FED显示驱动电路结构及其场发射特性分析
场发射显示器

五、FED中的发射均匀性和稳定性问题
(4)分布式横向串联电阻结构 网格状串联电阻结构的缺 点是,当等位体薄膜上的任何 一个微尖发生短路击穿时,该 等位体薄膜上的所有微尖都失 效。改进措施是使每个像素都 包含多个这样的单元,即使个 别单元失效,对该像素影响也 有限。
分布式横向串联电阻结构及其等效电路
六、聚焦型微尖阵列场发射阴极
优点:减小电子束的发散度,实现高阳极电压工作。
聚焦极 栅极
竖直同轴聚焦型
共面聚焦型
六、聚焦型微尖阵列场发射阴极
聚焦型微尖照片
七、FED的主要制作材料和工艺
两组常用高、低压荧光粉的性能
低压荧光粉存在的问题:
色饱和度低,可见光转换效率低,亮度低,寿命短。
七、FED的主要制作材料和工艺
三、微尖阵列场发射阴极
金属微尖FEA制作过程
三、微尖阵列场发射阴极
金属微尖FEA的扫面电镜照片
三、微尖阵列场发射阴极
Si微尖FEA制作过程
三、微尖阵列场发射阴极
Spindt尖锥型场发射平面显示器件遇到的困难
(1)大面积Spindt尖锥阵列制作
大面积Spindt尖锥阵列制作是最大的难题。尤其是在追 求尖锥形成的一致性时,困难就更大。具体的难点在于要求有 庞大的工艺设备。 (2)封接、排气和消气技术的突破 在大面积显示器制作的过程中,必须解决封接、排气和消 气的技术问题。 (3)发射稳定性和均匀性差
三、微尖阵列场发射阴极
微尖形貌
三、微尖阵列场发射阴极
微尖阵列场发射阴极(FEA) 场致发射是在金属尖端上进行的。如果尖端曲率半径为1m, 尖端与阳极距离为1m左右,则当极间加上几十伏的电压,就会 在尖端表面上产生109V/cm数量级的强电场。 在忽略极间空间电荷的情况下,阴极发面尖端处场强与阳 极电压Ua成正比。即
碳纤维表面化学镀覆Ni纳米薄膜制备及其FED器件场发射特性

F N 方 程 理 论 计 算 碳 纤 维 化 学 镀 镍 的 场 增 强 因 子 -
f 说 明碳 纤维 C F 3, N s表 面 化 学 镀 镍 后 , 合 材 料 复
的 场 发 射 性 能得 到 有 效 提 高 , 为开 发 新 型 碳 基 场 发 射 阴极 材 料 提 供 了一 个 有 效 途 径 。 F D) 一 种 主 动 发 光 型 平 板 显 示 器 件 , E 是 它利 用 阴 极 发 射 电子 轰 击 阳极 荧 光 粉 而 发 光¨。 F D 显 示 i E
管 C T 碳 纤 维 CN s的 电学 和 光 学 等 诸 多 性 能 , N 、 F 针 对 碳 纳 米 管 C T 碳 纤 维 C s开 展 了 各 种 表 N 、 NF
碳纤维表 面 , 学镀反应持 续稳定 。 化 在 进 行 碳 纤 维 化 学 镀 镍 之 前 必须 要 对 碳 纤 维 表面 进 行 预 处理 , 处理 包括 除油 、 化 、 化 、 预 粗 敏
极 阵 列 常 采 用 碳 基 材 料 如 类 金 刚 石 材 料 、 金 刚 石 材 料 、 纤 维 、 纳 米 管 等 。 纳 米 管 C T及 碳 纤 碳 碳 碳 N 维 C s拥 有 负 电子 亲 和 势 ,而 大 大 降 低 场 发 射 NF 器 件 的 工 作 电压 , 备 突 出 的 场 致 发 射 性 能 。Y. 具
P y i n fr ai n i ei , u h uU i ri, u h uF j n3 0 0 , h a h s sa dI om t nE g e r g F z o n esy F z o ua 5 0 2 C i ) c n o n n v t i n
Ab ta t sr c :Ca b ie s ( ronf r CNF ) r u fca me al e yee toe sd p st dwi ik 1 b s we es r il t l d b lc r ls e o i t nc e. a i z e h
场致发射显示.

