BOSA器件各种参数含义
BOSA器件各种参数定义
BOSA器件各种参数定义BOSA器件是一种高度集成的光电子器件，用于光通信系统中的光发射和接收功能。
它结合了光学封装、激光器、调制器、探测器和电子驱动器等组件，具有高速、高灵敏度和低功耗等优势。
下面将详细介绍BOSA 器件的各种参数定义。
1.带宽：BOSA器件的带宽是指其传输信号的频率范围。
通常用频率响应曲线表示，单位为赫兹（Hz）。
带宽越大，表示器件可以传输更高频率的信号，具有更高的数据传输能力。
2.器件增益：BOSA器件的增益是指在光通信系统中，光信号在器件中的放大程度。
它是输入光功率和输出光功率之间的比值。
增益通常用分贝（dB）表示。
较高的增益表示器件具有较好的光信号放大效果。
3.器件失真：BOSA器件的失真是指器件对输入信号的变形或改变。
常见的失真类型有调制失真和色散失真。
调制失真是指信号在传输过程中波形发生改变，色散失真是指由于信号在光纤中的传播速度不一致导致的失真。
较低的失真表示器件对信号的传输和处理更加准确。
4.器件灵敏度：BOSA器件的灵敏度是指器件在接收端能够检测到的最小光功率。
它表示接收器对光信号的敏感程度。
灵敏度通常用单位面积上的瓦特（W）或者毫瓦（mW）表示。
较高的灵敏度表示器件可以在较低的光功率下实现较高的信号检测能力。
5.器件偏置电压：BOSA器件的偏置电压是指器件在工作状态下所需的电压值。
它对器件的正常工作和性能有重要影响。
较低的偏置电压表示器件工作时的能耗较低。
6.器件工作温度范围：BOSA器件的工作温度范围是指器件能够正常工作的温度范围。
常规的工作温度范围为-40℃至85℃，但也可以根据具体应用需求定制。
工作温度范围确定了器件在各种环境条件下的可靠性和稳定性。
7.器件封装类型：BOSA器件的封装类型是指器件的物理封装形式。
常见的封装类型有无源封装和有源封装。
无源封装中，激光器、调制器和探测器等组件分别封装在不同的封装盒中，最后通过光纤连接；有源封装中，这些组件集成在同一封装盒中，形成一个完整的光收发器。
场效应管参数含义
场效应管参数含义1、BVdss漏极耐压测试漏极电压测试是测试管子的漏极最大承受电压的值，其测试条件将设置栅极-源极电压VGS=0，并将漏电流限制在规定值以内，进行的耐压测试。
范围：50V~1000V。
2、Vgs(th)开启电压测试开启电压测试是测试管子的栅极的电压值，其测试条件将设置栅极电压等于源极电压VGS=VDS，并将漏电流限制规定值的恒流条件下，进行的开启电压测试。
范围：2V~4V。
3、Igss栅极漏电流测试栅极漏电流测试是测试栅极在一定的电压条件下的漏电流，其测试条件将设置VDS=0，并将栅极电压设置规定值，进行栅极漏电流测试。
范围：〈100nA 。
4、Idss漏极漏电流测试漏极漏电流测试是测试漏极在一定的电压条件下的漏电流，其测试条件将设置VGS=0，并将漏极电压设置规定值，进行漏极漏电流测试。
范围：〈100uA；〈500 uA；〈1000uA。
5、Id(on)漏极通态电流测试漏极通态电流测试是测试漏极在一定的电压条件下的通态电流，其测试条件将设置VGS=10V，并将漏极电压、电流设置规定值，进行漏极通态电流测试。
6、Rds漏极与源极内阻漏极与源极内阻测试是测试漏极对源极在一定的条件下的内阻，其测试条件将设置VGS=10V，并将漏极电压、电流设置规定值，进行漏极内阻测试。
7、Gfs跨导跨导是反映场效应管的栅极电压的变化，使漏极电流产生变化，这种特性称之为跨导。
其测试条件将设置VGS置于某一值，测试此时漏极的“电流值1”，然后将设置VGS增加一定值，测试此时漏极的“电流值2”，并计算漏极电流差值与栅极电压差值之比。
此仪器配合相应的软件可以测试三极管、二极管、可控硅、IGBT 等分离器件的参数。
因此可实现一台仪器代替多台仪器使用场效应管参数符号意义作者：时间：2007-01-30 来源: 浏览评论推荐给好友我有问题个性化定制关键词：场效应管Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。
[光模块电路原理]培训教材-黄祥灿
![[光模块电路原理]培训教材-黄祥灿](https://img.taocdn.com/s3/m/0ef0e3b9453610661fd9f46f.png)
10 LDIP 11 LDIN 12 BENP 13 BENN 14 MD
发射信号正向输入，采用交流耦合，差分线具有100Ω输入阻抗。此信号连接BCM68461芯片。 发射信号反向输入，采用交流耦合，差分线具有100Ω输入阻抗。此信号连接BCM68461芯片。 突发信号正向输入端，连接BCM68461芯片。此信号下拉10KΩ电阻到GND。 突发信号反向输入端（此信号悬空未用）。 发射监测光电输入端，连接BOSA第T3引脚（PD+）。
BOSA关键器件
