薄膜电容器的使用要求和电性能参数
pi薄膜电容
PI薄膜电容
PI薄膜电容是一种以聚酰亚胺（PI）薄膜为介质，采用金属箔或金属化电极作为电极的电容器。
PI薄膜电容因其具有高绝缘性、高温稳定性、优良的耐电强度和介电性能等优点，广泛应用于电子、电力、通信、航空航天等领域。
PI薄膜电容的特点如下：
1.高绝缘性：PI薄膜的介电常数较高，因此可以制作出高绝缘能
力的电容器。
2.高温稳定性：PI薄膜具有优良的高温稳定性，可以在高温环境
下保持稳定的电气性能。
3.优良的耐电强度：PI薄膜具有良好的耐电强度，可以承受高电
压和高电流。
4.良好的介电性能：PI薄膜具有良好的介电性能，如介电常数、
介质损耗等。
5.良好的机械性能：PI薄膜具有良好的机械性能，如强度、耐磨
性等。
6.耐腐蚀性：PI薄膜不易受化学药品的腐蚀，可以适用于各种环
境下的使用。
在实际应用中，PI薄膜电容可以采用不同的电极材料和结构形式，如金属箔、金属化电极等，以满足不同领域和不同使用环境的需求。
此外，PI薄膜电容还可以通过表面处理、金属化等工艺进行进一步加工和改性，以提高其电气性能和机械性能。
总的来说，PI薄膜电容是一种高性能、多用途的电容器，具有广泛的应用
前景和发展潜力。
薄膜电容器的使用要求和电性能参数(精)
薄膜电容器的使用要求和电性能参数电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电 , 通过半桥 /全桥逆变技术 , 变为高频交流电 (1KHz— 1MHz. 高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场 . 当金属物体处于高频交变磁场中 , 金属分子会产生无数小涡流 . 涡流使金属分子高速无规则运动 , 金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能 , 最终达到把电能转换为热能的目的 . 电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用 . 例如电磁炉 /电磁茶炉 , 电磁炉 , 高频淬火机 , 封口机 , 工业熔炼炉等等 . 本文以三相大功率电磁灶为例 , 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用 .一电磁灶三相全桥电路拓扑图二 C1— C6功能说明C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收 , 提高设备抗电网干扰的能力C1,C2和三相共模电感组成 Pi 型滤波 , 在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作用 . 该电路一方面抑制 IGBT 由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中 , 影响其他并网设备的正常使用 . 另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中 , 影响电磁加热设备自身的正常使用 .(对内抑制自身产生的干扰 , 对外抵抗其他设备产生的干扰 , 具有双面性EMC=EMI+EMS在实际使用中 ,C1可以选择 MKP-X2型 (抑制电磁干扰用固定电容器 , 容量范围在 3µF-10µF之间 , 额定电压为 275V.AC -300V.AC. 采用 Y 型接法 , 公共端悬空不接地 . C2可以选择 MKP 型金属化薄膜电容器 , 容量范围在 3µF-10µF之间 , 额定电压为 450V.AC -500V.AC ,采用三角形接法 .新晨阳C1和 C2原则上选用的电容量越大 , 那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好 . 但是电容量越大 , 那么设备待机时的无功电流就越大 . 耐压方面要根据设备使用地域的电网情况而合理保留一定的余量 , 防止夜间用电量非常小的时候 , 电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响 .C3: 整流后平滑滤波、直流支撑 (DC-Link,吸收纹波和完成交流分量的回路。
