模拟电子技术第四章
数字与模拟电子技术CPU

4.1 CPU类型与组成
计 算 机 硬 件 技 术 基 础
4.1.2 CPU的类型 Intel公司产品系列
产品类型 桌面型 移动型 服务器型 产品系列 酷睿系列、奔腾系列、赛扬系列 移动酷睿、凌动系列、迅驰系列、移动奔腾、移动赛 扬 至强系列、安腾系列
第 13 页
4.1 CPU类型与组成
第 36 页
4.3 CPU结构与性能
计 算 机 硬 件 技 术 基 础 4.3.1 CPU内核组成 1.Core i7 CPU物理内核(4核)
CPU核心
第4章 CPU系统故障维修
第 37 第37页 共73页 页
4.3 CPU结构与性能
计 算 机 硬 件 技 术 基 础 4.3.1 CPU内核组成 1.AMD Phenom CPU物理内核(4核)
4.1.4 CPU基本组成 CPU由半导体硅芯片(die)、基板、针脚或 无针脚触点、导热材料、金属外壳等组成。
电阻和电容
第 18 页
CPU的封装与接口类型
计 算 我们从外表看到的CPU常常是矩形或正方形 机 的块状物,通过密密麻麻的众多管脚与主板 硬 相连。这就是CPU的外衣——CPU的封装。 件 技 术 基 础
LGA插座
第 22 页
4.1 CPU类型与组成
计 算 机 硬 件 技 术 基 础 4.1.5 CPU接口形式 AMD公司的CPU采用短针脚设计。
AM3插座
主讲:XX老师 第4章 CPU系统故障维修 第 23 第23页 共73页 页
4.2 CPU生产工艺
计 算 机 硬 件 技 术 基 础 4.2.1 CMOS电路工作原理 1.MOS电容结构 集成电路利用MOS电容作为电子开关器件。 MOS电容由多晶硅(M)、二氧化硅(O)和 半导体(S)组成。
模电

பைடு நூலகம்
3.输入偏置电流 IB : 输入偏置电流I 输入偏置电流 输入电压为零时,运放两个输入端偏置电流的平均值, 输入电压为零时,运放两个输入端偏置电流的平均值,
用于衡量差分放大对管输入电流的大小。 用于衡量差分放大对管输入电流的大小。
模拟电子技术第四章
I IB = 1 ( I B1 + I B 2 ) 2
模拟电子技术第四章
注意:在以后教学中, 注意:在以后教学中, 这两种符号都会出现, 这两种符号都会出现, 两者画法不同, 两者画法不同,但都表 示集成运放。 示集成运放。
V
+ -
A
∞
+
u o 输出端
国际符号: 国际符号:
集成运放的特点: 集成运放的特点: 开环电压增益高 Aod>105 开环电压增益高
不能太大
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二、运放的保护措施 输入保护
模拟电子技术第四章
二极管的钳位作用, 二极管的钳位作用,使差模输 入不超过范围。 入不超过 0.7V~0.7V范围。 范围
有效防止共模输入幅值过大
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输出保护电路
模拟电子技术第四章
双向稳压, 双向稳压,即可在必要时为 负载分流而起过流保护, 负载分流而起过流保护,也 能限制运放的输出电压不超 过稳压管的稳压电压。 过稳压管的稳压电压。
为运放设置合理的静态偏置电路和调零电路
为运放输入端设置合适的去耦电容以消除自激震荡
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选择集成运放时注意的问题: 选择集成运放时注意的问题:
不要盲目追求指标先进。 不要盲目追求指标先进。
模拟电子技术第四章
模拟电子技术第4章习题答案

4 基本放大电路自我检测题一.选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中,希望电压放大倍数绝对值大,可选用 A 或C ;希望带负载能力强,应选用 B ;希望从信号源索取电流小,应选用 B ;希望既能放大电压,又能放大电流,应选用 A ;希望高频响应性能好,应选用 C 。
(A .共射组态,B .共集组态,C .共基组态)2.射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法,它的电压放大倍数接近 1 ,输入电阻很 大 ,输出电阻很 小 。
3.H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4.图解分析法适用于 大 信号情况。
5.在线性放大条件下,调整图选择题5所示电路有关参数,试分析电路状态和性能指标的变化。
(A .增大, B .减小,C .基本不变) (1)当R c 增大时,则静态电流I CQ 将 C ,电压放大倍数v A 将 A ,输入电阻R i 将 C ,输出电阻R o 将 A ;(2)当V CC 增大,则静态电流I CQ 将 A ,电压放大倍数v A 将 A ,输入电阻R i 将 B ,输出电阻R o 将 C 。
6.在图选择题5所示电路中 ,当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时,输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
(1)这种失真是 B 失真。
(A .截止,B .饱和,C .交越,D .频率) (2)为了消除失真,应 B 。
(A .增大C R ,B .增大b R ,C .减小b R ,D .减小 CC V ,E .换用β大的管子)。
