液态铝电解电容器特性介绍

液态铝电解电容器特性介绍
液态铝电解电容器特性介绍

液态铝电解电容器

第一节概述 (1)

第二节物理特性 (2)

1.1 铝电解电容器的结构与组成 (2)

1.2 制作过程 (3)

第三节性能参数和测试方法 (6)

3.0 铝电解电容器的电路模型 (6)

3.1 电容量 (7)

3.2 等效串联电阻 (10)

3.3 等效串联电感 (11)

3.4 阻抗(Z) (11)

3.5 损耗因数(DF) (12)

3.6 纹波电流 (13)

3.7 漏电流(DCL) (16)

第四节设计选择与应用 (17)

4.1 电压 (17)

4.2 电容器的串联 (18)

4.3 寿命与可靠性 (19)

4.4 电解电容器寿命的估算 (21)

第五节失效模式与失效机理 (22)

5.1 失效模式 (22)

5.2 自愈特性 (24)

5.3 失效案例 (24)

第六节器件品牌 (24)

6.1 muRata电容软件:............................................................................... 错误!未定义书签。

6.2 AVX电容软件:..................................................................................... 错误!未定义书签。第七节采用标准. (24)

第八节技术趋势 (25)

□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□□第一节概述

以阀金属铝正极,在其表面用电化学的方法形成氧化膜作为介质,用电解液作为负极,并紧密接触于氧化膜介质,用另一金属作为负极引出的电容器称为铝电解电容器。

优点:氧化膜有自愈作用,价格便宜,单位体积的容量大,大量应用于低频滤波中相对而言,电压可以做得较高些,钽电解、铌电解都做不到200V,铝电解在国外可以做到730V。

缺点:漏电流大,损耗大,频率特性差,不能承受低温和低气压,一般只能用于地面设备。

各种电容器性能比较

各类电容器的主要应用场合

第二节物理特性

1.1 铝电解电容器的结构与组成

铝电解电容器主要是由含浸有电解液的芯包(由阳极箔片、阴极箔片、电解纸卷绕而成)、引出端(通过引出条和阳极箔、阴极箔铆接在一起)、铝壳以及封口材料共同构成。各个部分的结构如图1所示。

看起来电容量是在两个金属箔之间,实际上是在阳极金属箔和电解液之间。正极板是阳极金属箔;电介质是阳极金属箔上的绝缘铝氧化物;真正的负极板是导电的液态电解质,阴极金属箔仅仅是连接电解液。

1.2 制作过程

图5示出了液态铝电解电容器的制作加工过程。主要分为腐蚀(

Etching)、化成(Forming)、切割(Slitting)、卷绕(Winding)、含浸

(Impregnation

)、组装(Assembly)、

老化(Aging)、加工出检(Processing)等七大步骤。

腐蚀

阳极和阴极金属箔是由高纯度的,很薄的只有0.02—0.1mm铝箔做成的。为了增加极板的等效面积并因而增加电容量,与电解液接触的表面积的增加是通过腐蚀(也称为蚀刻)金属箔,溶解铝来完成的,这样可使整个铝箔的表面形成一个高密度的网状的有几十亿个精细微管道的结构。蚀刻技术是牵引在滚筒上的铝箔通过氯化物溶液,并且在蚀刻溶液和铝箔之间加AC,DC或AC&DC电压。表面面积对于低压电图1 电解电容器剖面图图2 电解电容器的基本组成

图5 液态铝电解电容加工过程

容来说可以增加100倍,对于高压电容来说可以增加20-25倍。

化成

阳极铝箔上附有电容器的电介质。电介质是一层很薄的铝氧化物(Al2O3),它是在阳极铝箔上化学反应生成的,这个过程叫“化成”。 化成的完成是通过牵引在滚筒上的阳极铝箔通过一个电解液池,并且在电解液池和铝箔之间施加持续的DC 电压,也就是化成电压,这个电压是最后电容器额定电压的135%-200%。化成电压决定铝氧化物的厚度,两者之间的关系大致为1.4~1.5nm/V 。例如,一个450V 的电容器的阳极箔的化成电压超过600V ,氧化物的厚度大约是900nm ,这个厚度还不到人头发的百分之一。化成显著地减小了铝箔的有效表面积,因为氧化物闭塞了部分的精细微管道。管道的蚀刻模式的调整是通过选择铝箔和蚀刻工艺进行的,低压电容器阳极有密集的管道模式对应薄的氧化物,高压电容器阳极有粗糙的管道模式对应厚的氧化物。阴极铝箔不用化成,它保持着很高的表面积和高密度的蚀刻模式。化成

图6 低压电容器用腐蚀后的铝箔(Cubic Shape )

(a )表面视图

(b )剖面图

图7 中高压电容器用腐蚀后的铝箔(Tunnel Shape )

(a )表面视图 (b )剖面图

过程中,铝氧化膜的形成方式可以用如下电化学反应方程式表示:

2Al+3H2O→Al2O3+3H2 (Gas) ↑+3e- (Electron)

切割

铝箔的蚀刻和化成是在一个40-50cm宽的大卷上完成的,然后根据最终电容器的长度裁切成各种不同的宽度。

卷绕

电容元件的卷绕是在有轴的卷绕机上完成的,一层隔离纸,一层阳极箔,另一层隔离纸和阴极箔。这些被卷绕成圆柱形,用一个压力敏感的带子绑紧防止展开。这些隔离物的作用是防止铝箔之间接触形成短路,并在后来保留住电解液。在卷绕铝带前或卷绕铝带过程中为后来连接电容器端子附上箔。最好的方法是通过冷焊,把铝箔焊上带子,带子的位置在卷绕期间由微机控制,那样电容元件的电感可以低于2nH。老的附件的方法是通过立桩标界,一个方法是冲压整个带子然后折叠被冲压下的金属箔。冷焊可以减少短路失效,达到更好的高纹波电流性能和放电性能。

浸渍

将电容器元件注入电解液,去浸透纸隔离物并且渗透到蚀刻管道里。注入的方法可能会涉及到器件的浸入和真空压力周期的使用,不管使用或不使用加热,或者在小单元情况下仅仅是简单的吸收。电解液是根据不同的电压和工作温度范围而使用不同的配方成分复杂的混合物。电解液实际上就是电容器的阴极,电容器对电解液特性的要求有:1、必须具有很好的导电能力;2、在阳极氧化膜破损的情况下,它必须能够为铝氧化膜提供治愈能力;3、和阳极氧化膜、阴极氧化膜以及密封材料之间必须有足够的化学稳定性;4、需要有特别好的浸透能力。电解液的这些特性将会决定着电容器的各项性能指标。其主要成分是溶剂和导电性的盐——一种溶质——用来导电的物质。普通的溶剂是乙烯乙二醇(EG), 二甲基的甲酰胺(DFM)和γ丁内酯(GBL)。普通的溶质是铵硼酸盐和其它的铵盐。EG典型应用于额定值为-20℃或-40℃的电容。DFM和GBL经常应用于额定值为-55℃的电容。

在电解液里水起很大的作用。水增加了导电性因此降低了电容的阻抗。但是它降低了沸点因而妨碍了高温性能,缩短了贮藏寿命。几个百分点的水是必要的,因为电解液要维持铝氧化物电介质的完整性。当漏电流流动时,水分解为氢和氧,氧被附着在阳极金属薄片上通过增加更多的氧化物来修复漏电位置。而氢通过电容的密封橡胶溢出。

组装

在完成浸渍后,需要对电容器做封口的动作,电容元件被密封在一个罐子里。尽管大部分的罐子是铝,石碳酸的罐子经常被用在马达启动器的电容上。为了释放氢,密封圈不是密闭的,它经常是压力封闭的,即将罐子的边沿滚进一个橡胶垫圈,

一个橡胶末端插销或滚进压成石碳酸薄板的橡胶。在小电容中模子石碳酸树脂或聚亚苯基硫化物可以替代橡胶。太紧密封会导致压力增加,太松则密封会因为电解液的可允许的流失而导致缩短寿命。

老化

在此,电容完成了整个装配周期。最后的生产步骤是老化,即给电容加上高于额定电压但是小于化成电压的直流电压,通常是在电容的额定温度下加上电压的,但是也可能使用其它的温度甚至室温。这个步骤改良了在阳极薄膜上的剪切边缘和任何坏点,覆盖上任何未带铝氧化电介质的裸铝。老化可以减少或消除早期寿命失效(早期失效)。低的初始的直流漏电流就是有效老化的表征。

加工出检

在完成老化之后,一般还要根据客户的要求对电容器进行再加工,包括贴片封装形式电容器的塑胶底座安装,引线端子的特殊形状加工和切割,大尺寸电容器的固定装置安装等。在此之后厂商会依据标准规范以及测试要求对电容器进行检测,以保证产品的品质。

第三节 性能参数和测试方法

3.0 电路模型

当两个导电体用一个绝缘体隔离开,电容量就会产生。电容是一个电子器件被用来传递电容量。电容量以uF 为单位计算公式如下:

ε是电介质常数,S 是极板面积(单位用cm 2),d 是极板间介质的厚度(单位用cm )。介质常数是同真空相比介质所能承载的电容量倍数的增加。对于铝氧化物介质常数大约是8。

