微电子工艺基础光刻工艺
光刻的基本流程
光刻的基本流程光刻技术是微电子工艺中的一项重要技术，它在集成电路制造、光学元件制造、微纳米加工等领域都有着广泛的应用。
光刻技术的基本流程包括准备工作、感光胶涂覆、曝光、显影、清洗等步骤。
首先，准备工作是光刻技术中非常重要的一步。
在进行光刻之前，需要对光刻设备进行检查和维护，确保设备的正常运转。
同时，还需要准备好感光胶、掩模板、曝光机、显影液、清洗溶剂等材料和设备。
接下来是感光胶涂覆的步骤。
感光胶是光刻技术中的关键材料，它的质量直接影响到光刻的效果。
在涂覆感光胶时，需要控制涂覆厚度和均匀性，确保感光胶能够均匀地覆盖在基片表面。
然后是曝光步骤。
曝光是将掩模板上的图形投射到感光胶上的过程，通过曝光机将紫外光线照射到感光胶上，使感光胶发生化学反应。
在曝光过程中，需要控制曝光时间和曝光能量，确保感光胶的曝光效果符合要求。
接着是显影步骤。
显影是将曝光后的感光胶进行去除的过程，通过显影液将未曝光部分的感光胶去除，留下曝光部分形成的图形。
在显影过程中，需要控制显影时间和显影温度，确保显影效果符合要求。
最后是清洗步骤。
清洗是将显影后的感光胶残留物进行清除的过程，通过清洗溶剂将感光胶残留物去除，留下清洁的基片表面。
在清洗过程中，需要控制清洗时间和清洗温度，确保清洗效果符合要求。
通过以上几个步骤，光刻技术可以实现对基片表面的精细加工，形成所需的图形和结构。
光刻技术的基本流程虽然看似简单，但其中涉及到许多工艺参数和操作技巧，需要操作人员具备丰富的经验和严谨的工作态度。
总的来说，光刻技术的基本流程包括准备工作、感光胶涂覆、曝光、显影、清洗等步骤，每个步骤都需要严格控制工艺参数，确保光刻的效果符合要求。
光刻技术在微电子工艺中有着重要的应用，它的发展将进一步推动微纳米加工技术的发展，为微纳米器件的制造提供有力支持。
光刻的概念
光刻的概念
光刻是一种用于精密制造微电子芯片的关键工艺。
它是将光源通过掩膜形成的图案，映射在光刻胶层上的过程。
光刻是半导体工艺中最重要的步骤之一，常用于制造芯片、平板显示器和其他微加工领域。
光刻的过程主要包括光源、掩膜、光刻机和光刻胶四个部分。
首先，光源产生高能紫外光，并通过光学系统聚焦到掩膜上。
掩膜是一张玻璃板上刻有芯片设计图案的薄膜，它将设计图案投影到光刻胶层上。
当紫外光通过掩膜时，它会被掩膜上的图案部分阻挡，只有透过空白区域的光能够通过。
这样，光刻胶层上的光敏物质会发生化学反应，使得光刻胶在暴露部分变得溶解性，而未暴露的部分保持不变。
下一步是将光刻胶进行显影，即将光刻胶层中溶解的部分去除，只保留需要的图案。
然后，在光刻胶层的图案上进行材料的蚀刻或沉积，从而形成芯片所需的结构。
最后，去除剩余的光刻胶，留下清晰的图案，完成光刻。
光刻技术的精度和分辨率决定了芯片的制造质量。
目前，随着微电子技术的不断发展，光刻技术也得到了不断的改进。
例如，通过使用更高分辨率的掩膜和更强的光源，可以实现更小的芯片特征尺寸，提高芯片的集成度和性能。
总而言之，光刻是微电子制造中至关重要的工艺，它通过将光源的图案映射到光刻胶层上，实现微芯片的精确加工。
它在信息技术、通信、医疗设备等领域都发挥着重要的作用，并为我们带来了丰富的科技创新与发展。
0.35um光刻工艺
0.35um光刻工艺1. 光刻工艺概述，光刻工艺是微电子制造过程中的一项关键技术，通过将光刻胶涂覆在硅片上，然后使用光刻机将图形投射到光刻胶上，最后通过化学腐蚀等步骤来转移图形到硅片上。
0.35um光刻工艺是指在这个过程中所使用的光刻胶的分辨率为0.35微米。
2. 分辨率，分辨率是光刻工艺中一个重要的指标，它决定了工艺可以实现多细小的结构。
0.35um的分辨率意味着该工艺可以制造出最小线宽为0.35微米的结构。
3. 应用领域，0.35um光刻工艺在微电子制造中有广泛的应用。
它适用于制造一些较为简单的电子元件和集成电路，例如逻辑门电路、存储器等。
虽然在现代微电子制造中，0.35um光刻工艺已经相对较老，但在一些特定的应用领域仍然具有一定的市场需求。
4. 工艺特点，0.35um光刻工艺具有一些特点。
首先，相对于更高分辨率的工艺，0.35um光刻工艺更容易实现，成本相对较低。
其次，0.35um工艺的制造设备和工艺流程已经相对成熟，稳定性较高，可靠性较好。
然而，由于分辨率相对较低，0.35um工艺无法满足现代微电子制造对更高集成度和更小尺寸的要求。
