电子技术复习(1)
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
电子技术基础试题(一)
电子技术基础试题(一)一、选择题：（每小题3分，共30分）1、D 触发器在D=1时，输入一个CP 脉冲，其逻辑功能是（ ）。
A ．置1 B ．清0 C ．保持 D ．翻转2、如图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V ，则Y= （ ）。
A ．0.7V B ．3.7V C ．10VD ．1.5V3、以下表述正确的是（ ）。
A ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。
B ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。
C ．组合逻辑电路有记忆能力，而时序逻辑电路没有记忆能力。
D ．组合逻辑电路没有记忆能力，而时序逻辑电路有记忆能力。
4、逻辑函数式Y=A+A ，化简后的结果是（ ）。
A ．2AB ．AC ． 1D ．A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为（ ）。
A ．EFB ．EF C ． 0 D ． 16、基本 RS 触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态（ ）。
A ．恢复原状态 B ．保持现状态 C ．出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时，应选择的档位（ ）。
A ． Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（ ）。
A ． 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A ． I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ，当输入电压为10mV 时，测得输出电压为500mV ，则电压放大倍数是（ ）。
A ． 10 B. 50 C. 500 D.100 二．填空题：（每题3分，共30分）1．半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
![电子技术基础题库(I_II类题)[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/0d71ad21192e45361066f55f.png)
第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
(完整版)电子技术复习题及参考答案
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
电子技术复习题()
第一章二极管及直流稳压电源一、填空题1．二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
2．二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
3．普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
4．单相电路用来将交流电压变换为单相脉动的直流电压。
5．直流电源中，除电容滤波电路外，其它形式的滤波电路包括、等。
6．W7805的输出电压为，额定输出电流为；W79M24的输出电压为，额定输出电流为。
7．开关稳压电源的调整管工作在状态，脉冲宽度调制型开关稳压电源依靠调节调整管的的比例来实现稳压。
8．发光二极管能将电信号转换为信号，它工作时需加偏置电压；光电二极管能将信号转换为电信号，它工作时需加偏置电压9.判断大容量电容器的质量时，应将万用表拨到挡，倍率使用。
当万用表表笔分别与电容器两端接触时，看到指针有一定偏转，并很快回到接近于起始位置的地方，则说明该电容器；如果看到指针偏转到零后不再返回，则说明电容其内部。
二、判断题(填“是”或“否”)1．加在二极管两端的反向电压高于最高反向工作电压时，二极管会损坏。
（）2．稳压二极管在电路中只能作反向连接。
（）3．电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
（）4．在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。
（）5．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。
（）三、选择题1．下列符号中表示发光二极管的为（）。
A． B ． C．D．2．从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正向导通状态A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降3．用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡旋到（）位置A ．ΩB ．ΩC ．ΩD．Ω4．直流稳压电源中滤波电路的作用是（）。
电子技术基础1复习题
电子技术基础1复习题一、电压放大1、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
（1）试估算电路的静态工作点I CQ、U CEQ；（3）求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R O；（4）若信号源内阻R S=600Ω，求源电压放大倍数A us。
（5）若去掉旁路电容，则A u、R i和R O如何变化？2、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
（1）估算静态工作点I CQ、U CEQ；（2）估算电压放大倍数A u；（3）求输入电阻和输出电阻；（4）若C E断开，电压放大倍数将有何变化？CC o二、功放1、OTL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点的电位应是多少？（2）若两管子的饱和压降均为2V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）分析VD1、VD2的作用。