图8 电容器的再加工

图3给出了液态电解电容器的等效电路模型,考虑了阳极铝箔、阴极铝箔、铝极板上的氧化膜、电解液等组成部分对电容器参数的影响,同时电路中还模拟了铝电解电容器在正常操作和过电压以及反向电压时的行为。其中,R1表示电极和引出端子的电阻,R2表示阳极氧化膜和电解质的电阻,R3损坏的阳极氧化膜的绝缘电阻,D1具有单向导电性的阳极氧化膜,C1阳极箔的容量,C2阴极箔的容量,L电极及引线端子等所引起的等效电感量。

为了表述和计算的方便,图4给出了液态铝电解电容器的简化等效电路模型。电容C是等效电容量,随着频率的增加它会减少。一般电容量范围从1uF到1F。

电阻Rs是等效串联电阻值,随着频率和温度的增加它会减少。随着额定电压增加它会增加。典型值范围从10mΩ到1Ω,对于一个给定的额定电压Rs与电容量成反比。

电感Ls是等效串联电感量,它相对不受频率和温度的影响,对于径向引线的类型典型值范围是从10nH到30nH。电感Ls随端子空间的增加而增加。

电阻Rp是等效并联电阻,也称为绝缘电阻,它决定电容中的漏电流。其值随电容量,温度和电压的增加而减少,随时间的增加而增加。典型值用100/C MΩ来计算,其中C的单位是uF。

齐纳二极管D模拟过电压和反向电压的行为。高于电容冲击电压额定值50V的过压的应用会造成高漏电流和常压操作模式即很像齐纳二极管反向工作的情况。反向电压远远超过1.5V的应用将造成高漏电流很像二极管正向导通的情况。这些工作模式都不会保持很长时间因为由电容器所产生氢气的压力的积累将造成电容器损坏。

3.1 电容量

电容量是电容器最重要的参数,也是我们最关注的一个性能参数。在液态铝电解电容器的结构描述中知道,电容器实际上有阳极和阴极两个铝箔,外在表现的电容容量实际是阳极和阴极两个电容器串联所得到的结果。阳极铝箔所形成的电容器容量Ca可用下式来表示:

阴极铝箔上有一个阴极电容Cc,阴极铝箔上的电介质氧化膜是由化成电压,或者是在储存过程中自然形成的(这种情况下的电压一般在1V以下)。电容器外在表现的电容量可以表示为:

标准电容器的容差是±20%(M),但是在特殊场合应用时也有±10%(K)的容差。铝电解电容器的容量会随温度和频率的变化而改变,测试标准规定容量要在120Hz 、常温条件下测试。

AC 和DC 电容量

电容量可以通过测量电容器的交流阻抗(需要考虑幅度和相位)或者通过施加直流电压测量电容器的充电电荷量来获取,两种方法获得的电容量会有所不同。一般来说,用直流电压所测到的直流电容量要比用交流电压测试所得到的交流电容量要大。直流电容量大约是交流电容量的1.1~1.5倍,这种偏差对于低压电解电容器表现的更为突出。在多数应用场合中,比如滤波和耦合,最关注的是交流电容量。

额定电容量C R

额定电容量是交流电容量的容值,被标示在电容器表面上的电容量也是这个容值。额定电容量的测量会参照相关的国际标准,比如IEC-60384-1、IEC-60384-4。

电容量公差

电容量的公差是指可允许电容量的最大值和最小值,用相对于额定电容量的百分数的增加和减少来表示,即ΔC/C 。液态铝电解电容器典型的电容量公差是±20%,-10%+50%和-10%+30%,±10%。 图9是公差与其字母表示方法的对比表。比较小的公差在高压电容中比较容易得到,比如高于150V 的电容,但是公差小于±10%一般达不到。主板上所使用的低压电容器公差一般是±20%。值得注意的是比较小的公差的器件可以符合其它的公差的需要,很容易替代。电容量是随温度和频率而变化的。这个变化的本身是依赖于额定电压和电容尺寸,但是这个公差是标准测试条件下所允许的公差。

电容量的温度特性

电容量随温度的变化而变化,温度是影响电容量的一个很重要的量,这种变化趋势可参考图10。由于温度的下降,电解液的粘度增加,导电性能下降,导致电容量下降。这个变化的本身在某种程度上就依赖于额定电压和电容的尺寸的。从25℃到温度最高限电容量的增加量一般要小于5%。对于额定温度为-40℃的电容,低压电容器在-40℃时电容值一般可下降20%,高压电容器的容量一般下降40%。大多数电容器的容量下降现象出现在-20℃和-40℃之间。对于额定温度为-55℃的电容,在-40℃时电容值的下降量一般小于10%,在-55℃时一般小于20%

。需要特别说明的是图9 电解电容器容量公差的表示

这种电容量随温度变化的现象在交流电容量上表现得比较明显,在直流电容量上表现得就没有那么明显。

(a)低压电容器情况

(a)高压电容器情况

图10 电容量随温度的变化曲线

电容量的频率特性

等效电容值随频率的增加而降低。根据电容量自谐振频率一般低于100kHz。在自谐振时,器件是阻性的,超过它器件是感性的。端子的类型(比如轴向,径向,螺丝端子)将影响电感特性。小的径向端子的电容有小于20nH的电感。大的电容根据端子空间有更大的电感量。

电容量的测试

对于铝电解电容,是在20±2℃时测试在一个测量桥式电路中等效串联电路中的电容量作为电容量,测量桥式电路用120Hz ±20%没有谐波含量最大AC 信号电压为1Vrms 没有正向偏置电压的电源来供电,这是因为一般情况下工频交流电经过整流之后所得到的频率是120Hz ,而且这个微弱的交流信号不会使电容器反向击穿。主板上所使用的低压液态铝电解电容器测量时为了保证电容器始终承受正向电压,使用的是+1.5~2.0V .DC 叠加交流0.5Vrms 电源的方式测量。

3.2 等效串联电阻

等效串联电阻(ESR )是一个单一的电阻值,它代表了电容中所有的与电容相串联的欧姆损耗。 电解液的电阻是铝电解电容器等效串联电阻(ESR )的主要部分。低等效串联电阻的铝电解电容器实际上是采用了低电阻率的电解液。

ESR 的温度特性

由于电解液的电阻是铝电解电容器ESR 的主要部分,而且绝大部分电解液的电阻率随温度的上升而减小,因而ESR 随温度的增加而降低。从25℃到最高温度限ESR 大约降低35%~50%。但是在最低温度现时ESR 的增加在极限情况下可能超过10倍。对于额定温度为-20℃或-40℃的电容,在-40℃时ESR 的增加可能超过100倍。

ESR 的频率特性 ESR 随频率而变化,在低频时ESR 随着频率的增加而稳定地下降,在谐振频率处跨越到固定的ESR ,谐振频率与电容量成反比。谐振频率的典型值小于100kHz 。高电容量的电容的ESR 随频率的增加变化很小,因为较高的电容量,其谐振频率较低。

图12 ESR 随温度的变化关系曲线

ESR的测量

对于铝电解电容,是在25℃时测试在一个桥式电路中等效串联电路中的电阻值作为ESR的值,测量桥式电路采用有效值为1V的最大交流信号电压和无正向偏置电压的120Hz电源供电。一般情况下,电容器的ESR在电容器参数表中不会给出来,这是因为120Hz下液态铝电解电容器的ESR较大。但是电容器的性能参数表都会给出100KHz下的阻抗值,而液体铝电解电容器的谐振频率点一般是在100KHz左右,所以所给100KHz条件下的阻抗值可以近似认为是这个条件下的ESR。对于ESR较低的液体铝电解电容器(如Rubycon的MBZ系列电容器),为了充分展示电容器在这方面的优越性,电容器生产厂商一般采用20℃、100KHz的条件来测量ESR值。

3.3 等效串联电感

电容器的等效串联电感(ESL)是由电容器的引脚电感与电容器两个极板的等效电感串联构成的,等效串联电感对于频率和温度相对独立。对于径向引线封装的电容器,其典型值的范围是10nH~30nH;对于螺丝端子类型的电容器,其典型值的范围是从20到50nH;对于轴向引线类型的电容器,其典型值高达200nH。

3.4 阻抗(Z)

铝电解电容的阻抗实际上是阻抗的幅值,它是在一个给定的频率下电压与电流的比值,它与电容的电容量,ESR以及串联电感有关,如下所示:

Z=

Z是阻抗(单位为Ω),ESR是等效串联电阻(单位为Ω),f是频率(单位为Hz),C时电容量(单位为F),L是等效串联电感(单位是H)。

Z的温度特性

Z随温度的升高而减小,随温度的降低而增大。从25℃到最高温度限阻抗的减少量通常小于5%,但是在最低温度限时阻抗的增加高达10倍。

Z的频率特性

阻抗的频率特性由容性阻抗(1/2лfC),感性阻抗(2лfL),和在电解液中的电阻损耗所决定。在低频段容性阻抗(1/2лfC)起主要作用,电容器阻抗表现为容性;