5. 工艺发展趋势，随着科技的不断进步，微电子制造对更高分辨率的需求不断增加。
因此，0.35um光刻工艺已经逐渐被更先进的工艺所取代，例如0.25um、0.18um、0.13um甚至更小的工艺。
这些更高分辨率的工艺可以实现更小尺寸的结构，提高集成度和性能。
综上所述，0.35um光刻工艺是一种用于微电子制造的工艺，它具有一定的应用领域和特点。
然而，随着技术的进步，更高分辨率的工艺已经逐渐取代了0.35um工艺。
希望以上回答能满足你的需求。
微电子制造工艺流程解析
微电子制造工艺流程解析微电子制造工艺流程是指通过一系列的加工步骤，将原材料转化为微小电子器件的过程。
在这个过程中，需要经过晶圆制备、薄膜沉积、光刻、蚀刻、离子注入等关键步骤，以及其他一些辅助性的工艺步骤。
本文将对微电子制造工艺流程进行详细解析。
一、晶圆制备晶圆制备是微电子制造中的第一步，主要是通过硅材料生长来制备晶圆。
晶圆一般使用单晶硅材料，它具有良好的电性能和机械性能，适合作为微电子器件的基底。
在这一步骤中，需要对硅材料进行去杂、融化、再结晶、拉晶等加工过程，最终得到高质量的单晶硅晶圆。
二、薄膜沉积薄膜沉积是微电子制造中的重要步骤，通过在晶圆表面沉积薄膜来控制电子器件的性能和功能。
常用的薄膜沉积技术包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)等。
这些技术可以在晶圆表面沉积各种功能性薄膜，如硅氧化物、金属、半导体等。
三、光刻光刻是一种重要的微电子制造工艺，通过光照和显影的方式，在薄膜表面形成微细的图案。
这个图案将作为后续工艺步骤中蚀刻、离子注入等的参考依据。
光刻通常使用光刻胶来实现，根据需要选择合适的光源和掩膜，通过光刻曝光机进行精确的图案转移。
四、蚀刻蚀刻是一种去除不需要的材料的工艺步骤，通常将薄膜表面的某些区域通过化学或物理方式进行选择性地去除。
常见的蚀刻方式有湿蚀刻和干蚀刻两种。
湿蚀刻使用化学液体进行腐蚀，而干蚀刻则是利用等离子体来实现。
通过蚀刻，可以形成微细的结构，如通道、线路等。
五、离子注入离子注入是一种将外部离子引入器件材料中的工艺步骤。
通过加速器将离子加速到高速，并射入目标材料中，从而改变其电学或物理特性。
离子注入可以用于掺杂、形成pn结、获得特定的电子特性等。
具体的离子注入方式包括浸没注入、离子束注入等。
以上所述的晶圆制备、薄膜沉积、光刻、蚀刻和离子注入等工艺步骤只是微电子制造流程中的一部分，整个流程还包括清洗、测试、封装、探针测试等其他步骤。
每个步骤都需要精细的设备和技术支持，以确保最终制造出的微电子器件具有稳定的性能和可靠的品质。
电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺
Example Viper defect clips
p
Hot Plate
Spin Station
光刻机
Track Robot
Developer dispenser
Hot Plate
Track
思考题： 如果使用了不正确型号的光刻胶进行光刻 会出现什么情况？
5.3 光学光刻
光学光刻是不断缩小芯片特征尺寸的主要限制因 素。 光源 光的能量能满足激活光刻胶，成功实现图形转移 的要求。光刻典型的曝光光源是紫外（UV ultraviolet）光源以及深紫外（DUV）光源、极 紫外（EUV）光源。 1.高压汞灯 2.准分子激光
美国的gca日本的canonnikon及荷兰的asml用较小的透镜尺寸获得较大的曝光场从而获得较大的芯片尺寸扫描过程调节聚焦透镜缺陷硅片平整度变化自动补偿步进扫描光刻机系统工作过程nsr2005i9c型nikon光刻机步进式序号性能参数参数要求分辨率045m焦深07m套刻精度110nm最大曝光面积2020mm曝光光强600mwcmnsr2005i9c型nikon光刻机主要性能指标nsr2005i9c型nikon光刻机光刻关键尺寸sem照片1nsr2005i9c型nikon光刻机光刻关键尺寸sem照片255硅片平坦化cmp减小表面的凹凸度显出边缘的相移层阻挡层1111硅片上光强上电场硅片上电场相移掩膜技术psm光学邻近修正级次衍射级次衍射针孔掩膜投影光学系统wafer离轴照明极紫外光刻技术示意图步进扫描承步进扫描4倍反射投影掩膜版大功率激光靶材料euv等离子多层涂层镜投影掩膜版的14图形真空腔电子束步进扫描静电透镜系统4
