参数（续）
型号 通用数据
额定绝缘电压 Ui（污染等级 3） 继电耦合器安装隔离 线圈和触头之间，符合标准 EN 60947-1，附录N
防护等级
短路保护，符合标准 IEC 60947-5-1 （防熔焊电流Ik ≥ 1 kA） 熔丝， gL/gG 工作等级 允许环境温度
0.7 ... 1.25 x Us 0.8 ... 1.1 x Us 0.5 W；3TX7 00.-...05：1 W，230 V DC/6 VA 或 230 V AC 时
动作时间，Us 时
- 宽 6.2
mm
- Us = 24 V
mA
- Us > 24 V
mA
- 宽 12.5 mm 以上
mA
例外：3TX7 00 .-1BF05 mA mA
连接端子 外壳
工作
3TX7 004/3TX7 005
V
300
V
至 300 AC
IP20
IP30
A
4
ºC -25 ... +60
继
隔离mosfet mos管 场效应管模块 替代继电器电路-概述说明以及解释
隔离mosfet mos管场效应管模块替代继电器电路-概述说明以及解释1.引言1.1 概述隔离MOSFET（MOS管）场效应管模块作为一种新型的电子器件，正在逐渐成为替代传统继电器电路的热门选择。
传统的继电器电路由于存在机械结构，在工作过程中容易产生噪声、寿命短、响应时间长等问题，限制了其在现代电子设备中的应用。
而隔离MOSFET场效应管模块因其具有高速响应、可靠性强、功耗低等特点，逐渐受到了工程师和电子爱好者的青睐。
本文将重点介绍隔离MOSFET（MOS管）和继电器电路的基本原理和特点，分析它们在不同应用场景下的工作原理及优缺点。
通过比较两者的特点，旨在探讨隔离MOSFET（MOS管）作为继电器电路的替代品的可行性和推广性。
本文将分为三个部分来进行阐述：引言、正文和结论。
引言部分概述了文章的主要内容和结构，同时阐述了撰写本文的动机和目的。
正文部分将详细介绍MOSFET（MOS管）和继电器电路的基本原理以及它们的工作原理和应用场景。
结论部分将总结MOSFET（MOS管）在替代继电器电路中的优势，并分析其在实际应用中的可行性和推广性。
通过详细的论述和分析，有助于读者全面了解隔离MOSFET（MOS 管）和继电器电路的不同特点，进而评估隔离MOSFET（MOS管）作为继电器电路的替代品的可行性，并为相关领域的工程师和研究人员提供参考和借鉴。
随着科技的不断发展和进步，寻找更加先进、高效、可靠的电子器件，已经成为了当前电子工程领域的一项重要任务。
1.2文章结构文章结构：本文主要分为引言、正文和结论三个部分。
在引言部分，我们将对本文的概述进行介绍，解释MOSFET (MOS管)和继电器电路的基本概念及其作用。
接着将介绍文章的结构和主要内容，提供给读者一个清晰的整体框架。
最后，说明本文的目的，即研究和探讨隔离MOSFET MOS管场效应管模块替代继电器电路的可行性和优势。
正文部分将主要分为两个章节，第一章节将详细介绍MOSFET (MOS 管)的基本原理和特点，包括其结构、工作原理和优势。
继电器型号尺寸标准
继电器型号尺寸标准
继电器型号尺寸标准通常因制造商和不同型号而异。
继电器主要用于控制低电压和低电流的电路，其体积一般比较小。
一般来说，小功率继电器主要分为DIP型和SMD型两种封装类型。
其中，DIP型是插入式封装，适用于插座式安装；而SMD型是表面贴装式封装。
继电器的尺寸也是因制造商和不同型号而异，常见的外形尺寸有
10mm××8mm、13mm×19mm×、××12mm等。
此外，小功率继电器的输出引脚通常分为4个和5个两种，其中4个引脚
的继电器通常被称为单切继电器，5个引脚的继电器通常被称为双切继电器。
单切继电器的引脚布置在两端，而双切继电器的引脚布置在中间。
引脚间距大小也因制造商和不同型号而异，一般来说，DIP型继电器的引脚间距为，而SMD型继电器的引脚间距为。
如需了解更多关于继电器型号尺寸标准的信息，建议咨询专业技术人员获取帮助。
mosfet固态继电器型号 -回复
mosfet固态继电器型号-回复你好，以下是一篇1500-2000字的关于mosfet固态继电器型号的文章：标题：mosfet固态继电器型号：选择适合您需求的强大控制工具引言：在电路设计和工程应用中，继电器是至关重要的组件。
继电器的作用是通过控制外部电路，实现信号传输、电流开关或断开等功能。
传统的电磁继电器已经得到广泛应用，但它们在很多场景下存在一些局限性。
这些局限性包括响应速度慢、尺寸庞大、电磁干扰等。
为了解决这些问题，mosfet 固态继电器型号应运而生。
在本文中，我们将一步一步回答关于mosfet 固态继电器型号的问题，帮助您选择适合您需求的强大控制工具。
第一部分：了解mosfet固态继电器的工作原理mosfet固态继电器采用固态器件，通过调控场效应晶体管（MOSFET）的电流，来实现电路控制。
与传统的电磁继电器相比，mosfet固态继电器拥有更快的响应速度和更小的尺寸，并且能够抵御电磁干扰。
它们还具有更长的寿命和更低的功耗。
在选择mosfet固态继电器型号之前，首先要了解您的应用需求，例如工作电流、负载电压、继电器的开关次数等。
第二部分：选择合适的mosfet固态继电器型号在选择mosfet固态继电器型号时，以下几个关键因素需要考虑：1. 工作电流（Load Current）：这是继电器将要控制的负载电流。
确保选择的mosfet固态继电器型号可以承受并稳定工作在负载电流范围内。
2. 负载电压（Load Voltage）：这是继电器将要控制的负载电压。
确认选择的mosfet固态继电器型号能够稳定承受负载电压。
3. 继电器类型（Relay Type）：mosfet固态继电器可以用于开关或复位不同类型的负载。
