光电技术期末复习题

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第一章光辐射与光源

1.1辐射度的基本物理量

1.辐射能Qe:一种以电磁波的形式发射,传播或接收的能量。单位为J(焦耳)。

2辐射通量Φe:又称为辐射功率Pe,是辐射能的时间变化率,单位为W(瓦),是单位时间发射,传播或接收的辐射能,Φe=dQe/dt(J/S焦耳每秒)

3辐射强度Ie:点辐射源在给定方向上单位立体角的辐射能量单位为W/sr(瓦每球面度)

Ie=dΦe/dΩ.

4辐射照度Ee:投射在单位面积上的辐射能量,Ee=dΦe/dA单位为(W/㎡瓦每平方米)。dA是投射辐射通量dΦe的面积元。

5辐射出射度Me:扩展辐射源单位面积所辐射的通量,即Me=dΦ/dS。dΦ是扩展源表面dS在各方向上(通常为半空间360度立体角)所发出的总的辐射通量,单位为瓦每平方米(W/㎡)。

6,辐射亮度Le:扩展源表面一点处的面元在给定方向上单位立体角,单位投影面积发出的辐射通量,单位为W/sr*㎡(瓦每球面度平方米)。

7光谱辐射量:也叫光谱的辐射量的光谱密度。是辐射量随波长的辐射率。

光辐射量通量:Φe(λ):辐射源发出的光在波长为λ处的单位波长间隔的辐射通量。

Φe(λ)=dΦe/dλ单位为W/um或W/nm。

1.2 明视觉光谱光视效率V(λ):视觉主要由人眼视网膜上分布的锥体细胞的刺激所引起的。(亮度大于3cd/m2,最大值在555nm处)

暗视觉光谱光视效率:视觉主要由人眼视网膜上分布的杆状细胞刺激所引起的。(亮度小于0.001cd/m2,最大值在507nm处)

Φv=Km

780

380

Φe(λ)V(λ)dλ式中Km为名视觉的最大光谱光谱光视效率函数,也成为光功当量。国际实

用温标理论计算值Km为680lm/W。

光度量中最基本的单位是发光强度单位——坎德拉,记作cd,它是国际单位制中七个基本单位之一(其他几个为:米,千克,秒,安(培),开(尔文),摩(尔))。光通量的单位是流明(lm),它是发光强度为1lm的均匀电光源在单位立体角发出的光通量。光照度的单位是勒克斯(lx),它相当于1lm的光通量均匀的照在1m2的面积上所产生的光照度。

1.4 热辐射的基本物理量(5页)

1辐射本领:辐射体表面在单位波长间隔单位面积所辐射的通量

2吸收率α(λ,T):在波长λ到λ+dλ间隔被物体吸收的通量与λ射通量之比,它与物体的温度和波长有关,

3绝对黑体:任何物体,只要温度在绝对零度以上,就向外界发出辐射,这称为温度辐射。黑体是一种完全的温度辐射体,定义为吸收率α(λ,T)=1的物体为绝对黑体,其辐射本领为:

4物体的发射率ε(λ,T)

1.5 热辐射基本上可分为两类:黑体辐射和线状,带状辐射源。主要基本定律:

基尔霍夫定律,兰伯特定律,距离平方反比定律,亮度守恒定律和

1.6 普朗克定律

1.7. 维恩位移定律

每一种温度的Meb(λ,T)~λ曲线都有一个峰值,随着温度的升高此峰值向短波方向移动

1.8. 斯忒藩玻耳兹曼定律

1.9 光源的光谱功率分布通常可分为四种情况:

1,线性光谱,有若干条明显分隔的细线组成,如低压汞灯。2,带状光谱,由一些分开的谱带组成,每一条谱带中又包含许多细谱线,如高压汞灯,高压钠灯就属于这种分布。3,连续光谱,所有热辐射光源的光谱都是连续的。4混合光谱,由连续光谱与线,带谱混合而成,一般的荧光灯光谱就属于这种分布,。

10. 光源的色温(18页)

黑体的温度决定了它的发光辐射特性。对非黑体辐射,它的某些特性可用黑体辐射特性来近似表示。对于一般光源,经常采用分布温度、色温或相关色温表示。

分布温度:辐射源在某一波长围辐射的相对光谱功率分布,与黑体在某一温度下辐射的相对功率分布一致,那么该黑体的温度就成为该辐射源的分布温度。这种辐射体的光谱辐射亮度可表示为:

色温:辐射源发射光的颜色与黑体在某一温度下辐射光的颜色相同,则黑体的这一温度称为该辐射源的色温。由于一种颜色可以由多种光谱分布产生,所以色温相同的光源,他们的相对光谱功率分布不一定相同。相关温度:在均匀色度图中,如果色源的色坐标点与某一温度下的黑体辐射的色坐标点最接近,则该黑体的温度称为该光源的相关温度。

1.11 光源的颜色:

光源的颜色包含了两方面的含义即色表和显色性。色表:用眼睛直接观察光源时所看到的颜色。例如高压钠灯的色表成黄色,荧光灯的色表程白色。显色性:当用这种光源照射物体时,物体呈现的颜色(也就是物体反射光的在人眼中产生的颜色感觉)与该物体在完全辐射体照射下所呈现的颜色一致性。

1.12 热辐射光源有三个特点:

1,它们的发光特性都可以利用普朗克公式进行精确的估算,即可以精确掌握和控制他们发光或辐射性质;2它们发出的光通量构成连续的光谱,且光谱围很宽,因此使用的适应性强。但在通常温度下,紫外辐射和可见光幅度含量很少,这有限制了这类光源的适用围;3采用适当的稳压或稳流供电,可使这类光源的光输出获得很高的稳定度。

1.13 气体放电原理:

密封在泡壳的气体或金属气体在电场的作用下激励出电子和离子,电子和离子从电场中获得能量分别向阴极和阳极运动,它们与气体原子或分子碰撞时会激励出新的电子和离子。这一过程中会引起原子的激发,受激原子回到低能级时就会发射出辐射,这就是气体放电原理。

优点(与白炽灯相比):发光效率高,结构紧凑,寿命长以及光色适应性强等特点。

1.14 发光二级管(LED)的工作原理:

P-N结上未加电压时有一定的势垒,当加上正向偏压时在外加电场的作用下,在P-N结附近产生导带电子和价带空穴的复合。一个电子和一个空穴的每一次复合,都将释放出与材料性质有关的一定复合能量,这个能量会以热能,光能,或部分热能和部分光能的形式辐射出来。

1.15 发光二级管的优点;

1.属于低电压(1-2V),小电流器件在室温下即可得到足够的亮度

2.发光响应速度快

3.性能稳定,寿命长

4.易于和集成电路匹配,且驱动简单

5.与普通光源相比单色性好,其发光的半宽度一般为几十纳米6小型,耐冲击。

主要缺点:功率较小,光色有限,较难获得短波发光,且发光效率低。

1.16 激光器的工作原理:

