模电1-3章课后习题
模拟电子技术基础-模电课后题答案
(d)
6
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及
uGS 值，建立 iD f (uGS ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图 Pl.14 (b)所示。
六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示，它们的开启电压也在表中。试分析 各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区） ，并填入表内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
I CS
VCC U CES 11.3mA ， 所以 T 处于饱和状态。 Rc
5
1.11 电路如图 Pl.11 所示,晶体管的 β=50 , U BE 0.2V ，饱和管压降 U CES 0.1V ；稳压管的稳定电 压 U Z 5V , 正向导通电压 U D 0.5V 。试问：当 uI 0V 时 uO ？；当 uI 5V 时 uO ？ 解：当 uI 0V 时，晶体管截止，稳压管击穿，
7
(a)
(b) 图 P1.16
(c)
(d)
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。 补充 1.电路如补图 P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压 U Z 3V , R 的取值合适， u I 的波形如图(c)所 示。试分别画出 uO1 和 uO 2 的波形。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1_3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oUR i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=LR '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQ b V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q l 点处，0.5,CEQ CQ U V I ≈≈解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQb V U mA A R μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
模电习题答案(第五版)
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电子技术基础模拟部分 第五版
第五章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
第三章作业题解答
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第一章作业题解答
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模电1-3章课后习题
填空1、与开路PN结得结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变窄;当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变宽。
2、整流二极管得整流作用就是利用PN结得单向导电特性,稳压管得稳压作用就是利用PN结得反向击穿特性。
3、三极管工作在放大状态时,发射结应正偏置,集电结应反偏置。
若工作在饱与状态时,发射结应正偏置,集电结应正偏置。
若工作在截止状态时,发射结应反偏置,集电结应反偏置。
4、三极管电流放大系数β＝50,则α＝0、98 ;若α＝0、99,则β＝99 。
5、当环境温度升高时,三极管得下列参数变化得趋势就是:电流放大系数β增大,穿透电流I CEO增加,当I B不变时,发射结正向压降|U BE|减小。
6、共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变大;若负载电阻R L变小时,其电压增益将变小。
7、单级共射极放大电路产生截止失真得原因就是静态Ic偏小;产生饱与失真得原因就是Ic偏大;若两种失真同时产生,其原因就是输入信号太大。
8、试比较共射、共集与共基三种组态得放大电路,其中输入电阻较大得就是共集电路;通频带较宽得就是共基电路;输入电阻较小得就是共基电路;输出电阻较小得就是共集电路;输出信号与输入信号同相位得就是共集与共基电路;电压增益小于1得就是共集电路;带负载能力较强得就是共集电路;既有电流放大能力又有电压放大能力得就是共射电路。
9、单级阻容耦合共射极放大电路得中频电压增益为100,当信号频率为上限频率f H时,这时电路得实际增益为77、7 ,其输出与输入信号得相位相差225 度。
10、某放大电路得对数幅频特性如图所示,由图可知,该电路得中频电压放大倍数为100 倍,上限频率f H＝2×106Hz,下限频率f L＝20 Hz,当信号频率恰好为f H或f L时,实际电压增益为37 dB。
11、在PN结得形成过程中,载流子扩散运动就是载流子得浓度差作用下产生得,漂移运动就是载流子在内电场作用下产生得。
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电(第四版)习题解答
第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74
第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90
第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114
第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126
第1章 常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
则 =( )≈( 3 ) 。
(2)若测得输入电压有效值 时，
输出电压有效值 ，
则电压放大倍数 ( )≈( -120 )。
若负载电阻 值与 相等，则带上图T2.3
负载后输出电压有效值 ( )=( 0.3 )V。
四、已知图T2.3所示电路中 ，静态管压降 并在输出端加负载电阻 ，其阻值为3 。选择一个合适的答案填入空内。
试问：(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
(2)R的取值范围是多少？
解：(1)S闭合。
(2)R的范围为:
图P1.7
1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。
(a) (b) (a) (b)
(a) (b)
图T1.4
解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V，=100，UBE=0.7V。
试问：
(1)Rb=50k时，Uo=?
(2)若T临界饱和，则Rb=?