根据您的应用需求，选择合适的继电器类型。
4. 继电器的开关次数（Switching Cycles）：mosfet固态继电器的寿命可通过其开关次数来衡量。
不同型号的继电器具有不同的开关次数。
固态继电器型号重要
直流固态继电器产品型号 HFS32D 控制方式直流控制交流(DC-DC) 控制电压 5VDC、12VDC、24VDC、48VDC、60VDC 负载电流 3A、4A、5A 负载电压 24VDC、48VDC 输出器件 MOSFET 输出外观样式卧式、立式以上只是简单参数,欢迎来电话咨询。
以下是我司其它固态继电器欢迎联系采购一、光继电器(光MOS): 击穿电压60V、100V、200V、350V、400 二、交流固态继电器(单向固态继电器): HFS20 负载电流:1.2A、1.5A 负载电压范围:48-280VAC。
HFS4\HFS5 负载电流:2A 负载电压范围:48-280VAC。
HFS40A 负载电流:2A、3A 负载电压范围:48-280V;48-440VAC。
HFS5427 负载电流:2A、3A 负载电压范围:48-280V;48-440VAC。
HFS32 负载电流:1A、2A 负载电压范围:48-280V;48-440VAC。
HFS41 负载电流:3A、4A、5A 负载电压范围:48-280V;48-440VAC、48-530VAC。
HFS15 负载电流:10A、15A、20A、25A、40A 负载电压范围:48-280V;48-440VAC。
HFS34 负载电流:10A、15A、20A、25A、40A、50A、60A、70A、80A、100A 负载电压范围:48-280V;48-440VAC、48-530VAC、48-660VAC。
三、直流固态继电器(单向固态继电器): HFS40 负载电流:2A 负载电压范围:3-52.8VDC; 3-125VDC。
HFS27 负载电流:2A 负载电压范围:3-60VDC; 3-100VDC。
HFS32 负载电流:3A、4A、5A 负载电压范围:0-28.80VDC; 0-57.6VDC。
HFS33 负载电流:7A、10A、12A、20A、40A、50A、80A、100A 负载电压范围:30VDC、 50VDC、100VDC、150VDC、200VDC、400VDC、500VDC。
MOSFET光耦继电器AQY275A
型号： AQY275A
特点：小型扁平封装的高容量２ＡPhoto MOS 封装： Power-DIP4
端子形状： Surface-Mount
包装方式： Tube packing
连续负载电流： 1.3A
负载电压： 100 V
导通电阻(平均)： 0.23 ohm
输出端子间容量(平均)： 1400 pF
国外标准： UL, C-UL
触点结构： 1a
耐电压： 2500V AC
导通电阻(最大)： 0.34 ohm
开路状态漏电流(最大)： 10μA
最大允许LED电流： 50mA
LED反向电压： 5V
最大正向电流： 1A
部允许损耗： 75mW
动作LED电流(平均)： 1mA
动作LED电流(最大)： 3mA
复位LED电流(最小)： 0.4mA
复位LED电流(平均)： 0.9mA
LED压降(最大)： 1.5V
动作时间(平均)： 2.4ms
复位时间(平均)： 0.21ms
全部允许损耗： 750mW
使用环境温度： -40℃～+85℃
保存温度： -40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)： 0.8pF 输入/输出间端子容量(最大)： 1.5pF 输入/输出绝缘电阻(最小)： 1000 M ohm 推荐动作条件(输入LED电流)： 5-10mA。
Infineon 2ED4820-EM 48V智能高边MOSFET栅极驱动器方案
Infineon 2ED4820-EM 48V智能高边MOSFET栅极驱动器方案Infineon公司的2ED4820-EM是用于48V汽车应用的栅极驱动器,具有功能强大的栅极输出,能驱动并联的多个MOSFET,以最大限度降低导通损耗.由于它的两种栅极输出,它支持背对背的配置,共源和共漏两种结构.在共源极配置,一个栅极输出能用来预充电大容性负载. 2ED4820-EM产生栅极输出的电源,它是基于集成具有外接泵和箱式电容的一级电荷泵.器件具有SPI接口,用于容易配置,诊断和控制.器件的电源电压从20V到70V,具有两个独立的高边栅极驱动器输出,1A下拉和0.3A上拉用于快速开关的接通/关断.在睡眠模式低电源电流BAT_Q小于5 μA.器件具有以下的保护特性:电源欠压和过压检测并具有可配置重器计时器,电荷欠压检测,栅极到源极欠压检测,可配置漏极到源极过压检测,可配置过流检测以及内部超温告警和保护.主要用在48V电池保护开关,用于DC/DC转换器,马达控制单元等的48V输入保护,48V汽车继电器和保险丝替代品.