名词术语 BOSA：Bi-Directional Optical Sub-Assembly 光发射接收组件。 TOSA：Transmitting Optical Sub-Assembly 光发射组件。 ROSA：Receiving Optical Sub-Assembly 光接收组件。 LD：Laser Diode 激光二极管。 PD：Photodiode 光电二极管。 MD：Monitor Diode 监控光电二极管。 PIN：Positive Intrinsic Negative 同质PN结光电二极管。 APD：Avalanche Photo-Diode 雪崩光电二极管。 TIA：Trans-impedance Amplifier 跨阻放大器。 LA：Limiting Amplifier 限幅放大器。 LDD：Laser Driver 突发模式激光驱动器。 WDM：Wavelength Division Multiplexing 波分复用。 OLT：Optical Line Termination 光线路终端。 ONU：Optical Network Unit 光网络单元。
21 TX_SDO 可选的突发发光状态指示输出端/长发光指示端，连接BCM68461芯片。
bosa光器件工艺流程
bosa光器件工艺流程英文回答：BOSA (Bidirectional Optical Subassembly) is an important component in optical communication systems. It is used for transmitting and receiving optical signals in both directions. The manufacturing process of BOSA involves several steps, including chip fabrication, assembly, and testing.Firstly, the chip fabrication process begins with the growth of a high-quality semiconductor material, such as indium phosphide (InP). This material is chosen for its excellent optical properties. The InP material is then processed to form various components, such as lasers, detectors, and modulators. This involves steps like lithography, etching, and deposition.Once the chips are fabricated, they are assembled onto a substrate. The substrate provides mechanical support andelectrical connections for the chips. The chips arecarefully aligned and bonded to the substrate using advanced bonding techniques, such as flip-chip bonding or wire bonding. This ensures precise alignment and reliable electrical connections.After the assembly, the BOSA undergoes rigorous testing to ensure its performance meets the required specifications. This includes testing the optical power output, wavelength accuracy, modulation efficiency, and receiver sensitivity. Various testing equipment and techniques, such as optical spectrum analyzers and bit error rate testers, are used for the testing process.Once the BOSA passes the testing phase, it is packaged into a protective housing. The packaging provides mechanical protection and environmental stability for the BOSA. The packaged BOSA is then integrated into the optical communication system, where it plays a crucial role in transmitting and receiving optical signals.中文回答：BOSA（双向光子组件）是光通信系统中的重要组件。