解：(1) ，
,
。图T1.5
(2)∵ ，
∴
六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表Tl.6所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
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填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。
2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。
3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。
若工作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。
若工作在截止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。
4. 三极管电流放大系数B = 50，J则a = 0.98 ;若a = 0.99, J则B - 99 。
5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。
6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大 ;若负载电阻R L变小时，其电压增益将变小。
7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态lc偏小;产生饱和失真的原因是lc偏大：若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。
8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路;电压增益小于1的是共集电路;带负载能力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。
9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100,当信号频率为上限频率f H时，这时电路的实际增益为-77.7，其输出与输入信号的相位相差-225 度。
10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为100倍，上限频率f H = 2X 106 Hz，下限频率f L = 20 Hz，当信号频率恰好为f H或f L时，实际电压增益为37 dB11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产牛的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。
12. 放大器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和非线性失真。
13. 在三极管多级放大电路中，已知A V1 = 20，A V2 = -10，A V3 = 1，A V1是共基放大器，A V2是共射放大器,A V3是共集放大器。
14. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1、输入电阻比较大、输出电阻比较小。
15. 半导体中有自由电子和空穴两种载流子。
本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度，杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。
16 •温度升高，本征载流子浓度增加；杂质半导体中少子浓度—多子浓度基本不变。
仃.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的半导体中加入微量的杂质。
18. N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
19. P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
20. PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动021. PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。
22. BJT所代表的电气元件是双极型三极管。
23. 三极管的三个工作区域分别是饱和区、线性放大区和截止区。
24. 静态工作点Q点一般选择在交流负载线的中央。
25. 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。
26. MOSFET所代表的电气元件是金属-氧化物-半导体场效应管。
27. 共集电极电路又被称为电压跟随器：共基极电路又被称为电流跟随器。
28. 静态工作点Q点选得过低会导致截止失真:Q点选得过高会导致饱和失真。
29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很址；另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。
30. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是共集电极电路、称为电流跟随器的电路是共基极电路、称为电压跟随器的电路是共集电极电路。
31. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是丿射极放大电路;仅具有电压放大作用的电路是共集电极电路;仅具有电流放大作用的电路是共基极电路。
32. 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。
33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通；反向截止；反向击穿）。
34. 半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于电压控制器件。
35. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数近似为1 :输入电阻很大：输出电阻彳艮小、。
36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的之积37. 将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变窄了38. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
39. 对于下图所示电路,设V cc=12V，R b=510k Q，F C=8 k Q , V BE=0.7V‘V C EZ)=0.3V, 当B =50,静态电流I B F 22卩A ，I cQ= 1.1mA ，管压降VC E= 3.2V ;若换上一个当B =80,静态电流I BC F 22 u A，Icd= 1.46mA ，管压降V C E(=0.3V ，三级管工作在饱和状态。
40. 对于下图所示电路，设V cc=12V，三级管B =50, V B E=0.7V，若要求静态电流I cc=2mA M EF4V,则电路中的R F 282.5 k Q , R= 4 k Q 。
——I—%c~iU―rf +；「皿V Cc=12V, R)1=27 k Q , R=2 k Q ,R e=1 k Q ,V BE=0.7V, 现要求静态电流I cc=3mA贝U R)2= 12 k Q42. 已知图示的放大电路中的三级管B =40, V BE=0.7V,稳压管的稳定电压V Z=6V, 41.对于下图所示电路，已知J——+20V则静态电流I B Q= 0.275mA , I C F 11mA ，管压降V C E F 3V 。
43. 若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的I CBO、V BE和B 三个参数的变化,引起工作点上移；输出波形幅度增大，则是因为B 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。
44. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用共射、共基：若希望带负载能力强，应选用共集组态：若希望从信号源索取的电流小，应选用共集组态。
24KO7E % |T仆24KCi1KCJ ——+20V选择A 、 1 = 2mAB 、1 = 0mAC 、1= 1.5mAD 、l = — 1.5mAR1 2k—fI —6V-=-3. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为 0V 、一 10V 和一9.3V ,则该管为（A ）0A 、NPN 硅管B 、NPN 锗管C 、PNP 硅管D 、PNP 锗管4. 测得某放大电路中NPN 管三个极对地的电位分别为 U C = 12V , U B = 1.8V 和 U E= 0V ，则该管是处于（D ）。
A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态D 、已损坏5. 有人选用最大允许集电极电流I CM = 20mA ，最大允许电压U CEO = 20V ，集电 极最大允许耗散功率P CM = 100mW 的三极管组成放大电路，其静态工作点 I C=15mA ，U CE = 10V ，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。
A 、可以正常放大B 、可能击穿C 、放大性能较差D 、过热或烧坏6. 某放大电路在负载开路时的输出电压为 6V ，当接入2k Q 的负载后，其输出 电压为4V ，这表明该放大电路的输出电阻是（ C ） o1.由理想二极管组成的电路如图所示，其 A 、B 两端的电压U AB 应为 B ）。
B 、U AB = — 6VC 、U AB = + 6VD 、U AB = + 12V2.由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R 2中的电流I 为（C ）。
A 、U AB = 一 12V—1ZVA 、电流控制电流源器件B 、电流控制电压源器件A 、10k QB 、2k QC 、1k QD 、0.5 k Q7. 放大电路如图所示，如 U>>U B E ,且I CE Q 0,则在静态时，该三极管工作的状 态是（B ）o8. 电路如图所示，若不慎将旁路电容 C e 断开，则将（C ） A 、 不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。
B 、 只影响静态工作点，但不影响电压增益。
C 、 不影响静态工作点，只影响电压增益。
D 、 不影响静态工作点，也不影响电压增益。
9•两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为 将它们串接成两级电压放大电路时，贝U 总的电压增益满足（ A 、A i + A 2 B 、A i X A 2 C 、＞| A i X A 2|D 、＜| A i X A 2 |10.场效应管本质上是一个（ C ）双极型三极管本质上是一个（ A ）C 、截止状态D 、不定A i 和A 2，如果D ）o11. N沟道JFET的跨导g m是（C ）。
A、一个固定值B、随电源电压V DD增加而加大C、随静态栅源电压V GS增加而加大D、随静态栅源电压V GS增加而减小12. 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（ A ）。
A、P沟道增强型MOSFETB、P沟道JFETC、N沟道增强型MOSFETD、N沟道耗尽型MOSFET13. 已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（D ）A、P沟道增强型MOSFETB、N沟道JFETC、P沟道耗尽型MOSFETD、N沟道耗尽型MOSFET14. 硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）A、0.6V; 0.6VB、0.6V; 0.1VC、0.1V; 0.6VD、0.1V; 0.1VC 、减小基极偏置电阻R BD 、增大基极偏置电阻R B15•在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）。
A 、温度 B 、掺杂元素C 、掺杂浓度D 、掺杂工艺16. N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。
A 、自由电子 B 、空穴C 、硼元素D 、磷元素17. 用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点 的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。
A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态D 、倒置状态5. 3V T 丿-5. 3V18.电路如图所示，若更换晶体管，使 B 由50变为100,则电路的电压放大倍 数（C ）。