激光器一般有工作物质,谐振腔和泵浦源组成。常用的泵浦源是辐射源或电源,利用泵浦源能将工作物质中的离子从低能态激发到高能态,是处于高能态的粒子数大于处于低能态的粒子数,构成粒子数的反转分布,这是产生激光的必要条件。

1.17 激光器的类型:1气体激光器2固体激光器3染料激光器4半导体激光器。

1.18 激光的特性:单色性,方向性,亮度,相干性。

课后作业5,6,7,17,18

第二章光电探测器概述

2.1 光电探测器的分类:

①光子探测器:光电效应器件和外光电效应器件

(光电子发射探测器,光电导探测器,光伏探测器,光电磁探测器)

②热探测器(测辐射温差热电偶和热电堆,电阻测辐射热器,热释电探测器)

2.2 光电二极管的分类:

结型光电二极管,雪崩光电二极管,pin结光电二极管,肖特基势垒光电二极管。

2.3 光电探测器的噪声:

散粒噪声,热噪声,产生-复合噪声,温度噪声,电流噪声

课后作业1,2,3,6

1.光子探测器和热探测器特性上的差别列表:

光子探测器热探测器

机理光子效应光热效应

光谱响应选择性非选择性

响应量电压、电流和温度有关

响应时间快慢是否需要制冷降噪是否(温热辐射器除外)

2.为什么光子探测器的工作波长越长,工作温度越低?

根据维恩位移定律,当探测器工作波长较长时,探测器的光谱响应峰值波长也响应变大,故工作波长越低;另外,为了提高探测器的性能,降低噪声和提高探测率,应在低温下工作。

3.说明光电导器件、P-N结光电器件和光电发射器件的禁带宽度和截止波长间的关系。

光电效应发生的条件:E=h Eg(Eg为半导体禁带宽度)

截止波长:

6.求解过程如下:

第三章光电子发射探测器

3.1 光电子发射材料

纯金属;表面吸附一层其他元素原子的金属和半导体材料;用作光电管、光电倍增管,变像管,像增强管和一些摄像管等光电器件中的光电阴极,其作用是使不同波长的各种辐射信号转换为电信号。

3.2 很多半导体材料具有良好的光电子发射性能的原因:

1半导体对入射光有较小的反射系数,有较大的吸收系数,通常在长波极限波长附近就有表面和体光电子发射效应产生;2阴极层导电性适中,一来可以使光电子在趋向表面运动的过程中损失能量比金属小,二来可以使层传导电子的补充不发生困难;3半导体存在着大量的发射中心(价带中有大的电子密度)4半导体有较小的光电逸出功,在光谱响应有较高的量子效率。

3.3 负电子亲和势光电阴极的量子效率高的原因:

负电子亲和势阴极因其表面无表面势垒,所以受激电子跃迁并迁移到表面后,无需克服表面势垒就可以较容易的逸出表面。受激电子在表面迁移过程中,因与晶体碰撞,使其能量降到导带底而变成热化电子后,仍可继续向表面扩散并逸出表面。对于一般正电子亲和势光电阴极来说,激发到导带的电子必须克服表面势垒,只有高能电子才能发射出去,所以负电子亲和势光电阴极的有效逸出深度要比正电子亲和势阴极大得多。因此负电子亲和势光电阴极的量子效率较高。

3.4 光谱响应延伸到红外,光谱响应率均匀:

阈值波长公式如下:

3.5 半导体中光电子发射一般经过三个步骤:

对光电子的吸收;光电子向表面的运动;克服表面势能的逸出

3.6 光电倍增管结构:

光电阴极,电子光学输入系统(光电阴极到第一倍增极D1之间的系统),二次发射倍增系统及阳极等构成。

3.7 暗电流

无光照时,光电培增管的输出电流称为暗电流。暗电流对测量缓变信号不利。

暗电流的产生因素有以下几种:

①光电阴极和第一倍增管的热电子发射;

②极间漏电流;

③离子和光的反射作用;

④场致发射;

⑤放射性同位素和宇宙射线的影响;

减少俺暗电流的方法:

①选好光电倍增管的极间电压;

②在极间回路中加上与暗电流相反的直流成分进行补偿;

③在倍增输出电路中加一选频或锁相放大滤掉暗电流;

④利用冷却法减少热电子发射;

三.课后作业1,4 ,9,12

1.为什么负电子亲和势光电阴极的量子效率高,而且光谱围可扩展至近红外区?

答案见3.3和3.4详解。

2.光电发射和二次电子发射两者有哪些不同?简述光电倍增管的工作原理:

原理基本上相同,都是原子的外层电子受到激发后,获得足够的动能,从而脱离金属表面的势垒,成为自由电子。它们之间一个很大的不同点是:光电发射,一般的情况下十个光子也就是能激发出一个电子而已,而二次电子发射,则有可能一个电子激发出2~10个电子,因此二次电子发射具有放大电流的功能,而光电发射则是把光子转化成了电子,但是这个转化效率,专业一点说叫做量子效率,一般会低于20%,这个效率取决于金属的材料以及入射光的波长等因素。

1)光子透过入射窗口入射在光电阴极K上。

2)光电阴极电子受光子激发,离开表面发射到真空中。

3)光电子通过电子加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极D1上,倍增极将发射出比入射电子数目更多的二次电子,入射电子经N级倍增极倍增后光电子就放大N次方倍。

4)经过倍增后的二次电子由阳极P收集起来,形成阳极光电流,在负载RL上产生信号电压。

9.证明过程如下:

12.

光电技术简答题复习资料

“光电技术简答题”复习资料 一、回答问题: 7、什么是朗伯辐射体? 在任意发射方向上辐射亮度不变的表面,即对任何θ角Le 为恒定值(理想辐射表面)。朗伯辐射表面在某方向上的辐射强度与该方向和表面法线之间夹角的余弦成正比。 θc o s 0I I = 10、写出光源的基本特性参数。 (1)辐射效率和发光效率 (2)光谱功率分布 (3)空间光强分布 (4)光源的色温 (5)光源的颜色 11、光电探测器常用的光源有哪些? 热辐射光源:太阳;白炽灯,卤钨灯;黑体辐射器(模拟黑体,动物活体)。 气体放电光源:汞灯,钠灯,氙灯,荧光灯等。 固体发光光源:场致发光灯,发光二极管等。 激光器:气体激光器,固体激光器,染料激光器,半导体激光器等。 12、画出发光二极管的结构图并说明其工作原理。 发光二极管的基本结构是半导体P-N 结。 工作原理:n 型半导体中多数载流子是电 子,p 型半导体中多数载流子是空穴。P-N 结未加电压时构成一定势垒。加正向偏压时,内 电场减弱,p 区空穴和n 区电子向对方区域的 扩散运动相对加强,构成少数载流子的注入,从而p-n 结附近产生导带电子和价带空穴的复合,复合中产生的与材料性质有关的能量将以热能和光能的形式释放。以光能形式释放的能量就构成了发光二极管的光辐射。 13、说明发光二极管的基本特性参数有哪些。 (1)量子效率: 1)内发光效率:PN 结产生的光子数与通过器件的电子数的比例。 2)外发光效率:发射出来的光子数与通过器件的电子数的比例。 (2)发光强度的空间分布: (3)发光强度与电流关系:电压低于开启电压时,没有电流,也不发光。电压高于开启电压时显示出欧姆导通性。在额定电流范围内,发光强度与通过的电流成正比。 (4)光谱特性:发射功率随光波波长(或频率)的变化关系。 (5)响应时间:从注入电流到发光二极管稳定发光或停止电流到发光二极管熄灭所用的时间。表达了发光二极管的频率特性。 (6)寿命:亮度随时间的增加而减小。当亮度减小到初始值的e -1时所延续的时间。 17、简述PN 结光伏效应(分正偏、反偏、零偏三种情况)。 S i O 2 铝电极 背电极 P N + - 图 发光二极管的结构图

