电子技术基础试题库(1-6章)

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电子技术基础试题(一)

电子技术基础试题(一)

电子技术基础试题(一)一、选择题:(每小题3分,共30分)1、D 触发器在D=1时,输入一个CP 脉冲,其逻辑功能是( )。

A .置1 B .清0 C .保持 D .翻转2、如图电路中,设二极管为硅管,正向压降为 0.7V ,则Y= ( )。

A .0.7V B .3.7V C .10VD .1.5V3、以下表述正确的是( )。

A .组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。

B .组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。

C .组合逻辑电路有记忆能力,而时序逻辑电路没有记忆能力。

D .组合逻辑电路没有记忆能力,而时序逻辑电路有记忆能力。

4、逻辑函数式Y=A+A ,化简后的结果是( )。

A .2AB .AC . 1D .A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为( )。

A .EFB .EF C . 0 D . 16、基本 RS 触发器电路中,触发脉冲消失后,其输出状态( )。

A .恢复原状态 B .保持现状态 C .出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时,应选择的档位( )。

A . Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏,集电极反偏时,晶体三极管的工作状态是( )。

A . 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A . I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ,当输入电压为10mV 时,测得输出电压为500mV ,则电压放大倍数是( )。

A . 10 B. 50 C. 500 D.100 二.填空题:(每题3分,共30分)1.半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。

电子技术基础试题库(1~6章)

电子技术基础试题库(1~6章)

电子技术基础第一学期试题库(1~6章)一、填空题:(每空1分)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。

答:导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有特性,特性和特性。

答:热敏、光敏、掺杂。

3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。

答:单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。

答:0.7V、0.3V。

(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。

答:最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性。

答:小于、较好。

6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转换成信号。

答:电、光、光、电。

7、三极管有三个电极,即极、极和极。

答:集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有型和型。

答:NPN、PNP。

(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有作用。

答:电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。

晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。

答:0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。

答:I C=βI B。

(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。

答:增加、小。

12、三极管的极限参数分别是,,和。

答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

答:放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为,和。

答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。

答:使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。

模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本

模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本

(2) A um
( Rc // Rc )
rbe

30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开, Re 有电流串联负反馈,( Aum 下降), Ri 增加, R0 不变;
(1) 画出直流通路和微变等效电路 (6 分)。 (2)设 U BEQ 0.7V ,求静态工作点
I CQ 、 U CEQ (4 分)
(3)求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
,设 =30,
rbb' =19 4 (6 分)
(4) I CEO 、U CES 忽略不计,估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
(3) Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图, C1 ~ C4 足够大,
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
(3) R R 10 K 0 4

U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B;A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A(2)B;A;C(3)B;C;C (4) C,B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C

《电子技术基础》试题及参考答案

《电子技术基础》试题及参考答案

《电子技术基础》习题答案一、单选题1抑制零点漂移的最有效的电路是(A )A、差分放大电路B、阻容耦合电路C、直接耦合电路D、功放电路2要增大放大电路的输入电阻时,应引入(C )反馈A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈3构成计数器的基本电路是(D)。

A.或非门B.与非门C.与或非门D.触发器4放大器功率放大倍数为100,问功率增益是多少分贝(B)。

A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB5八输入端的编码器按二进制数编码时,输出端的个数是(B)。

A.2个B.3个C.4个D.8个6编码器、译码器为(A)。

A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.A和B7单相桥式整流滤波电路中,若变压器副绕组电压有效值为10V,而测得输出电压为14.1V,则说明:(B )A、电容开路 B 负载开路 C 电容击穿 D 二极管损坏8要减小放大电路的输入电阻时,应引入(D )反馈。

A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈9理想二极管在单相桥式整流电路(电阻负载)中承受的最大反向电压是(C)。

A.大于B.小于C.等于D.大于,小于210单相半波整流电路输出电压平均值U0= (A )A、0.45U2B、0.9U2C、1.1U2D、1.2U211利用二极管进行偏置的OTL电路是( C)A、甲类功率放大器B、乙类功率放大器C、甲乙类功率放大器12实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小,则该二极管( C)A、正常B、内部断路C、已被击穿D、以上都不是13所谓机器码是指(B)。