平均曝光 干涉增强 强度 过曝光 干涉相消 欠曝光
光刻胶表面
/nPR
衬底表面
微电子工艺的流程
微电子工艺的流程
1. 硅片制备：
从高纯度的多晶硅棒开始，通过切割、研磨和抛光等步骤制成具有一定直径和厚度的单晶硅片（晶圆）。
2. 氧化层生长：
在硅片表面生长一层二氧化硅作为绝缘材料，这通常通过热氧化工艺完成。
3. 光刻：
使用光刻机将设计好的电路图案转移到光刻胶上，通过曝光、显影等步骤形成掩模版上的图形。
4. 蚀刻：
对经过光刻处理的硅片进行干法或湿法蚀刻，去除未被光刻胶覆盖部分的硅或金属层，形成所需的结构。
5. 掺杂：
通过扩散或离子注入技术向硅片中添加特定元素以改变其电学性质，如N型或P型掺杂，形成PN结或晶体管的源极、漏极和栅极。
6. 薄膜沉积：
包括物理气相沉积（PVD，如溅射）和化学气相沉积（CVD），用于在硅片上沉积金属互连、导体、半导体或绝缘介质层。
7. 平坦化：
随着制作过程中的多次薄膜沉积，可能需要进行化学机械平坦化（CMP）处理，确保后续加工时各层间的均匀性。
8. 金属化与互联：
制作金属连线层来连接不同功能区，通常采用铝、铜或其他低电阻金属，并利用过孔实现多层布线之间的电气连接。
9. 封装测试：
完成所有芯片制造步骤后，对裸片进行切割、封装以及质量检测，包括电气性能测试、可靠性测试等。
光刻与刻蚀工艺流程
光刻与刻蚀工艺流程光刻和刻蚀是微电子加工过程中常用的两个工艺步骤。
光刻用于创建芯片上的图案，而刻蚀则用于移除不需要的材料。
以下是光刻和刻蚀的工艺流程。
光刻工艺流程：1.沉积光刻胶：首先，在硅片上沉积一层光刻胶。
这是一个具有高度选择性和可重复性的光敏聚合物材料，能够在曝光过程中改变化学性质。
2.乾燥和前处理：将光刻胶乾燥，然后对其进行前处理，例如去除表面的污垢和残留物。
3.涂布光刻胶：用涂胶机将光刻胶均匀地涂布在硅片的表面。
4.烘烤：将涂覆有光刻胶的硅片进行烘烤，以去除溶剂并使光刻胶层变得坚硬和耐久。
5.对位：将掩模对位仪对准硅片上的光刻胶层，确保光刻胶上的图案与所需的芯片图案完全一致。
6.曝光：通过紫外线照射机将光传递到光刻胶上，使其形成与掩模图案相同的图案。
7.显影：使用显影液处理光刻胶，显影液会将未曝光的部分光刻胶溶解掉，只留下曝光过的部分。
刻蚀工艺流程：1.腐蚀栅极：首先，通过化学腐蚀将栅极区域的金属材料去除，只保留未覆盖的部分，以便后续步骤。
2.沉积绝缘层：然后，在晶圆上沉积一层绝缘层材料，用以隔离电路的不同层次。
3.涂胶和曝光：使用同样的光刻胶工艺，在绝缘层表面涂覆光刻胶，并将掩模对位仪对准绝缘层上的光刻胶层。
4.显影：通过显影液处理光刻胶，保留所需的图案，暴露绝缘层。
5.刻蚀绝缘层：使用化学腐蚀或物理刻蚀技术，将未被光刻胶保护的绝缘层材料去除，使其与下方的层次保持相同的图案。
6.清洗和检验：最后，对晶圆进行清洗，以去除残留的光刻胶和刻蚀剂。
然后，对刻蚀图案进行检验，确保其质量和精确度。
这就是光刻和刻蚀的工艺流程。
通过这些步骤，可以在微电子芯片上创建复杂的电路和结构，以实现功能丰富的科技产品。
微电子工艺的流程
微电子工艺的流程一、工艺步骤1. 材料准备：微电子工艺的第一步是准备好需要的材料，这些材料包括硅片、硼化硅、氧化铝、金属等。
其中，硅片是制造半导体芯片的基本材料，它具有优良的导电性和导热性能，而硼化硅和氧化铝则用于作为绝缘层和保护层。
金属材料则用于连接不同的电路元件。
2. 清洗：在进行下一步的工艺之前，需要对硅片进行清洗，以去除表面的杂质和污垢。
常用的清洗方法包括浸泡在溶剂中、超声波清洗等。
清洗后的硅片表面应平整光滑，以便后续的工艺步骤能够顺利进行。
3. 刻蚀：刻蚀是微电子工艺中的重要步骤，它用于在硅片表面上形成需要的电路图案。
刻蚀一般采用化学法或物理法，化学法包括湿法刻蚀和干法刻蚀，物理法包括离子束刻蚀、反应离子刻蚀等。
刻蚀后，硅片表面将形成不同深度和形状的电路结构。
4. 清洗：刻蚀后的硅片需要再次进行清洗，以去除刻蚀产生的残留物，并保证表面的平整度和清洁度。
清洗一般采用流动水冲洗、超声波清洗等方法。
5. 沉积：沉积是在硅片表面上沉积一层薄膜来形成电路元件或连接线的工艺步骤。
常用的沉积方法包括化学气相沉积、物理气相沉积、离子束沉积等。
沉积后，硅片表面将形成具有特定性能和功能的导电膜或绝缘膜。