场致发射显示定义:场发射显示器(FED),即场致发射阵列平板显示或称为真空微尖平板显示器(MFD),是一种新型的自发光平板显示器件。
场致发射显示一、发展简史•1961年,Shouledrs.K.R提出用场发射电子源的纵向和横向真空微电子三极管的概念•1968年,斯坦福研究所的Spindt.C.A,用薄膜技术和钼尖锥工艺制作微型场发射阵列阴极。
•1985年,Meyer.R,微尖锥型阴极的矩阵选址阴极发光平板显示器•1988年,美国首届国际真空微电子学会议,标志真空微电子学的正式诞生•1989年,单色FED研制成功•1997年,全色FED研制成功•2001年,Sony公司13.2英寸全色FED场致发射显示场致发射显示On Nov. 23, 1999PixTech, Inc.announced thedelivery of the first12.1-inch FieldEmission Display(FED) to the U. S.ArmyFirst Delivery of 12.1”FEDFED的优点:•图像质量好、视角宽(1800)•功耗低(1-3w)、寿命长•无偏转线圈,无X射线辐射•响应速度快(<2 us)•体积小,重量轻•工作温度范围宽•制作工艺比较简单(与LCD及其它PDP比)总之,FED集中了CRT和LCD的优点,摒弃了它们的缺点,性能优良,极具竞争力的新一代显示器。
场致发射显示FED的应用领域:•< 6英寸的FED,替代CRT,作头盔显示•可以放在武器上左定位显示器•摄像器上的取景器•汽车的导航系统显示终端•电子照相机的显示器•仿真技术方面•便携式计算机显示屏•用作可视电话的显示器主要在军事领域场致发射显示二、FED的工作原理构成:场发射阵列阴极(FEAC)和显示荧光屏示意图:场致发射显示场致发射显示和材料有关的常数:与发射体现状,栅压;B A :)/(2g g g e U U B AU I−⋅=FED 的场发射理论场发射就是导体或者半导体表面施加强电场,使导带中的电子发射到真空中。
第七章_场致发射

FED结构
9
在FED中,电子是由与荧光屏大小相同的场发射阴极 阵列发出的,每个荧光粉发光点对应一个场发射阴 极。阴极发射电流由行和列电极上的电压控制,发光 是逐行进行的,因此每个阵列阴极的发射电流远远小 于CRT中的电子束流。 通常,由场发射阴极构成行电极,控制栅极(或称门 极)构成列电极。 涂有荧光粉的屏对应于发射极安放。阴极一栅极之间 加有低于100V的电压,被选通的发射极将在加电压的 瞬间发射电子,电流密度很低,驱动电路不必很复 杂,因此功耗很低。 FED是百万多电子源直接激发荧光材料,不必像 CRT需藉磁场控制电子枪射出的电子束路径,因此 CRT阴极到阳极距离需400mm而FED只需1mm左 右。连同极板玻璃在内,器件厚度不过6-7mm。
4
Field Electron Emission
Field emission from metal
5
场致发射理论
场(致)电子发射是指在强电场作用下,固体(非绝缘 体)发射电子的现象。 场致电子发射与需要激发的光电子发射、次级电子发 射和热阴极电子发射不同,基于电子隧道效应,无需 能量激发。 即固体中总能量低于表面势垒(逸出功φ)的电子不需 要增加任何能量也有可能透过固体表面而进入真空 中。外电场起到降低势垒高度和减薄势垒宽度(φ-EF) 的作用。 场致发射时,随外加电场的增强,发射体的表面势垒 的高度越来越低,宽度越来越窄,从发射体表面逸出 的电子越来越多,场致发射电流越来越大。
2
问题的铺垫
从固体中发射出(自由)电子按原理分 主要有: 1 、热电子发射 ——传统CRT的原理 2 、场致电子发射 ——新技术核心
3
热电子发射是靠升高物体温度-给发射体内部的电 子以附加能量,使一些电子越过发射体表面势垒 逸出而形成的电子发射方式。这种方式的发射能 耗高,同时还有时间的延迟性。 场致发射需要提供给体内电子以额外的能量,而 是靠强的外加电场来压抑物体的表面势垒,使表 面势垒的高度降低,宽度变窄,这样发射体内的 大量电子由于隧道效应穿透表面势垒逸出形成场 致电子发射。它没有时间延迟,功耗低,是一种 非常有效的电子发射方式。
CNT—FED点阵显示器件的研制及其驱动电路设计

2 .De a t n f E eto i c n e n eh o g ,E s C iaNoma iesy, p rmet l rnc S i c d T c n l y at hn r l vri o c s e a o Un t
Sh n h i 0 0 2 a g a ,2 0 6 ,CH N )
摘 要 :采用 丝 网印刷技 术 和等 离子体 表 面处 理方 法 , 制备 了 1 ×1 6 6点 阵式碳 纳米 管场发 射 显示器 件 ( a b n N n t b i dE sinDi ly C — E 。根据 C C r o a ou eFe mi o s a , NT F D) l s p NT— E 的结构特 FD 点 , 究 了 C — E 的显 示驱 动原理 , 计 了以 5 研 NT F D 设 1单 片机 为控制 核心 的驱 动 电路 , 实现 了点阵
维普资讯
第2 卷 第2 6 期
20 0 6年 6月
光 电 子 技 术
OP TOEL ECTRON I C TECHNOLOGY
Vo . 6 No 2 12 .