A.计算机内采用的十六进制码B.符号位数码化了的二进制数码C.带有正负号的二进制数码D.八进制数14集成运放一般分为两个工作区,它们分别是(B)。

A.正反馈与负反馈B.线性与非线性C.虚断和虚短15在反馈放大电路中,若反馈信号与净输入信号作用于同一个节点,且瞬时极性相同,则属于(B )A、负反馈B、正反馈C、无法判断16一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态,其发射结电压和集电结电压分别为(B)。

数字电子技术试题(1-5章)

数字电子技术试题(1-5章)

第1章 数制和码制一、填空题1.数制转换:(011010)2 =( )10 =( )8 =( )16。

2.数制转换:(35)10 =( )2 =( )8 =( )16。

3.数制转换:(251)8 =( )2 =( )16 =( )10。

4.数制转换:(4B )16 =( )2 =( )8 =( )10。

5.数制转换:(69)10 =( )2 =( )16 =( )8。

6.将二进制数转换为等值的八进制和十六进制数(10011011001)2 =( )8 =( )16。

7.将二进制数转换为等值的八进制和十六进制数(1001010.011001)2 =( )8 =( )16。

一、填空题答案:1.26、32、1A ;2.100011、43、 23;3.10101001、A9、169;4.1001011、113、75;5.1000101、45、105;6.2331、4D9;7.112.31、4A.64。

第2章 逻辑代数基础一、填空题1.逻辑函数Y AB A B ''=+,将其变换为与非-与非形式为 。

2.逻辑函数Y A B AB C ''=+,将其变换为与非-与非形式为 。

3. 将逻辑函数AC BC AB Y ++=化为与非-与非的形式,为 。

4.逻辑函数Y A A BC '''=+,化简后的最简表达式为 。

5.逻辑函数Y A B A B ''=++,化简后的最简表达式为 。

6.逻辑函数()()Y A BC AB ''''=+,化简后的最简表达式为 。

7. 逻辑函数Y AB AB A B ''=++,化简后的最简表达式为 。

一、填空题答案1.()()()Y AB A B '''''= ; 2.()()()Y A B AB C '''''=;3. ()()()()Y AB BC AC ''''=; 4. Y A '=;5.1Y =; 6.1Y =; 7.Y A B =+。

电子技术基础数字部分第五版康光华主编第1~6章章节详细习题答案

电子技术基础数字部分第五版康光华主编第1~6章章节详细习题答案

第一章习题答案1.1.4 一周期性信号的波形如图题1.1.4所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比012(ms)图题1.1.4解: 周期T=10ms 频率f=1/T=100Hz 占空比q=t w /T ×100%=1ms/10ms ×100%=10%1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数,要求误差不大于2-4: (1)43 (2)127 (3)254.25 (4)2.718 解:1. 转换为二进制数:(1)将十进制数43转换为二进制数,采用“短除法”,其过程如下:2 43 ………………………余1……b 02 21 ………………………余1……b 12 1 ………………………余1……b 52 2 ………………………余0……b 42 5 ………………………余1……b 32 10 ………………………余0……b20高位低位从高位到低位写出二进制数,可得(43)D =(101011)B(2)将十进制数127转换为二进制数,除可用“短除法”外,还可用“拆分比较法”较为简单: 因为27=128,因此(127)D =128-1=27-1=(1000 0000)B -1=(111 1111)B(3)将十进制数254.25转换为二进制数,整数部分(254)D =256-2=28-2=(1 0000 0000)B -2=(1111 1110)B 小数部分(0.25)D =(0.01)B (254.25)D =(1111 1110.01)B(4)将十进制数2.718转换为二进制数 整数部分(2)D =(10)B小数部分(0.718)D =(0.1011)B 演算过程如下:0.718×2=1.436……1……b-1 0.436×2=0.872……0……b-2 0.872×2=1.744……1……b-3 0.744×2=1.488……1……b-4 0.488×2=0.976……0……b-5 0.976×2=1.952……1……b-6高位低位要求转换误差小于2-4,只要保留小数点后4位即可,这里算到6位是为了方便转换为8进制数。