本文介绍了2ED4820-EM主要特性,框图, 48V电池主开关应用框图和菊花链连接图,以及评估板2ED4820-EM EB2 2HSV48主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.2ED4820-EM is a gate driver designed for high current 48 V automotive applications, with powerful gate outputs to drive many MOSFETs in parallel in order to minimize the conduction losses. It supports the back-to-back configuration, both common source and common drain structures, thanks to its two gate outputs.In common source configuration, one gate output can be used to pre-charge highly capacitive loads.2ED4820-EM generates the supply for the gate outputs based on an integrated one-stage charge pump with external pump and tank capacitors.2ED4820-EM comes with an SPI interface, for easy configuration, diagnosis and control.Several protection mechanisms are provided:• Supply under- and overvoltage detection with configurable restart timer• Charge pump undervoltage detection• Gate to source undervoltage detection with immediate lock-out to prevent linear mode conduction of the MOSFETs• Config urable drain to source overvoltage detection, which can also be deactivated• Configurable overcurrent protection based on an analog current sense amplifier compatible for high-side or low-side shunt topologies• Internal overtemperature warning and protec tionAn interrupt pin informs the MCU whenever one of these protections is triggered. Status registers can then be read by the MCU to understand what was the trigger for the notification.The output of the current sense amplifier can be monitored by the MCU to implement additional protections, such as wire overtemperature.In addition, 2ED4820-EM enables to implement an open load detection mechanism, checking the source voltage of the MOSFETs with respect to ground in the OFF state.2ED4820-EM主要特性:• Exte nded supply voltage range: 20 - 70 V• Two independent high-side gate driver outputs• 1 A pull down, 0.3 A pull up for fast switch off/on• Device control, configuration and diagnostic via SPI• Low supply current in sleep mode IBAT_Q < 5 μA• Supports ba ck-to-back MOSFET topologies (common drain and common source)• One bidirectional high or low-side analog current sense interface with configurable gain • Configurable overcurrent/short circuit protection• Gate undervoltage lock-out• Safe state mode (bot h channels OFF) activated by direct input pin• Ground loss detection2ED4820-EM潜在应用:• 48 V battery protection switch• 48 V input protection switch for DCDC converters, motor control unit etc.• 48 V relay and fuse replacement图1. 2ED4820-EM 48V电池主开关应用框图图2. 2ED4820-EM框图图3. 2ED4820-EM菊花链连接图图4. 2ED4820-EM 48V电池保护开关应用框图图5. 