模拟电子技术综合复习题有答案
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个极（A、B、C）？A.发射极B.基极C.集电极D.以上都是答案：D2. 在放大电路中，为了提高输入阻抗，通常在输入端并联一个（A、B、C、D）？A.电感B.电容C.电阻D.电感耦合答案：C3. 运算放大器在电路中的作用主要是（A、B、C、D）？A.放大信号B.滤波信号C.转换信号D.以上都是答案：D4. 场效应晶体管的输入阻抗与（A、B、C、D）有关？A.栅极电压B.漏极电流C.源极电压D.源极电流答案：A5. 下列哪种电路具有反馈作用（A、B、C、D）？A.串联反馈B.并联反馈C.电压反馈D.电流反馈答案：D二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、_______和_______。
答案：基极、集电极2. 运算放大器是一种具有_______的高增益放大器。
答案：差分输入3. 整流电路的主要作用是将交流电信号转换为_______电信号。
答案：直流4. 稳压二极管的最大特点是当其两端电压超过_______时，电流会急剧增加。
答案：额定电压5. 在 RC 滤波器中，截止频率 fc 与电阻 R 和电容 C 的关系为_______。
答案：f c =1/(2πRC)三、判断题1. 晶体管的工作原理是利用电子在半导体中的迁移率来控制电流。
（）2. 运算放大器的输出阻抗很高，因此可以直接驱动负载。
（）3. 场效应晶体管的输入阻抗与栅极电压有关。
（）4. 并联反馈会降低放大器的输入阻抗。
（）5. 稳压二极管在电路中主要用于保护电源免受过大电压的影响。
（）答案：1.对 2.错 3.对 4.对 5.对四、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
答案：双极型晶体管（BJT）是一种三端半导体器件，具有发射极、基极和集电极。
它的工作原理是利用基极电流来控制发射极和集电极之间的电流。
当在基极施加一个适当的正向偏置电压时，基极-发射极间形成少数载流子注入，这些载流子在电场的作用下向集电极移动，并在集电极形成电流。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
大学_模拟电子技术模拟试题及参考答案
模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分，共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。
( )2、集电结处于正偏的BJT，它一定工作在饱和区。
( )3、BJT的.值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是值越大越好。
( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化，实现电压放大。
因此， RC的值越大，输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区，则不论输入什么信号，都不会产生非线性失真。
( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大，工作点稳定性越好。
但Re过大，会使BJT的VCE减小，影响放大器的正常工作。
( )7、射极输出器的输入电流是IB，输出电流是IE，因此，具有较高的电流放大倍数。
( )8、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”，防止直流经负载短路。
( )9、在运放电路中，闭环增益AF是指电流放大倍数。
( )10、只要满足AF=1，a+f=2n这两个条件，就可以产生正弦波振荡。
模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分，共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流( )漂移电流。
a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时，二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V，VC=3.6V，VE=3.4V，则该BJT工作在( )状态。
a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是( )。
a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻，集成运放的输出级多采用( )电路。
a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后，VO基本不变，应引入( )负反馈。
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模拟电子技术综合复习题有答案集团标准化工作小组 [Q8QX9QT-X8QQB8Q8-NQ8QJ8-M8QMN]1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA 变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]硅管锗管锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。
B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出U CE≈0，可能是因为A 。
短路① 6V0V图1① 3V9V图224、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o和晶体管集电极电压u c的波形，二者相位 A相同。
25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b失真消除，这种失真一定是 .截止 B 失真。
26、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B=20μA，I C=1mA。
若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B和I C分别10μA，1mA27、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的B输入电阻小。
28、放大电路产生零点漂移的主要原因是环境温度变化引起参数变化29、要求组成的多级放大电路体积最小，应选直接B 耦合方式。
30、放大电路的三种组态（都有功率放大作用C ）。
一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（ C 70dB）。
31. 多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（提高 A ）。
一、填空1、PN结中扩散电流的方向是：从P区到N区，漂移电流的方向是从N区到P区。
2、PN结的最大特点是单向导电性。
3、使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。
结正偏时，有利于多数载流子的运动，阻碍少数载流子的运行。
5、PN结反偏时，内电场与外电场的方向相同，空间电荷区变宽，有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