光电检测技术期末试卷试题大全

1、光电器件的基本参数特性有哪些? (响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度) 响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应 噪声分类:热噪声散粒噪声产生-复合噪声1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP 2、光电信息技术是以什么为基础,以什么为主体,研究和发展光电信息的 形成、传输、接收、变换、处理和应用。 (光电子学光电子器件) 3、光电检测系统通常由哪三部分组成 (光学变换光电变换电路处理) 4、光电效应包括哪些 外光电效应和内光电效应) 外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。 内光电效应:物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。 光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。 光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时,会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件,按用途可分为 哪几种? (光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池) 6、激光的定义,产生激光的必要条件有什么? (定义:激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔) 7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出? (交变辐射) 8、CCD是一种电荷耦合器件,CCD的突出特点是以什么作为信号,CCD的 基本功能是什么? (电荷CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。) 9根据检查原理,光电检测的方法有哪四种。 (直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法) 10、光热效应应包括哪三种。 (热释电效应辐射热计效应温差电效应) 11、一般PSD分为两类,一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么? (一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置;二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。) 12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器,它的结构特点是有一个真空管,其他元件都在真空管中,真空光电器件包括哪两类。 (外光电效应光电管光电倍增管) 二、名词解释 1、响应度 (响应度(或称灵敏度):是光电检测器输出信号与输入光功率之间关系的度量。)2、信噪比 (是负载电阻上信号功率与噪声功率之比)

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第一章光辐射与光源 1.1辐射度的基本物理量 1.辐射能Qe:一种以电磁波的形式发射,传播或接收的能量。单位为J(焦耳)。 2辐射通量Φe:又称为辐射功率Pe,是辐射能的时间变化率,单位为W(瓦),是单位时间内发射,传播或接收的辐射能,Φe=dQe/dt(J/S焦耳每秒) 3辐射强度Ie:点辐射源在给定方向上单位立体角内的辐射能量单位为W/sr(瓦每球面度) Ie=dΦe/dΩ. 4辐射照度Ee:投射在单位面积上的辐射能量,Ee=dΦe/dA单位为(W/㎡瓦每平方米)。dA是投射辐射通量dΦe的面积元。 5辐射出射度Me:扩展辐射源单位面积所辐射的通量,即Me=dΦ/dS。dΦ是扩展源表面dS在各方向上(通常为半空间360度立体角)所发出的总的辐射通量,单位为瓦每平方米(W/㎡)。 6,辐射亮度Le:扩展源表面一点处的面元在给定方向上单位立体角,单位投影面积内发出的辐射通量,单位为W/sr*㎡(瓦每球面度平方米)。 7光谱辐射量:也叫光谱的辐射量的光谱密度。是辐射量随波长的辐射率。 光辐射量通量:Φe(λ):辐射源发出的光在波长为λ处的单位波长间隔内的辐射通量。 Φe(λ)=dΦe/dλ单位为W/um或W/nm。 1.2 明视觉光谱光视效率V(λ):视觉主要由人眼视网膜上分布的锥体细胞的刺激所引起的。(亮度大于3cd/m2,最大值在555nm处) 暗视觉光谱光视效率:视觉主要由人眼视网膜上分布的杆状细胞刺激所引起的。(亮度小于0.001cd/m2,最大值在507nm处) 1.3 辐射度量和光度量的对照表 辐射度量符号单位光度量符号单位 辐射能Qe J 光量Qv Lm/s 辐射通量或 辐射功率 Φe W 光通量Φv lm 辐射照度Ee W/㎡光照度Ev Lx=lm/㎡ 辐射出度Me W/㎡光出射度Mv Lm/㎡ 辐射强度Ie W/sr 发光强度Iv Cd=lm/sr 辐射亮度Le W/sr*㎡光亮度 光谱光视效率 Lv V(λ) Cd/㎡ 按照人眼的视觉特性V(λ)来评价的辐射通量Φe即为光通量Φv: Φv=Km 780 380 Φe(λ)V(λ)dλ式中Km为名视觉的最大光谱光谱光视效率函数,也成为光功当量。国际实 用温标理论计算值Km为680lm/W。 光度量中最基本的单位是发光强度单位——坎德拉,记作cd,它是国际单位制中七个基本单位之一(其他几个为:米,千克,秒,安(培),开(尔文),摩(尔))。光通量的单位是流明(lm),它是发光强度为1lm的均匀电光源在单位立体角内发出的光通量。光照度的单位是勒克斯(lx),它相当于1lm的光通量均匀的照在1m2的面积上所产生的光照度。 1.4 热辐射的基本物理量(5页) 1辐射本领:辐射体表面在单位波长间隔单位面积内所辐射的通量 2吸收率α(λ,T):在波长λ到λ+dλ间隔内被物体吸收的通量与λ射通量之比,它与物体的温度和波长有关,

光电检测技术试题及答案

光电检测技术试题及答案 光电检测技术试题及答案1、光电器件的基本参数特性有哪些? (响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度) @响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应 @噪声分类:热噪声散粒噪声产生-复合噪声 1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP 2、光电信息技术是以什么为基础,以什么为主体,研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。 (光电子学光电子器件) 3、光电检测系统通常由哪三部分组成 (光学变换光电变换电路处理) 4、光电效应包括哪些 外光电效应和内光电效应) 外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。内光电效应:物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。

光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。 光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时,会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件,按用途可分为哪几种? (光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池) 6、激光的定义,产生激光的必要条件有什么? ( 定义:激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔) 7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出? (交变辐射) 8、 CCD是一种电荷耦合器件,CCD的突出特点是以什么作为信号,CCD的基本功能是什么? (电荷 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。) 9根据检查原理,光电检测的方法有哪四种。 (直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法) 10、光热效应应包括哪三种。 (热释电效应辐射热计效应温差电效应) 11、一般PSD分为两类,一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么?

