基于光电显示用透明导电膜及玻璃(ITO)的原理.
ITO透明导电薄膜简介
ITO透明导电薄膜简介透明导电薄膜透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料。
透明导电氧化物(TCO)薄膜,以其在可见光区具有较高的透射率和低电阻率等优异的光电性能,因此,被广泛的应用于各种光电器件中,例如:太阳能电池、LED芯片、平板液晶显示器(LCD)、薄膜晶体管(TFT)、光生伏打器件、电色层窗口、以及抗静电涂层等技术领域。
这种光电薄膜材料打破了人们的传统观念, 即在自然界中, 透明的物质通常是不导电的, 如玻璃、水晶等;而导电的或者导电好的物质又往往是不透明的, 如金属、石墨等。
透明导电薄膜正是因为透明与导电性能相结合, 成为功能材料中具有特色的一类薄膜, 在光电产业有着广阔的应用前景。
无机物类透明导电薄膜大体可分为金属膜、氧化物膜以及其他化合物膜, 其中以氧化物膜占主导地位。
透明导电氧化物(简称TCO)薄膜主要包括In、Zn、Sn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。
目前氧化物透明导电材料体系包括ITO(Sn掺杂In2O3)、AZO(Al掺杂ZnO)、FTO(F掺杂SnO2 )以及最近发展的IMO(Mo掺杂In2O3 )等。
其中氧化铟锡(Indium TinOxide)ITO是目前综合光电性能优异、应用最为广泛的一种透明导电氧化物薄膜。
ITO薄膜的基本性质ITO即锡掺杂氧化铟, 它是一种n型半导体材料。
ITO具有一系列独特性能,如导电性能好(电阻率可低达10-4Ψ· cm), 带隙宽(3.5 ～ 4.6 eV), 载流子浓度(1021 cm-3 )和电子迁移率(15 ～ 45cm2 V-1 s-1 )较高;可见光透过率高达85 %以上;对紫外线具有吸收性, 吸收率大于85%;对红外线具有反射性, 反射率大于80%;对微波具有衰减性, 衰减率大于85%;加工性能良好;膜层硬度高且既耐磨又耐化学腐蚀(氢氟酸等除外);膜层具有很好的酸刻、光刻性能, 便于细微加工, 可以被刻蚀成不同的电极图案等等。
ito导电玻璃的原理与应用
ito导电玻璃的原理与应用1. 简介ITO（Indium Tin Oxide），即氧化铟锡，是一种导电性能优良的透明氧化物材料，广泛应用于电子设备和光电器件中。
ITO导电玻璃由氧化铟和氧化锡组成，具有高透光性、低电阻率等特点，广泛应用于触控屏、显示器、太阳能电池等领域。
2. 原理ITO导电玻璃的导电机理主要与其晶格结构和掺杂方式有关。
当ITO导电玻璃中的氧化铟和氧化锡以一定的比例掺杂后，会形成氧化铟锡合金，其中的自由电子能够自由移动，形成电流。
3. 特点•高透光性：ITO导电玻璃具有高度透明的特点，透过率可达到90%以上，能够满足高清晰度显示设备的要求。
•低电阻率：ITO导电玻璃的电阻率较低，一般在10-4~10-6 Ω·cm之间，能够提供较好的导电性能。
•良好的抗腐蚀性：ITO导电玻璃表面经过特殊处理，能够在各种环境下保持稳定的性能。
4. 应用领域4.1 触摸屏技术由于ITO导电玻璃具有高透光性和低电阻率的特点，因此被广泛应用于触摸屏技术中。
ITO导电玻璃作为触摸屏的透明电极，能够实现用户对屏幕的单点或多点操作，为现代智能手机、平板电脑等设备的操作提供了重要的手段。
4.2 液晶显示器ITO导电玻璃也是液晶显示器的关键材料之一。
在液晶显示器中，ITO导电玻璃作为背光源，能够提供足够的光源强度，同时通过驱动电压产生均匀的电场，使液晶与电子器件之间的作用力达到平衡，实现高清晰的图像显示。
4.3 太阳能电池ITO导电玻璃还被广泛应用于太阳能电池领域。
太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的装置，其中ITO导电玻璃作为电池的透明电极，能够增加光的穿透性，提高光的利用率，从而提高太阳能电池的转化效率。
4.4 光电器件除了上述应用领域外，ITO导电玻璃还被广泛应用于光电器件中，如光电二极管、光电晶体管等。
由于ITO导电玻璃具有高透光性和良好的导电性能，能够实现对光的高效探测与传导，因此在光电器件中扮演着重要的角色。
ITO制程原理