2ED4820-EM共漏极高边电流检测应用框图应用电路的材料清单:评估板2ED4820-EM EB2 2HSV48The 2ED4820-EM EB2 2HSV48 from Infineon Technologies is a flexible evaluation board designed to showcase the capabilities of the 2ED4820-EM. This board includes Infineons XMC1100 XMC2Go daughter board to interface to a PC over a USB cable. A graphical user interface (GUI), called Config Wizard for 2ED4820 EB, is provided via Infineon Development center. It running on a Windows PC, to control, configure and diagnoze the 2ED4820-EM.图6. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV48外形图图7. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV48电源部分概述图评估板2ED4820-EM EB2 2HSV48主要特性:• The evaluation board is able to deliver a continuous DC current up to 20A per channelIt comes with a jumper-based configurability, to test various topologies.The various configurations include:o Power MOSFETs configured either in common drain or common source topologieso High side or low side current senseo Optional capacitor pre-charge resistive channel, driven either by one channel of the 2ED4820-EM or by a discrete level shifter supplied by the charge-pump of 2ED4820-EM.• The board comes with any test points on the edges of the board to easily check signals with a n oscilloscope.• A USB interface (XMC2GO) is provided, to drive the SPI serial interface of 2ED4820-EM from a PC • A graphical user interface running on a PC allows to control, configure and diagnose the 2ED4820-EM图8. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV4和PC与电源连接图图9. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV4低边电流检测配置图图10. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV4高边电流检测配置图图11. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV4电路图(1):电源部分图12. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV4电路图(2):栅极驱动器部分评估板2ED4820-EM EB2 2HSV4材料清单:图13. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV4 PCB设计图:顶层和底层图14. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV4 PCB设计图:内层图15. 评估板2ED4820-EM EB2 2HSV4 PCB设计图:顶层装配图。
卡洛加瓦齐有限公司RM1D系列直流开关固态继电器说明书
直流开关固态继电器主要特性• 低功率损耗输出 MOSFET• 100 ADC最大输出电流高达60 VDC • 50 ADC最大输出电流高达200 VDC • 10 ADC最大输出电流高达500 VDC • 开关频率高达1000 Hz • 4-32 VDC控制电压范围• 用于控制状态指示的LED • 夹式IP20 保护盖• 自升式端子•非模铸式外壳RM1D 系列进一步扩展了 Carlo Gavazzi 的直流固态开关解决方案产品系列，最高分别为 100 A（电源电压最高 60 VDC）、50 A（电源电压最高 200 VDC）、10 A（电源电压最高 500 VDC）。
这个新系列适用于面板式安装或散热器安装。
RM1D 的开关由 4-32 V 范围内的直流电压控制。
一个 LED 指示 SSR 上是否存在控制电压。
ON 和 OFF 之间来回切换的响应时间对于应用而言至关重要，而 RM1D 即是理想的解决方案。
RM1D 为全固态，非常适合需要高频开关循环的应用，因为 SSR 寿命不会受到这种频繁开关的影响。
除另外注明，所有规格参数均为 25°C 的温度环境下。
RM1D应用直流加热器、电磁阀、测试设备、电池电源的连接和断开主要功能• 直流开关固态继电器，输入和输出之间具有 3750 Vrms 隔离 • 响应时间短，可以打开和关闭• 全固态，确保高频开关循环的无故障运行订购代码输入代码，输入相应的选项而不是 . 有关有效的部件号，请参阅选择指南部分。