6. 光刻：光刻是将需要的电路图案投射在硅片表面上的工艺步骤。
光刻过程中，先在硅片表面涂上感光胶，然后利用光刻机将光阴影形成在感光胶上，最后用化学溶液溶解感光胶，形成需要的电路结构。
光刻过程需要高精度的设备和技术支持。
7. 离子注入：离子注入是将控制的离子注入硅片表面形成电子器件的重要工艺步骤。
通过控制注入的离子种类、注入能量和注入剂量，可以形成不同性能和功能的电子器件。
离子注入是微电子工艺中的关键技术之一。
8. 清洗和检测：在工艺步骤完成后，硅片需要再次进行清洗和检测，以确保电路结构和性能符合要求。
清洗和检测一般采用高精度的设备和技术支持，包括扫描电子显微镜、原子力显微镜等。
二、工艺参数和设备微电子工艺需要严格控制各种工艺参数，包括温度、压力、流量、时间等。
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微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 1、光刻胶的组成、分类
（2）光刻胶的组成
光刻胶里面有4种基本成分：（参见教材P135）
① 聚合物 ② 溶剂 ③ 光敏剂 ④ 添加剂
光刻胶中对光和能量敏感的物质； 其作用是使胶具有一定的粘度，能均匀涂覆； 有时也称为增感剂； 达到特定效果；
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第8章光刻工艺
一、概述 2、光刻的目的
光刻的目的就是：在介质薄膜（二氧化硅、氮化 硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面 刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现 选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
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第8章光刻工艺
一、概述 3、光刻的目标（教材P130最上部分）
（1）尽可能接近特征图形尺寸。 （2）在晶圆表面正确定位图形（称为 Alignment或者Registration），包括套刻准 确。
第8章 光刻工艺
微电子工艺基础
第8章 光刻工艺
本章目标：
1、熟悉光刻工艺的流程 2、能够区别正胶和负胶 3、了解对准和曝光的光学方法 4、解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点
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第8章 光刻工艺
一、概述 二、光刻胶 三、曝光、显影阶段 四、刻蚀、去胶阶段
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第8章 光刻工艺
微电子工艺基础
实验室匀胶机
微电子工艺基础
光刻胶旋涂机
EBR: Edge bead removal边缘修复
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硅片自动输送轨道系统；真空卡盘吸住硅片；胶盘 排气系统；可控旋转马达；给胶管和给胶泵 边缘清洗（去边）
微电子工艺基础
滴胶
微电子工艺基础
光刻胶吸回
微电子工艺基础
光刻胶旋涂
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第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （4）曝光方法
① 光学曝光 A：接触式（教材P156）
接触式曝光需要人工在显 微镜下观察和套准图形并 使硅片与掩膜版紧贴，光 刻精度受到光学和机械系 统以及操作者的熟练程度 的限制。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶 4、对准和曝光 （4）曝光方法