二.各站原理介紹1.ITO製程原理ITO玻璃切割、磨邊、倒角1.首先大片玻璃經切割機切割後可分為:300.00 × 350.00，300.00 × 400.00，370.00 × 480.00mm三種尺寸。
1.1切割後(切割檢驗)使用游標卡尺檢測,檢驗公差為產品尺寸＋0.20mm ± 0.06mm 例:300.00 × 350.00mm尺寸300.00＋0.20 ± 0.06mm即300.14mm~300.26mm350.00＋0.20 ± 0.06mm即350.14mm~350.26mm2.磨邊加工：分為C面及R面玻璃，二者不同在R面玻璃必須做圓弧切邊加工(白邊)2.1磨邊加工完成後使用游標卡尺檢測，玻璃基板尺寸公差為± 0.20mm例:300.00 × 350.00mm尺寸300.00 ± 0.20mm 即299.80~300.20mm350.00 ± 0.20mm 即349.80~350.20mm2.2圓弧切邊(白邊) 使用peak量測，量品為＜1.50mmTN、STN玻璃亥方向角，角度(5±1.0)，位置兩者不同。
TN(5±1.0)：在玻璃的長邊上。
STN(5±1.0)：在玻璃的短邊上。
目的：經由玻璃的方向角方向能很容易分辨出是TN玻璃或是STN glass，降低作業時人為的混料及誤判情形。
為何磨R面?當玻璃再進行拋光作業時(有離心力)C面玻璃的邊緣與拋光機P.P盤上的Template(模板)，相互碰撞易造成崩角、缺角、破片；甚至造成玻璃刮傷.。
2.3 方向角及倒角使用peak測量，其公差範圍如下：※STN玻璃為經拋光研磨後的玻璃。
倒角尺寸：(單位mm)方向角倒角3.0＋1TN辨識角何謂SiO2 、ITO ?SiO2:二氧化矽ITO :氧化銦錫[indium tin oxide]2.為何基板要鍍SiO2、ITO ?鍍SiO2原因: SiO2為保護膜[絕緣層],避免玻璃中的鹼性離子釋出玻璃表面，形成導電層；若未鍍SiO2，讓玻璃中的鈉、鉀離子釋出會干擾顯示畫面；在密封部位滲出，有可能使密封膠黏著力下降。
ito膜工作原理
ito膜工作原理ITO膜是一种常见的透明导电薄膜，广泛应用于电子信息、光电显示和太阳能电池等领域。
它的工作原理主要涉及到膜的结构以及导电性能。
首先，ITO膜的结构是多层复合膜结构，通常由几层不同的材料构成。
其中，导电层主要采用氧化铟锡（In2O3-SnO2，简称ITO）材料，由于其具有良好的导电性和透明性，成为电子信息、光电显示器件的首选导电材料。
除此之外，ITO膜还包括缓冲层、透明层等部分，不仅起到保护导电层的作用，还能增加膜的透过度和稳定性。
其次，ITO膜的导电性能与其晶格结构和表面形貌有很大关系。
ITO材料是一种多晶结构，其晶格结构和掺杂方式会直接影响其导电性能。
一般来说，在ITO膜制备过程中，采用掺铟掺锡方式，通过调控工艺参数（如温度、气压等）可以得到具有高导电性能的ITO膜。
同时，通过改变溶液浓度、热处理方式等，还可以影响ITO膜的表面形貌和晶格结构，从而得到不同性能的ITO膜。
最后，ITO膜在设备中的工作原理涉及到其导电性能。
由于ITO膜的优异导电性能和透射性能，它可以作为电极，参与光电器件的电荷传输和能量转换过程。
以光电显示器为例，ITO膜制成的电极和具有特定结构的液晶分子，可以实现电场调制显示。
而在太阳能电池中，ITO膜作为透明电极，可以使光能尽量透过，以激发太阳能电池的电荷传输和转换。
综上所述，ITO膜的工作原理主要与其结构、导电性能和设备应用有关系。
通过控制ITO膜的制备工艺和表面形貌，可以得到具有不同性能的ITO膜，进而应用于不同领域的光电器件中，为人们的生活、生产带来便利和贡献。
ITO导电玻璃及相关透明导电膜之原理及应用
ITO导电玻璃及相关透明导电膜之原理及应用ITO(氧化铟锡)导电玻璃是一种具有透明度和导电性能的材料，由透明的玻璃基底上涂布一层氧化铟锡薄膜而成。
它的导电性能源自薄膜中的氧化铟锡纳米颗粒，这些颗粒具有优异的导电性质。
以下是ITO导电玻璃及相关透明导电膜的原理和应用。
原理:ITO导电玻璃的导电性原理是利用其在可见光范围内具有很高的透光性和很低的电阻率。
ITO薄膜是一种高度透明的导电材料，其电导率主要由氧化铟和氧化锡的摩尔百分数以及沉积过程中的结晶度和缺陷控制。
氧化铟锡纳米颗粒之间的晶格缺陷能帮助电子从一个颗粒跳到另一个颗粒，从而实现电荷的传导。
应用:1.平板显示器和触摸屏：ITO导电玻璃广泛应用于平板显示器和触摸屏技术中。