J n 06 u .2 0
C NT— E F D点阵显示器件的研制及其驱动 电路设计 ’
目前 , 国际上场 发射 领域研 究 最热 门 的冷 阴极
引 言
场 发 射 显 示 器 ( i d E sin ipa , Fe mis D s ly l o F D) E 是一种 新 型的平 板显 示器 , 有高亮 度 、 视 具 宽 角、 功耗、 低 响应 速 度 快 、 作 工 艺 简 单 等 诸 多 优 制 点 , 平板 显示 领域 具有 非 常好 的应用 前景 。 在
DAI i u n ,F NG Ta JANG J n , — a E o, I L j u WANG X L U in — u i, I o g , HANG F n i, I X a gh a L n 。 Z Qi e g ( .ReerhC ne u c o a e cn u trF l gne n L eh oo y h n h i ntueo 1 sa c e t o F nt n l mi d c i En ier g 8 cn lg ,S a g a s tt f rf i S o o m i T I i Mirss m a d If r t nT cn lg C ieeAcd m cecs S a g a ,2 0 , HN ; coyt n n omai eh oo y, hn s e o a e y o S ine , h n h i 0 0 0 C f 5
FED显示驱动电路结构及其场发射特性分析

D ENG J.a , HAN B n .i F ic i Z G ig 1 , ANG L — n ii l ( .Ma rl h s s a f d ct nMi syo C ia Z eghuU i ri ; 1 ti yi bo ua o n t f hn , h nzo n es y e aP c L E i ir v t
Ke r sfl m si i l ( E ; txades g d v gc ci; urn m d ywod :e e i o ds a F D) ma d rsi ; r i i ut cr t oe id sn py i r n i n r e
l 引 言
的实用化 步伐正在 加快。除 了场 发射材 料 的研究 外, 高性能的驱动电路研制也是 F D发展 的关键技 E 术之一 , 而亮度控制则是驱动的主要任务 , 为此本文 从 F D的调制特性分析人手 , E 结合其发射 电流等效 通路 , 分析了阴极驱 动电路 的驱 动特性及 电路结 构 对实现亮度线性调节的影响。
场发射显示器与场离子显示器—FED与FID

• FED英文全称是Field Emission Display,即场致 发射显示器。
• 依电子发射源而分,FED又可分为CNT(碳纳 米管型)、SED(表面传导型)、Spindt(圆 锥发射体型)、BSD(弹道电子放射型)等 类型。
• 目前最为看好的应用主要是CNT和SED两大技 术体系。
支撑间隔材料
• FED工作于真空条件下,显示屏又是平面型, 为了抵抗大气压力,FED上下基板之间必须采 用支撑结构
• FED支撑结构要求: • (1)支撑单元的支撑面积必须足够小,在显
示图像时不影响图像质量 • (2)支撑单元的体电阻和表面电阻必须很大,
使得阳极与阴极之间由于支撑单元造成的漏 电流可以忽略不计 • (3)为了防止电荷积累,支撑单元要具有合 适的电阻率,把电荷导走 • (4)具有足够大的支撑强度
PixTech FED
Spindt Type FED
PixTech 5.2”
In field emission displays, electrons coming from millions of tiny micro-tips pass through gates and light up pixels on a screen.