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第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（1）感光度 用于表征光刻胶感光性能的。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（2）分辨率 指用某种光刻胶光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。 它是表征光刻精度或清晰度能力的标志之一。 分辨率通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目 来表示。 通常正胶的分辨率高于负胶。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （2）对准
对准原则： （教材P155最下面）
①第一个掩膜版的对准是把 掩膜版上的y轴与晶圆上的平 边成90度放置； ②后续的掩膜版都用对准标 记与上一层带有图形的掩膜 对准。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶 4、对准和曝光 （2）对准
对准误差： （教材P155最下面） ① X或Y方向的平移； ② 转动
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（5）针孔密度 单位面积上针孔数目称为针孔密度。光刻胶膜上的 针孔在刻蚀过程中会传递到衬底上，危害极大。 光刻胶层越薄，针孔越多，但太厚了又降低光刻胶的 分辨率。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（6）留膜率 留膜率是指曝光显影后的非溶性胶膜厚度与曝光前 的胶膜厚度之比。 刻蚀时起掩蔽作用的是显影后非溶性的胶膜，所以希 望光刻胶的留膜率越高越好。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（3）抗蚀性
在湿法刻蚀中，要求光刻胶能较长时间的经受酸、碱的浸蚀； 在干法刻蚀中，要求光刻胶能较长时间的经受等离子体的作用。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、光刻胶的参数
（4）粘附性 光刻胶与衬底（二氧化硅、金属等）之间粘附的牢 固程度直接影响到光刻的质量。
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第8章光刻工艺
二、光刻胶
5、X-射线抗蚀剂
在电子抗蚀剂如PMMA中加入铯、铊等，能增加抗蚀 剂对X-射线的吸收能力，可以使之作为X-射线抗蚀剂 。
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第8章 光刻工艺
三、曝光、显影阶段
1、表面准备 2、涂光刻胶 3、前烘 4、对准和曝光 5、显影
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第8章 光刻工艺
一、概述
1、光刻的定义 2、光刻的目的 3、光刻的目标 4、光刻工艺步骤概述
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第8章光刻工艺
一、概述 1、光刻的定义
光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄 膜上制备图形的精密表面工艺技术。 英 文 术 语 是 Photolithography( 照 相 平 板 ) ， Photomasking（光掩模）等。
第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （4）曝光方法
参见教材P154图8.43
① 光学曝光 A：接触式 B：接近式 C：投影式 D：步进式
② 非光学曝光 A：电子束 B：X射线
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （4）曝光方法
由于衍射极限的限制，在超大规模集成电路的生产上 光学光刻已逐渐被电子束光刻，X-射线光刻等新技术 代替。但是光学光刻在对分辨率要求不高的器件和电 路上仍被普遍采用。
① 光学曝光 A：接触式（教材P156）
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶
3、正胶、负胶的比较（*）