它可用于制造透明导电电极，使电子信号能够在屏幕上自由传输。
ITO导电玻璃的高透明性和高导电性能使得屏幕具有清晰度和触摸灵敏度。
2.太阳能电池：ITO导电玻璃也被用于太阳能电池电极中。
由于它的导电性和透明性，ITO薄膜可以作为电池的正极和负极，使得光线可以穿过电极层并和光敏材料发生相互作用，从而产生电流。
3.液晶显示器：ITO导电玻璃也用于LCD显示器中的透明导电电极。
这些导电电极可用于在液晶屏幕上创建电场，控制液晶的定向和排列，从而实现像素的显示和图像的变化。
4.柔性电子学：ITO导电薄膜可以被用于制备柔性电子设备。
由于其高柔韧性和可塑性，ITO导电薄膜可以在弯曲或弯折的形状下维持导电性能，因此可以用于在可弯曲或可折叠的电子设备中，如可弯折的显示屏幕和柔性电子电路中。
5.光学涂层：除了导电性能，ITO导电玻璃还具有抗反射和防紫外线功能。
因此它可以用于制备抗反射涂层和防紫外线涂层，用于光学领域中的镜片、窗户和透镜等。
总结:ITO导电玻璃是一种重要的导电材料，具有高透明性和优异的导电性能，具有广泛的应用潜力。
从平板显示器到太阳能电池，从液晶显示器到柔性电子学，以及光学涂层，ITO导电玻璃在许多领域中都发挥着重要作用。
ITO导电玻璃及相关透明导电薄膜的原理及应用
ITO导电玻璃及相关透明导电薄膜的原理及应用当今世界正处于信息时代，平板显示器（flat panel display，FPD）是我们接受信息的一个重要视觉窗口，其在生产制造中都离不开ITO 导电玻璃，ITO导电玻璃可用于多种平板显示器，主要的有液晶显示器（LCD）、有机电致发光（OLED）显示器、触摸屏等。
由于平板显示器，尤其是液晶显示器在整个显示行业应用领域最为广泛，制造技术最为成熟。
液晶显示组件的发展，也就是由被动式矩阵驱动向列型（TN）/超扭向型（STN）液晶显示器，推向主动式矩阵驱动薄膜晶体管液晶显示器，并更加发展至所谓的新世代的显示器，-有机电发光显示器或有机发光二极管（OLED），无论如何发展而铟锡氧化物薄膜的重要性并无任何地变化。
使用于液晶显示器的ITO膜，不仅作为透明的画素电极之功能而且也作为简单矩阵型STN-LCD的扫描电极和信号电极，以及主动型TFT-LCD的共通电极和阵列电路中配线之重要角色，随着彩色化、高解析化和人机界面化（触控面板），促使相关液晶显示器和其它平面显示器的成长快速，因此本文我们重点介绍ITO导电玻璃在液晶显示器中的应用。
一、什么是ITOITO （indium tin oxide，氧化铟锡）透明导电薄膜的主要功能是在于其极佳的电极材料而应用于平面面板显示器，具有发热、热反射、电磁波防止和静电防止等不同的用途。
ITO导电玻璃是一种既透明又导电的玻璃，它采用磁控溅射沉积成膜技术，以ITO 材料作为溅射靶材，在玻璃基板上生成一层很薄的ITO 膜。
这层ITO 膜同时具有良好的导电性和透光性，适于制作透明显示电极，是平板显示器生产的重要原材料之一，玻璃基板的厚度通常只有0.3～1.1mm，它具有重量轻、透明度高、平整度高、有一定的机械硬度、容易切割加工等特点，因此被广泛应用于平板显示器上。
ITO 导电玻璃随着20世纪70年代初LCD显示器的兴起至今已经历了30 多年的历程，并从过去只能生产高电阻、小尺寸、普通表面、黑白显示的产品，发展到了现在能够生产低电阻、大尺寸、抛光表面、彩色显示的产品。
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》范文
《ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究》篇一摘要：本文着重探讨了ITO（氧化铟锡）透明导电薄膜的湿法刻蚀技术及其对光电特性的影响。
通过实验研究，我们详细分析了刻蚀条件对薄膜形貌、电导率和光学性能的影响，为ITO薄膜在光电器件中的应用提供了理论依据和实验支持。
一、引言ITO（氧化铟锡）透明导电薄膜因其良好的导电性和光学透过性，在液晶显示、触摸屏、光电器件等领域有着广泛的应用。
其中，薄膜的形貌和光电特性对其应用性能至关重要。
湿法刻蚀作为一种有效的薄膜加工技术，能够精确控制薄膜的形态和尺寸，对于提升ITO薄膜的性能具有重要意义。
因此，研究ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及其光电特性具有重要的学术价值和应用前景。