光电技术试题

1-3章练习题 一、填空 1、光强度是指电光源在内 发射的辐通量,单位为。 2、维恩位移定律指出:当温度升高时,峰值 光谱辐出度所对应的波长向移动。当人体的温度为37℃时,辐射的峰值波长为。 3、若入射光辐射的光子能量足够大,它和金 属或半导体材料中的电子相互作用而使电子从物质表面逸出。这种现象称为。 4、为了提高光敏电阻的光电导灵敏度,要尽可能的缩短光敏电阻两极间,光敏电阻的光敏面常设计为。

5、光电二极管可分为以P型硅为衬底的 和以为衬底的2CU型两种结构 形式。 6、有一辐射功率恒为5lm的辐射光源,照射到光电探测器件上,探测器的输出电流为 0.6mA, 则器件的电流灵敏度。 7、如图所示的光电三极管的光 谱响应曲线,由图可知它的响应 范围为,峰值波长为。 8、光敏电阻的暗电导为2S,在200lx的光照射下,亮、暗电导之比为100:1,则光电导灵敏度为。

二、简答题 1、在光学上对光辐射的度量建立哪两套单位? 他们分别适用什么波谱范围? 2、 PIN 光敏二极管的结构有何特点,它的频响为什么很高? 3、 硅光电池的工作原理? 三、计算分析题 1、已知波长λ=400nm 光的光视效率V (λ)= 0.0004 ,该波长上1W 的光功率可以产生的光通量为多少? 2、在光敏电阻的恒流偏置电路中,已知电源电压为U bb =15V,R e =5.3K ,三极管的放大倍率为100,稳压二极管的输出电压为6V ,设光敏电租在40lx-100lx 之间γ 值不变, (1)求流过光敏电阻的电流? (2)光照度为50lx 时输出电压为8V ,此时光敏电阻为多少?(3)光照度为80lx 时输出电压为10V 光敏电阻的值为多少?(4)γ值为多少? lg70.85;lg50.699lg80 1.9;lg50 1.699 ====;

光电技术试题

光电技术自动成卷系统 单选题(10题,20分);简答题(5题,40分);综合题(1题,15分);计算题(1题,10分);设计题(1题,15分) 锁定放大器是基于 A.自相关检测理论 C B.互相关捡测理论 「 C.直接探测址子限理论 C D?相T?探测原理 2、下列哪一种应用系统为典型的相干探测应用实例 「 A ?照相机自动曝光 「 B ?飞行目标红外辐射探测 「 C.激光陀螺测址转动角速度 C D ?子弹射击钢板闪光测址 3、依据光电器件伏安特性,下列哪些器件不能视为恒流源: 「 A.光电二极管 ( B.光电三极管 C C.光电倍増管 r D.光电池 4、对于P型半导体來说.以下说法不正确的是 A?空穴为多子.电子为少子 B ?能帯图中费米能级靠近价带顶 C.光照时内部不可能产生木征吸收

' D.弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比 5、在飞轮转速和方向的光电测虽系统中.若光源采用激光二极管.激光波长632nm.输出光调制频率为1kHz,探测器为CdSe光敬电阻,后接的检测电路为帯通滤波放大器.其中心频率为1kHz.带宽为lOOHzo 这样,检测系统可以消除光敏电阻哪些噪声的影响 f噪声,热噪声 r B?产生-复合噪声,热噪声 r C?产生-复合噪声,热噪声 f噪声,产生■复合噪声 6、在非相干探测系统中 「A?检测器能响应光波的波动性质,输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相 C B ?检测器貝响应入射其上的平均光功率 C C.具有空间滤波能力 C D.具有光谱滤波能力 7、关于半导体对光的吸收.下列说法正确的是 「 A.半导体非木征吸收时,产生电子一空穴对 B.朵质半导体木材料不会发生本征吸收 C C ?半导体对光的吸收与入射光波长有关 C D?非木征吸收时,吸收的能址全部转换为材料的热能 8、下列关于热电偶和热电堆的说法不正确的是 A.热电堆的测址误差比热电偶小 B ?热电堆的测量分辨率比热电偶高 c?热电堆的光电灵墩度比热电偶高 ' D.两者均基于光热效应

光电检测技术考试试卷

光电检测技术期中考试试卷 2014 一.选择题(20分) 1.对于费米能级,以下说法不正确的是( ) A 一个平衡的系统只能有唯一一个费米能级 B 电子占据率为时所对应的能级 C p 型半导体材料费米能级靠近价带顶 D n 型半导体材料费米能级靠近价带顶 2.负电子亲和势阴极和正电子亲和势比较有重要差别,参与发射的的电子( ) A 不是冷电子,而是热电子 B 不是热电子,而是冷电子 C 既是冷电子,又是热电子 D 既不是冷电子,也不是热电子 3.下列器件按照响应速度由快到慢的顺序,正确的是( ) A PIN 光电二极管 PN 结光电二极管 光电三极管 光敏电阻 B PIN 光电二极管 光敏电阻PN 结光电二极管 光电三极管 C 光电三极管 PIN 光电二极管 光敏电阻PN 结光电二极管 D PN 结光电二极管 光电三极管 PIN 光电二极管 光敏电阻 4.下列探测器的光-电响应时间,由少数载流子的寿命决定: ( ) A 光电导探测器 B 光电二极管 C 光电倍增管 D 光电倍增管 5.对于光敏电阻,下列说法不正确的是( ) A 弱光照下,光电流与照度之间具有良好的线性关系 B 光敏面做成蛇形,有利于提高灵敏度 C 光敏电阻光谱特性的峰值波长,低温时向短波方向移动 D 光敏电阻具有前历效应 6.下列光源中哪一种光源,可作为光电探测器在可见光区的积分灵敏度测量标准光源:( ) A 氘灯 B 低压汞灯 C 色温2856K 的白炽灯 D 色温500K 的黑体辐射器 7.当黑体的温度升高时,其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为( ) A.向短波方向移动 B.向长波方向移动 C.不移动 D.均有可能 8.表中列出了几种国外硅APD 的特性参数 根据表中数据,要探测830nm 的弱光信号,最为合适的器件是 ( ) A C30817E B C30916E C C30902E D C30902S 9.已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K 标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为uW uA S e /5=, lm A o S v /4.=,则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是( ) A. 甲场灵敏度高 B. 乙场灵敏度高 C. 甲乙两场灵敏度一样高 D. 无法比较

光电系统设计题目及答案 (1)