晶闸管的各项参数指标(精)
如何形象理解晶闸管的各项参数对于大多数从事电力电子整机和器件的技术人员来说，晶闸管的各项参数的真正含义理解起来是很困难的事，如果单从字面去理解需要十几年甚至几十年才能有正确的认识，而且需要大量的实践经验作依托，没有足够的临场经验可能永远也无法理解其真正的含义。
本人从事电力电子整机技术工作十几年，主要接触过的产品有中频电源、整流器、逆变及整流焊机、直流调速电源、变频调速电源、控温装置、开关电源等，之后又从事电力电子器件的技术工作十几年，主要是器件产品测试仪表的制作、维修、管理等工作，通过测试仪表的这些工作（因为制作仪表、维修仪表必须掌握器件各参数的标准，否则无法做出合格的仪器仪表）让我对晶闸管各项参数的标准有了新的认识，并且将整机技术与器件技术融为一体，由此总结出一套适合所有从事电力电子整机和器件技术人员正确、形象理解晶闸管各项参数的方法，稍微有一些电常识的人利用此方法很短时间内就可以从一名普通技术人员上升为高级设计者，本方法形象生动、通俗易懂、老少皆宜、一经理解终身不忘。
我们知道电荷的移动形成电流、水分子的移动形成水流，要想使电荷移动必须有电压差、要想使水分子移动必须有水位差，由此可以看出，电流可以形象地理解为水流；控制水流要有阀门、控制电流也必须要有“阀门”，这个“阀门”我们就用晶闸管。
水路由水流和阀门构成、电路由电流和晶闸管构成，通过阀门控制水流的大小、有无，通过晶闸管控制电流的大小、有无，可见二者的基础理论基本是一样的，因此我们就可以把电路形象地理解为水路，更确切的说就是可以把晶闸管形象的理解为阀门。
阀门的原理很简单，一种是调节阀门，通过调节阀门可以控制水流的大小；一种是通断阀门，通过阀门可以控制水流的有无。
阀门是我们的日常用品，每天都要接触，因此对于大多数人来说理解阀门的工作原理是很容易的事情。
而且阀门作为一种产品自然有其制作标准，也需有各项参数指标，只要理解了这些参数指标的含义，然后把他们“照抄照搬”到理解晶闸管中就可以了，就是说如想了解晶闸管的参数含义直接套用阀门的参数指标的含义就实现。
晶体管的各种参数有什么意义
晶体管的各种参数有什么意义？晶闸管的电参数，在常规情况下可分为极限参数、直流参数(DC)、交流参数(AC)等。
但在实际的使用中，我发现还有许多想测而无法测量到的参数，为使工作方便，我便称其为“功能参数”。
分别述之：一、极限参数所谓极限参数，是指在晶体管工作时，不管因何种原因，都不允许超过的参数。
这些参数常规的有三个击穿电压(BV)、最大集电极电流(Icm)、最大集电极耗散功率(Pcm)、晶体管工作的环境(包括温度、湿度、电磁场、大气压等)、存储条件等。
在民用电子产品的应用中，基本只关心前三个。
1、晶体管的反向击穿电压定义：在被测PN结两端施加连续可调的反向直流电压，观察其PN结的电流变化情况，当PN结的反向电流出现剧烈增加时，此时施加到此PN结两端的电压值，就是此PN结的反向击穿电压。
每个晶体管都有三个反向击穿电压，分别是：基极开路时集电极—发射极反向击穿电压(BVceo)、发射极开路时集电极—基极反向击穿电压(BVcbo)和集电极开路时基极—发射极反向击穿电压。
此电参数对工程设计的指导意义是：决定了晶体管正常工作的电压范围。
由此电参数的特性可知，当晶体管在工作中出现击穿状态，将是非常危险的。
因此，在设计中，都给晶体管工作时的电压范围，留有足够的余量。
实际上，当晶体管长期工作在较高电压时(晶体管实测值的60%以上)，其晶体管的可靠性将会出现数量级的下降。
有兴趣的可以参考《电子元器件降额准则》。
许多公司在对来料进行入库检验时发现，一些品种的反向击穿电压实测值要比规格书上所标的要大出许多。
这是怎么回事呢?晶体管在生产制造过程中，与一些我们常见的生产完全不一样。
在晶体管的生产过程中，可以分成二大块：芯片制造和封装。
在工程分类中，习惯把芯片制造统称为“前道”，而把封装行业统称为“后道”。
在前道生产中，从投料开始选原材料，到芯片出厂，一切控制数据，给出的都是范围。
芯片在正常生产时，投料的最小单位是“编号批”，每批为24或25片4英寸到8英寸直径的园片。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数之阳早格格创做(1) 断态没有沉复峰值电压UDSM门极启路时，施加于晶闸管的阳极电压降下到正背伏安个性直线慢遽转合处所对于应的电压值UDSM .它是一个没有克没有及沉复，且屡屡持绝时间没有大于10ms 的断态最大脉冲电压. UDSM值应小于转合电压Ub0.(2) 断态沉复峰值电压UDRM晶闸管正在门极启路而结温为额定值时，允许沉复加于晶闸管上的正背断态最大脉冲电压.每秒50次屡屡持绝时间没有大于10ms，确定UDRM为UDSM的90%.(3) 反背没有沉复峰值电压URSM门极启路，晶闸管启受反背电压时，对于应于反背伏安个性直线慢遽转合处的反背峰值电压值URSM.它是一个没有克没有及沉复施加且持绝时间没有大于10ms 的反背脉冲电压.反背没有沉复峰值电压URSM应小于反背打脱电压.(4) 反背沉复峰值电压URRM晶闸管正在门极启路而结温为额定值时，允许沉复加于晶闸管上的反背最大脉冲电压.