薄膜电容的额定电压
薄膜电容的额定电压薄膜电容是一种常见的电子元件，它广泛应用于电路中，用于存储和释放电荷。
额定电压是薄膜电容的一个重要参数，它表示了电容器可以安全工作的最大电压。
薄膜电容通常由两片金属薄膜之间的绝缘层构成。
金属薄膜可以是铝、铜、镍等导电材料，绝缘层可以是氧化铝、聚酰亚胺等绝缘材料。
这种结构使得薄膜电容具有较高的电容值和较小的尺寸，适用于各种电路应用。
额定电压是薄膜电容器能够承受的最大电压。
超过额定电压的电压会导致绝缘层击穿，使电容器失去正常功能甚至损坏。
因此，在使用薄膜电容时，必须确保电压不超过额定电压。
对于不同类型的薄膜电容，其额定电压有所不同。
一般来说，额定电压越高，电容器的尺寸和价格就会相应增加。
常见的薄膜电容额定电压有10V、16V、25V、50V等。
在选择电容器时，需要根据实际应用的电压要求来确定。
额定电压的选择是根据电路设计和工作电压范围来确定的。
如果工作电压超过了电容器的额定电压，就会导致电容器受损或失效。
因此，在进行电路设计时，需要合理选择电容器的额定电压，以确保电路的可靠性和稳定性。
薄膜电容的额定电压还与其绝缘层的材料和厚度有关。
不同的绝缘材料和厚度可以承受不同的电压。
因此，在选择薄膜电容时，除了考虑额定电压外，还需要考虑绝缘层的质量和可靠性。
薄膜电容的额定电压是一个重要的参数，它决定了电容器在电路中的可靠性和稳定性。
在选择和使用薄膜电容时，我们需要根据实际需求和工作电压范围来合理选择额定电压，以确保电路的正常运行。
同时，还需要注意电容器的绝缘层质量和可靠性，以提高电容器的使用寿命和稳定性。
5种薄膜电容的性能
5种薄膜电容的性能及参数介绍1、碳酸酯薄膜电容此电容性能比聚酯电容好，耐热与聚酯电容相同，可替代聚酯，纸介电容，广泛应用于直流交流，脉动电路中。
型号：CQ10 容量：0.1-0.68uf 额定工作电压：40V 绝缘性能：500mohm./uf 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.015 试验电压： 60V2、复合薄膜电容器：此电容选择了两种不同的薄膜（或纸与薄膜）复合做介质。
例如聚苯乙烯薄膜与聚丙烯薄膜复合制作的电容器，这种电容比聚苯乙烯电容提高了抗电强度和温度，减小了体积，但是电容的温度系数和损耗稍差。
聚苯乙烯薄膜电容器：主要特点是绝缘电阻高，损耗小，容量精度高，电参数随频率温度变化小，缺点是体积大，工作温度不高（上限为70C ）该电容主要应用于滤波，高频调谐器，均衡器中。
型号：CB40 容量：0.015-2uf 额定工作电压： 250-1000v 绝缘性能：引出头之间：50000mohm 引出头与外壳之间：10000S 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压：2uw 容量允差:J,K,F,G型号：CB14 容量：10P-0.16uf 额定工作电压： 100—1600v 绝缘性能：引出头之间：20000mohm. 容量允差：D ,F,J,G 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压：2uw3、聚丙烯薄膜电容器此电容性能和聚苯乙烯电容相似，但体积小，工作温度上限可达85-100C 损耗为 0.01-0.001 温度系数为-100*(10 负6) ---- -400*(10 负6) 容量稳定性比聚丙乙烯电容稍差。
可用于交流，激光，耦合，等电路。
型号：CBB121 容量： 0.001-0.47uf 额定工作电压：63—400v 绝缘性能：引出头之间：100000mohm 引出头与外壳之间：10000S 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.01 试验电压：2uw 容量允差:J,K,M型号：CBB12 容量：0.001-0.39uf 额定工作电压：100—1600v 绝缘性能：引出头之间：3000mohm.UF 引出头与外壳之间：10000S 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压： 2.5uw 容量允差:J,K,4、聚四氟乙烯薄膜电容器：此电容损耗小，耐热性好，工作温度可达-150---200C 电参数的温度频率特性稳定，耐化学腐蚀好，缺点是耐电晕性差，成本高，主要应用于高温高绝缘，高频的场合。