当频率达到自谐振频率点时阻抗最低,在这个频率上阻抗值等于ESR ;到高频段感性阻抗(2лfL )起主要作用,电容器的阻抗表现为感性。

Z 的测量

对于铝电解电容,是在25℃时测量在一个测量桥式电路中等效串联电路中的阻抗幅值作为Z ,测量桥式电路是用从10Hz 到100kHz 的可变频率没有谐波含量且AC 信号电压为1Vrms ,没有正向偏置电压的电源来供电。阻抗的测量主要是为了得到典型的性能曲线以及最低温度下的阻抗。 对于低温阻抗的测量,把电容放在一个恒温箱内,温度设在低温限的±2℃。在120±5Hz 下使用任何能够提供精度为±20.5%的合适方法来测量阻抗。当温度稳定以后,尽快地使用尽可能小的一个AC 测量电压来做测试,以避免造成电容发热。以15分钟为间隔所作的两个连续测试试验的结果显示没有变化就可确信电容已经达到热稳定。

3.5 损耗因数(DF)

在电容器的等效电路模型中,等效串联电阻ESR 与容抗Xc(1/2πfC)之比称为损耗角正切,也用Tan δ表示。也即

Tanδ=ESR/Xc=dissipated energy/stored energy

可见,Tan δ表示信号的交流分量在电容器上的损耗能量与信号的交流分量总能量之比。一般地,将标准测试频率下的损耗角正切,称为损耗因数DF(Dissipation Factor),DF 的倒数称为Q(品质因数:Quality factor)。损耗因数是测量损耗角的正切值并用百分数来表示。

图14 阻抗Z 随温度和频率的变化曲线

DF是用百分数表示的没有单位的数值,测试频率f的单位是Hz,电容量C的单位是uF,ESR的单位是Ω。

DF的温度特性

损耗因数随温度的升高而降低。从25℃到最高温度限时DF大约降低50%,但是在最低温度限时,DF增加超过10倍。额定温度为-55℃的更好的器件的DF值在-40℃时增加量不到5倍。

DF的频率特性

损耗因数在高频时随频率的变化而变化。DF用以下的公式来模拟:

DF=DF LF+2лfC (ESR HF)/10000

DF是用百分数来表示的总的损耗因数,DF LF是用百分数来表示的低频的损耗因数,ESR HF是高频时的ESR(单位Ω),f是测试频率(单位Hz),C是测试频率下的电容量(单位uF)。DF LF是由功率损失所造成的,功率损失是由于在铝氧化物上施加电场以排列分子的方向所产生的。ESR HF是由在薄膜,连接器和电解液/隔离物垫上的阻性损耗所造成的。电解液/隔离物垫上的电阻值经常起主导作用,它的电阻值随频率变化很小。DF LF的范围大约是从1.5%到3%。ESR HF的范围是从0.002到10Ω,随温度而降低。

上面DF的公式表明DF在低频时是个常数,在交越频率处跨越到降低的DF和固定的ESR,交越频率与电容量成反比。因为高电容量的电容其交越频率低,随着频率的增加高电容量的电容比低电容量的电容DF增加的更多。

DF的测试

DF的测试是在25℃用120Hz没有谐波含量最大AC信号电压为1Vrms没有偏置电压的电源来供电下完成的。如前所述,DF的值与温度和频率有关。

3.6 纹波电流

纹波电流是流进电容的交流电流。之所以称为纹波电流是因为其所关联的依附在电容的直流偏置电压上的交流电压的行进就像水上的纹波一样。纹波电流使电容发热,最大可允许的纹波电流决定于多大可被允许且仍能满足电容的负载寿命指标。太高的温升将使电容超过它的最大可允许管芯的温度而很快损坏,但是工作于接近最大允许管芯温度将大大缩短预期的寿命。对于铝电解电容工作于最大允许管芯温度其负载寿命指标典型值是1000到15,000小时。即六个星期到1.7年,对于大多数的应用这个时间都太短了。

纹波电流的技术规格

额定纹波电流又称为最大允许纹波电流。其定义为:在最高温度工作温度条件下电容器最大所能承受的交流纹波电流有效值。对于高压电容器指定的纹波为最高

温度下标准频率(一般为100Hz/120Hz )的正弦波;对于低压电容器,额定纹波电流为最高工作温度下,100KHz时的电流有效值。

纹波电流是由在额定温度下期望的温升所决定的。通常额定温度为85℃的电容允许的温升是10℃,最大允许管芯温度是95℃。通常额定温度为105℃的电容允许的温升是5℃,最大允许管芯温度是110℃。实际的最大允许管芯温度随电容器的类型和制造商的不同而变化。

纹波电流额定值通常假定电容是对流冷却,整个电容器外壳与空气接触。一般采用对流系数大小为0.006W/℃/in2来预测从空气到外壳的温升,管芯温度假设与外壳温度相同。功率损耗等于纹波电流的平方乘以ESR(P=I*ESR2)。

纹波电流的频率特性

电解电容的损耗因子(其与ESR有关)随所施加电压的频率不同而不同,故电容的纹波承受能力不是简单的一个固定量,跟其纹波频率还成一定关系。规格书中提供的某一数值往往指的是100或120Hz的频率,或是一些特定的频率条件下。在工作频率不是给定频率时,要调整额定纹波电流。在技术指标中会显示增加量,通常增加量取决于预期随频率的变化的ESR,但是ESR是温度,电容量,额定电压和频率的复杂函数。所以很难产生一个准确模拟其对依赖频率的纹波-频率的增量表,但对于其它频率情况,规格书通常会提供一个转换因数。图15给出了纹波电流与频率之间的关系曲线,而图16作为实例给出了Rubycon公司ZLH系列电容器的纹波电流频率降额因子,不同系列的电容纹波电流降额因子会有所不同,在无法获取的情况下可以使用此表。对于高纹波电流的应用要确认在你应用场合的频率下的ESR,并计算总的功率损耗。

图15 电容器承受纹波电流能力和频率之间的关系

图16 Rubycon ZLH系列电容器纹波电流频率降额因子

纹波电流与温度

电容器最大允许纹波电流除了受到交流频率参数的限制,还受环境温度、电容器表面温度(及散热面积)、损耗角度(或ESR)的限制。温度是电解电容器件寿命的决定性因素,因此由纹波产生的热损耗将成为电容寿命的一个关键参考因数。额定纹波电流是在最高工作温度条件下定义的数值。而实际应用中电容的纹波承受度还跟其使用环境温度及电容自身温度等级有关,图17给出了电容器承受纹波电流的能力和环境温度之间的关系。规格书中通常会提供一个在特定温度条件下各温度等级电容所能够承受的最大纹波电流。甚至提供一个详细图表以帮助使用者迅速查找到在一定环境温度条件下要达到某期望使用寿命所允许的电容纹波量。

图18给出了Rubycon公司ZLH系列电容器的纹波电流温度降额因子,液态铝电解电容器一般可统一使用此温度降额因子,但是需要明确这个降额因子的意义,规格书一般会给出电容器在最高温度下的使用寿命,表格给出其他温度下的系数实际是保证最高温度下的同样寿命而给出的纹波电流承受能力。举例:系列内某颗电容器在105℃下的寿命是8000小时,可承受纹波电流是1.5A,如果电容器工作在65℃,那么根据表格可知纹波电流承受能力是3.15A(1.5A*2.1),但是如果在65℃下给此电容器施加3.15A的纹波电流,那么其寿命也只有8000小时。

图17 电容器承受纹波电流能力和环境温度之间的关系

图18 Rubycon ZLH系列电容器纹波电流温度降额因子

3.7 漏电流(DCL )

作为电介质的氧化铝层具有的一个特性:即使在 DC 正向电压施加于电容器一段时间后仍有一个微小电流持续从正电极流向负电极。这个微小的电流即称为漏电流。越小的漏电流表明电介质制作得越精良。漏电流值依赖于给定的电压,充电周期和电容的温度。

DCL 的电压特性

漏电流值随着施加电压降低到额定电压以下后会迅速的减少。电压降额对漏电流的影响如下图19所示,图中VR 表示额定电压(Rated voltage ),VS 表示浪涌电压(Surge voltage ),VF 表示化成电压(Forming voltage )。

电容器阳极上的氧化膜形成了一个依据施加电压的改变而改变的电阻,随着施加电压的上升漏电流将会急剧增大。当所施加的电压超出了化成电压VF 值,新的化成过程产生,同时产生大量气体,而且发热量很大。实际上这种现象在曲线的弯曲处已经逐渐显现,为了保证电容器使用的可靠性,额定电压被定义在曲线的线性部分。由于浪涌电压持续时间不长,一般被定义在额定电压和化成电压之间。化成电压和操作电压之间的差异被称为过阳极氧化,它对电容的可靠性有非常重大的意义。

漏电流的时间和温度影响

当电压被施加到电容器上,在最初的几分钟内会有一个冲击电流产生,这种现象在长时期不上电的电容器上更加明显。上电持续一段时间后,漏电流会减少并达到一个稳态值,漏电流随时间的变化曲线如图20所示。