每秒50次屡屡持绝时间没有大于10ms.确定URRM为URSM的90%.(5) 额定电压UR断态沉复峰值电压UDRM战反背沉复峰值电压URRM二者中较小的一个电压值确定为额定电压UR.正在采用晶闸管时，该当使其额定电压为仄常处事电压峰值UM的2~3倍，以动做仄安裕量.(6)通态峰值电压UTM确定为额定电流时的管子导通的管压落峰值.普遍为1.5~2.5V，且随阳极电流的减少而略为减少.额定电流时的通态仄衡电压落普遍为1V安排.(7) 通态仄衡电流IT(A V）正在环境温度为+40℃战确定的集热热却条件下，晶闸管正在导通角没有小于170°电阻性背载的单相、工频正弦半波导电，结温宁静正在额定值125°时，所允许通过的最大电流仄衡值.——允许流过的最大工频正弦半波电流的仄衡值.采用一个晶闸管时，要根据所通过的简直电流波形去估计出容许使用的电流灵验值，该值要小于晶闸管额定电流对于应的灵验值.晶闸管才没有会益坏.设单相工频正弦半波电流峰值为Im时通态仄衡电流为：正弦半波电流灵验值为：灵验值与通态仄衡电流比值为：则灵验值为：根据灵验值相等准则去估计晶闸管的额定电流.若电路中本质流过晶闸管的电流灵验值为I ，仄衡值Id ， 定义波形系数： 则由于晶闸管的热容量小，过载本领矮，果此正在本质采用时，普遍与1.5~2倍的仄安系数，(8) 保护电流IH (针对于闭断历程)——是指晶闸管保护导通所必须的最小电流.普遍为几十到几百毫安.保护电流与结温有闭，结温越下，保护电流越小，晶闸管越易闭断.(9) 断态电压临界降下率du/dt——电压降下率过大，便会使晶闸管误导通.——指正在额定结温战门极启路的情况下，没有引导晶闸管从断态到通态变换的中加电压最大降下率.(10) 通态电流临界降下率di/dt——如果电流降下太快，大概制成局部过热而使晶闸管益坏 f d I K I。
BOSA测试培训
SiOB Lens Window-cap Isolator Z-Bushing Receptacle LD Submount LD Chip
Header+SiOB+LD Chip+PD Chip+Cap =To-Can To-Can+Isolator+Z-Bushing+Receptacle =TOSA
WDM: Wave Division Multiplexing, 波分复用
光模块概述
光模块在通信设备中的作用：完成光电转换和电光转换 信号通过光模块实现传输媒体的转换(光纤←→铜线) 按照系统需求将一定质量的光信号或者电信号转换成标准定 义的光信号或者电信号
标题光模块的组成框图 NhomakorabeaTOSA基本结构
Typ.
Max.
Unit
Test Condition
Transmitter --Threshold Current Fiber Output Power (CW, Iop = Ith+ 20mA) Slope Efficiency Drop Δ SE PI Kink Forward Voltage Rise/Fall Time Ki VF Tr /Tf ----1290 Peak Wavelength Spectrum Width Monitor Current Capacitance (MPD) λ Δλ Im CPD 100 --1260 --Note4 --5 1500 20 --150 20 1.3 300 1330 1360 nm nm μ A pF % V ps Pf Ith --1.2 0.8 20 --45 ----15 35 2.5 mW % mA CW, TC=0℃ or 25℃ CW, TC=0℃~80℃ Kink free, TC=25℃ Kink free, TC=80℃ (SE(25℃)SE(80℃))/SE(25℃) CW,PL<2.5mW CW, Pf=2.5mW Ib=Ith, 10%~90%, Pf=2.5mw Tc =25℃ Tc=0~+80℃ CW, I=Ith+20mA,Tc=0~+80℃ CW, I=Ith+20mA VRMP=10V, f=1MHz Pf=1.26mW at 25℃ vs. Pf at 80℃ or 0℃ by the same Imon as 25℃. λ=1310nm ,Note 1 λ=1310nm
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
1.25G 1310nm DFB LD/2.5G 1490nm APD-TIA –ONU BOSA Model No.: EBS63432-B166
•Operating Voltage Vf: 工作电压 •Monitor Current Imon: 监视电流 •Monitor Dark Current Id: 监测暗电流 •Monitor Capacitance C: 监视电容 •Relative Intensity Noise RIN: 相对强度噪声 •Optical Return Loss ORL1: 光回波损耗 •Tracking Error △Pf: 跟踪误差