电子技术基础与技能训练试题

电子技术基础与技能训练试题

电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。

A. 左移,下移B. 右移,上移C. 左移,上移D. 右移,下移2. 在PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流。

A. 小于,大于B. 大于,小于C. 大于,大于D. 小于,小于3. 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程为( )A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S -T U U I D. 1e S -T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为( )。

A B C D5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。

A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。

A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后,空间电荷区由( )构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。

A B C D11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的 电阻,由于不同量程时通过二极管的电流 ,所测得正向电阻阻值 。

A. 直流,相同,相同B. 交流,相同,相同C. 直流,不同,不同D. 交流,不同,不同12. 在25ºC 时,某二极管的死区电压U th ≈,反向饱和电流I S ≈,则在35ºC 时,下列哪组数据可能正确:()。

电子技术基础第一章测试题

电子技术基础第一章测试题

第一章测试题《模拟电子技术基础》90分钟姓名:班级:分数:一、判断题(对的打“√”,错的打“×”,每小题2分,共20分)1、N型半导体的多数载流子是空穴()2、P型半导体的多数载流子是空穴()3、二极管只要加上正偏电压就能导通()4、二极管击穿后会立即烧坏()5、二极管具有单向导电性()6、一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()7、二极管加正向电压导通,加反向电压时截止()8、从二极管的伏安特性曲线可知,它的电压电流关系满足欧姆定律()9、稳压二极管正常工作区域为反向击穿区()10、物质按其导电能力可分为导体和绝缘体()二、填空题(每空1分,共20分)1、二极管按使用的材料可分为和两类。

2、锗二极管的正向偏置电压必须达到才能导通,硅二极管的正向偏置电压必须达到才能导通。

3、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象为二极管的现象。

4、半导体具有两种载流子:和5、P型半导体,又称为,是在纯净半导体中掺入微量的制成的,P型半导体中是多数载流子,是少数载流子6、PN结具有,即当电源接P区,接N区时,称为给PN结加正向电压或正向偏置,当电源正极接N区,负极接P区时,称为给PN结加或7、二极管负极电压为3.7V,正极电压为3V,表明该二极管工作于状态8、滤波电路的作用是向电路提供9、整流电路是指:将电转换为电的电路三、选择题(每题2分,共26分)1、如果二极管的正,反向电阻都很大,则该二极管()。

A正常; B.已经击穿; C. 内部断路;2、如果二极管的正,反向电阻都很小,则该二极管()。

A正常; B.已经击穿; C. 内部断路;3、稳压管通常工作于()A.截止区B.正向导通区C.反向击穿区4、不属于半导体属性的是()A、热敏性B、光敏性C、掺杂性D、综合性5、交流电通过整流电路后,得到的输出电压是()A、交流电压B、脉动直流电压C、平滑的直流电压6、在单相桥式整流电路中,若变压器次级电压的有效值U2=10V,则输出电压U0为()。

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电子技术基础第一学期试题库(1~6章)一、填空题:(每空1分)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。

答:导体、半导体、绝缘体。

2、半导体具有特性,特性和特性。

答:热敏、光敏、掺杂。

3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。

答:单向导电、导通、截止。

4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。

答:0.7V、0.3V。

(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。

答:最大整流电流、最高反向工作电压。

5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性。

答:小于、较好。

6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转换成信号。

答:电、光、光、电。

7、三极管有三个电极,即极、极和极。

答:集电极、基极、发射极。

8、半导体三极管有型和型。

答:NPN、PNP。

(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有作用。

答:电流放大。

10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。

晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。

答:0 .5、0.2、0.7、0.3。

11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。

答:I C=βI B。

(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。

答:增加、小。

12、三极管的极限参数分别是,,和。

答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。

(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

答:放大、开关。

14、放大电路按三极管连接方式可分为,和。

答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。

15、放大电路设置静态工作点的目的是。

答:使放大器能不失真地放大交流信号。

16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。

答:I BQ、I CQ、U CEQ。

u i i都是由分量和分量两部分组成。

17、放大电路工作在动态时,,,CE B C答:直流、交流。

18、在共射极放大电路中,输出电压u o和输入电压ui相位。

答:相反。

(中)35、画放大电路的直流通路时,把看成开路;画放大电路的交流通路时,把和看成短路。

答:电容、电容、直流电源。

19、利用通路可估算放大器的静态工作点;利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻,输出电阻和电压放大倍数。