漏电流受温度的影响也比较明显,会随温度的升高而增大,图21示出了电容器漏电流随温度变化曲线。

图19 漏电流和所施电压的关系曲线

DCL的测试方法

在25℃的温度下,施加额定电压并通过测量电路中的与电容相串联的1000Ω保护电阻中的漏电流。施加电压5分钟以后,漏电流没有超过指标所给定的最大值为达标。

第四节设计选择与应用

4.1 电压

额定DC电压

额定直流电压是标示在电容上的电压,它是包括纹波电压的最大峰值电压,这个电压可能在额定温度范围内在端子之间持续的被供给。较高额定电压的电容可以代替较低额定电压的电容,只要外形尺寸,DF和ESR的额定值是兼容的。

额定冲击电压

额定冲击电压是最大的直流过电压,即25℃时时间不超过30秒,偶然的间隔不少于5分钟电容可能承受的电压。

在正常的室温下给电容通过一个1000Ω±10%的电阻器加上额定冲击电压(如果电容量是2500uF或更高,则使用(2500,000/C)Ω±10%的电阻,C是电容量,单位是uF)。循环加电压0.5分钟开启,接着4.5分钟关闭,当处于关闭状态时,每个电容通过充电电阻或等效电阻放电。重复循环120小时。公布测试的必要条件是DCL,ESR,DF满足最初的条件,且没有机械损坏或电解液的泄漏的迹象。没有小滴或可视流体的电解液残留物是允许的。

瞬间过载

铝电解电容一般能承受有限能量的非常高的瞬间过电压。超过电容冲击电压额定值50V以上的过载应用会造成较高的漏电流和固定电压工作模式就像齐纳二极管的反向击穿。如果电解液不能承受电压的压力,电容可能损坏短路,但是即使电解液能承受电压的压力,这种操作模式也不能维持很长时间,因为由电容所产生的氢气和压力的积累将造成损坏。但是特殊的设计是可以的,这种设计利用过压,齐纳二极管嵌位效应成功的保护设备不受像雷击等的瞬态过压的损坏。

反向电压

铝电解电容是有极性的,要用正确的极性来连接。它们可以承受高达1.5V的反向电压。更高的反向电压会通过压力积累和电容的安全孔结构的破裂而造成电容的损坏,导致相关联的开路或短路故障和电容压力释放口的破裂。而无极性和半极性的电容可以承受反向电压。电容器上会标示极性,在电路设计和安装时要检查每一个电容的极性。

电压的降额

电压的降额用百分比来表示,即给定电压小于额定电压的百分比,如一个450V 的电容工作在400V将有11%的电压降额。在应用中,在温度小于45℃工作时一般可以不需要降额。高于75℃,10%的降额是足够的。对于更高的温度和高的纹波电流,15%或20%的降额是合适的。既然随着进一步降额可持续增加工作寿命,军事和空间的应用使用30%的电压降额。在正常室温下,照相闪光(photoflash)电容可以在满额定电压下被使用,因为它们是为这样的用途而设计的。至少10%的电压降额对于频闪(strobe)电容有好处,因为它们连续工作会使它们变热。

4.2 电容器的串联

电容器串联时的工作情况

当电容器的额定电压达不到要求时,就需要将电容器串联起来使用。为了更好地平衡电容上的电压分配,最好要并联平衡电阻。图22示出了两个电容器串联使用时并联电压平衡电阻的电路。

图22 电容器的串联使用方法

如果电压V施加到串联电容器和电阻网络上,当电压分配均衡时流经R1、C1上的电流之和应该等于流经R2、C2上的电流之和,即:

Ic1+Ir1=Ic2+Ir2

阻容网络中点处的电压(Vm)可以被表示为:

Vm=Ir1*R1

可以得到Vm= (Ic2 - Ic1 + Ir2) x R1

进一步,Ir2可以被定义为:

Ir2 = (V-Vm)/R2

因此可以得到,

Vm= (Ic2-Ic1)*R1*R2/ (R1+R2) +V*R1/ (R1+R2)

可以看出Vm处的电压值取决于两个电容器漏电流之差(Ic2-Ic1)、所加电压V、平衡电阻阻值。一般情况下R1和R2的取值是相同的,用R表示其阻值,因而Vm可以表示为:

Vm= (Ic2-Ic1)*R/ 2 +V / 2

显然,阻容网络中点处的电压Vm与理想电压值V/2的偏差为(Ic2-Ic1)*R/ 2。

平衡电阻的选择

为了方便平衡电阻R的选择,我们可以推出平衡电阻R的计算公式:

R= (2*Vm-V)/ (Ic2-Ic1)

为了计算所需的最大电阻值,可以先设定V为所加的电压,Vm为可接受的最大中点电压(通常是电容器的额定电压值)。两个电容器的漏电流差值依赖于所使用的电容器、操作温度以及每个电容器上的电压。如果两个电容器的漏电流是在相同的电压下测试,那么通常它们的漏电流值大小是不等的。当把两个电容器放到电路中时,必须注意到漏电流低的那个电容器会承受更高的电压。但是漏电流与电容器上的电压呈正比(电压越低,漏电流越小),这将会使Vm趋向于V/2。

在实际应用当中,额定温度下电容器漏电流的差值的估计值为:1.5*Cr*V(nA),其中Cr是用uF表示的电容值,V是施加到串联电容器两端的电压。

4.3 寿命与可靠性

元件的可靠性可以被定义为在给定时间和条件下其能够满足性能要求的可能性。实际情况是不可能预测到单个元件的行为,因此我们必须借助于概率论的方法来研究。另外还有必要清晰地定义所施加应力等级(如操作电压、纹波电流以及温度等)和持续的时间。

虽然失效率或者寿命估计通常被用于设备设计中,但是液态铝电解电容器的可靠性通常用寿命(实际上是预期寿命)而不是失效率来衡量,这是因为电容器的失效模式就是彻底损坏。

电容器寿命评估方法

当电容器的容值发生改变,损耗角正切以及漏电流超过规定值,或者有明显的外观异常,都可以认为电容器的寿命达到了极限。影响电容器寿命的因素包括温度、湿度以及振动等,但是最重要的影响因素是温度,温度升高将会缩短电容器的寿命。

环境温度与寿命之间的关系

通常情况下,如果一个电容器在所允许的操作范围内使用,其预期寿命可以根据阿列纽斯(Arrhenius)理论计算,此理论认为温度每降低10℃寿命将会加倍。

L=2L0^[(T0-T)/10]

电压与寿命之间的关系

当电容器上的电压在额定电压之下时,电压对电容器寿命的影响相对于环境温度以及纹波电流对电容器寿命的影响要弱得多。因此,在计算电容器寿命时,一般会忽略电压的影响。

对于高压电容器应用于电源设备的滤波场合,电压降低会使漏电流减少,电解液的消耗也会减少。在这种情况下,电容器的寿命可能会因电压降低而延长。

纹波电流与寿命之间的关系

液态铝电解电容器的损耗角正切会比其他种类的电容器大一些,所以当纹波电流施加到电容器上时,内部因功率损耗而产生热,从而导致温度上升,寿命也受到影响。

电解电容器上的功耗可以用下面的公式计算:

P=P AC+P DC

P=I AC2*Re + V DC*I DC

P:电容器上的功耗(W);

P AC:纹波电流所带来的损耗(W);

P DC:漏电流所带来的损耗(W);

I AC:纹波电流(A);

Re:电容器的ESR;

V DC:电容器上的直流电压(V);

I DC:电容器的漏电流(A);

如果DC电压低于额定电压,漏电流极小,P AC>>P DC电压,电容器上的功耗计算公式简化为:

P=I AC2*Re

关于电容器功耗带来的表面的温升计算,日本NICHICON给出的计算方法如下:

电解电容器基本知识试题.doc

深圳市青佺电子有限公司 电容器基本知识试卷 單位﹕ 姓名﹕ 分數﹕ 一﹑选择题(请把正确答案之序号填在前面之括号内)(答案每题不一定为一个/每题2.5分) ( )1.本公司生产之电容器为﹕ A.铝质电容器 B.铝质电解电容器 C.电容 D.电解电容器 ( )2.电容器能贮存( ) A.电荷 B.能量 C.质量 D.负荷 ( )3.表征电容器贮存电量之能力﹐称为此电容器之 A.容量 B.能量 C.质量 D.电荷 ( )其一般表示单位为﹕ A. 法拉第(F ) B. 法拉(F ) C.安培 D.伏特 ( )4.电路中表征电解电容器之组件符号﹕ A. B. C. D. ( )5.本公司生产之电容器﹐其正箔由( )组成 A.铝箔且表面有一曾致密的氧化膜 B.铁箔 C.两者皆可 ( )6.电容器真正之负极为﹕( ) A.导针 B.铝箔 C.电解液 D.电解纸 ( )7.本公司生产之电容器之构造: A.电解液 电解纸 正负导针 正负铝箔 B.电解液 电解纸 铝壳 胶盖 胶管 C. E/L 电解液 铝壳 胶盖 胶管 D. E/L 胶盖 胶管 铝壳 ( )8.正箔表面有一层氧化膜﹐它的作用是﹕ A.绝缘 B.非绝缘 C.导体 ( ) 9.电解纸之作用﹕ A.吸收电解液避免正负箔直接接触 B.隔绝正负箔 C.导电 ( ) 10.法拉第定律为﹕ A.d s C ∑= B. s d C ∑= C. s d c C ??= ( ) 11.电容器之电容量与两极间的相对面积成﹕ A.反比 B.正比 C.比例 ( )13.电解电容器中两极间的距离指﹕ A.电解纸之厚度 B.氧化皮膜之厚度 C.电解纸与氧化皮膜厚度之和 ( )14.电解电容器之三大特性分别为﹕ A.静电容量 损失角 泄漏电流 B.阻抗 静电容量 泄漏电流 C.静电容量 损失角 阻抗 ( )15. 计算损失角之公式为(低频下)﹕ A.DF=fCR π2 B.DF=fCV π2 C.DF= CR π2 ( )16.漏电流之单位﹕ A.V B. μA C.?