薄膜电容讲解
聚丙烯电容的应用
CBB21II和MKP21将是未来通用类聚丙烯 电容器的主力。照明/彩电/电源 典型应用：高频脉冲场合。 选用依据： 电压电流波形； 频率； 爬升速率：dv/dt。
电容器表示方法:
电容量的常用单位 pF , nF , uF 1uF=103 nF=106pF 薄膜电容器重要参数
1.容量 2.损耗角正切 3.耐压 4.额定电压
薄膜电容器
指以（电工级）塑料薄膜为电介质的 电容器。与陶瓷和电解电容器相比具 有频率特性好，介电损耗小，可靠性 高的优点，但容量小，耐热能力差， 价格高。主要以聚酯膜介质和聚丙烯 膜介质应用最广。
聚酯和聚丙烯薄膜的特点
1、聚酯（PET）
1）机械强度高、成膜容易（最薄可达0.6μm)、薄膜的抗张 强度好、弹性大、柔韧性好。 2）耐热性好，最高工作温度可达125℃，高温时，薄膜仍具 有柔顺性，在- 60℃时不发脆。 3）介电常数大。 4）易于金属化，容积比高。 5）但与其他塑料薄膜相比，聚酯膜的体积电阻率较低，损 耗角正切也较大；当使用温度高于100 ℃时，其体积电阻 率直线下降，损耗角正切值也迅速增大，所以使用温度要 求较高时，可以选用PEN材料。
安规电容
安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后， 不会导致电击，不危及人身安全. 它包括了X电容和 Y电容。 Y电容—抑制共模信号干扰 X电容—抑制差模信号干扰
X电容
X电容接在相线和零线之间，主要受电压峰 值的影响。为了避免击穿短路，重点关注 的参数是耐压等级 X1 >2.5kV ≤4.0kV X2 ≤2.5kV X3 ≤1.2kV 注：不能用普通电容代替同样额定电压的安 规电容
cbb薄膜电容100v 10uf
cbb薄膜电容100v 10uf
（原创实用版）
目录
1.薄膜电容的基本概念和特点
2.cbb 薄膜电容的性能参数
3.100V 和 10uF 的含义
4.cbb 薄膜电容的应用领域
5.结论
正文
薄膜电容是一种电子元器件，它是通过将金属箔片和塑料薄膜制成的。
薄膜电容具有许多优点，例如体积小、重量轻、可靠性高、自我恢复能力强等。
在电子设备中，薄膜电容被广泛应用，可以用于滤波、信号处理、电源管理等电路。
cbb 薄膜电容是一种常见的薄膜电容类型，它具有优良的电气性能和机械强度。
cbb 薄膜电容的性能参数包括额定电压、电容值、容差、漏电流等。
其中，额定电压是指电容器可以承受的最高电压，电容值是指电容器存储电荷的能力，容差是指电容器电容值的允许偏差，漏电流是指电容器在额定电压下的漏电电流。
在本文中，我们讨论的是 cbb 薄膜电容 100V 10uF。
其中，100V 是指电容器的额定电压为 100 伏特，10uF 是指电容器的电容值为 10 微
法拉。
这种电容器具有较高的额定电压和较大的电容值，因此可以存储更多的电荷，承受更高的电压。
cbb 薄膜电容广泛应用于各种电子设备中，例如电视机、收音机、计算机、通信设备等。
它们可以用于滤波、信号处理、电源管理等电路，可以提高电路的稳定性和可靠性。
总之，cbb 薄膜电容 100V 10uF 是一种性能优良的电子元器件，它具有许多优点，例如体积小、重量轻、可靠性高、自我恢复能力强等。
金属薄膜电容参数
金属薄膜电容参数金属薄膜电容器是一种常见的电子元件，具有广泛的应用领域。
它由两层金属薄膜夹层的绝缘层构成，常用的绝缘层材料有聚酰亚胺（PI）、氧化铝（Al2O3）等。
金属薄膜电容器的参数对其性能有着重要影响，下面我将对其中的几个参数进行介绍。
首先是电容量（Capacitance），它是金属薄膜电容器的重要参数之一。
电容量越大，表示金属薄膜电容器可以储存更多的电荷，能够提供更稳定的电压输出。
在实际应用中，我们可以根据需求选择合适的电容量。