一、简答题 1、根据系统工作的基本目的,通常光电系统可以分为哪两大类? 答:(1)信息光电系统。例如:光电测绘仪器仪表、光电成像系统、光电搜索与跟踪系统、光电检测系统、光通信系统等。(2)能量光电系统。例如:激光武器、激光加工设备、太阳能光伏发电、“绿色”照明系统等。 2、光电系统的研发过程需要哪些学科理论与技术的相互配合? 答:光电系统的发展需要多种学科相互配合。它是物理学、光学、光谱学、电子学、微电子学、半导体技术、自动控制、精密机械、材料学等学科的相互促进和渗透。应用各学科的最新成果,将使光电系统不断创新和发展。 3、光学系统设计基本要求包括哪些? 答:基本要求包括:性能、构型选择、和可制造性三个方面。 4、光学系统设计技术要求包括哪些? 答:基本结构参数(物距、成像形式、像距、F数或数值孔径、放大率、全视场、透过率、焦距、渐晕);成像质量要求(探测器类型、主波长、光谱范围、光谱权重、调制传递函数、RMS波前衰减、能量中心度、畸变);机械和包装要求;其它具体要求。 5、望远物镜设计中需要校正的像差主要是哪些? 答:球差、慧差和轴向色差。 6、目镜设计中需要校正的像差主要是哪些? 答:像散、垂轴色差和慧差。 7、显微物镜设计中需要校正的像差主要是哪些? 答:球差、轴向色差和正弦差,特别是减小高级像差。 8、几何像差主要有哪些? 答:几何像差主要有七种:球差、慧差、象散、场曲、畸变、轴向色差和垂轴色差。 9、用于一般辐射测量的探头有哪些? 答:光电二极管 10、可用于微弱辐射测量的探头有哪些? 答:光电倍增管 11、常用光源中哪些灯的显色性较好? 答:常用光源中,白炽灯、卤钨灯、氙灯的显色性较好。(高压汞灯、高压钠灯的显色性较差) 12、何谓太阳常数? 答:太阳常数——在地球-太阳的年平均距离,大气层外太阳对地球的的辐照度(1367±7) W2m-2

光电技术(A卷)试卷

武汉理工大学考试试题纸(A卷) 课程名称光电技术 名词解释(每小题3分,总共15分) 1. 坎德拉(Candela,cd) 2.外光电效应 3.量子效率 4.象增强管 5.本征光电导效应 填空题(每小题3分,总共15分) 1. 光电信息变换的基本形式_________________ 、_______________ 、________________ 、 2. 光电倍增管是一种真空光电器件,它主要由_______ 、____ 、______ 、____ 和_____ 组成。 3. 发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件,他由P型和N型半导体组合而成。其发光机理可以分为 和。 4. _________________________________________________________ 产生激光的三个必要条件是 E g,要使该材料有光电子产生,其入射光波的最大波长为 5.已知本征硅的禁带宽度为 、如图1所示的电路中,已知R b=820 Q ,R e=3.3K Q,U W=4V,光敏电阻为 输出电压为6V,80lx是为9V。设光敏电阻在30~100之间的Y值不变。 试求:(1)输出电压为8V时的照度; (2) 若R e增加到6 K Q ,输出电压仍然为8V ,求此时的照度; (3) 输出电压为8V时的电压灵敏度。 四、如果硅光电池的负载为R L。(10分) (1) 、画出其等效电路图; (2) 、写出流过负载的电流方程及开路电压和短路电流; (3) 、标出等效电路图中电流方向。 五、简述PIN光电二极管的工作原理。为什么PIN管比普通光电二极管好?(10分) 六、1200V负高压供电,具有11级倍增的光电倍增管,若倍增管的阴极灵敏度S K为20uA/ lm,阴极入射

数控技术试题库含答案

1、数控机床自动编程有两种:软件编程和软件编程。[APT、CAM] 2、使用作位置检测装置的半闭环进给系统,一方面用 它作实际位移反馈信号,另一方面作测速信号。[旋转变压器] 3、在数控编程时,是按照______来进行编程,而不需按照刀具的在机床中的 具体位置。 [工件原点] 4、数控车床自动换刀装置的刀架动作是刀架抬起、____ __、_____ __、 _____ _。 [刀架转位、刀架定位、夹紧刀架] 5、按照伺服系统类型,可将数控机床的控制系统分 为、和。 [开环、半闭环、闭环] 6、数控机床有着不同的运动方式,编写程序时,我们总是一律假定并规定为正。 [工件不动刀具运动、刀具远离工件的方向] 7、普通数控铣床程序与加工中心编程的主要区别于。[换刀程序] 8、数控机床是 由、 、、、 组成的。 [数控程序、计算机、外部设备、输入/出通道、操作面板] 9、按所用的进给伺服系统的不同数控机床可 为、、 。 [开环、半闭环、闭环] 10、NC机床的含义是数控机床,CNC是_ FMS 是CIMS是。 [计算机数控机床、柔性制造系统、计算机集成制造系统] 11、数控机床程序编制可分 为、。[手工编程、自动编程] 12、脉冲编码器是一种位置检测元件,按照编码方式,可分 为和两种。 [光学式、增量式、绝对式] 13、一个零件加工的程序是由遵循一定结构、句法和格式规则的若干 个组成的,而每个 是由若干个组成的。[程序段、程序段、指令字] 14、圆弧插补加工时,通常把与时钟走向一致的圆弧叫使用_______指令,反之使用_______ 指令。[G02、G03] 15、对步进电机施加一个电脉冲信号,步进电机就回转一个固定的角度,这个角度叫做 ______,电机的总角位移和输入脉冲的_______成正比,而电机的转速则正比于输入脉冲的______。 [步距角、数量、频率] 16、插补是指。[将工件轮廓的形状描述出来,边根据计算结果向各坐标发出进给指令]

光电技术试题

光电技术试题

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命题人: 李阳 审核人: 试卷分类(A 卷或B 卷) A 五邑大学 试 卷 学期: 2012 至 2013 学年度 第 1 学期 课程: 光电子技术 课程代号: 010A1860 使用班级: AP10221、AP10222 姓名: 学号: 一、 单选题:(50分,每小题2分) 请将正确的答案填入下表中: 1、从光源的分类上分,汞灯属于:(B ) (A )热辐射光源;(B )气体放电光源;(C )激光光源;(D )电致发光光源。 2、在辐射度学的基本物理量中,描述点辐射源的辐射功率在不同方向上分布的物理量是(C ) (A )辐射能; (B )辐射通量;(C )辐射强度;(D )辐射出射度。 3、从辐射通量与光通量之间的换算关系可知,1W=(A )lm. (A )683; (B )386; (C )836; (D )638。 4、绝对黑体的温度决定了它的辐射光谱分布,随着温度T 的升高,峰值波长 将(A )。 (A )向短波方向移动; (B )向长波方向移动; (C )不移动;(D )随机移动。 5、日光灯是一种低压汞灯,发出波长为( B )nm 紫外光源,再激发荧光粉发了可见光。 (A )283.7; (B )253.7; (C )353.7; (D )333.7。 6、激光器的构成一般由(A )组成。 (A )激励能源、谐振腔和工作物质 (B )固体激光器、液体激光器和气体激光器 (C )半导体材料、金属半导体材料和PN 结材料 (D ) 电子、载流子和光子 7、热释电器件是由TGS 、LiTaO 3等热电晶体材料组成的,但不论哪种材料,都有一个特定温度,称居里温度。只有( C )居里温度,材料才有自发极化性质。 题号 一 二 三 四 五 六 总分 得分 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 试卷编号 得分 m