选型指南Carlo Gavazzi 兼容组件补充读物结构特性通用数据尺寸Fig. 1 RM1D尺寸除非另有说明，否则尺寸均为毫米性能输出控制打开tt onttt关掉t offFig. 2 响应时间特性Fig. 3输入电压与输入电流的关系曲线02468101214161848121620242832输入电流 (m A D C )输入电压 (VDC)1: 工作温度低于 -20°C 时，吸合电压升高至 5.5 VDC2: 在高开关频率下，输出电流会降低。
功率继电器,10A
TUV 50062453
A/C
0.4W
5-48VDC NO/NC:8/3A 250VAC 环境温度：85℃
CQC09002030014 (GB/T 21711.1-2008标准)
A/C
0.4W
5-48VDC 8A 250VAC 环境温度：85℃
备注：以上列出的认证可能是产品的部分典型负载，且认证会经常更新，如需要了解更详细的认证资料请同业务人员联系！
10～55Hz,1.5mm双振幅 10～55Hz,1.5mm双振幅
约13.00g
线圈参数 额定线圈功率
400mW
说明：上述值均为初始值。
安规认证
认证类型/认证号
触点形式 线圈功率 额定线圈
认证负载
备注
UL E164730
A/C
0.4W
5-48VDC 8A 250VAC 绝缘等级:F 环境温度：85℃
线圈电阻 Ω+/-10%
62.5 90.0 202.5 360 1440 5760
外形图、接线图、安装孔尺寸(单位:mm)
吸合电压 ≤VDC 3.5 4.2 6.3 8.4 16.8 33.6
释放电压 ≥VDC 0.5 0.6 0.9 1.2 2.4 4.8
额定线圈功率 mW
400
C型
29.0±0.3
HCP2
功率继电器
命名规则
特性
低高度,高仅15.7mm 尺寸:29.0×12.6×15.7(mm) 8A触点切换能力 二组触点形式 线圈灵敏度400mW 绝缘:5KV/10mm
认证
c
US NO.E164730
NO.50062453
NO.CQC09002030014
FTMChina(富昌技术杂志)
PMCM4401VxE采用尺寸仅0.78m m× 0.78mm×0.35mm的微型封装，非常适用 于需要实现高功率密度和小电路板尺寸 的电力系统应用。尽管该器件尺寸小，但 在25℃环境温度和4.5V栅-源电压下工作 时，它能够处理长达5秒的6A电流脉冲。
相同条 件下的 连 续电 流 额 定值 为最 大 4.7A。在3A漏电流和25℃结点温度下，漏 源导通电阻为36mΩ。
400V，典型导通电流低至0.25mA。器件 通 过 V D E和 U L认证，满足 大多数 应用的 更高隔离要求。
VO R1142 继电器 是电隔离的，在- 4 0℃至 +10 0℃的环境温 度范围内可实现彻底 的、无反弹的切换。
Vis h a y 新 的 VO R1142 A 6、VO R1142 B 6 和 VO R1142M 4继电器是常开的单极单掷 （SPST）开关。为了简化定制过程，这些 器件采用模块化结构，由一个GaAIAs（ 砷化镓铝）IRED动作控制和用于切换输 出的 M O S F E T 构成。它们 提 供高输入- 输 出隔离、限流保护和低功耗。
读者反馈号 2
3
元器件聚集
混合固态继电器提供无噪声切换和高输入输出隔离
Vishay
Vishay Intertechnology推出了VOR系列混 合 固 态 继 电器 中的 首 批 3 颗 器 件，为 通 信、工业、保安系统和医疗设备提供了高 可靠性和无噪声切换功能。它们是寻求 用更可靠、更持久的产品替代传统机械 继电器的设计人员的理想选择。
Vishay
3
DCM™转换器模块 - 提供高于传统DC-DC转换器两倍的功 率密度
VICOR
3
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DC-DC Converters in a Chip Package
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O
S
3.65＋－00..1255
F
7.62±0.25 0.25＋－00..105
E T
2.5以上
1.2±0.15 0.5±0.1
7.85～8.80
继
2.54±0.25
电
器
外
形 尺
■DIP6(特殊)(G3VM-61BR/ER)
寸 图
印刷基板用端子
·
重量：0.4g
外
观
示
7.12±0.25
例
6.4±0.25
表面安装端子
重量：0.54g
9.66±0.25
6.4±0.25
7.62±0.25
3.65＋－00..1255
1.2±0.15
1.0 以上
2.54±0.25
4.0＋－00..225
1.0以上 10.0以下
(单位：mm)
印刷基板加工尺寸(Bottom View)
8-φ0.8孔 2.54
(0.61) 2.54
尺 寸 图
6～6.3 1.2
·
外
观
0.8
示
例
2.54
■SOP6
表面安装端子
重量：0.13g
※ 标记内容与实际商品有所不同。
4.4±0.25
6.3±0.25
2.1以下 0.15
2.54±0.25
0.1±0.1 0.4±0.1
0.6±0.3 7.0±0.4
(单位：mm)
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View)
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View)
2.54
2.54
8.3～8.8