二、ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀1. 湿法刻蚀原理：ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀主要利用化学反应来去除不需要的部分。
通过选择合适的刻蚀液，可以控制刻蚀速度和精度，实现对薄膜的精确加工。
2. 刻蚀条件：刻蚀条件包括刻蚀液种类、浓度、温度、时间等。
不同的刻蚀条件对ITO薄膜的形貌、电导率和光学性能具有显著影响。
因此，需要选择合适的刻蚀条件，以获得理想的薄膜性能。
三、光电特性研究1. 实验方法：采用不同的刻蚀条件，制备不同形貌的ITO薄膜样品，利用光学仪器和电学测量设备对样品进行测试和分析。
2. 实验结果：（1）形貌分析：通过扫描电子显微镜（SEM）观察发现，不同的刻蚀条件对ITO薄膜的表面形貌具有显著影响。
适当的刻蚀条件可以获得平整、致密的薄膜表面。
（2）电导率分析：通过四探针法测量发现，ITO薄膜的电导率随着刻蚀条件的改变而发生变化。
适当的刻蚀条件可以显著提高薄膜的电导率。
（3）光学性能分析：通过紫外-可见光谱分析发现，ITO薄膜的光学透过性随着刻蚀条件的改变而发生变化。
适当的刻蚀条件可以提高薄膜的光学透过性。
四、讨论与结论通过对ITO透明导电薄膜的湿法刻蚀及光电特性研究，我们得出以下结论：1. 湿法刻蚀能够精确控制ITO薄膜的形貌和尺寸，对提高薄膜性能具有重要意义。
ito导电玻璃简介以及基础知识.doc
TTO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化锢锡（俗称ITO）膜加工制作成的。
液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离了向盒内液晶里扩散。
高档液晶显示器专用ITO玻璃在溅镀ITO层之前基片玻璃还要进行抛光处理，以得到更均匀的显示控制。
液晶显不器专用ITO玻璃基板一般属超浮法玻璃，所有的镀膜面为玻璃的浮法锡面。
因此, 最终的液晶显示器都会沿浮法方向，规律的出现波纹不平整情况。
在溅镀ITO层时，不同的靶材与玻璃间，在不同的温度和运动方式下，所得到的ITO层会有不同的特性。
一些厂家的玻璃ITO层常常表面光洁度要低一些，更容易出现“麻点”现象; 右•些厂家的玻璃ITO层会出现高蚀间隔带，ITO层在蚀刻时，更容易出现直线放射型的缺划或电阻偏高带；另一些厂家的玻璃ITO层则会出现微晶沟缝。
ITO导电层的特性：ITO膜层的主要成份是氧化锢锡。
在厚度只有儿千埃的情况下，氧化锢透过率高，氧化锡导电能力强，液晶显示器所用的ITO玻璃正是一种具有高透过率的导电玻璃。
由于ITO具有很强的吸水性，所以会吸收空气中的水份和二氧化碳并产生化学反应而变质，俗称“霉变”, 因此在存放时要防潮。
ITO层在活性正价离了溶液中易产生离了置换反应，形成其它导电和透过率不佳的反应物质，所以在加工过程中，尽量避免长时间放在活性正价离了溶液中。
ITO层由很多细小的品粒组成，晶粒在加温过程中会裂变变小，从而增加更多晶界，电子突破晶界时会损耗一定的能量，所以ITO导电玻璃的ITO层在600度以下会随着温度的升高, 电阻也增大。
ITO导电玻璃的分类:ITO导电玻璃按电阻分，分为高电阻玻璃（电阻在150〜500奥姆）、普通玻璃（电阻在60〜150 奥姆）、低电阻玻璃（电阻小于60奥姆）。
高电阻玻璃一般用于静电防护、触控屏幕制作用; 普通玻璃一般用于TN类液晶显示器和电子抗干扰；低电阻玻璃•般用于STN液晶显示器和透明线路板。
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基于光电显示用透明导电膜及玻璃（ITO）的原理
ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡（俗称ITO）膜加工制作成的。
液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。
高档液晶显示器专用ITO玻璃在溅镀ITO层之前基片玻璃还要进行抛光处理，以得到更均匀的显示控制。
液晶显示器专用ITO玻璃基板一般属超浮法玻璃，所有的镀膜面为玻璃的浮法锡面。
因此，最终的液晶
ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层氧化铟锡（俗称ITO）膜加工制作成的。