电解电容器材料个人收集资料

电解电容器材料个人收集资料 1、电解电容器材料介绍 铝箔端子线耳片电解纸电解液胶盖 电木盖垫片铝壳胶管胶水胶布 2、电容器实体(如下图) 3、铝箔Aluminum Foil主要来源地:日本、意大利、美国、法国其次现中国、台湾等地区也有多家铝箔制造企业皆为外商投资企业,铝箔是电解电容器最主要的材料,它分正极箔与负极箔,两大类都是原箔(或称素箔)加工而成,参考如下: a、腐蚀箔:腐蚀箔是由原箔经腐蚀处理而来,其腐蚀处理的目的是增加原箔的表面积,电容器之电容量与铝箔之表面积成正比。故为在同一尺寸之铝箔经腐蚀处理使其成为凹凸不平表面,以增加其表面积,如图所示:

b. 负极箔:即有极性电解电容器用的负极铝箔,原箔经腐蚀处理后的负极箔都可当负极用,其负箔的纯度较正箔低,且比正极箔溥。 c化成处理Forming:化成的目的是在原箔或腐蚀箔的表面利用化学药品与直流电源的电解作用使它附着一层氧化: d. 正极铝箔:(正极箔)原箔或腐蚀箔经化成处理后,就叫化成箔,专做正极用。 4、载切:系根据生产计划、物料计划,生产选材后之裁切计划裁切,所有采购之整箱铝箔需裁切或相应宽度之铝片、铝宽,系根据生产产品之高度而计划裁切,目前厂内生产规格为3×5—78×110,那么裁宽应为35—100mm。 5、引线(端子): a.引线是铝箔与电子回路中焊锡用的桥梁,简单地说,就是利用端子将铝箔的电容量引导到外面来供使用,它分正负极,以CP线的长度来分正负,较长者为负,正负材质相同,仅为长短之分。如图(1): A:极板 B:铝梗 C:焊脚部 D:倒脚部 E:引线 F:R部

b.耳片是铝箔与电子回路中焊锡用的桥梁,简单地说,就是利用耳片将铝箔的电容量引导到外面来供使用,它分正负耳片,正负耳片皆要求外观表面无污染,杂质附着,正耳片要求含铝量为99.99%以上,负耳片要求含铝量99.5%以上。 6、电解纸:是在制程卷绕用来隔正负箔,以勉短路,但主要功能是在制程含浸液时用来吸收电解液,使电解液能均匀地附着于铝箔表面,目前市面上所用电解纸厚度有15—100μm不等,密度每立方历米为0.35—0.85克,吸水为每分钟7—70毫米,一般高压产品所选用电解纸密度较密,一般都选用0.85克之电解纸且抗拉力较高。 备注:a.电解纸主要来源地日本、西德。 b.电解纸的长度、宽度一定比铝箔宽、长,起绝缘作用。 7、电解液:(含浸液)电解液是由多种化学药品调合而成,用来浸积素子用,它和铝箔同等重要,对于电容器的特性和耐候性,有绝对重要性,简单地说,如果素子没有浸积电解液,则无法完全工作,起到电容器之主要作用。 电解液主要成份有:(纯水、乙二醇、硼酸、草酸、硼铵、甲基二乙二醇)。 电解液主要检验项目:(化成性、火花电压、电导度、PH、测试片外观有无腐蚀、斑点)。 8、迫紧(Paking)又名胶盖:封口橡皮,黑豆(台语)是由无然橡胶或合成胶(IIR EPT)其硬度在70—81之间,通常IIR材质在78±3,EPT在75±5,其功能是电容器的封口处有密封作用,胶盖直径3.5—4.1之间,它适用于S型系列产品。 9、电本盖又名组立盖:是由一层橡胶与木板组立,其中铝铆钉与端子铆接而穿过,橡胶层与电木板层作为电容器之引出线。电木盖与橡皮层厚度过通常为2.5—5.0毫米厚,直径通常言听计从20.9—75.0毫米,其功能是电容的封口处有密封作用。它适用于L型产品(牛角型)。

【生产管理】铝电解电容器生产工艺流程(DOC 6页)

铝电解电容器生产工艺流程(DOC 6 页) 部门: xxx 时间: xxx 制作人:xxx 整理范文,仅供参考,勿作商业用途

铝电解电容器生产工艺流程(附图片) (2009/12/18 15:19) 铝电解电容器主要原材料: 阳极箔、阴极箔、电解纸、电解液、导箔、胶带、盖板、铝壳、华司、套管、垫片等 生产工序 切割、卷绕、含浸、装配、老化、封口、印刷、套管、测量、包装、检验等 电解电容原材料分切 小型电解电容器自动卷绕机

大型电解电容器自动卷绕机 电解电容芯子含浸 电解电容高温老化 电解电容性能测试

铝电解电容制造进程: 第一步:铝箔的腐化。 倘若拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到内里是几多层铝箔和几多层电解纸,铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的机关,这样每两层铝箔中间便是一层吸附了电解液的电解纸了。 铝箔的制造要领。为了增大铝箔和电解质的战争面积,电容中的铝箔的外观并不是平滑的,而是通过电化腐化法,使其外观形成崎岖不屈的形状,这样不妨增大7~8倍的外观积。电化腐化的工艺是较量庞杂的,此中涉及到腐化液的种类、浓度、铝箔的外观状态、腐化的速率、电压的动态均衡等等。 第二步:氧化膜形成工艺。 铝箔通过电化腐化后,就要运用化学方法,将其外观氧化成三氧化二铝——也便是铝电解电容的介质。在氧化之后,要仔细检讨三氧化二铝的外观,看是否有雀斑也许龟裂,将不足格的清除在外。 第三步:铝箔的切割。 这个措施很简单明白。便是把一整块铝箔,切割成几多小块,使其适当电容制造的必要。 第四步:引线的铆接。 电容外部的引脚并不是直连接到电容内部,而是经过内引线与电容内部连结的。因此,在这一步当中我们就必要将阳极和阴极的内引线,与电容的外引线经过超声波键正当连结在一起。外引线通常采纳镀铜的铁线也许氧化铜线以削减电阻,而内引线则直接采纳铝线

不同材质电容特点

一、按照功能 1.名称:聚酯(涤纶)电容 符号:(CL) 电容量:40p--4μ 额定电压:63--630V 主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差 应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路 2.名称:聚苯乙烯电容 符号:(CB) 电容量:10p--1μ 额定电压:100V--30KV 主要特点:稳定,低损耗,体积较大 应用:对稳定性和损耗要求较高的电路 3.名称:聚丙烯电容 符号:(CBB) 电容量:1000p--10μ 额定电压:63--2000V 主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差 应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路 4.名称:云母电容 符号:(CY)

电容量:10p--0.1μ 额定电压:100V--7kV 主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路 5.名称:高频瓷介电容 符号:(CC) 电容量:1--6800p 额定电压:63--500V 主要特点:高频损耗小,稳定性好 应用:高频电路 6.名称:低频瓷介电容 符号:(CT) 电容量:10p--4.7μ 额定电压:50V--100V 主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路 7.名称:玻璃釉电容

符号:(CI) 电容量:10p--0.1μ 额定电压:63--400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)应用:脉冲、耦合、旁路等电路 8.名称:铝电解电容 符号:(CD) 电容量:0.47--10000μ 额定电压:6.3--450V 主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大 应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等 9.名称:钽电解电容 符号:(CA) 电容量:0.1--1000μ 额定电压:6.3--125V 主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容 应用:在要求高的电路中代替铝电解电容 10.名称:空气介质可变电容器

电容参数X5R,X7R,Y5V,COG详解(精)

电容参数:X5R,X7R,Y5V,COG 详解 在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家。 这类参数描述了电容采用的电介质材料类别,温度特性以及误差等参数,不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说,就是: X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容,这类电容适用于滤波,耦合等场合,电介质常数比较大,当温度从0°C 变化为70°C时,电容容量的变化为±15%; Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容,温度范围比较宽,随着温度变化,电容容量变化范围为±10%或者 +22%/-82%。 对于其他的编码与温度特性的关系,大家可以参考表4-1。例如,X5R的意思就是该电容的正常工作温度为 -55°C~+85°C,对应的电容容量变化为±15%。 表4-1 电容的温度与容量误差编码 下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在