其次是耐压（Voltage Rating），它表示金属薄膜电容器可以承受的最大工作电压。
如果工作电压超过了金属薄膜电容器的耐压范围，就会导致电容器破裂或损坏。
因此，在选择金属薄膜电容器时，要确保其耐压能够满足实际应用的需求。
另一个重要参数是失谐因子（Dissipation Factor），它是金属薄膜电容器内部能量损耗的指标。
失谐因子越小，表示金属薄膜电容器的能量损耗越小，性能越好。
在高频应用中，失谐因子的大小对电路的稳定性和性能有着重要影响。
温度系数（Temperature Coefficient）也是金属薄膜电容器的一个重要参数。
温度系数表示电容量随温度变化的程度，它可以用来评估金属薄膜电容器的温度稳定性。
一般来说，温度系数越小，表示金属薄膜电容器的性能随温度变化的影响越小。
金属薄膜电容器的参数对其性能有着重要影响。
在实际应用中，我们需要根据具体需求选择合适的金属薄膜电容器，以确保电路的稳定性和性能。
通过合理选择金属薄膜电容器的参数，我们可以更好地满足各种应用场景的需求，提高电子产品的性能和可靠性。
800v 薄膜电容
800v 薄膜电容800V薄膜电容器是一种高电压的电子元件，被广泛应用于一系列电子设备和电路中。
薄膜电容器主要由两个电极和一个介质层构成，电极由金属箔或导电涂层制成，而介质层则是由某些绝缘材料组成。
薄膜电容器的工作原理是通过电场力将电荷分开，使得两个电极上的电荷量产生差异。
由于薄膜电容器的电极间距相对较小，因此可以产生很高的电场强度，从而达到高电压。
薄膜电容器的一个重要特性是其电容值。
电容值是指电容器可以储存的电荷量，通常以法拉（F）为单位。
高电压电容器可以提供更大的电容值，因此在一些需要存储大量电荷的电路中比较常见。
800V薄膜电容器的一种常见类型是金属化聚酯薄膜电容器。
这种电容器使用聚酯薄膜作为介质层，具有良好的绝缘性能和稳定性，同时可以在高温条件下工作。
金属化聚酯薄膜电容器广泛应用于电源滤波、脉冲耦合器、能量贮存和放电等领域。
除了金属化聚酯薄膜电容器，还有其他一些类型的800V薄膜电容器，例如聚丙烯薄膜电容器和聚苯乙烯薄膜电容器。
这些电容器使用不同的材料作为介质层，具有不同的特性和应用领域。
薄膜电容器具有很多优点。
首先，它们相对较小且轻便，适用于密集的电子设备中。
其次，薄膜电容器具有较低的ESR（等效串联电阻）和ESL（等效串联电感），可以实现更高的功率密度和更低的损耗。
此外，薄膜电容器具有良好的温度稳定性和周期性稳定性，适用于各种环境条件下的工作。
在选择800V薄膜电容器时，需要考虑一些关键参数。
首先是额定电压，即电容器可以工作的最高电压。
其次是电容值，取决于具体应用中所需的电荷量。
还有一些其他参数，如漏电流、温度系数和尺寸等。
总的来说，800V薄膜电容器是一类高电压电子元件，具有良好的绝缘性能、稳定性和温度特性。
它们在电子设备和电路中扮演着重要的角色，广泛应用于电源滤波、脉冲耦合器、能量贮存和放电等领域。
通过选择适当的类型和参数的薄膜电容器，可以满足不同应用需求的要求。
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薄膜电容器的使用要求和电性能参数
电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电,通过半桥/全桥逆变技术,变为高频交流电(1KHz—1MHz).高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场.当金属物体处于高频交变磁场中,金属分子会产生无数小涡流. 涡流使金属分子高速无规则运动,金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能,最终达到把电能转换为热能的目的.电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用.例如电磁炉/电磁茶炉,电磁炉,高频淬火机,封口机,工业熔炼炉等等.本文以三相大功率电磁灶为例, 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用.
