电脑主板场管代换表
各种电脑块超级单片及各种集成电路IC的代换收集

创维东芝超级单片机使用的微处理器的代用关系创维东芝超级单片机心有:3T30、4T30、5T30、3T36、4T36、5T36等机心,是创维公司与日本东芝公司联合开发的新一代超级单片集成电路彩电机心。
该机心采用了东芝公司最新推出的超大规模集成心片,有:TMPA8803CSN、TMPA8823CSN、TMPA8808CSN、TMPA8809CSN、TMPA8829CSN等。
在创维东芝超级单片机心中,3T30、3T36、4T36是同一种机心,使用的软件基本相同,对应的超级单片型号是’rMPA8803CSN或者TMPA8823CSN。
TMPA8823CSN是TMPA8803CSN软件升级后的版本,但二者配套使用的存储器不同,不能互换使用。
4T30、5T36、5T30是同一种机心,使用的软件基本相同(电源电路不同),对应的超级单片型号是TMPA8808CSN、TMPA8809CSN或者TMPA8829CSN。
TPMA8829C8N是TMPA8809CSN软件升级后的版本,其存储器的代换原则配套使用的存储器不同,不能互换使用。
创维的83703可代8370183735可代83702和837325P30的83731没有可代换的。
83703还能带83702,但是会出现无声或者白屏把OP2调成28即可。
创维T系列机型CPU的代换目前T系列机芯共有5种CPU,其分别为:1、87CM38N-3856,在3T01、4T01机芯上使用,其可存储100个频道。
2、87CM38N-1N86,在21寸9000系列机芯上使用,可存储256个频道,并带有游戏功能。
3、87CM38N-1N10,在25寸5T10机芯上使用,可存储228个频道。
4、87CM38N-1R02,在29寸5T10、5T20机芯一使用,可存储256个频道,带有游戏功能。
5、87TPS38N,此种为OTP产品,为T系列最早使用的CPU,在25寸5T10机芯上使用,有两种,其分别为可存储228和256个频道。
液晶主板代换速查表

ISENSE
R188--接Vcc R189--接地
R188--接Vcc R189--接地
R188--接Vcc R189--接地 R270--接Vcc R288--接地 -----
R327--接Vcc R328--接地
R327--接Vcc R328--接地
在915基础上增加录放实时时钟电路,增加SRC音 效处理芯片,更改伴音功放
1296 TLM32V68(0,1,2,3)
1396 1321
TLM42P69GP,TLM47P69GP TLM32P69G,TLM37P69GP,TLM37P69GP, TLM42P69GP,TLM47P69GP
888 TLM4077D(0,1),TLM3737D(0,1),TLM4237D
915 TLM3237D(0,1) 955 TLM3228LF,TLM3728LF
L33--12V MST9U88L L31--5V
MST9U88L
MST9U88L MST9U19B MST9U19A MST9U19A MST9U19A
MST9U19B
L33--12V L31--5V
L33--12V L31--5V
只能接5V屏
----L15--12V L34--5Vstb L38--5V_M L15--12V L34--5Vstb L38--5V_M
在915基础上增加录放实时时钟电路,增加SRC音 效处理芯片
在957基础上更改出端子位置,去掉SRC功能
立式端子,新排版 IP/TCON整合 IP/TCON整合 在1000基础上去掉TCON部分,并更改电源部分, 新结构
在996A基础上更换为MST9U19B,并更换部分器 件,结构完全相同
开关管代换表

07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W 5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片,全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道,N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道,8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道,N沟道MOS管各一A0D405 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D408 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V,38/27A,N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1,60V 4。
我收集到得代换法则

声明:下面很多都不是我的成果,是我收集到得,有什么问题不要找我。
我知道还有很多都能代换的东西,有心得的可以发下,共享大伙,造福大家.IO 替换W83627HF-AW == W83627HG-AWW83627THF == W83627THGW83627THF-A == W83627THG-AW83627EHF == W83627EHGIT8712F-A IXS == IT8712F-A HXSIT8705F GXS == IT8705F FXSPC87372 == SMSC 47M172 部分主板也可以替换47m182IT8718F-S CXS GB == IT8718F-S HXS GB8712==8702LPC47M172 可以代换 PC87372PWM 替换APW7062 == ISL6522APW7067 == ISL6549 == RT9259APW7120 == RT9214 == FP6321APW7065 == NX2114APW7060 == ISL6529 == RT92055018MTC == ADP31805019MTC == ADP3181ADP3168 == ADP3188ADP3166 == ADP31865009M == 3418(K) == 5007m (boot脚需要加二极管)L6917BD == L6916D专用芯片IT8282M == ASM8282G == ATPA02G时钟芯片RTM360-111R == ICS950209 == W83194BR-BRTM660-109R == ICS950202 (9脚不同)显存芯片N2DS12H16CT-5TB ==== K4D261638F TC50 ==== HY5DU281622ET-Jk4j55323qg-bc14 ==== hys573235fap-14==k4j5232..-bc14HY5PS561621A FP-25===HYB18T256169BF===E2516AB-6E-E===HY5PS561621B FP-25==HY5PS561621A FP-28DDR3的显存封装类型,频率,容量一样的都能代换,我试过三星BC-14的用奇梦达代换过,没任何些影响,DDR2的没得试。
场效应管的替换原则是什么