使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一、NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%, 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO 电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 三 Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示 Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。 NPO,X7R及Y5V电容的特性及主要用途 NPO的特性及主要用途 属1类陶瓷介质,电气性能稳定,基本上不随时间、温度、电压变化,适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。特性: 电容范围 1pF~0.1uF (1±0.2V rms 1MHz) 环境温度: -55℃~+125℃ 组别:CG 温度特性:0±30ppm/℃ 损耗角正切值: 15x10-4 绝缘电阻:≥10GΩ 抗电强度: 2.5倍额定电压 5秒浪涌电流:≤50毫安

铝电解电容器生产工艺流程(DOC 6页)

铝电解电容器生产工艺流程(DOC 6页)

铝电解电容器生产工艺流程(附图片) (2009/12/18 15:19) 铝电解电容器主要原材料: 阳极箔、阴极箔、电解纸、电解液、导箔、胶带、盖板、铝壳、华司、套管、垫片等 生产工序 切割、卷绕、含浸、装配、老化、封口、印刷、套管、测量、包装、检验等 电解电容原材料分切 小型电解电容器自动卷绕机

大型电解电容器自动卷绕机 电解电容芯子含浸 电解电容高温老化 电解电容性能测试

接相连。大众注意这些小小的措施无一过错细密加工要求很高。 第五步:电解纸的卷绕。 电容中的电解液并非直接灌进电容,呈液态浸泡住铝箔,而是经过吸附了电解液的电解纸与铝箔层层贴合。这当中,选用的电解纸与平凡纸张的配方有些分歧,是呈微孔状的,纸的外观不及有杂质,不然将影响电解液的身分与性能。而这一步,便是将没有吸附电解液的电解纸,和铝箔贴在一块,然后卷进电容外壳,使铝箔和电解纸形成近似“101010”的隔断状态。 第六步:电解液的浸渍。 当电解纸卷绕完毕之后,就将电解液灌进去,使电解液浸渍到电解纸上。随着电解液配方的革新以及电解纸制造技能的提拔,目前铝电解液电容的ESR值也逐渐得以提拔,酿成往日的几多分之一。 第七步:装配。 这一步便是将电容表面的铝壳装配上,同时连结外引线,电容到这时已经根本成型了。 第八步:卷边。 若是是那种“包皮”电容,就必要通过这一步,将电容表面包覆的PVC膜套在电容铝壳表面。不外目前运用PVC膜的电容已经越来越少,主要因为在于这种原料并分歧适环保的趋向,而和性能展现没有太大相干。 第九步:组合装配。 第十步:充电、老化测试。

电容器基本常识

电容器基本常识

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電容器基本常識 一﹑電容器的基本構造﹕ 在正負兩極間加入介質(絕緣材料)乃是電容器的最基本構造﹒ 二﹑電容器的總類﹕ 1﹒含油紙質電容(Oil impregnated paper Capacitor) 以兩層以上的絕緣體當介質﹐在真空槽中含浸絕緣油﹐再予以封裝即可﹒ 2﹒金屬化紙電容(Metallized paper Capacitor) 3﹒聚乙酯膜電容(Polyester Film Capacitor) 4﹒金屬化聚乙酯膜電容(Metallized Polyester Film Capacitor)簡稱MPE 5﹒聚苯乙烯膜電容(Polystyrene Film Capacitor)簡稱P.S.Cap 6﹒聚丙烯膜電容(Polypropylene Film Capacitor)簡稱PP.Cap 7﹒金屬化聚丙烯膜電容(Metallized Polypropylene Film Capacitor)簡稱MPP Cap. 8﹒雲母電容(Mica Capacitor) 9﹒陶瓷電容(Ceramic Capacitor) 10﹒鋁電解電容(Aluminum Electrolytic Capacitor) 11﹒空氣電容(Air Capacitor) 12﹒聚碳酯電容(PC) 以上凡是金屬化膜電容器皆具有自我恢復作用和小型化的特色﹐自我恢復作用是經電壓瞬時破壞後﹐仍會恢復﹐不致短路﹐因其材料上蒸著之金屬物氣化蒸發飛散之

片式铝电解电容器结构讲解和生产流程

片式铝电解电容器结构和制作过程讲解 一、片式铝电解电容器的结构与特性 片式铝电解电容器是指适合于表面贴装技术(SMT)的铝电解电容器的总称。它是新一代微型化电子元器件,其引出端的焊接面在同一个平面上,适合表面贴装技术专用。 本项目所生产的片式铝电解电容器为非固体电解质片式铝电解电容器。这种片式铝电解电容器与其它片式电容器相比,价格低,标称电容量大,工作电压高,是其它片式电容器所无法替代的。其结构图如图1所示。 二、生产工艺流程 (一)工艺流程 三、主要工艺流程简介 1.切割工序 规定了绕箔(纸)环尺寸、分切宽度和允许偏差、切割毛刺、箔(纸)盘直径、纸和箔卷接

头数及接头标记等, 详见?片式铝电解电容器通用工艺?。 2.刺铆卷绕工序 规定了开片极限长度、打扁厚度要求、开花状况、开裂程度、接触电阻要求、芯子质量要求、芯子X光透视要求和芯子编带质量要求等,详见?片式铝电解电容器通用工艺?。 3.浸渍装配工序 规定了封口形状和尺寸、封口后外观质量要求、产品X光透视要求、芯子对外壳短路要求和产品再流焊要求等,详见?片式铝电解电容器通用工艺?。 4.老化分选工序 规定了老化的电压、温度、时间;规定了分选产品的电容量允许偏差、损耗角正切、漏电流等,详见?片式铝电解电容器通用工艺?。 5.座板编带工序 规定了座板产品的电容量允许偏差、损耗角正切、漏电流的要求;规定了座板尺寸、导针打扁厚度和宽度、导针翘起、导针在座板槽内位置、产品编带要求、坑带和盖带的相对位置和盖带的剥离强度等,详见?片式铝电解电容器通用工艺?。 四、市场情况 1.主要客户 国内:厦华、夏新、长虹、TCL、康佳、冠捷、中兴通讯 国外:三星、夏普、松下 2.主要应用 主要应用在显卡、显示器、计算机主板、液晶彩电、PDP-TV\LCD-TV、CD音响、汽车DVD 和数码相机等,目前用的最多的是显卡。主要作用主要是滤波,电路图如图2。 图2 滤波电路简图

电容器基本知识

電容器基本知識 一、定義:由兩金屬极板加以絕緣物質隔離所構成的可儲存電能的元件稱為電容器 二、代號:“C” 三、單位:法拉(F) 微法(uF) 納法(nF) 皮法(pF) 1F=106 uF =109nF=1012 pF 四、特性:通交流、阻直流 因電容由兩金屬片構成,中間有絕緣物,直流電無法流過電容,但通上交流電時,由於電容能充放電所致,所以能通上交流 五、作用:濾波、耦合交變信號、旁路等 六、電容的串聯、並聯計算 1.串聯電路中,總容量=1÷各電容容量倒數之和 例: 2.並聯電路中,總容量=各電容容量之和 例: 七、電容的標示: 1.直標法:直接表示容量、單位、工作電壓等。如1uF/50V 2.代表法:用數字、字母、符號表示容量、單位、工作電壓等 如:“104”表示容量為“100000pF” “Z”表示容量誤差“+80% -20%” “”表示工作電壓“50V” 八、電容的分類 1.按介質分四大類 1).有機介質電容器(極性介質與非極性介質,一般有真合介質、漆膜介質等)

2).無機介質電容器(雲母電容器、陶瓷電容器、波璃釉電容器 3).電解電容器(以電化學方式形式氧化膜作介質,如鋁Al2O3鉭Ta2O5) 4).氣體介質電容器(真空、空氣、充氣、氣膜復合) 2.按結構分四大類 1).固定電容器 2).可變電容器 3).微調電容器(半可變電容器) 4).電解電容器 3.按用途分 1).按電壓分低壓電容器、高壓電容器 2).按使用頻率分低頻電容器(50周/秒或60周/秒)和高頻電容器(100K周/秒) 3).按電路功能分:隔直流、旁路、藕合、抗干擾(X2)、儲能、溫度補償等 九、我司主要使用之電容: 1).電解電容 2).陶瓷電容(包括Y電容與積層電容、SMD電容) 3).塑膠薄膜電容(包括金屬薄膜電容器、X2電容器、嘜拉電容器) 電解電容(E/C) 一、概述 電解電容的構造是由陽箔、陰箔、電解紙、電解液之結合而成的,陽箔經化成後含有一高介電常數三氧化鋁膜(Al2O3),此氧化膜當作陽箔與陰箔間的絕緣層,氧化膜的厚度即為箔間之距離(d),此厚度可由化成來加以控制,由於氧化膜的介電常數高且厚度薄,故電解電容器的容量較其他電容高。電解電容的實值陽极是氧化膜接觸之電解液,而陰箔只是將電流傳屋電解液而已,電解紙是用來幫助電解液及避免陽箔、陰箔直接接觸因磨擦而使氧化膜磨損。 即電解電容器是高純度之鋁金屬為陽极,以陽极氧化所開氧化膜作為電介質,以液體電解液為電解質,另與陰极鋁箔所構成之電容器。