《 光电子技术 》期末考试试卷(A卷)

西南科技大学2009—2010学年第1学期 《光电子技术》期末考试试卷(A卷) 学院: ___ 班级: 姓名:学号: ___________ 一、选择题(20分,2分/题) 1、光电子技术在当今信息时代的应用主要有(abcd ) A.信息通信 B.宇宙探测 C.军事国防 D.灾害救援 2、激光器的构成一般由(a )组成 A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子 3、光波在大气中传播时,引起的能量衰减与(abcd )有关 A.分子及气溶胶的吸收和散射 B.空气折射率不均匀 C.光波与气体分子相互作用 D.空气中分子组成和含量 4、2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要是由于( a ) A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好 5、激光调制器主要有(abc ) A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器 6、电光晶体的非线性电光效应主要与(ac )有关 A.外加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量

7、激光调制按其调制的性质有(cd ) A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光强调制 8、光电探测器有(abc ) A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件 9、CCD 摄像器件的信息是靠( b )存储 A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子 10、LCD显示器,可以分为(abcd ) A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 西南科技大学2009—2010学年第1学期 《光电子技术》期末考试试卷(A) 二、判断题(20分,2分/题,对用“√”、错用“×”标记) 11、世界上第一台激光器是固体激光器。( T ) 12、在辐射度学中,辐射能量Q是基本的能量单位,用J(焦耳)来度量。( T ) 13、在声光晶体中,超声场作用像一个光学的“相位光栅”,其光栅常数等于光波波长λ。 ( F ) 14、在磁光晶体中,当磁化强度较弱时,旋光率α与外加磁场强度是成正比关系。( T ) 15、为了获得线性电光调制,通过引入一个固定2/π相位延迟,一般该调制器的电压偏置在T=50%的工作点上。( T ) 16、在磁光调制中的磁性膜表面用光刻方法制作一条金属蛇形线路,主要为了实现交替变化的磁场。( T )

传感器与检测技术试题及答案

传感器与检测技术试题及 答案 Prepared on 24 November 2020

《传感器与检测技术》试题 一、填空:(20分) 1,测量系统的静态特性指标主要有线性度、迟滞、重复性、分辨力、稳定性、温度稳定性、各种抗干扰稳定性等。(2分) 2.霍尔元件灵敏度的物理意义是表示在单位磁感应强度相单位控制电流时的霍尔电势大小。 3、光电传感器的理论基础是光电效应。通常把光线照射到物体表面后产生的光电效应分为三类。第一类是利用在光线作用下光电子逸出物体表面的外光电效应,这类元件有光电管、光电倍增管;第二类是利用在光线作用下使材料内部电阻率改变的内光电 效应,这类元件有光敏电阻;第三类是利用在光线作用下使物体内部产生一定方向电动势的光生伏特效应,这类元件有光电池、光电仪表。 4.热电偶所产生的热电势是两种导体的接触电势和单一导体的温差电势组成 的,其表达式为Eab (T ,To )=T B A T T B A 0d )(N N ln )T T (e k 0σ-σ?+-。在热电偶温度补偿中补偿导线法(即冷端延长线法)是在连接导线和热电偶之间,接入延长线,它的作用是将热电偶的参考端移至离热源较远并且环境温度较稳定的地方,以减小冷端温度变化的影响。 5.压磁式传感器的工作原理是:某些铁磁物质在外界机械力作用下,其内部产生机械压力,从而引起极化现象,这种现象称为正压电效应。相反,某些铁磁物质在外界磁场的作用下会产生机械变形,这种现象称为负压电效应。(2 分) 6. 变气隙式自感传感器,当街铁移动靠近铁芯时,铁芯上的线圈电感量(①增加②减小③不变)(2分) 7. 仪表的精度等级是用仪表的(① 相对误差 ② 绝对误差 ③ 引用误差)来表示的(2分) 8. 电容传感器的输入被测量与输出被测量间的关系,除(① 变面积型 ② 变极距型 ③ 变介电常数型)外是线性的。(2分) 1、变面积式自感传感器,当衔铁移动使磁路中空气缝隙的面积增大时, 铁心上线圈的电感量(①增大,②减小,③不变)。 2、在平行极板电容传感器的输入被测量与输出电容值之间的关系中, (①变面积型,②变极距型,③变介电常数型)是线性的关系。 3、在变压器式传感器中,原方和副方互感M 的大小与原方线圈的匝数成 (①正比,②反比,③不成比例),与副方线圈的匝数成(①正比,②反比,③不成比例),与回路中磁阻成(①正比,②反比,③不成比例)。

光电技术复习资料

1、设受光表面的光照度为100lx ,能量反射系数0.6,求该表面的光出射度和光亮度(假定该表面为朗伯辐射体)。(θ cos dS dI L v v =)解:设受光表面光谱反射率相同,则每单 位表面反射的光通量为 601006.0=?==入反ρφφLm/m 2 这也就是该表面的光出射度M v 。 对朗伯辐射体,其光亮度v L 与方向无关,沿任意方向(与法线方向成θ角)的发光强度θI 与法线方向发光强度0I 之间的关系为θθcos 0I I = 每单位面积辐射出的光通量除以π即为其光亮度: 1.1914 .360 cos 1 ==== ==πφθv S v v v dS dI dS dI L C d /m 2sr 附:朗伯体法向发光强度I 0与光通量v Φ的关系 由定义,发光强度Ω Φ= d d I v ,所以在立体角Ωd 内的光通量:?θθθd d I Id d v sin cos 0=Ω=Φ在半球面内的光通量 ??== Φπ ππ?θθθ20 02 /0 sin cos I d d I v 2、计算电子占据比F E 高2KT 、10KT 的能级的几率和空穴占据比F E 低2KT 、10KT 能级的几率。 解:能量为E 的能级被电子占据的概率为 ) exp(11 )(kT E E E f F n -+= E 比E f 高2kT 时,电子占据比:1192.011) 2exp(11 2=+=+=e kT kT f e E 比E f 高10kT 时,电子占据比:5 10 1054.411-?=+=e f e E 比E f 低2kT 时,空穴占据比:1192.011 ) exp(112 =+=-+=e kT E E f f p E 比E f 低10kT 时,空穴占据比: 5 10 1054.411-?=+=e f p