答:直流、交流。

20、对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻些,以减轻信号源的负担,输出电阻些,以增大带负载的能力。

答:大、小。

21、放大电路的图解分析法,就是利用三极管的和,通过方法来分析放大器的工作情况。

答:输入特性、输出特性、作图。

(中)22、放大电路中,静态工作点设置得太高,会导致失真;静态工作点设置太低时,会导致失真。

答:饱和、截止。

23、放大电路产生非线性失真的根本原因是。

答:三极管特性的非线性。

24、影响放大电路静态工作点稳定的主要原因是。

答:温度。

25、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。

答:阻容耦合、变压器耦合、直接耦合、光电耦合。

26、把放大器的一部分或全部通过一定的电路,按照某种方式送回到并与输入信号(电压或电流)叠加,可以改变放大器性能。

这种把电压或电流从放大器的输出端返送到输入端的过程叫做。

答:输出信号、输入端、反馈。

27、负反馈放大器是由电路和电路组成。

答:基本放大、反馈。

28、所谓电压反馈是指;所谓电流反馈是指。

答:反馈信号取的输出电压、反馈信号取的输出电流。

29、通常采用法判别正反馈还是负反馈。

答:瞬时极性法。

30、负反馈组态有、、和四种基本形式。

答:电流串联、电压串联、电压并联、电流并联。

31、电压负反馈的作用是,电流负反馈的作用是。

答:稳定输出电压、稳定输出电流。

32、在放大电路中为了稳定静态工作点应该引入负反馈。

为了提高电路的输入电阻,应该引入负反馈。

33、直流负反馈能稳定放大器的,交流负反馈能改善放大器的。

答:静态工作点、动态性能。

34、射极输出器具有输入电阻,输出电阻,电压放大倍数近似为等特点。

答:大、小、近似为1。

35、功率放大器的主要任务是。

答:放大功率。

36、功率放大器按功放管工作点的位置不同可分为放大器、放大器和放大器三类。

答:甲类、乙类、甲乙类。

37、常用功率放大器按照输出端特点不同可分为功率放大器、功率放大器和功率放大器。

答:变压器、无输出变压器、无输出电容。

38、两个大小且极性的输入信号称为共模信号。

答:相等、相同。

39、两个大小且极性的输入信号称为差模信号。

答:相等、相反。

40、衡量差动放大电路性能优优劣的主要指标是。

答:共模抑制比。

(中)41、利用和概念分析工作在线性区的集成运放电路,可大大简化分析和计算过程。

答:虚短、虚断。

41、理想集成运放工作在非线性区,当U P大于U N时,U0= ;理想集成运放工作在非线性区,当U P小于U N时,U0= 。

答:+Uom 、-Uom。

(中)42、集成运放线性应用时,电路中必须引入才能保证集成运放工作在区。

答:负反馈、线性。

43、正弦波振荡电路是一种能量转换装置,它无需外加信号,就能通过电路自身的正反馈把转变为的电子电路。

答:输入、直流电源提供的能量、具有一定频率和振幅的交流信号。

44、正弦波振荡器由、和等组成。

答:放大电路、正反馈电路、选频电路。

45、实现振荡的两个条件分别为和。

答:相位平衡条件、振幅平衡条件。

46、LC正弦波振荡器有式、式和式等几种形式。

答:变压器反馈、电感三点、电容三点。

47、电感三点式LC振荡器中,电感线圈三端分别与晶体三极管的、和相接。

答:基极、集电极、发射极。

48、RC桥式振荡器的振荡频率fo= 。

答:12RC。

49、石英晶体振荡器根据选用的谐振频率,可分为型和型两种形式。

50、在变压器次级电压相同的情况下,桥式整流电路输出的直流电压是半波整流电路的倍,而且脉动。

答:2、较小。

51、将变成的过程叫做整流。

答:交流电、脉动直流电。

52、直流电源一般由、、和组成。

答:电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路。

(中)53、单相半波整流电路中,若电源变压器次级电压的有效值是200V,则负载电压是。

答:90 V。

(中)54、在单相桥式整流电路中,如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是。

答:10 A。

53、常用滤波电路有、、等几种,滤波电路一般接在电路的后面。

答:电容滤波、电感滤波、复式滤波、整流。

54、滤波电路中,滤波电容和负载联,滤波电感和负载联。

答:并、串。

55、若变压器次级电压为U2则单相半波整流电容滤波电路负载获得的直流电压在接负载时为,不接负载时为。