R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高,晶体管的电流放大系数 _A_,穿透电流CEO I _A_,在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
( A .增大,B .减小,C .不变)8.随着温度升高,三极管的共射正向输入特性曲线将 C ,输出特性曲线将 A ,输出特性曲线的间隔将 E 。
(A .上移, B .下移,C .左移,D .右移,E .增大,F .减小,G .不变) 9.共源极放大电路的v o 与v i 反相位,多作为 中间级 使用。
模拟电子技术基础第四章 功率放大电路

23
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第四章 功率放大电路
(2)效率 V2CC VCC 1 π VCCIcm PV = 2 × π Icmsinωtd(ωt) = ≈ π 2πRL 0
pom η= p ≈ v
1 V2CC V2CC = 8 RL 2πRL
π = 78.5% 4
注意:OTL互补对称电路的效率与OCL电路相同。
5
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第四章 功率放大电路
三、放大电路的分析方法
在功率放大电路中, 由于三极管的工作点在大范围内变化, 因此,对电路进行分析时, 一般不能采用微变等效电路法,
常采用图解法分析放大电路的静态和动态工作情况。
从功率放大电路的上述特点,可以组成功率放大的具体电路。 考虑电路的具体形式时, 主要应注意使放大电路具有足够的输出功率和较高的效率, 并尽量减小输出波形的非线性失真。
第四章 功率放大电路
第四章 功率放大电路
4.1 功率放大电路的主要特点 4.2 互补对称式功率放大电路
4.3 采用复合管的互补对称式放大电路
4.4 集成功率放大器(自学内容)
1
第四章 功率放大电路
第一节 功率放大电路的主要特点
对放大电路的要求
放大电路中三极管的工作状态 放大电路的分析方法
下页 总目录
OCL电路省去了大电容,即改 善了低频响应,又有利于实现 集成化,应用更为广泛。
OCL甲乙类互补对称输出级
13
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第四章 功率放大电路
ui R1 ui b1 R VD1 VD2 b2 R2 VT2 PNP VT1 NPN uo
iC1
+VCC O
电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础

4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶 体管,或简称为三极管。
分类: 按材料分:硅管、锗管 按结构分:NPN型、PNP型 按频率分:高频管、低频管 按功率分:小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时,发射结和集电结均正偏,输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时,发射结正偏,集电结反偏,收集电子能力增强,发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集,从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大,则该管的 ICEO 也愈大。
3.极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时,三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时,值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘 积 等 于 规 定 的 PCM 值各点连接起来,可得 一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC,而表征三极管电流控制作用的参 数就是电流放大系数 。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论:
1、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来,这两 种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制 电流。 2、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。
模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体构造的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴,少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子,少子是空穴〕。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术 第四章 集成运算放大电路
在电路中电阻的阻值不至太高的情况下,可同时获得较 高的电压放大倍数和较高的输入电阻。
28
2.同相比例运算电路
电路中引入了电压串联 负反馈。 根据“虚短”和“虚断” 的特点
6
三、集成运放的符号