6、温度增加PN结呈现的电阻将会变小。
型半导体中的多数载流子是空穴，N型中的多数载流子是电子以上为第一章习题8、从基极输入，从集电极输出的是共射极电路，从基极输入，从发射极输出的是共集电极电路。
9、从栅极输入，从漏输出的是共源极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。
10、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于111.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB、第二级30dB、第三级－15dB、第四级60dB，放大器的总增益为100,总的放大倍数为10。
12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的时，所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率，它们之间的频率范围，称为放大电路的通频带，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
1、已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。
试求左图所示电路中电阻R的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流I ZM＝P ZM/U Z＝25mA电阻R的电流为I ZM～I Zmin，所以其取值范围为2、下图示电路中，已知输入R 1=1k Ω，R L =3k Ω，U I =12V ，U Z =6V ，I Z =5mA ，P ZM =90mW ，问输出电压U O 能否等于6V解：稳压管正常稳压时，工作电流I DZ 应满足I Z＜I DZ ＜I ZM ，而即 5mA ＜I DZ ＜15mA设电路中D Z 能正常稳压，则U O =U Z =6V 。
可求得：mA R U R U U I I I L Z Z I L R DZ 4=--=-=显然，I DZ 不在稳压工作电流范围内。
以上为第一章习题 4、管子对地电位如图所示。
判断管子的工作状态和材料。
解： （A ）NPN 型管。
U BE ==，J E 正偏，U BC ＝＝，J C 反偏。
故该管工作在放大状态，为锗管。
）PNP 型管。
U EB ==，J E 正偏，U CB ＝＝，J C 反偏。
故该管工作在放大状态，为硅管。
（C ）NPN 型管。
U BE = -3-(-2)=-1V ，J E 反偏，U BC ＝-3-0＝-3V ，J C 反偏。
故该管工作在截止状态。
（D ）PNP 型管。
U EB ==，J E 正偏，U CB ＝，J C 正偏。
故该管工作在饱和状态，为硅管。
（E ）NPN 型管。
U BE = 4-4=0V ， U BC ＝4-4＝0V 。
则该管可能被击穿损坏，也可能电路接线问题。
5、判断以下两工作电路处于何种状态图（a ）没有放大作用。
V BB 对信号有短接作用；U BE 过大，J E 可能烧毁。
在V BB 中串接电阻R B 。
图（b ）没有放大作用。
放大元件T 没有合适的偏置状态。
R B 接点移至到C 1后。
二、 计算题(都为第二章习题)1、在右图所示电路中，已知R B1=5k Ω, R B1=20k Ω, R E =Ω, R C =R L =10k Ω,V CC =15V, β=80, r bb ′＝100Ω，U BEQ =。
试求解：（1）估算静态工作点Q ；（2）估算电压放大倍数A u 、输入电阻R i 和输出电阻R o 。
3）若将晶体管换成β为100的管子，Q 点将如何变化（4）若C E 开路，则A u 与R i 将如何变化。
解（1）求解Q 点。
因为R B1＜＜(1+β) R E ，所以（2）求解A u 、R i 和R o 。
(A) + ＋6V -3V (C) -2V 0V+ -2V +1V(B) + +6V + (D) (E)+4V ＋4V +4V画出微变等效电路 （3）当β由80变为100时，I CQ 与U CEQ 基本不变，而 （4）C E 开路，那么电路的微变等效电路如图[P79T2.3.4]所示。
2、如右图所示电路中，已知V CC =15V,R B =750k Ω,R C =R L =Ω,β=80, r bb ′＝100Ω。
试求解：（1）静态工作点Q ；2）R L 接入和断开两种情况下的A u 。
（3）输入电阻R i 和输出电阻R o 。
（4）若信号源有内阻，且R S =Ω，则负载时的A us ＝解：（1）利用估算法求Q（2）求A u I EQ ≈I CQ =先求R L 断开时2874211580-≈⨯-=-=..be L r R Au β R L 接入时14442121580-≈⨯-='-=..be L u r R A β （3）求解R i 和R o 。
（4）求负载时的A us《模拟电子技术》复习题综合（第3、4章）3-1．差分放大电路，若两个输入信号u I1=u I2，则输出电压，u O = 0 ；若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。
3-2．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ = 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。
3.差动放大器输入信号为零时，输出电压偏离其起始值的现象称为失调电压5.在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为共模信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为 差模 信号。
3-6．集成运放的输入级都采用 差动放大 电路，输出级通常采用 甲乙类互补 电路。
3-7. 在甲类，乙类和甲乙类三种功率放大电路中，效率最低的是甲类，失真最小的是甲乙类。
4-1．串联负反馈可以使放大器的输入电阻增大，并联负反馈可以使放大器的输入电阻减小，电压负反馈可以使放大器的输出电压稳定，电流负反馈可以使放大器的输出电流稳定。
4-2．射极输出器的特性归纳为：电压放大倍数约等于1，电压跟随性好，输入阻抗大，输出阻抗小，而且具有一定的电流放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是电压串联负反馈。
4-3. 直流负反馈的作用是稳定静态工作点。
3-1、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了C抑制温漂。
3-2、差模信号是差分放大电路两个输入端信号的差B。
3对于长尾式差分放大电路,在差模交流通路中,射极电阻R E可视为短路3-4、在长尾式差分放大电路中，R E的主要作用是B提高共模抑制比。
3-5、将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其差模放大倍数将A不变；改接成单端输入-单端输出时，其差模放大倍数将C.减小一半。
3-6、将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其输入电阻将A不变；输出电阻将A；若改接成单端输入－单端输出时，其输入电阻将A，输出电阻将C.减小一半。
3-7、差分放大电路抑制零点温漂的能力是双端输出时比单端输出时强3-8、由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 .很大A，而等效的直流电阻 .不太大C。