答:U2256、所谓稳压电路,就是当或时,能使稳定的电路。

答:电源电压波动、负载变化、输出电压。

57、晶闸管的三个电极分别是________、________和________。

答:阴极、阳极、门极。

58、晶闸管导通的条件是:在_____和_____之间加正向电压的同时,在______和_____之间也加正向电压。

答:阳极、阴极、门极、阴极。

59、晶闸管导通后_______就失去控制作用,这时晶闸管本身的压降为_______V左右。

答:门极、1。

(中)60、晶闸管整流电路与二极管整流电路的最大区别是:晶闸管整流电路的输出电压是________,二极管整流电路的输出电压是________。

答:可变的、不变的。

61、快速熔断器在使用时,应________在电路中。

答:串联。

62、为了保证晶闸管长时间安全可靠的工作,实际使用时除主要考虑晶闸的和电压等级外,还必须采取适当的________和________保护措施。

答:、电流等级、过电压、过电流。

63、过电流保护通常采用______来进行。

答:快速熔断器。

64、过电压保护主要有______和______来保护。

答:阻容吸收、压敏电阻。

(中)65、阻容吸收回路可以并联在晶闸管整流电路______、_____或_____。

答:交流侧、直流侧、保护电路。

二、判断题:(每题1分)()1、半导体随温度的升高,电阻会增大。

()2、PN结正向偏置时电阻小,反正偏置时电阻大。

()3、硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

()4、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。

()5、二极管一旦反向击穿就一定损坏。

()6、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。

()7、发光二极管可以接受可见光线。

()8、发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。

答:1、×2、√3、×4、×5、×6、√7、×8、×()9、放大器不设置静态工作点时,由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性,会产生失真。

()10、在共射极放大电路中,输出电压与输入电压同相。

()11、放大器具有能量放大作用。

()12、放大器在工作时,电路同时存在直流和交流分量。

()13、共射放大电路的电压放大倍数随负载R L而变化,R L越大,电压放大倍数越大。

答:9、√10、×11、×12、√13 、√;()14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定。

(中)()15、稳定静态工作点,主要是稳定三极管的集电极电流I C。

()16、采用阻容耦合的放大电路,前后级的静态工作点互相影响。

()17、采用直接耦合的放大电路,前后级的静态工作点互相牵制。

()18、分析多级放大电路时,可把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。

答:14、√15、√16、×17 、√18、√;()19、反馈信号与输入信号的相位相同称为负反馈。

()20、负反馈可以使放大倍数提高。

()21、串联反馈就是电流反馈,并联反馈就是电压反馈。

()22、若将负反馈放大器的输出端短路,则反馈信号也一定随之消失。

()23、电压反馈送回到放大器输入端的信号是电压。

()24、电流反馈送回到放大器输入端的信号是电流。

()25、负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。

()26、负反馈可以减小放大器非线性失真。

答:19、×20、×21、×22、×23、×24、×25、√26、√;()27、负反馈对放大器的输入电阻和输出电阻都有影响。

()28、射极输出器输入电阻大,输出电阻小。

(中)()29、射极输出器电压放大倍数小1而接近于1,所以射极输出器不是放大器。

(中)()30、乙类功率放大器静态时,I CQ≈0,所以静态功率几乎为零,效率高。

(中)()31、甲乙类功率放大器能消除交越失真,是因为两只晶体三极管有合适的偏流。

()32、OTL功率放大器输出电容的作用仅仅是将信号传递到负载。

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