(a) (b) 模拟集成放大器的符号 (a) 国家标准符号 (b)原符号 运算放大器的符号中有三个引线端,两个输入端,一个输出 端。一个称为同相输入端,即该端输入信号变化的极性与输出端 相同,用符号‘+’表示;另一个称为反相输入端,即该端输入 信号变化的极性与输出端相异,用符号‚-‛表示。输出端一般画 在输入端的另一侧,在符号边框内标有‘+’号。实际的运算放 大器通常必须有正、负电源端,有的品种还有补偿端和调零端。
29
i1 R1i f i u
+
Rf
+
uo
说明
R1
Rf
特例:电压跟随器
当同相比例电路的比例系数为1时则有:
uo
ui R2
uo=ui
Rf
uo (1
Rf R1
)ui
uo
ui R2
ui R2
R1=∞
Rf=0
R1
uo
ui R2
uo
Rf=0 且R1=∞
30
有分压电阻的同相比例运算电路
但线性区范围很小。
uO
例如:F007 的 UoM = ± 14 V,Auo 2 × 105 , 线性区内输入电压范围
实际特性
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外,uN
R R Rf
uo,uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示,各引入那种组态的负反馈?设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V,填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为:-R2/R1。
(3)交流负反馈是指 。 A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大交流信号时才有的负反馈 C.在交流通路中存在的负反馈
解:(1)D (2)B (3)C
4、选择合适答案填入空内。
A.电压 B.电流 C.串联 D.并联
(1)为了稳定放大电路的输出电压,应引入 负反馈;
(2)为了稳定放大电路的输出电流,应引入 负反馈;
解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中,已知晶体管β,rbe,RB,RC=RL,VCC。
(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(2)当考虑信号源内阻为RS时,Aus的数值。
6. 电路如图所示,晶体管的=100,=100Ω。
大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如第四章
大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如第四章本文档是《大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如》第四章的答案总结。
本章主要讲述了模拟电路中的电源和放大器,其中包括电源电路、晶体管放大电路、运放放大器等内容。
通过学习本章,我们可以了解电源的概念和分类、晶体管的基本工作原理、放大器的基本设计与分析方法等。
以下是第四章的答案总结。
4.1 选择题1. 以下哪个不属于电源电路的分类?A. 线性电源B. 开关电源C. 斩波电源D. 数字电源正确答案:D2. 以下关于线性电源的说法正确的是?A. 输入电源和输出电源之间电压差不大B. 可以实现电压变换和电流放大C. 效率高,稳定性好D. 频率范围广正确答案:B3. 晶体管的三个电极分别为:A. 基极、发射极、集电极B. 基极、集电极、放射极C. 发射极、基极、集电极D. 集电极、发射极、基极正确答案:A4. 以下哪个不是晶体管的工作区间?A. 放大区B. 截止区C. 饱和区D. 前向偏置区正确答案:D5. 非饱和区的晶体管具有什么特性?A. 基极电流小,集电极电流接近最大值B. 基极电流大,集电极电流较小C. 基极电流接近最大值,集电极电流接近零D. 基极电流接近零,集电极电流接近最大值正确答案:D4.2 简答题1. 线性电源和开关电源有什么区别?线性电源是通过调整输入电源和输出电源之间的电压差来实现电压变换和电流放大的。
它的优点是稳定性好,频率范围广,但效率较低。
开关电源则是通过开关管的断续开关来实现电平变换,从而实现电压变换和电流放大。
它的优点是效率高,但稳定性较差,且频率范围比较窄。
2. 请简要说明晶体管的工作原理。
晶体管的三个电极分别为基极、发射极和集电极。
当给晶体管的基极-发射极之间施加正向电压时,使得基区变薄,电子从发射极流入基区,同时形成电子空穴对。
随着电子的注入,电子空穴对逐渐扩散到基区,最终达到发射区。
当注入的电子空穴对到达集电极,集电极就有大量电子空穴对的注入,形成集电流。
模拟电子技术基础(第四版)童诗白、华成英-教材4
1. 偏置电路
基准电流:
T8
I REF
VCC
VEE
UBE12 R5
UBE11
I8
至输入级
基准电流产生各放
T9
T12
+VCC
T13
I3,4
IC9 IC10 R5
IREF
IC13
T10
T11
至中间级
大级所需的偏置电流。
R4
各路偏置电流的关系:
图 4.3.1-1 F007 的偏置电V路CC I3, 4
第
三
版
童 诗
4学时
白
本章讨论的问题:
1.什么是集成运算放大电路?将分立元件直接耦合放 大电路做在一个硅片上就是集成运放吗?集成运 放电路结构有什么特点?
2.集成运放由哪几部分组成?各部分的作用是什么?
3.如何设置集成运放中各级放大电路的静态工作点?