(1)在玻璃板上先后蒸上100nmMo层和200um非晶 硅电阻层,并光刻形成电极;
(2)沉积1umSiO2绝缘层和100umMo栅极,并光刻 成列电极
(3)涂光刻胶,并形成栅孔,干刻除去栅孔上的 Mo层
(4)进一步干刻除去栅孔下的SiO2层,直到电阻层 为止,除去表面光刻胶
工艺过程
(5)在垂直方向用电子束蒸发钼,同时在与水 平表面成15度的方向上蒸铝
真空度的维持
2024年发射显示器(FED)市场发展现状

发射显示器(FED)市场发展现状引言发射显示器(Field Emission Display,FED)是一种基于纳米级发射材料的新型显示技术。
相比于传统液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED),FED具有更高的亮度、更好的对比度和更快的响应速度。
本文将对FED市场的发展现状进行分析。
FED市场概述FED技术起源于20世纪90年代,经过多年发展,目前已经进入商业化阶段。
FED显示器因其出色的性能和可观的应用前景受到了广泛关注。
根据市场研究机构的数据,在全球范围内,FED显示器市场的规模逐年增长,预计未来几年将继续保持良好的发展态势。
FED市场主要驱动因素FED显示器在市场上积极发展的主要因素有以下几个方面:1.优越的画质表现:FED显示器具有更高的亮度和更好的对比度,能够呈现更真实、更细腻的图像,给用户带来更好的视觉享受。
2.快速的响应速度:FED显示器的响应速度远远超过液晶显示器和OLED显示器,特别适合用于观看高速画面,如电子竞技、体育赛事等。
3.低功耗:相比于其他显示技术,FED显示器具有更低的功耗,有助于节约能源和降低用户使用成本。
4.广泛的应用领域:FED显示器适用于各种应用场景,特别是需要高画质和高响应速度的领域,如电视、电脑显示器、游戏设备等。
FED市场面临的挑战尽管FED显示器有着广阔的发展前景,但在市场推广和普及过程中仍面临一些挑战:1.高成本:目前,FED显示器的制造成本相对较高,这导致其价格相比传统显示器偏高,限制了其在市场上的竞争力和普及程度。
2.技术难题:尽管FED显示器已经取得了一些重要的技术突破,但仍存在一些技术难题需要克服,如长时间使用后的寿命问题、生产工艺的改进等。
3.市场竞争压力:随着液晶显示器和OLED显示器等其他显示技术的不断发展,FED显示器面临着激烈的市场竞争,需要不断创新和提升自身的竞争力。
FED市场发展趋势尽管FED市场面临一些挑战,但展望未来,仍有几个发展趋势值得关注:1.技术突破:随着科技的进步和不断的研发投入,FED显示器技术有望在成本、寿命等方面取得重要突破,进一步提高其市场竞争力。
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/ ( t ( y) ) ;
3 /2
2
10
( y) 。
上式 即是 表示 场发 射的 伏安 特 性, 在 三极 型 FED 中 , V 等于栅阴电压 Vgc , 即 Vgc 控制着发射电 流的大小, 根据上式可以作出表示电压电流关系的 i - V 曲线, 即伏安曲线, 通过实验测得的典型 i- V 曲 线如图 1所示。因发射电流的大小决定着亮度的高 低, 因此通过调节栅阴电压 Vgc 的大小 , 即可实现对 亮度的控制, 这条曲线也称为 FED 调制特性曲线。
[ 发射材料 的研究 外, 高性能的驱动电路研制也是 FED 发展的关键技 术之一, 而亮度控制则是驱动的主要任务, 为此本文 从 FED 的调制特性分析入手 , 结合其发射电流等效 通路 , 分析了阴极驱动电路的驱动特性及电路结构 对实现亮度线性调节的影响。
场致电子发射是一种通过施加外部电场来压抑 物体表面势垒, 使势垒高度降低, 宽度变窄 , 从而出 现使物体内大量电子越过表面势垒而逸出的现象。 传统金属场发射可由 Fow ler Nordhei m 方程来描述 , 现在 FED 显示技术研究逐渐转移到以碳纳米管薄 膜作为新型场发射材料上 , 实验表明该方程也适用 于碳纳米管材料 , 可用于碳纳米管的场发射特性分 析。表示电场强度 E 和电流密度 J的 Fow ler Nord he i m 公式 J=
[ 3]
如下: 10 E 2 t ( y)
-6 2
1 . 54
exp
3 /2 7
- 6 . 83 10
2
( y) 2 ( A /c m ) E 10
- 4
式中, t ( y ) 近似为 1 ; ( y ) 为 Nordhei m 函数 ; 射材料的逸出功 ; y= 3 . 76
2
E
1 /2
/ 。通常计算
图 2 驱动电路连接图 F ig. 2 connected d iagram of d riving circu it
对电流驱动模式 , 图 2 中的阴极驱动输出电路 为电流源电路 , 这 时其等效电流回路如图 3 ( b ) 所
图 1 FED 器件伏安特性曲线 i- V p lot of FED
示, 阴极通过电流源接地 , 即电流源控制着送给阴极 电流的大小。在这种情况下阳极电流并不完全由伏 安特性决定, 而是受两个因素影响 : 一是在栅压作用 下阴极发射电流的能力 ; 二是驱动阴极的电流大小。 只要保证阴极的发射电流大于电流源电流, 则实际