液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。
高档液晶显示器专用ITO玻璃在溅镀ITO层之前基片玻璃还要进行抛光处理，以得到更均匀的显示控制。
液晶显示器专用ITO玻璃基板一般属超浮法玻璃，所有的镀膜面为玻璃的浮法锡面。
因此，最终的液晶显示器都会沿浮法方向，规律的出现波纹不平整情况。
在溅镀ITO层时，不同的靶材与玻璃间，在不同的温度和运动方式下，所得到的ITO层会有不同的特性。
一些厂家的玻璃ITO层常常表面光洁度要低一些，更容易出现“麻点”现象；有些厂家的玻璃ITO层会出现高蚀间隔带，ITO层在蚀刻时，更容易出现直线放射型的缺划或电阻偏高带；另一些厂家的玻璃ITO层则会出现微晶沟缝。
ITO导电层的特性：
ITO膜层的主要成份是氧化铟锡。
在厚度只有几千埃的情况下，氧化铟透过率高，氧化锡导电能力强，液晶显示器所用的ITO玻璃正是一种具有高透过率的导电玻璃。
由于ITO具有很强的吸水性，所以会吸收空气中的水份和二氧化碳并产生化学反应而变质，俗称“霉变”，因此在存放时要防潮。
ITO层在活性正价离子溶液中易产生离子置换反应，形成其它导电和透过率不佳的反应物质，所以在加工过程中，尽量避免长时间放在活性正价离子溶液中。
ITO层由很多细小的晶粒组成，晶粒在加温过程中会裂变变小，从而增加更多晶界，电子突破晶界时会损耗一定的能量，所以ITO导电玻璃的ITO层在600度以下会随着温度的升高，电阻也增大。
ITO导电玻璃的分类：
ITO导电玻璃按电阻分，分为高电阻玻璃（电阻在150~500欧姆）、普通玻璃（电阻在60~150欧姆）、低电阻玻璃（电阻小于60欧姆）。
高电阻玻璃一般用于静电防护、触控屏幕制作用；普通玻璃一般用于TN类液晶显示器和电子抗干扰；低电阻玻璃一般用于STN液晶显示器和透明线路板。
ITO导电玻璃按尺寸分，有14”x14”、14”x16”、20”x24”等规格；按厚度分，有2.0mm、1.1mm、0.7mm、0.55mm、0.4mm、0.3mm等规格，厚度在0.5mm 以下的主要用于STN液晶显示器产品。
ITO导电玻璃按平整度分，分为抛光玻璃和普通玻璃。
透明导电氧化物薄膜主要包括Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｂ和Ｃｄ的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等特性。
透明导电薄膜以掺锡氧化铟（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ，ＩＴＯ）为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。
平板显示器市场广阔，被认为具有比半导体产业更高的增长率，特别是液晶显示器（ＬＣＤ）具有体积小、重量轻、能耗低、无辐射、无闪烁、抗电磁干扰等特点，广泛应用于笔记本电脑、台式电脑、各类监视器、数字彩电和手机等电子产品，以全球显示器市场来看，ＬＣＤ产值远高于其他显示器。
透明导电薄膜是简单液晶显示器的三大主要材料之一，随着ＬＣＤ产业的发展，市场对ＩＴＯ透明导电膜的需求也随之急剧增大。
ＩＴＯ薄膜的制备方法多样，研究较多的制备方法为磁控溅射法，另外还有真空蒸发法、化学气相沉积法、喷涂法、溶胶－凝胶法等方法。
其中，溶胶－凝胶法的优点是生产设备简单、工艺过程温度低，易实现制备多组元且掺杂均匀的材料。
采用溶胶－凝胶法制备ＩＴＯ薄膜多以铟、锡的有机醇盐为前驱物。
以铟、锡的无机盐为前驱物，采用溶胶－凝胶法制备的ＩＴＯ薄膜，比以有机醇盐为前驱物的溶胶－凝胶法制备成本低，该方法制备ＩＴＯ薄膜具有生产设备简单、成本低的优势。
本文以氯化铟和氯化锡为前驱物，采用溶胶－凝胶法制备ＩＴＯ薄膜，探索以铟、锡的无机盐为前驱物制备ＩＴＯ薄膜的方法。
液晶显示器现已成为技术密集，资金密集型高新技术产业，透明导电玻璃则是LCD的三大主要材料之一。
液晶显示器之所以能显示特定的图形，就是利用导电玻璃上的透明导电电膜，经蚀刻制成特定形状的电极，上下导电玻璃制成液晶盒后，在这些电极上加适当电压信号，使具有偶极矩的液晶分子在电场作用下特定的方面排列，仅而显示出与电极波长相对应的图形。