2、OCL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点电位是多少？（2）若两管子的饱和压降均为3V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）说明图中VD1、VD2的作用。
ccu Su ou o－+o三、运算电路1、运算电路如下图所示，（1）A1组成何种运算电路，有何特点？（2）当u i=1V，计算输出电压u o1值和u o值。
2、运算电路如下图所示，（1）A1、A2分别组成何种运算电路？（2）当u i1=0.1V，u i2=2V，试计算输出电压u o1值和u o 值。
四、深度负反馈的近似计算1、负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析其反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。
（3）指出运放的反相输入端是否为虚地端。
2、1、（14分）负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析此反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。
《电子技术》期末复习试题及答案
《电子技术》期末复习试题及答案1.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和一空1答案：导体空2答案：半导体空3答案：绝缘体2.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为o空1答案：半导体3.二极管P区引出端叫极，N区引出端叫极空1答案：正空2答案：负4.二极管的最主要特性为 o空1答案：单向导电性5.按二极管所用的材料不同，可分为二极管和二极管两类。
空1答案：硅空2答案：错6. PN结正向偏置时，P区接电源极，N区接电源极空1答案：正空2答案：负7.半导体三极管有两个PN结，分别是结和结。
空1答案：集电空2答案：发射8.硅二极管的正向管压降为 V,错二极管的正向管压降为 Vo9.硅二极管的死区电压为 Vo空1答案：0.510.半导体三极管有三个电极，分别为极、极和极。
空1答案：集电空2答案：基空3答案：发射11.三极管的三种工作状态分别是状态、和状态。
空1答案：截止空2答案：放大状态空3答案：饱和12.三极管工作在放大状态，结正偏，结反偏。
空1答案：发射空2答案：集电13.半导体三极管放大的实质是,即空1答案：控制空2答案：用较小的电流控制较大的电流14.影响放大电路的静态工作点稳定的最主要因素是的变化空1答案：温度15.分压式射极偏置电路中电容的作用是。
空1答案：隔直通交16.温度升高时，放大电路的静态工作点会上升，引起失真，温度降低时，静态工作点会下降，引起失真。
17. NPN型三极管工作在截止状态时，发射结空1答案：反偏18.工作在放大状态的三极管可作为器件，工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
空1答案：放大空2答案：开关19.各级放大器之间的连接方式，叫做空1答案：耦合LPN结的最大特点是（）oA.导电性B.绝缘性C.单向导电性（正确答案）D.负阻性2.半导体受光照，导电能力（）oA.增强（正确答案）B.减弱C.不变I）.不一定3.当加在硅二极管两端的正向电压从0逐渐增加时，硅二极管（）oA.立即导通B.到0. 3V才开始导通C.超过死区电压时才导通（正确答案）D.不导通4.当硅二极管加上0.4V正向电压，该二极管相当于（）。
数电复习题1(1)
数字电子技术基础复习题一、设计题1、用与非门设计四变量的多数表决电路。
当输入变量A 、B 、C 、D 有3个或3个以上为1时，输出为1，输入为其他状态时输出为0。
（要求列写真值表、逻辑表达式、画出逻辑电路图） 解：由真值表得输出与输入之间的关系：化简为：转化为与非形式：画出逻辑电路图：（3分）2、试用4选1 数据选择器74HC153实现交通灯监视电路。
每一组信号灯由红、黄、绿三盏灯组成，正常情况下，任何时刻必有一盏灯点亮，而且只允许一盏灯点亮。
而当出现其他点亮状态时，电路发生故障，这时要求发出故障信号，以提醒维修人员前去维修。
解：设输入变量为R 、Y 、G ，输出变量为Z,由题意得输入与输出之间的逻辑关系表达式为：与4选1选择器的标准表达式010*********()()()()Y D A A D A A D A A D A A ''''=+++比较得：画出电路图如下：A 1=Y ，A 0=GD 0=R' D 1=D 2=R D 3=1Y A BCD AB CD ABC D ABCD ABCD''''=++++1()'Y ABD =2()'Y ABC =1234()'(()'()'()'()')'Y YY Y Y ABD ABC ACD BCD ==3()'Y ACD =4()'Y BCD ='''''''('')(')(')(')()Z R Y G RYG RY G R YG RYG R Y G R Y G R YG R R YG =++++=++++Y ABD ABC ACD BCD =+++二、逻辑功能分析题1.试分析下图所示时序逻辑电路的逻辑功能，写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程，画出电路的状态转换图，检查电路能否自启动。
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2、理想集成运放的传输特性
线性区：
uo = Auo(u+– u–)
非线性区(饱和区）：
u+> u– 时， uo = +Uo(sat) u+< u– 时， uo =–Uo(sat)
3. 理想运放工作在线性区特点
u＋≈u－
I－≈I+ ≈0
第16章 理想集成运算放大电路
4、理想集成运算放大电路的计算（掌握）
3、正反馈电路
1、正弦波振荡电路的振荡条件 振荡条件 A F 1
2、RC桥式正弦波振荡电路的电路组成，振荡频率。