正胶
负胶
①
不易氧化
易氧化而使光刻胶膜变薄
②
成本高
成本低
③ 图形边缘整齐、陡直，无溶胀现象
易吸收显影液而溶涨
④
分辨率更高
⑤
去胶较容易
⑥
抗蚀性强于正胶
微电子工业基础
微电子工艺基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、电子抗蚀剂
正性抗蚀剂
在电子束辐射下发生胶联反应，由于
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 1、光刻胶的组成、分类
光刻时接受图像的介质称为光刻胶，以光刻胶构成的 图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀，图形就转移到晶片表 面的薄膜上了，所以也将光刻胶称为抗蚀剂。 （1）光刻胶的分类 ① 根据曝光源和用途 A. 光学光刻胶（主要是紫外线）
B. 电子抗蚀剂 C. X-射线抗蚀剂
微电子工艺基础
预烘和底胶蒸气涂覆
微电子工艺基础
脱水烘培
第8章光刻工艺
二、光刻胶
4、对准和曝光 （1）概述
对准和曝光(A&E)： （教材P153最下） ① 把所需图形在晶圆表面上定位或对准 ② 通过曝光灯或其他辐射源将图形转移到光刻胶涂层上 光刻胶是光刻工艺的材料核心 A&E则是光刻工艺的设备核心。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
一、概述 4、光刻工艺步骤概述（**）
（1）图形转移的两个阶段 ② 图形从光刻胶层转移到晶圆层
微电子工业基础
4、光刻工艺步骤概述（**） （2）十步法
第8章 光刻工艺
一、概述
微电子工业基础
第8章 光刻工艺
二、光刻胶
1、光刻胶的组成、分类 2、光刻胶的参数 3、正负胶比较 4、电子抗蚀剂 5、X-射线抗蚀剂
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 1、光刻胶的组成、分类
（3）正胶
当前常用的正胶由以下物质组成的：酚醛树脂、光敏剂 邻 重 氮 醌 和 溶 剂 二 甲 氧 基 乙 醛 等 。 响 应 波 长 330430nm，胶膜厚1-3μm，显影液是氢氧化钠等碱性物 质。曝光的光刻胶光分解后易溶于显影液，未曝光的胶 膜难溶于碱性显影液。
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、正、负胶的比较
（1）正、负胶和掩膜版极性的结合（参见教材P131和P132）
掩模板的 图形是由 不透光的 区域决定
的
在掩膜板上 的图形是用 相反的方式 微电子编工码业的基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、正、负胶的比较
（2）负胶
负胶大多数由长链高分子有机物组成。 例如：由顺聚异戊二烯、对辐照敏感的交联剂以及溶剂组成的 负胶，响应波长330-430nm，胶膜厚度0.3-1μm，显影液是 有机溶剂如二甲苯等。曝光的顺聚异戊二烯在交联剂作用下交 联，成为体形高分子并固化，不再溶于有机溶剂构成的显影液， 而未曝光的长链高分子溶于显影液，显影时被去掉。
微电子工艺基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、涂光刻胶
要求： ① 胶膜均匀（均匀性达到正负0.01微米的误差） ② 达到预期的厚度 ③ 与衬底薄膜粘附性好 ④ 无灰尘和夹杂物 ⑤ 使用黄光或红光照明，防止光刻胶失效
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 2、涂光刻胶
（1）静态涂胶工艺
在光刻胶被分散开之后，高速旋转还要持续一段时间以便使 光刻胶干燥。
三、曝光显影阶段 1、表面准备
（1）微粒清除 （2）保持衬底表面的憎水性（P144最下部分）
① 室内湿度保持在50%以下，并尽可能快地进行光刻 ② 把晶圆存储在干净的氮气净化过的干燥器 ③ 采用HF结尾的清洗工艺 ④ 脱水烘培 ⑤ 涂底胶（六甲基乙硅烷HMDS）（沉浸式或旋转式）
微电子工业基础
Wafer Clean Process（新方法）
微电子工艺基础
Photoresist Spin Coating
微电子工艺基础
Photoresist Spin Coating