光电技术(A卷)试卷

图1 武汉理工大学考试试题纸(A 卷) 课程名称光电技术 一、 名词解释(每小题3分,总共15分) 1.坎德拉(Candela,cd) 2.外光电效应 3.量子效率 4. 象增强管 5. 本征光电导效应 二、 填空题(每小题3分,总共15分) 1. 光电信息变换的基本形式 、 、 、 、 、 。 2.光电倍增管是一种真空光电器件,它主要由 、 、 、 和 组成。 3. 发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件,他由P 型和N 型半导体组合而成。其发光机理可以分为 和 。 4. 产生激光的三个必要条件是 。 5. 已知本征硅的禁带宽度为g E ,要使该材料有光电子产生,其入射光波的最大波长为 。 三、如图1所示的电路中,已知R b =820Ω,R e =3.3K Ω,U W =4V ,光敏电阻为R p ,当光照度为压为6V ,80lx 是为9V 。设光敏电阻在30~100之间的γ值不变。 试求:(1) 输出电压为8V 时的照度; (2)若e R 增加到6 K Ω,输出电压仍然为8V ,求此时的照度; (3) 输出电压为8V 时的电压灵敏度。 四、 如果硅光电池的负载为R L 。(10分) (1)、画出其等效电路图; (2)、写出流过负载的电流方程及开路电压和短路电流; (3)、标出等效电路图中电流方向。 五、 简述PIN 光电二极管的工作原理。为什么PIN 管比普通光电二极管好? (10分) 六、 1200V 负高压供电,具有11级倍增的光电倍增管,若倍增管的阴极灵敏度S K 为20uA/lm ,阴极入射光的 照度为0.1Lx ,阴极有效面积为2cm 2 ,各倍增极二次发射系数均相等(4=δ),光电子的收集率为98.00=ε, 各倍增极的电子收集率为95.0=ε 。(提示增益可以表示为N G )(0εδε=) (15分) (1) 计算光电倍增管的放大倍数和阳极电流。

07级光电技术复习题

一、选择 1.利用晶体自发极化特性的光电探测器是 [热释电探测器 ] 2.以下各量中不属于辐射度量的是 [ ] A. 辐出度。 B.发光强度。 C. 辐照度。 D. 辐亮度。 3.利用外光电效应的光子探测器是 [ 光电子发射探测器 ] 4.以下各物中不属于光伏探测器的是[ ] 光电二极管、发光二极管、pin管、雪崩二极管 二、简单回答 1.光电池有哪些性能参数?(1)光照特性。(2)光谱特性。(3)温度特性。〔4〕频率特性。(开 路电压、内阻、电容量、寿命)。 2.光电倍增管的放大倍数[电流增益]与哪些因素有关?放大倍数[电流增益] G=f(gδ) n。与第—倍增极对阴极发射电子的收集率f、倍增极间的传递效率g、倍增极的倍增系 数δ以及倍增极个数n有关。 3.光子探测器有哪几种?(1)光电子发射探测器。(2) 光电导探测器。(3) 光伏探测 器。(4)光电磁探测器。 4.温差电效应包含哪几种效应?(1)塞贝克效应。(2)珀耳帖效应。(3)汤姆逊效 应· 5光伏探测器按照对光照敏感结的种类可分为哪几种类型?光伏探测器按照对光照敏感结 的种类可分为pn 结型、pin结型、金属半导体结型(肖特基势垒型)和异质结型。 三、简单叙述题) 2.简述热释电探测器的热释电效应。(1)某些物质自发极化选择性,表面带电,成为极性 晶体。(2)平时被自由电荷补偿而不显极性。 (3)自发极化与温度有关,当物质吸收光辐射升温时,自发极化加强。(4)而自由电荷补 偿需要较长时间。如果温度快速变化,则表面有随之变化的电荷。 3.光子探测器和热探测器特性上有何差别。 光子探测器热探测器 机理光子效应光热效应 光谱响应选择性非选择性 响应量电压、电流和温度有关量

光电技术试题和答案

三、名词解释: 1、传感器: 传感器是能感受规定的被测量并按照一定的规律将其转换成可用输出信号的器件或装置。 2、重复性:用本方法在正常和正确操作情况下,由同一操作人员,在同一实验室内,使用同一仪器,并在短期内,对相同试样所作多个单次测试结果,在95%概率水平两个独立测试结果的最大差值 3、线性度:测试系统的输出与输入系统能否像理想系统那样保持正常值比例关系(线性关系)的一种度量。 2、正压电效应 答:压电效应:某些电介质物体在沿一定方向受到压力或拉力作用时发生变形,并且在其表面上会产生电荷,若将外力去掉,它们又重新回到不带电的状态。具有压电效应材料有石英晶体、人工制造的压电陶瓷、锆钛酸铅等。 逆压电效应: 是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象 四、简答题 1、解释什么是传感器?传感器的基本组成包括哪两大部分?这两大部分各自起什么作用? 答:传感器是能感受规定的被测量并按照一定的规律将其转换成可用输出信号的器件或装置。通常传感器由敏感元件和转换元件组成。敏感元件是指传感器中能直接感受或响应被测量的部分,转换元件是指传感器中将敏感元件感受或响应的被测量转换成适于传输或测量的电信号部分。 2、什么是传感器的静态特性,描述静态特性的技术指标有哪些? 答:传感器的静态特性是指被测量的值处于稳定状态时的输出—输入关系。与时间无关。 主要性能指标有:线性度、灵敏度、分辨率、迟滞、重复性和量程等。 3金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同? 答:金属电阻的应变效应主要是由于其几何形状的变化而产生的,半导体材料的应变效应则主要取决于材料的电阻率随应变所引起的变化产生的。 4简要说明电容式传感器的工作原理。

光电技术考试试卷

1、当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表 面成为真空中的自由电子,这种现象称为(B) P20 A、内光电效应 B、外光电效应 C、光磁电效应 D、光子牵引效应 2、已知某种光电器件的本征吸收长波限为,则该材料的禁带宽 度为(A) A、 B、1eV C、 2eV D、 3、电磁波谱中可见光的波长范围为 (A) A、~ B、~1um C、 1~3um D、8~12um 判断题(每题10分,共5题) 4、光通量的单位是坎德拉 (×) 正确不正确 5、黑体的发射率是一个小于1的常数。(×) 正确不正确 6、当热辐射发射的总辐通量与黑体的总辐通量相等时,以黑体 的温度标度该热辐射体的温度,这种温度称为色温。(×) P11 正确不正确 7、发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。 P19(A) 正确不正确 8、被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部 运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象,称为内光

电效应。 (A ) 正确 不正 确 9 、光敏电阻的主要作用是(D ) A 、光电探测 B 、红外探测 C 、光电开关 D 、光电探测与控制 10、以下选项中哪个不是光敏电阻的主要噪声(D ) A 、热噪声 B 、产生复合噪声 C 、低频噪声 D 、散粒噪声 11、对于同一种型号的光敏电阻来讲,在不同的光照度和不同环境温度下,其光电导灵敏度与时间常数(),如果照度相同而温度不同时,二者(B ) A 、相同,不同 B 、不同,不同 C 、不同,相同 D 、相同,相同 12、本征光电导器件在越微弱的辐射作用下,时间响应越(),灵敏 度越(A ) A 、长,高 B 、长,低 C 、短,高 D 、短,低 13、光敏电阻是()器件,属于(D ) A 、光电导器件,外光电效应 B 、光 电发射器件,外光电效应 C 、光生伏特器件,内光电效应 D 、光电导器件,内光电效应