第
4.集成运放的电压传输特性有什么特点?
三
版 童
5.如何评价集成运放的性能?有哪些主要指标?
4.2.1 基本电流源电路
一、镜像电流源 (电流镜 Current Mirror)
基准电流
+VCC
I REF
VCC
U BE1 R
由于 UBE1 = UBE2,T1与 T2 参数基本相同,则
IB1 = IB2 = IB;IC1 = IC2 = IC
R IREF
2IB
IC1
T1
IB1 +
UBE1
集成电路的外形
(a)双列直插式
(b)圆壳式
集成电路的外形
(c)扁平式
4.1.1 集成运放的电路结构特点
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T19
3
+ T3
T1
T2 T4 T7
_
2
IR EF R5
3#43;V O
T 16 T 17 R6 R7 T24
T5
1
T6
5
T10
T11 R4
T22
R1
R2 Rp
R3
-V E E
输入级
偏置电路 中间级
输出级
13
分析:
1. 偏置电路:
T12、R5和T11构成了主偏置电路,产生基准电流:
IC 1
IC 2
IC 3
9
二. 差动输入级 1. 有源负载差动放大电路
+ VC C i c3 i c1 uu i1 T1 T3 T4 i c4
2 ic
i c2 T2 IEE - V EE
+
u i2 u
RL
uo
_
T3、T4组成镜像电流源,作T1、T2的负载。
10 同时可使单端输出的电压增益近似为双端输出的电压增益。
14
2. 输入级:
T1 、T2和 T3 、T4管组成共集一共基复合差动输入电路。 其中T1和T2管作为射极输出器,输入电阻高。 T3 和T4管是横向PNP管,发射结反向击穿电压高,可 使输入差模信号达到30V以上。 T5 、T6 、T7 和R1 、R2 、R3组成具有基极补偿作用 的镜象电流源,作为差动输入级的有源负载,可以提
5.输入失调电流温漂dIIO /DT:
在规定工作温度范围内,输入失调电流随温度的变化量 与温度变化量之比值。
18
6.最大差模输入电压Uidmax
运放两输入端能承受的最大差模输入电压,超过此电压时,
差分管将出现反向击穿现象。
7.最大共模输入电压Vicmax
在保证运放正常工作条件下,共模输入电压的允许范围。 共模电压超过此值时,输入差分对管出现饱和,放大器失
17
3.输入偏置电流IIB :
输入电压为零时,运放两个输入端偏置电流的平均值,
用于衡量差分放大对管输入电流的大小。
I IB 1 I B1 I B 2 2
4.输入失调电流 IIO :
在零输入时,差分输入级的差分对管基极电流之差,用
于表征差分级输入电流不对称的程度。
I IO I B1 I B2
2. 共集—共基差动输入级
特点:
+ VC C IEE T1 ui1 + T3 RC + uo + VB B IB B _ T2 _ ui2 T4 RC
(1)输入阻抗
高。
(2)T3、T4为
横向PNP管,可
承受几十伏的反
向电压。
11
三. 通用型集成运放F007
T8 T9 T12
B
3 2
T13
A
+VCC 7 T 14 T15 R8 T18 T21 R9 R10 T20 T23
4 6
T19 + T3 T7 T5
1
T1
T2 T4
_
IR EF R5
39k 8
C
30pF 9
+V O
T 16 T 17 R6 R7 T24
T6
5
T10
T11 R4
T22
R1
R2 Rp
R3
-V E E
12
T8
T9 T12
B
T13
A
+VCC 7 T 14 T15 R8 T18 T21 R9 R10 T20 T23
+Uom +Uom
ui
V
+ -
A
∞
+
uo
V
-1mV 0 0 +1mV
ui i u
│Ui│≤1mV时,运放处于线性区。
-Uom -Uom
非线性区
-10V -10V 线性区 非线性区
Aod越大,线性区越小, 当Aod →∞时,线性区→0
6
4.2 集成电路运算放大器中的电流源
一 . 电流源电路
1. 镜像电流源 基准电流:
不致烧坏。
5. 相位分析:
用“瞬时极性法”判定,3号腿为同相端;2号腿为反相端。
16
4.4 集成电路运算放大器的主要参数
1.输入失调电压UIO
输入电压为零时,将输出电压除以电压增益,
即为折算到输入端的失调电压。是表征运放内 部电路对称性的指标。 2.输入失调电压温漂 dUIO /dT
在规定工作温度范围内,输入失调电压随温度的变 化量与温度变化量之比值。
I REF VCC (VEE ) U BE12 U BE1 1 R5
其他偏置电流都与基准电流有关。
T10、T11 和R4 组成微电流源,通过T8 和T9 组成的镜象电流 源为差动输入级提供偏置电流。
T12和T13管构成多支路电流源。T13管是多集电极三极管, 其集电极电流和的大小比例为3:1。B路作为中间级的有源 负载。A路为输出级提供偏置。
Re2
U BE Re2
+V C C IR IC 1 T1 Re2 T2 IE2 R IC 2
微电流源的特点: (1)电流小(因为△UBE小)。 (2)电流稳定(电流负反馈)
8
3. 多路电流源
IR IC 0 T0 R0 R1 T1 IE1 R2 T2 IE2 R3 T3 IE3 +V C C R
第4章 集成运算放大电路
4.1 集成运算放大电路概述
4.2 集成运放中的电流源电路 4.3 集成运放电路简介 4.4 集成运放的性能指标
1
什么是集成运算放大器?