Ab stract : B ased on the pr inc iple of field em iss ion , the in ternal and ex terna l factorsw hich affected fie ld e m ission cur rent w ere discussed in the paper . T he high electric fie ld on cathode surface w as the necessary condition to generate e m ission current , but the i m prec ision o f e m ission current, w hich caused by non un ifor m ity of p ixe ls and non linea rity of fie ld em iss ion properties , led to the difficulty in contro lling of lum inance . The structure of cathode dr iv ing circu it a f fected contro l properties of e m ission current , because itw as a part o f e m ission current loop. T he ana lysis show ed that cu rrent driv ing mode cou ld contro l anode current exac tly . K ey w ords : field e m ission d isplay ( FED ); ma trix addressing ; dr iv ing c ircuit ; currentm ode
基金项目 : 教育部科学技术重点研究项目 ( 205091) 。 作者简介 : 邓记才 ( 1964 - ), 男 , 副教授 , 博士生 , 研 究方向为电 路设计与场致发射显示技术等。 E m ai: l iejcdeng@ zzu. edu . cn 收稿日期 : 2006 04 24
。由于 CNT 开启
F ig. 1
调制特性反映了 Vgc 对亮度的控制关系 , 由此 可以设计对 FED 实现亮度控制的驱动电路, 由于调 制特性存在严重的非线性效应, 且 FED 平板显示器
激 光 与红 外
No . 10
2006
邓记才
张兵临
方莉俐
FED 显示驱动电路结构及其场发射特性分析
973
的阳极电流就等于电流源电流 i 。 , 即阴极驱动电流 精确控制着阳极电流的大小 , 因此电流驱动可以由 外电路控制阳极电流的大小 , 而不受阴极不一致性 和伏安非线性的影响, 故电流驱动可以实现对阳极 电流的控制 , 因此它是保证亮度均匀性和进行线性 调节的基本方法。
图 3 ( a) 电压驱动电流通路 ; ( b) 电流驱动回路 F ig. 3 ( a) curren t path of voltage driving
各像素不一致的缺点 , 实现了通过电路去控制阳极 电流的目的。此外场发射还存在发射电流波动和随 时间延长发射能力下降的缺点, 这些都可以通过电 流驱动来弥补和克服。电流驱动模式恰到好处地综 合利用了场发射的内外因条件, 保证了亮度显示的 均匀性, 在最大程度上克服了发射电流的波动性 , 是 进行 FED 驱动的理想方式。 参考文献 :
2
中简化为 t (y ) = 1 . 0 , ( y ) = 0. 95- y 。 在 FED 平板显示中, 我们特别关注的是发射电 流与工作电压的关系 , 已知发射电流 i与 J 成正比 , 电场强度由阳极 ( 或栅极 )与阴极间电压 V 决定 , 于 是由上式可导出 i- V 关系如下: i= a V exp( - b /V ) 式中, a= 1 . 54 b= - 6 . 83 10
Analysis of D riving C ircuit Structure and Field Em ission Characteristics for FED
DENG Ji ca i , ZHANG B ing lin , FANG L i li
1 , 2 1 1
( 1. M a terial Phy sics L ab of Education M inistry o f Ch ina , Zheng zhou U n iversity ; 2. Infor m ation Eng ineering Schoo, l Zhengzhou U niversity , Zhengzhou 450052, China)
图 4 阴极电流驱动电路 F ig. 4 cath ode driving circu it b ased on cu rrent m od e
4 总
结
结合阴极材料的场发射特性 , 通过对阳极电流 回路的分析得知, 电压驱动无法获得对阳极电流的 精确控制 , 而电流驱动具有对阳极电流的控制能力。 在电流驱动电路中 , 只要施加合理的栅极电压就可 以保证所有像素阳极电流都等于恒流源电流 。 i, 从 而保证了亮度显示的均匀性, 因此电流驱动克服了
第 36 卷
第 10 期
激光与红外 LA SER & I N FRARED
Vo. l 36, N o . 10 O ctober , 2006
2006 年 10 月
文章编号 : 1001 5078( 2006) 10 0971 03
FED 显示驱动电路结构及其场发射特性分析
邓记才 , 张兵临 , 方莉俐
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