一电磁灶三相全桥电路拓扑图
二C1—C6功能说明
新晨阳
C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收, 提高设备抗电网干扰的能力
C1,C2和三相共模电感组成Pi型滤波,在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作用.该电路一方面抑制IGBT由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中,影响其他并网设备的正常使用.另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中,影响电磁加热设备自身的正常使用.(对内抑制自身产生的干扰,对外抵抗其他设备产生的干扰,具有双面性) EMC=EMI+EMS
在实际使用中,C1可以选择MKP-X2型(抑制电磁干扰用固定电容器),容量范围在3µF－10µF之间,额定电压为275V.AC－300V.AC. 采用Y型接法,公共端悬空不接地. C2可以选择MKP型金属化薄膜电容器,容量范围在3µF－10µF之间,额定电压为450V.AC－
500V.AC ,采用三角形接法.
C1和C2原则上选用的电容量越大,那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好.但是电容量越大,那么设备待机时的无功电流就越大.耐压方面要根据设备使用地域的电网情况而合理保留一定的余量,防止夜间用电量非常小的时候,电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响.
C3: 整流后平滑滤波、直流支撑(DC-Link),吸收纹波和完成交流分量的回路。
C3和扼流圈L组成LC电路,把三相桥式整流后的脉动直流电变为平滑的直流电,供后级逆变桥及负载使用.在电磁灶机芯实际电路中,C3一般是由几十微法的薄膜电容器组成.该位置的薄膜电容器其实所起的作用是直流支撑(DC-LINK),负责纹波的吸收和完成交流分量的回路,而不是很多人所认为的(滤波).几十微法的电容量,对于几十千瓦的负载来说,所起到的滤波作用是非常小的,直流母线的电压波形根本就无法变得很平滑.由于IGBT的高速开关,会产生大量的高次谐波电流及尖峰谐波电压.如果没有电容器作为谐波电流和尖峰电压的吸收,那么直流母线回路会产生大量的自激振荡,影响IGBT等的安全使用及缩短寿命时间.因此,使用薄膜电容器作为直流母线纹波电压和纹波电流的吸收是目前国内外最常用的方法之一。
C3原则上选用的电容量越大,那么吸收效果越好.但是需要注意的是电容量过大,容易导致设备刚合闸上电的时候,由于电容器的瞬间充电电流过大而导致整流桥,保险管等过流击穿.在电磁灶机芯里,一般的选用原则是:半桥方案(1.5µF/KW) 全桥方案(1.2µF/KW).该配置是根据常规的薄膜电容器能承受的2A/µF的设计工艺所推断。
例如电磁灶半桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.5=30µF C3的总纹波电流是
30*2=60A 全桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.2=24µF（实际可取25－30µF） C3的总纹波电流是25*2=50A 建议实际选取的电容量及电容器能允许承受的纹波电流值不能低于上述建议值。
C3位置必须要考虑电路实际需要的纹波电流值是否小于所选用的薄膜电容器能承受的总纹波电流值(还要保留一定的电流余量),否则假如电路需要60A的纹波电流,而选择的电容器总共能承受的纹波电流只有40A,那么会导致薄膜电容器发热严重,长期过热运行,大大降低薄膜电容器的使用寿命,严重的导致薄膜电容器膨胀鼓包,甚至起火燃烧.耐压方面,一般选择额定电压为800－1000V.DC即可.
C4: IGBT的尖峰电压/电流吸收、缓冲和抑制，防止IGBT击穿
C4作为IGBT的开通/关断尖峰吸收,一般用C型或者RC型接法,并接于IGBT的CE端.耐压方面一般要根据IGBT的额定电压来选择,并保留一定的电压余量.电容量方面,一般可取0.01µF－0.033µF之间,要根据电路和IGBT之间的匹配情况来选择最适合的电容量.C4位置的电容器,必须使用dv/dt值比较大的电容器型号,使用中要注意温升是否在允许范围里.如使用RC型接法,需要注意R发热量巨大,布局的时候需要R与C保留一定的空间距离,防止电容器受到过大的热辐射.