各种电容器的分类及特点

电容器是电子设备中常用的电子元件,下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍,以供大家参考。 1铝电解电容器: 它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质,插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理,做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性,适于电源滤波或低频电路中,使用时,正、负极不要接反。 2钽铌电解电容器 它用金属钽或者铌做正极,用稀硫酸等配液做负极,用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是:体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好,用在要求较高的设备中。 3瓷电容器 用瓷做介质。在瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是:体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适用于高频电路。铁电瓷电容容量较大,但损耗和温度系数较大,适用于低频电路。 4云母电容器: 用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是:介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小,适用于高频电路。 5薄膜电容器

结构相同于纸介电容器,介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容,介质常数较高,体积小、容量大、稳定性较好,适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器,介质损耗小、绝缘电阻高,但温度系数大,可用于高频电路。 6纸介电容器 用两片金属箔做电极,夹在极薄的电容纸中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小,容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大,适用于低频电路。 7金属化纸介电容器 结构基本相同于纸介电容器,它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔,体积小、容里较大,一般用于低频电路。 8油浸纸介电容器 它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里,能增强其耐压。其特点是电容量大、耐压高,但体积较大。此外,在实际应用中,第一要根据不同的用途选择不同类型的电容器;第二要考虑到电容器的标称容量,允许误差、耐压值、漏电电阻等技术参数;第三对于有正、负极性的电解电容器来说,正、负极在焊接时不要接反。

铝电解电容器的用途及其生产流程、注意点

铝电解电容器的用途及其生产流程、注意点 铝电解电容器是由铝圆筒做负极,里面装有液体电解质,插入一片弯曲的铝带做正极而制成的电容器称作铝电解电容器。 电容器是一种储能元件,在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时。电容器通常叫做电容。 一、电容器的种类及用途 1、按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器。 2、按电解质分类:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。 3、按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。 4、按制造材料的不同可以分为:瓷介电容、涤纶电容、电解电容、等 5、高频旁路:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器 6、低频旁路:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。 7、滤波:铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。 8、调谐:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。

9、、低耦合:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。 10、小型电容:金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、云母电容器。 以下为解说铝电解电容器的生产流程及生产注意点 二、铝电解电容器的生产流程及生产注意点 进料检验、裁切、钉接、卷绕、烘干、含浸、组立、套管、老化、分选、加工、包装、出货。 1、材料检验 对电容器的原材料进行检验。检验项目主要控制其的外观、特性。 2、裁切 对于裁切必须要控制好裁切过程所造成的毛刺、箔灰。必须要把毛刺与箔灰清理干净,以免造成在老化环节中爆炸。 同时要控制好裁切的宽度、扭曲度、平面度。 3、钉接 芯子在铆钉铝箔时要控制好厚度、花瓣的大少与对称。同时对铝箔在卷绕的过程中所造成的毛刺、短路、刮伤、跑片、上下留边、脚距等进行严格管控,作业员要自律检查、品管严控好对产品的首检 4、含浸 卷绕好的芯子在含浸前必须对其进行烘烤,让里面的水分能

电容基本知识

产品说明 贴片电容产品规格说明及选用基本知识 电容的种类有很多,可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上分主要有:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容(即贴片电容或MLCC)、电解电容、钽电容等。我们将贴片电容选用时需要注意的事项和一些基本知识拿出来一起与大家探讨. 如何理解电容介质击穿强度 介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示。 当外电场强度达到某一临界值时,材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射,产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效。除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足夠长的时间,将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流。这种模式与温 度密切相关,介质强度隨温度提高而下降。 任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降,而且和绝缘电阻一样,介质强度也与几何尺寸密切相关。由于材料体积增大会导致缺陷隨机出現的概率增大,因此介 质强度反比于介质层厚度。类似地,介质强度反比于片式电容器內部电极层数和其物理尺寸。基於以上考虑,进行片式电容器留边量设计时需要确保在使用过程中和在进行耐压测试(一般为其工作 电压的2.5倍)時,不发生击穿失效。 如何理解绝缘电阻IR 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质,其电子被离子键和共价键牢牢束缚住,理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率 是有限,并非无穷大,这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 电容器的射频电流与功率 这篇文章主要是讨论多层陶瓷电容器的加载电流、功率损耗、工作电压和最大额定电压之间的关系。通过电容的最大电流主要是由最大额定电压和最大功率损耗限制的。电容的容值和工作频率又决 定了它们的限制是可调节。对于在固定频率下一个较低容值的电容或者是一个电容在较低的频率下工作,它们的最高电压极限一般都比最大功率损耗的极限到达快一些。 最大的额定电压决定于电容器的阻抗(Xc),就好像功率损耗决定于电阻的阻抗,或者叫做电容的等效电阻(ESR) Xc是由公式:Xc=1/[2πFC]计算出来,这里的F是频率,单位是Hz;C是容量,单位是F。 在没有超出电容器的额定电压情况下,允许流过电容的最大电流峰值是这样计算出来的:I=Er/Xc这里的Er是电容器的额定电压,电流是峰值电流,单位是A。 流过电容的实际电流是这样计算出来:I=Ea/Xc,这里的Ea是应用电压或者是实际工作。 下面几个例子是讲解在固定的频率不同的电容器这些变数是怎样影响电压和电流的极限值。 例1:0.1pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上: 等效电阻:Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(0.1x10-12)]=1591ohms 电流峰值:I=500/1591=0.315Apeak或0.22Arms. 如果超过这个电流,则工作电压将会超过额定电压。 例2:1.0pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上: 等效电阻:Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(1.0x10-12)]=159ohms 电流峰值:I=500/159=3.15Apeak或者2.2Arms 如果超过这个电流,则工作电压将会超过额定电压。 例3:10pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上: 等效电阻:Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(10x10-12)]=15.9ohms 电流峰值:I=500/15.9=31.5Apeak或者22.2Arms 如果超过这个电流,则工作电压将会超过额定电压。 结论:最大功率损耗值是在假设电容器的端头是一个无穷大的散热器情况下计算出来得。这时传导到空气中的热量是忽略的。一个10pF,500V的电容器工作在1000MHZ的频率,在功率极限下工作 的电流峰值是7A,平均电流大概是5Arms。在这种工作电流情况下,电容器的温度将会升到125℃。为了稳定地工作,它的实际最大工作电流是2Arms,如果端头的散热效果很好可以到达3Arms。 如何理解电容器的静电容量 A.电容量 电容器的基本特性是能够储存电荷(Q),而Q值与电容量(C)和外加电压(V)成正比。 Q=CV 因此充电电流被定义为: =dQ/dt=CdV/dt 当外加在电容器上的电压为1伏特,充电电流为1安培,充电时间为1秒时,我们将电容量定义为1法拉。 C=Q/V=库仑/伏特=法拉 由于法拉是一个很大的测量单位,在实际使用中很难达到,因此通常采用的是法拉的分数,即: 皮法(pF)=10-12F 纳法(nF)=10-9F 微法(mF)=10-6F B.电容量影响因素 对于任何给定的电压,单层电容器的电容量正比于器件的几何尺寸和介电常数: C=KA/f(t) K=介电常数 A=电极面积 t=介质层厚度 f=换算因子 在英制单位体系中,f=4.452,尺寸A和t的单位用英寸,电容量用皮法表示。单层电容器为例,电极面积1.0×1.0″,介质层厚度0.56″,介电常数2500, C=2500(1.0)(1.0)/4.452(0.56)=10027pF 如果采用公制体系,换算因子f=11.31,尺寸单位改为cm, C=2500(2.54)(2.54)/11.31(0.1422)=10028pF 正如前面讨论的电容量与几何尺寸关系,增大电极面积和减小介质层厚度均可获得更大的电容量。然而,对于单层电容器来说,无休止地增大电极面积或减小介质层厚度是不切实际的。因此,平行 列阵迭片电容器的概念被提出,用以制造具有更大比体积电容的完整器件。 在这种“多层”结构中,由于多层电极的平行排列以及在相对电极间的介质层非常薄,电极面积A得以大大增加,因此电容量C会随着因子N(介质层数)的增加和介质层厚度t’的减小而增大。这里A’指的是交迭电极的重合面积。 C=KA’N/4.452(t’) 以前在1.0×1.0×0.56″的单片电容器上所获得的容量,现在如果采用相同的介质材料,以厚度为0.001″的30层介质相迭加成尺寸仅为0.050×0.040×0.040″的多层元件即可获得(这里重合电极面积A’为0.030×0.020″)。 C=2500(0.030)(0.020)30/4.452(0.01)=10107pF 上面的实例表明在多层结构电容器尺寸相对于单层电容器小700倍的情况下仍能提供相同的电容量。因此通过优化几何尺寸,选择有很高介电常数和良好电性能(能在形成薄层结构后保持良好的绝 缘电阻和介质强度)的介质材料即可设计和制造出具有最大电容量体积系数的元件。 电容的型号命名 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成: 第一部分:用字母表示名称,电容器为C。 第二部分:用字母表示材料。 第三部分:用数字表示分类。 第四部分:用数字表示序号。 电容的标志方法 (1)直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2)文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位:P、N、U、M、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10PF 的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1PF,C——±0.2PF,D——±0.5PF,F——±1PF。 (3)色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为PF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示: 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V (4)进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成。