在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3（ITO）膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出微细的图形。
其透过率已达90%以上，ITO中其透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制，通常SnO2：In2O3=1：9。
ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两回事个主要的性能指针：电阻率和光透过率。
目前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右，最好可达5*10-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电性能，其透过率则可达90%以上，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例控制，增加氧
化锢比例则可提高ITO之透过率，通常Sn2O3： In2O3=1：9，因为氧化锡之厚度超过200?时，通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。
如用是电流平行流经ITO脱层的情形，其中d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜之电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当L1=L2时，怒火正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻定义：R□=P/d，式中R□单位为：奥姆/□（Ω/□），由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO 膜阻值越低，膜厚越大。
目前在高档STN液晶显示屏中所用ITO玻璃，其R□可达10Ω/□左右，膜厚为100-200um，而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□，膜厚为20-30um。
在进行LCD走线设计时，由ITO阻计算方式，可知影响ITO阻值有如下因素：
1、ITO玻璃之方块电阻
要确保走线电阻小，应酬让ITO玻璃方块电阻小，因为R□=P/d，则必须选P 小，d适当大些的材料。
2、L1/L2
L1/L2即走线在平行电流方向与垂直电流方向上的长度比，在R□一定时，要保证走线电阻值小，就要让L1/L2小，当L1一定时，只有增大L2，也说法是在设计时，走线应尽可能加宽;而当L2一定时，L1就要小，即走线宽度一定时，细线应尽可能短。
3、在LCD显示屏设计当中，不仅要考虑走线布对ITO阻值的影响，还要考虑生产工艺对ITO阻值的影响，以便选择适当方块电阻的ITO玻璃，以便设计到制作的全面控制，生产高对比的LCD产品，这时高占空比及COG产品无为重要，如ITO膜厚的均匀性，因为ITO的耙材及工艺的为稳定，会使同样长度与宽度的ITO阻值发生变化，如目标值为10Ω时，其R□范围在8-12Ω之间，所以在生产中要使用ITO膜厚均匀的导电玻璃，以减少电阻的变化，其次为ITO玻璃的耐高温时性，酸碱性，因为通常LCD生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡，而一般在300°C *30min的环境中，会使R□增大2-3倍，而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min（60°C）下也会增到1。
1倍左右，由此可知，在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗，若无法避免，则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。
4、由于在液晶显示器中，ITO方块电阻等效于电路图中的分压电阻，其阻值大小直接影响电路两端电压的大小，即方块电阻越大，LCD值电压越大。
有数据表明，ITO之方块电阻由100Ω/□降至60Ω/□。
（Cell Gap为6um）左右，Vth值会降低0。
03V左右。