C5: 谐振电容器,配合负载(电感线圈、变压器等)形成LC谐振回路.
C5作为谐振电容器,与L形成LC谐振回路,把功率输送出去.在使用中要注意所选用的电容器额定电压是否足够(谐振电压跟设备功率,负载材质,磁载率,负载到电感的距离,电路Q值等有关).如所选择的电容器额定电压值比实际谐振电压值低,那么容易出现电容器电压击穿的情况.谐振电容器的电流选择方面,最好先通过理论值计算，然后初步选择电流值,待设备功能满足要求后，让设备在最大功率的时候通过测量LC回路的峰值电流/均方根值电流的实际值后再进行调整.如果实际通过的高频电流值比电容器的额定电流值大,那么会导致谐振电容器过热运行,长期工作容易出现鼓包或者炸毁,甚至是起火的情况发生.电路的谐振频率也要在谐振电容器允许的频率范围内.
C6: 直流母线吸收电容,就地吸收,缓冲和抑制IGBT开关时产生的尖峰电压.
C6和C3同样并接于直流母线的正负极上.但是由于结构及布线回路等因数的制约,导致后端的IGBT远离C3电容,所以需要在后端的IGBT模块的电源端直接锁上一只母线吸收电容,就地吸收IGBT产生的纹波电压和纹波电流.C6在选择的时候,耐压方面一般按照IGBT 的额定电压来选择.尽量选择纹波电流大,dv/dt大,杂散电感小的母线吸收电容.例如MKPH －S 0.47µF 1µF 1.5µF 2µF等型号,额定电压1200V.DC的吸收电容器。
三薄膜电容器选型中常出现的问题
A 额定电压选择不当
额定电压选择不当,出现最多的地方是谐振电路部分(C5).研发人员应该根据设备的额定功率,输入电压,电路拓扑,逆变控制方式,负载材质,负载磁载率,电路Q值等参数作为综合考虑后作初步计算.待样机初步达到要求后,需要用示波器加高压电压探头,实际测量一下
设备在最大功率的时候,谐振电容器两端的峰峰值电压,峰值电压,均方根值电压,谐振频率等参数,用来判定所选择的谐振电容器型号及参数是否正确.
B 额定电流选择不当
额定电流选择不当,出现最多的地方是C3(直流支撑)和C5(谐振)部份.实际需要的电流值如果比电容器允许通过的电流值大,那么会造成电容器发热严重,长期高温工作,导致电容器寿命大大降低,严重的会炸毁甚至是起火燃烧.在设备研发中,可以通过专用的电流探头或其他方式,测量一下实际需要的峰值电流，均方根值电流,然后调整电容器的参数.最终可通过设备在满功率老化测试中,测量一下电容器的温升,根据电容器的温升允许参数来判定电容器的选择是否恰当.（电流测量及温升情况来综合评定）
C 接线方式不当
接线方式不当,主要出现在电容器多只并联使用中.由于接线方式,走线距离不一致等因数,导致每只并联的电容器在电路中分流不一致.最终体现在多只并联的电容器,每只的温升都不一致.个别位置的电容器温升过高,出现烧毁的情况.因此,需要对电容器的并联使用进行合理的布线及连接,尽量要做到均流,提高电容器的使用寿命.
四薄膜电容器使用中的波形参考
C3电压基波波形（505V/300HZ） C3纹波电压波形（38V/23.3KHz）
C5谐振电流波形(Ip=84A Irms=60A ) C4吸收电容波形(Vce=581V
F=19.6KHz)
总结
电磁加热设备应用领域日益增大,薄膜电容器的使用要求和电性能参数也越来越高. 本文通过对三相全桥电磁炉作为案例,分析了设备内部各位置的薄膜电容器所起的作用及选型原则,注意事项等等,望能对广大研发人员带来一些方便!。