集成运算放大器——高增益的直接耦合的集成 的多级放大器。 集成电路的工艺特点:
(1)元器件具有良好的一致性和同向偏差,因而特别有利于实现 需要对称结构的电路。 (2)集成电路的芯片面积小,集成度高,所以功耗很小,在毫瓦 以下。 (3)不易制造大电阻。需要大电阻时,往往使用有源负载。 (4)只能制作几十pF以下的小电容。因此,集成放大器都采用 直接耦合方式。如需大电容,只有外接。 (5)不能制造电感,如需电感,也只能外接。
+V C C IR IC 1 T1 R 2 IB IC 2
VCC U BE VCC IR = R R
因为: U BE2 = U BE1
I E2 = I E1
T2
所以: I C2 = I C1 I REF
无论T2的负载如何变化, IC2的电流值将保持 不变。
7
2. 微电流源
I C2 I E2 U BE1 U BE2
高输入级的增益。
它们同时还有单端输出转换为双端增益的功能。
15
3. 中间级:
T16和T17是复合管组成的共射放大电路,T13B作这一级 的集电级有源负载。
4. 输出级:
T14 和T20管组成互补对称输出级,T18、T19 和 R8为 其提供静态偏置以克服交越失真。 T15和 R9保护T14管,使其在正向电流过大时不致烧坏。 T21、T23、T22管和 R10保护 T20管在负向电流过大时
KCMR=20lg(Avd / Avc ) (dB) 其典型值在80dB以上,性能好的高达180dB。
20
11.-3dB带宽 f H : 运放的差模电压放大倍数在高频段下降3dB所定义
的带宽 f H 。
12.转换速率S R (压摆率): 反映运放对于快速变化的输入信号的响应能力。 转换速率SR的表达式为
2
4.1.2 集成电路运算放大器
一. 集成运放的总体结构
u u+ u u差动输入级 电压放大级 输出级
uo u
偏置电路
3
二. 简单的集成运放
原理电路:
+ V + CC
Rc 1
反 相输 入端
Rc 2
Rc3 T3
T4
+
uo
u- + u ++
同 相输 入端
T1 T2 Is
T5
- VEE +
输 入级 中 间级 输 出级
4
集成运算放大器符号
国内符号:
V 同相输入端 u + V 反相输入端 u-
+ -
A
∞
+
V
u o 输出端
国际符号:
集成运放的特点:
•电压增益高
u- u+
- +
uo
•输入电阻大
•输出电阻小
5
集成运放的两种工作状态
运放的电压传输特性:
设:电源电压±VCC=±10V。 运放的Aod=104
uoo u
+10V +10V
去共模抑制能力。
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8.开环差模电压放大倍数 Aod :
无反馈时的差模电压增益。 一般Aod在100~120dB左右,高增益运放可达140dB以上。
Uo Aod U U
9.差模输入电阻rid :
双极型管输入级约为105~106欧姆,场效应管输入级可 达109欧姆以上。
10.共模抑制比 KCMR :
duo SR dt
max
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习题练习
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