1.3 1.5
(单位：mm)
印刷基板加工尺寸(Bottom View)
5-φ0.8孔 2.54
(0.61) 2.54
(1.52)
(0.61) (1.52)
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View)
2.54
2.54
8.3～8.8
1.3 1.5
M O S
F
E ■USOP4
T 继 电 器
外 形 尺 寸 图
· 外 观 示 例
表面安装端子
重量：0.03g
※ 标记内容与实际商品有所不同。
4.2
1.9 φ1.4
3.65 0.15 1.8
(0.3)
0.2
1.27
3.8
2.04
(0.46)
未指定尺寸公差为±0.1mm。
3.25
2.05
(0.4) 1.27 2.2
4.58±0.25
6.4±0.25
7.62±0.25
3.65＋－00..2155
1.2±0.15 2.54±0.25
1.0 以上
4.0＋－00..225
1.0以上 10.0以下
■DIP6
印刷基板用端子
重量：0.4g
表面安装端子
重量：0.4g
7.12±0.25
7.12±0.25
6.4±0.25
M
0.8±0.25
MOS FET继电器 外形尺寸图·外观示例
■DIP4
印刷基板用端子
重量：0.25g
表面安装端子
重量：0.25g
4.58±0.25
6.4±0.25 0.8±0.25
3.65＋－00..1255
2.5以上
7.62±0.25
1.2±0.15 0.5±0.1 2.54±0.25
0.25＋－00..105 7.85～8.80
0.8±0.25 3.65＋－00..1255
2.5以上
1.2±0.15 0.5±0.1
2.54±0.25
7.62±0.25
0.25＋－00..105 7.85～8.80
6.4±0.25
7.62±0.25
3.65＋－00..1255
1.0 以上
1.2±0.15
2.54±0.25
4.0＋－00..225
(1.52)
(0.61) (1.52)
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View)
2.54
8.3～8.8
1.3 1.5
■SOP4
表面安装端子
重量：0.1g
4.4±0.25
3.9±0.2
2.1以下 0.15
0.4±0.1
0.1±0.1
2.54±0.25
0.6±0.3 7.0±0.4
■SOP4(特殊)(G3VM-61VY)
0.85 2.9 0.8 1.27
B-216
MOS FET继电器 外形尺寸图·外观示例
DIP (Dual Inline Package)
DIP4㛮
OMRONᷛᖫ
1ᓩ㛮ᷛ䆄
932
䞥ሲ䫌ކय़ ߎⱘॄ䆄Ć
ൟোৡ LOT.NO.
DIP6㛮
OMRONᷛᖫ 1ᓩ㛮ᷛ䆄
ൟোৡ
932
LOT.NO.
DIP6㛮˄⡍⅞˅ G3VM-61BR/ER
6～6.3 1.2 0.8 2.54 2.54
B-215
MOS FET继电器 外形尺寸图·外观示例
■SOP8
表面安装端子
重量：0.2g
4.4±0.2
9.4±0.25
2.1以下 0.15
2.54±0.25
0.1±0.1 0.4±0.1
0.5±0.3 7.0±0.4
■SSOP4
228
表面安装端子
重量：0.03g
1.0以上 10.0以下
7.12±0.25
表面安装端子
重量：0.4g
6.4±0.25
7.62±0.25
3.65＋－00..1255
1.0 以上
1.2±0.15
2.54±0.25
4.0＋－00..225
1.0以上 10.0以下
※ 工尺寸(Bottom View)
表面安装端子
重量：0.1g
4.4±0.25
3.6±0.2
2.5±0.2 0.15
0.4±0.1
0.1±0.1
2.54±0.25
0.5以上 7.0±0.4
(单位：mm)
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View)
6～6.3 1.2
0.8
M
2.54
O
S
F
E
T
(单位：mm)
继 电
器
外 实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View) 形
OMRONᷛᖫ
0.151.65
0.2 2.85
(0.35)
未指定尺寸公差为±0.2mm。
(单位：mm) 实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View)
6～6.3 1.2 0.8 2.54 2.54
(单位：mm)
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View)
0.95 3.73 0.8 1.27
(单位：mm)
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View)
B-214
■DIP8
9.66±0.25
印刷基板用端子
重量：0.54g
6.4±0.25 0.8±0.25
3.65＋－00..1255
2.5以上
1.2±0.15 0.5±0.1 2.54±0.25
7.62±0.25
0.25＋－00..105 7.85～8.80
MOS FET继电器 外形尺寸图·外观示例
4-φ0.8孔 2.54
(0.61) 2.54
(1.52)
(0.61) (1.52)
实际焊盘尺寸(推荐值)(TOP View)
2.54
8.3～8.8
1.3 1.5
(单位：mm)
印刷基板加工尺寸(Bottom View)
6-φ0.8孔 2.54
(0.61) 2.54
(1.52)
(0.61) (1.52)