铝电解电容器生产工艺流程

铝电解电容器生产工艺流程 (附图片) (2009/12/18 15:19) 铝电解电容器主要原材料: 阳极箔、阴极箔、电解纸、电解液、导箔、胶带、盖板、铝壳、华司、套管、垫片等 生产工序切割、卷绕、含浸、装配、老化、封口、印刷、套管、测量、包装、检验等 电解电容原材料分切 小型电解电容器自动卷绕机

大型电解电容器自动卷绕机 电解电容芯子含浸 电解电容高温老化 电解电容性能测试 铝电解电容制造进程:第一步:铝箔的腐化。 倘若拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到内里是几多层铝箔和几多层电解纸,铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的机关,这样每两层铝箔中间便是一层吸附了电

解液的电解纸了。 铝箔的制造要领。为了增大铝箔和电解质的战争面积,电容中的铝箔的外观并不是平滑的,而是通过电化腐化法,使其外观形成崎岖不屈的形状,这样不妨增大7~8倍的外观积。电化腐化的工艺是较量庞杂的,此中涉及到腐化液的种类、浓度、铝箔的外观状态、腐化的速率、电压的动态均衡等等。第二步:氧化膜形成工艺。 铝箔通过电化腐化后,就要运用化学方法,将其外观氧化成三氧化二铝——也便是铝电解电容的介质。在氧化之后,要仔细检讨三氧化二铝的外观,看是否有雀斑也许龟裂,将不足格的清除在外。 第三步:铝箔的切割。 这个措施很简单明白。便是把一整块铝箔,切割成几多小块,使其适当电容制造的必要。 第四步:引线的铆接。 电容外部的引脚并不是直连接到电容内部,而是经过内引线与电容内部连结的因此,在这一步当中我们就必要将阳极和阴极的内引线,与电容的外引线经过超声波键正当连结在一起。外引线通常采纳镀铜的铁线也许氧化铜线以削减电阻,而内引线则直接采纳铝线与铝箔直接相连。大众注意这些小小的措施无一过错细密加工要求很高。 第五步:电解纸的卷绕。 电容中的电解液并非直接灌进电容,呈液态浸泡住铝箔,而是经过吸附了电解 液的电解纸与铝箔层层贴合。这当中,选用的电解纸与平凡纸张的配方有些分 歧,是呈微孔状的,纸的外观不及有杂质,不然将影响电解液的身分与性能。 而这一步,便是将没有吸附电解液的电解纸,和铝箔贴在一块,然后卷进电容外壳,使铝箔和电解纸形成近似“ 101010”的隔断状态。 第六步:电解液的浸渍。当电解纸卷绕完毕之后,就将电解液灌进去,使电解液浸渍

各种电容器的分类及特点

各种电容器的分类及特点 电容器是电子设备中常用的电子元件,下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍,以供大家参考。 1.铝电解电容器: 它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质,插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理,做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性,适于电源滤波或低频电路中,使用时,正、负极不要接反。 2.钽铌电解电容器: 它用金属钽或者铌做正极,用稀硫酸等配液做负极,用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是:体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好,用在要求较高的设备中。 3.陶瓷电容器: 用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是:体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大,但损耗和温度系数较大,适用于低频电路。 4.云母电容器: 用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是:介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小,适用于高频电路。 5.薄膜电容器: 结构相同于纸介电容器,介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容,介质常数较高,体积小、容量大、稳定性较好,适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器,介质损耗小、绝缘电阻高,但温度系数大,可用于高频电路。 6.纸介电容器: 用两片金属箔做电极,夹在极薄的电容纸中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小,容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大,适用于低频电路。 7、金属化纸介电容器: 结构基本相同于纸介电容器,它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔,体积小、容里较大,一般用于低频电路。 8、油浸纸介电容器:

铝电解电容器材料介绍

铝电解电容器材料介绍.doc 东莞市创慧电子厂0 正极箔:由纯铝经腐蚀、化成两道工艺而成,它是电容器的正极。铝纯度通常≥99.9%。当≥99.90%时铝纯度为3N,当≥99.99%时铝纯度为4N。 1、正极箔的TV值: TV值即其在85℃下测得的氧化膜耐压值,应≥箱标的VF值。 TV值决定了电容器的耐压值及其工作电压的高低。 一般情况下,普通85℃产品的正箔耐压、充电电压、工作电压之间的关系为TV=1.15AV=1.3WV。2、正极箔的TR值 正极箔的TR值即其在规定的电流密度及温度下电压升至0.9VF所需的时间。升压时间TR与耐压TV关系如下图。TR值与老化冷充时间密切相关。 3、正极箔的比容及其离散率 铝箔的比容即其单位面积(通常取1cm2 )的容量,比容的单位为μF/cm2。 比容离散率即其最大值与最小值之差与其平均值的比值,它直接影响到电容器容量的一致性。铝箔比容的高低在一般情况下,与其厚度成正比,与电压成反比,它对电容器的损耗值影响很大。所以在选用高比容的正箔做缩体品时,唯有在耐压上做出牺牲。 4、正极箔的耐水合性 正极箔的耐水合性即其在90℃的条件下恒温水煮60分钟后重新测得的TV、TR以及比容的变化情况。正极箔的耐水合性的好坏直接影响到电容器储存后的容量衰减及其他电性能的变化,换句话说也就是耐水合性的好坏直接影响到电容器的储存性能。 5、正极箔的机械强度 正极箔的机械强度包括抗弯强度及抗拉强度,抗弯强度的单位是次,抗弯强度的单位是N/cm 。一般正极箔的机械强度与其厚度、电压有密切的关系。 二、负极箔:负极箔是电容器的引出负极,由纯铝经过腐蚀而成,通常铝纯度为>98%。一般根据电容器正箔比容选取负箔比容,根据工作电压选取负箔厚度。 1、化成负箔的TV及TR 当电容器使用在高纹波电路时,可根据实际情况考虑是否选用化成负箔。 化成负箔的TV值要求≥箱标的VF值,升压时间TR要求≤5S。 2、负极箔的比容及离散率 负极箔的比容及离散率表示方法同正极箔,它也直接影响电容器容量的一致性。 负极箔的比容跟它的厚度与腐蚀深度有关,通常厚度越厚,比容越高,而对于化成负箔来讲,同等厚度的负箔电压越高,比容越低。 电容器的损耗与负箔比容成正比。

铝电解电容器生产工艺流程

铝电解电容器生产工艺流程(附图片) (2009/12/18 15:19) 铝电解电容器主要原材料: 阳极箔、阴极箔、电解纸、电解液、导箔、胶带、盖板、铝壳、华司、套管、垫片等 生产工序 切割、卷绕、含浸、装配、老化、封口、印刷、套管、测量、包装、检验等 电解电容原材料分切 小型电解电容器自动卷绕机

大型电解电容器自动卷绕机 电解电容芯子含浸 电解电容高温老化 电解电容性能测试

铝电解电容制造进程: 第一步:铝箔的腐化。 倘若拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到内里是几多层铝箔和几多层电解纸,铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的机关,这样每两层铝箔中间便是一层吸附了电解液的电解纸了。 铝箔的制造要领。为了增大铝箔和电解质的战争面积,电容中的铝箔的外观并不是平滑的,而是通过电化腐化法,使其外观形成崎岖不屈的形状,这样不妨增大7~8倍的外观积。电化腐化的工艺是较量庞杂的,此中涉及到腐化液的种类、浓度、铝箔的外观状态、腐化的速率、电压的动态均衡等等。 第二步:氧化膜形成工艺。 铝箔通过电化腐化后,就要运用化学方法,将其外观氧化成三氧化二铝——也便是铝电解电容的介质。在氧化之后,要仔细检讨三氧化二铝的外观,看是否有雀斑也许龟裂,将不足格的清除在外。 第三步:铝箔的切割。 这个措施很简单明白。便是把一整块铝箔,切割成几多小块,使其适当电容制造的必要。 第四步:引线的铆接。 电容外部的引脚并不是直连接到电容内部,而是经过内引线与电容内部连结的。因此,在这一步当中我们就必要将阳极和阴极的内引线,与电容的外引线经过超声波键正当连结在一起。外引线通常采纳镀铜的铁线也许氧化铜线以削减电阻,而内引线则直接采纳铝线与铝箔直接相连。大众注意这些小小的措施无一过错细密加工要求很高。 第五步:电解纸的卷绕。

常用电容器主要参数与特点

常用电容器主要参数与特点 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电解电容器的容值,取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值,也就是交流电容值,随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准JISC 5102 规定:铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz,最大交 流电压为(Voltage Root Mean Square,通常指交流电压的有效值),DC bias (直流偏压直流偏置直流偏移直流偏磁)电压为~的条件下进行。可以断言,铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。 电容器中存储的能量 E = CV^2/2 电容器的线性充电量 I = C (dV/dt) 电容的总阻抗(欧姆) Z = √ [ RS^2 + (XC – XL)^2 ] 容性电抗(欧姆) XC = 1/(2πfC)

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻。 当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

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