1.25G 1310nm DFB LD/2.5G 1490nm APD-TIA –ONU BOSA
Model No.: EBS63432-B166
三、 Digital Receiver Electro-Optical Characteristics
•Receiver Bite rate: 接收比特率
•A/D: Analog/Digital 模拟/数字。称 模拟一数字转换，与数/模(D/A)转换 相反，是将连续的模拟量（如象元的 灰阶、电压、电流等）通过取样转换 成离散的数字量。 •Bite Rate：比特率。指每秒传送的 比特(bit)数。单位为 bps(Bit Per Second)，比特率越高，传送的数据 越大。
•Transmitter Bite Rate : 发射机比特率 •Output Optical Power Pf: 输出光功率 •Slope Efficiency Se: 斜率效率 •Threshold Current Ith: 阈值电流 •Rise/Fall Time Tr/Tf: 上升/下降时 •Center Wavelength λc: 中心波长 •Spectral Width (-20dB) △λ:光谱宽度 •Side-mode Suppression Ratio SMSR: 边模抑制比
•Forward Current (Digital APD) IfDP:正向电流（数字APD）
•Reverse Voltage (Digital APD) VrDP: 反向电压（数字APD）
•Reverse Current (Digital APD) I rDP: 反向电流（数字APD）
•TIA Supply Voltage Vcc: TIA电源电压
•LD Forward Current IfL: LD正向电流
•LD Reverse Voltage VrL: LD反向电压
•Forward Current (LD-monitoring-PD) IfMP: 正向电流（LD监控-PD）
•Reverse Voltage (LD-monitoring-PD) VrMP: 反向电压（LD监控-PD）
•LD: Laser Diode 半导体激光器。 将电信号转变成光信号，用于光 发射端机。 主要类型：法布里-珀罗（FP）型 LD、分布反馈（DFB）LD、分布 布拉格反射器（DBR）LD、量子 阱（QW）LD、垂直腔面发射激 光器（VCSEL）。 •PD: Photoelectric Diode 光电二极 管。将光信号还原成电信号，用 于光接收端机。 主要类型：光电二极管（PIN）、 雪崩光电二极管（APD）。 •TIA：Tran impedance Amplifier 跨阻放大器。经光电探测器产生 的微弱信号电流，由前置放大器 转换成有足够幅度的信号电压输 出，为适应高速率应用，前置放 大器由跨阻放大器构成，跨阻放 大器就是一个I-V变换器。
•Temperature dependency of Vbr Υ: 温度相关性的Vbr
•Optical Return Loss Osolation ISO: 光电隔离
•Optical Crosstalk from Internal Laser Xopt: 从内部激光的光学串扰
•Side-mode Suppression Ratio SMSR: 边模抑制比。在规定的出光功率和调制时，最高光谱强度与次高光 谱强度之比。
1.25G 1310nm DFB LD/2.5G 1490nm APD-TIA –ONU BOSA Model No.: EBS63432-B166
一、Absolute Maximum Ratings
•Storage Temperature Tstg: 储存温度
•Operating Temperature Top: 工作温度
•Operating Wavelength λ: 工作波长
•Sensitivity Prmin: 灵敏度
•Saturation Power Prmax: 饱和功率
•Supply Current Icc: 电源电流
•TIA Supply Voltage Vcc: TIA电源电压
•Breakdown Voltage Vbr: 击穿电压
•Threshold Current Ith: 阈值电流。由于谐振腔中存在损耗及通过反射镜子的光辐射，受激辐 射产生的光子将不断消耗。只有当增益等于或超过总损耗时，才能建立起 稳定的振荡，这一临界增益称为阈值增益。为达到阈值增益所需的注入电 流称为阈值电流。
•Slope Efficiency Se: 斜率效率。激光二极管将电流转化为光功率的效率。 •Rise/Fall Time Tr/Tf: 上升/下降时。光功率从20%上升到80%的时间为上升时间，反之为 下降时间。
•Lead Soldering Temperature Ts: 无铅焊锡温度
1.25G 1310nm DFB LD/2.5G 1490nm APD-TIA –ONU BOSA Model No.: EBS63432-B166
二、Transmitter Electro-Optical Characteristics