振荡频率ω0=1/RC，F=1/3, A=3
第18章 直流稳压电源
1、了解直流电源电路的组成
2、掌握单相桥式整流电路的工作原理，及各参数的计算 （有滤波电容和无滤波电容两种情况），
3、了解整流管开路、短路的故障情况
电工电子学II复习
好好复习,考出好成绩,
第14章 半导体二极管和三极管
1、半导体中有两种载流子 自由电子 空穴
2、本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体
3、杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力） N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子， 但半导体呈中性 P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子， 但半导体呈中性
4、 PN结的单向导电性
加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较 小，PN结处于导通状态。
加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大， PN结处于截止状态。
4、二极管 特性曲线：与PN结相同(p10)
P
N
主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、
5、二极管电路的分析计算（掌握）
ri RB //rbe (1 β)RE
ro RC
ro RC
• 共射分压式偏置放大电路
有旁路电容CE（掌握） 无旁路电容CE
RB1
C1 +
+
RC
+UCC +C2
+
Au
β
RL rbe
Au
rbe
βRL (1 β
) RE
RS +
ui RB2
eS
––
RE
+ RL CE
uo
ri RB // rbe
导通管的压降0V（理想二极管），相当于短路； 截止管所在支路看做断开， 电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各 物理量。
5、特殊二极管——稳压二极管（工作在反向击穿区）
反向偏置 且VI＞VZ 稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都 加于稳压管上，使输出电压稳定
参数：VZ、IZ、PZM
三、差动放大电路
（1）理解差模信号、共模信号、共模抑制比的概念 （2）了解差动放大电路对温度漂移的影响
第16章 理想集成运算放大电路
1.运算放大器的理想化条件 开环电压放大倍数 Auo ； 差模输入电阻 rid ；
共模抑制比 rKidCMR R 0；
开环输出电阻 ro 0 ；
三大一小
–
ri RB1 // RB2 // rbe (1 β)RE
RB RB1 // RB2
ro RC ro RC
• 二、射极输出器（共基极）
+UCC
RB C1 +
RS +
es+–
ui –
RE
+C2 +
RL uo –
射极输出器的特点：
1. 电压放大倍数小于1，约等于1; 2. 输入电阻高； 3. 输出电阻低； 4. 输出与输入同相。
包括反相比例、同相比例、反相加法、同相加法、减法运算
5、电压比较器
第17章 负反馈
1、反馈组态的判断 （1）掌握正、负反馈的判断——用瞬时极性法 （2）掌握四种负反馈类型的判断
2、四种反馈类型对输入输出电阻的影响
对输入电阻
串联负反馈：使输入电阻增加 并联负反馈：使输入电阻减小
电压负反馈：使输出电阻减小 对输出电阻 电流负反馈：使输出电阻增加
VCE=Ucc,当 VBE＜0.5V 时已进入截止区
④放大条件 发射极正偏,集电极反偏 发射区杂质浓度大，集电区杂质浓度低，基区窄，杂质浓度低。
1、根据各电极对地电位判断管子类型（掌握NPN管） 2、会判断三极管的工作状态（放大、饱和、截止）
⑤参数 集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗 PCM 、反向 击穿电压V（BR）CEO 、
R
L
+ uo
–
偏置式
注意有Re时的计算
分压式
共射固定偏置放大电路
+UCC
RB
RC +C2
C1 +
RS + + ui
es– –
iB iC + + TuCE + uB–E – RL uo
iE
–
无射极电阻RE （掌握） 有射极电阻RE
Au
β
RL rbe
Au
rbe
βRL (1 β
) RE
ri RB // rbe
3、微变等效电路（对交流信号）
rbe是动态电阻，但与 静态电流IE有关。
其中 rbe
200
(1 )
26(mV ) IE (mA )
***掌握单管共射放大电路(包括分压式和射极偏置) 会 静态计算及动态计算，会画微变等效电路（计算题）
+UCC
RB
RC +C2
C1
+
RS
es–+
+ ui –
iBu+iBC–ETu–+CE iE
6、半导体三极管 ①类型：结构
发射结
②电流控制器件 ③三个工作区
iC=βiB iE=(1+β) iB iB+ iC =iE
特性曲线 输入：P22图14-5-7、14-5-8 输出： 饱和区： 发射结、集电结均正偏，
VBE=0.7V, VCE=0V 放大区: 发---正,集---反,
VBE=0.7，遵循iC=βiB 截止区: 发、集均反偏,
&
& Y
Y3
（2）根据波形图，写出逻辑式
A
B Y1
2、组合逻辑电路的设计
根据逻辑功能要求 设计 逻辑电路
例子：设计一个三变量奇偶检验器。
20章 逻辑代数基础（重点）
1. 掌握基本逻辑运算和逻辑门 2. 逻辑代数基本定律规则 3. 逻辑函数四种表示方法以及相互转换 4. 掌握逻辑函数的公式化简法 5. 理解加法器、编码器、译码器
组合逻辑电路（计算）
1. 组合逻辑电路功能分析
（1）根据逻辑图写出逻辑式，并分析
& Y2
. A
& Y1
. . B
第15章 三极管基本放大电路
一、基本放大电路
直流通路：Q点
—图解法、近似估算法
1、 交流通路： A U、R i、R O 、uo
—图解法、微变等效电路法
求Q点 直流负载线 交流负载线
图解法 分析非线性失真 饱和失真 静态点过高（NPN，底 ）
截止失真 静态点过低（NPN，顶 ）
பைடு நூலகம்
2、估算法（对直流信号） 求静态工作点Q: 计算IB,IC,UCE