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《高电压技术》期末冲刺试卷(1) 1.流注理论未考虑( B )的现象。 A.碰撞游离 B.表面游离 C.光游离 D.电荷畸变电场 2.极化时间最短的是( A )。 A.电子式极化 B.离子式极化 C.偶极子极化 D.空间电荷极化 3.先导通道的形成是以( C )的出现为特征。 A.碰撞游离 B.表现游离 C.热游离 D.光游离 4.下列因素中,不会影响液体电介质击穿电压的是(A ) A.电压的频率 B.温度 C.电场的均匀程度 D. 杂质 5.电晕放电是一种( D )。 A.滑闪放电 B.非自持放电 C.沿面放电 D.自持放电 6.以下四种气体间隙的距离均为10cm,在直流电压作用下,击穿电压最低的是( D )。 A.球—球间隙(球径50cm) B.棒—板间隙,棒为负极 C.针—针间隙 D.棒—板间隙,棒为正极 7.不均匀的绝缘试品,如果绝缘严重受潮,则吸收比K将( C ) A.远大于1 B.远小于1 C.约等于1 D.不易确定 8.雷击线路附近地面时,导线上的感应雷过电压与导线的( B ) A. 电阻率成反比 B.悬挂高度成反比 C.悬挂高度成正比 D. 电阻率成正比 二、填空题(本大题共9小题,每空1分,共18分) 1.固体电介质电导包括___表面____电导和_体积______电导。 2.极不均匀电场中,屏障的作用是由于其对__空间电荷__的阻挡作用,造成电场分布的改变。

3.电介质的极化形式包括_电子式极化__、__离子式极化_、__偶极子极化_和夹层极化。 4.气体放电现象包括__击穿_____和__闪络_____两种现象。 5.带电离子的产生主要有碰撞电离、__光电离____、_热点离_____、表面电离等方式。 6.工频耐压试验中,加至规定的试验电压后,一般要求持续__60_____秒的耐压时间。 7.按绝缘缺陷存在的形态而言,绝缘缺陷可分为__集中性_____缺陷和__分散性____缺陷两大类。 8.在接地装置中,接地方式可分为_防雷接地_______、_保护接地_______、_工作接地_______。 9.输电线路防雷性能的优劣主要用__耐雷水平______和_雷击跳闸率________来衡量。 三、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)在每小题的括号内对的打“√”,错的打“×”。 1.无论何种结构的电介质,在没有外电场作用时,其内部各个分子偶极矩的矢量和平均来说为零, 因此电介质整体上对外没有极性。(对) 2.在四种电介质的基本极化形式中,只有电子式极化没有能量损耗。(错) 3.测量电气设备的绝缘电阻时一般要加直流电压,绝缘电阻与温度没有关系。(错) 4.防雷接地装置是整个防雷保护体系中可有可无的一个组成部分。(错) 5.管式避雷器实质上是一只具有较强灭弧能力的保护间隙。(对) 四、名词解释题(本大题共5小题,每小题6分,共30分) 1.吸收比:指的是电流衰减过程中的两个瞬间测得的两个电流值或两个相应的绝缘电阻值之比。(或指被试品加压60秒时的绝缘电阻与加压15秒时的绝缘电阻之比。) 2.雷击跳闸率:指每100KM线路每年由雷击引起的跳闸次数 3.雷暴日:指某地区一年四季中有雷电放电的天数,一天中只要听到一次及以上雷声就是一个雷暴日。 4.伏秒特性:对某一冲击电压波形,间隙的击穿电压和击穿时间的关系称为伏秒特性 5.气体击穿:气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿 五、简答题(本大题共2小题,每小题8分,共16分)

光电检测技术题库》

《光电检测》题库 一、填空题 1.光电效应分为内光电效应和外光电效应,其中内光电效应包括 和。 2.对于光电器件而言,最重要的参数是、 和。 3.光电检测系统主要由光电器件、和等部分组成。 4.为了取得很好的温度特性,光敏二极管应在较负载下使用。 5.光电倍增管由阳极、光入射窗、电子光学输入系统、和 等构成。 6.光电三极管的工作过程分为和。 7.激光产生的基本条件是受激辐射、 和。 8.检测器件和放大电路的主要连接类型有、 和等。 https://www.360docs.net/doc/3a742719.html,D的基本功能是和。 =1.2eV,则该半导体材料的本征吸收长波限 10.已知本征硅材料的禁带宽度E g 为。 11. 非平衡载流子的复合大致可以分为和。 12.在共价键晶体中,从最内层的电子直到最外层的价电子都正好填满相应的能带,能量最高的是填满的能带,称为价带。价带以上的能带,其中最低的能带常称为,与之间的区域称为。 13.本征半导体在绝对零度时,又不受光、电、磁等外界条件作用,此时导带中没有,价带中没有,所以不能。 14.载流子的运动有两种型式,和。 15. 发光二极管发出光的颜色是由材料的决定的。 16. 光电检测电路一般情况下由、、组成。 17. 光电效应分为内光电效应和效应,其中内光电效应包括和,光敏电阻属于效应。

18.导带和价带中的电子的导电情况是有区别的,导带愈多,其导电能力愈强;而价带的愈多,即愈少,其导电能力愈强。 19.半导体对光的吸收一般有、、、和这五种形式。 20. 光电器件作为光电开关、光电报警使用时,不考虑其线性,但要考虑。 24.半导体对光的吸收可以分为五种,其中和可以产生光电效应。 22.光电倍增管由阳极、光入射窗、电子光学输入系统、和等构成,光电倍增管的光谱响应曲线主要取决于材料的性质。 23.描述发光二极管的发光光谱的两个主要参量是和。 25.检测器件和放大电路的主要连接类型有、和等。 26.使用莫尔条纹法进行位移-数字量变换有两个优点,分别是和。 27、电荷耦合器件(CCD)的基本功能是和。 28、光电成像器件的输出物理量与对应的输入物理量的比值关系常用转换特性来表示,不同的光电成像器件往往用不同的参量来描述其转换特性,像管通常使用转换系数,像增强管常使用,摄像器件采用。 29、几何中心检测法进行光学目标的形位检测主要的处理方法有差分法、调制法、补偿法和跟踪法等,这些方法的主要依据是。亮度中心检测法主要的处理方法有光学像分解和多象限检测等,这些方法的主要依据是。 30.光电编码器可以按照其构造和数字脉冲的性质进行分类,按照信号性质可以分为和。 31.交替变化的光信号,必须使所选器件的大于输入信号的频率才能测出输入信号的变化。 32.随着光电技术的发展,可以实现前后级电路隔离的较为有效的器件是。 33.硅光电池在偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。 34.发光二极管的峰值波长是由决定的。 35.光电成像器件的分辨率是用来表示能够分辨图像中明暗细节的能力,分辨率常用二种方式来描述,一种为,另一种为。 二、名词解释 1. 光亮度:

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