场效应管的替换原则是什么场管的代换原则(只适合主板)场管代换只需大小相同,分清N沟道P沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换场效应管的好坏判断一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。
给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。
再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管是好的。
二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档,红表笔任意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬空。
若发现表针有轻微摆动,就证明第三脚为栅极。
欲获得更明显的观察效果,还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚,只要看到表针作大幅度偏转,即说明悬空脚是栅极,其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由:JFET的输入电阻大于100MΩ,并且跨导很高,当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号,使管子趋于截止,或趋于导通。
若将人体感应电压直接加在栅极上,由于输入干扰信号较强,上述现象会更加明显。
如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS。
反之,表针向右侧大幅度偏转,说明管子趋向导通,RDS↓,IDS↑。
但表针究竟向哪个方向偏转,应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。
注意事项:(1)试验表明,当两手与D、S极绝缘,只摸栅极时,表针一般向左偏转。
但是,如果两手分别接触D、S极,并且用手指摸住栅极时,有可能观察到表针向右偏转的情形。
其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用,使之进入饱和区。
(2)也可以用舌尖舔住栅极,现象同上。
4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.5.场效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.分压式自给偏压电路场效应管在mpn中,它的长相和我们前面讲的三极管极像,所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不清楚,统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”,呵呵,如果这样麻木不分的话,你的维修技术恐怕很难快速提高的哦!好了,说到这里场效应管的长相恐怕我就不用贴图了,在电路图中它常用表示,关于它的构造原理由于比较抽象,我们是通俗化讲它的使用,所以不去多讲,由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多,特性也都不尽相同;我们在mpn 中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用,所以需要通过电流比较大,所以是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型的场效应管(MOS型),它的电路图符号:仔细看看你会发现,这两个图似乎有差别,对了,这实际上是两种不同的增强型场效应管,第一个那个叫N沟道增强型场效应管,第二个那个叫P沟道增强型场效应管,它们的的作用是刚好相反的。
电脑主板适用场效应管参数及代换

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号2SK3225-Z3353- Z3354-S3354-Z3355-ZJ3366-Z3367-Z3377-Z3385-Z3386-Z3900-ZP3901-ZK3902-ZK3943-ZP738-ZMTD10N05A10N05E10N05E110N08E10N08E1器件型号用途及参数替换型号N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,34A,40W,32/110ns,Ron=0.018mΩN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,82A,95W,100/280ns,Ron=14mΩN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关2SK60V,83A,100W,100/300ns,Ron=8mΩ3355-ZJ N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关2SK60V,83A,100W,130/510ns,Ron=5.8mΩ3354-S-ZN-MOSFET(耗尽型)用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V,20A,30W,28/47ns,Ron=21mΩN-MOSFET(耗尽型)用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V,36A,40W,75/165ns,Ron=9mΩN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,20A,30W,13/43ns,Ron=40mΩN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关2SK60V,30A,35W,22/77ns,Ron=28mΩ3386-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关2SK60V,34A,40W,32/98ns,Ron=25mΩ3385-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,82A,104W,18/62ns,Ron=8mΩN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,60A,64W,12/48ns,Ron=13mΩN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,30A,45W,10/37ns,Ron=21mΩN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关40V,82A,104W,29/69ns,Ron=3.5mΩN-MOSFET(耗尽型)功率场效应管30V,2A,20W,Ron=0.25ΩN通道,功率场效应管50V,10A,1.8W,Ron=0.1ΩN通道,功率场效应管50V,10A,20W,30/45ns,Ron=0.1ΩN通道,功率场效应管80V,10A,50W,13/45ns,Ron=0.12Ω用途及参数替换型号相似型号2SK3355-ZJ2SK3354-S-Z2SK3386-Z2SK3385-ZMTD3055A相似型号封装类型TO-252TO-263TO-263TO-263TO-252TO-252TO-252TO-252TO-252TO-263TO-263TO-263TO-263TO-252TO-252TO-252TO-252封装类型MTDTO-25260V,8A,1.8W,Ron=1.5Ω10N05AN通道,功率场效应管MTDMTD3055A1TO-25260V,8A,20W,Ron=1.5Ω3055E-E13055E-E1N通道,功率场效应管3055EMTDMTDTO-25260V,8A,20W,20/65ns,Ron=0.15Ω3055E13055A13055A1N通道,功率场效应管3055ELMTDMTDTO-2523055EL160V,12A,40W,20/638ns,Ron=0.18Ω3055A13055A1N通道,功率场效应管3N08LTO-25280V,3A,25W,Ron=0.6ΩN通道,功率场效应管5N05MTDMTDTO-25260V,5A,20W,25/50ns,Ron=0.4Ω5N065N05-15N06N通道,功率场效应管5N06MTDMTDTO-25260V,5A,20W,25/50ns,Ron=0.4Ω5N055N06-15N05N通道,功率场效应管MTD5N08LTO-25260V,5A,1.75W,Ron=0.3Ω3055AN通道,场效应管SUBSUBSUBTO-26340N06-25L60V,40A,90W,20/50ns,Ron=0.022Ω45N05-20L45N05-20LN通道,场效应管45N03-13LTO-26330V,45A,88W,20/70ns,Ron=0.013ΩN通道,场效应管SUBSUB45N05-20LTO-26350V,45A,90W,20/60ns,Ron=0.018Ω40N05-25L40N06-25LN通道,场效应管SUBSUB60N06-18TO-26360V,60A,120W,30/50ns,Ron=0.018Ω70N06-1470N06-14N通道,场效应管SUBSUB70N03-09BPTO-26330V,70A,93W,18/45ns,Ron=0.009Ω70N03-09P70N03-09PN通道,场效应管SUBSUB70N03-09PTO-26330V,70A,93W,20/60ns,Ron=0.09Ω70N03-09BP70N03-09BPN通道,场效应管70N04-1040V,70A,107W,30/100ns,TO-263Ron=0.01ΩN通道,场效应管SUB70N06-1460V,70A,142W,30/60ns,TO-26375N06-12LRon=0.014ΩN通道,场效应管SUB75N03-0430V,75A,187W,20/190ns,TO-26385N03-04PRon=0.04ΩN通道,场效应管SUBSUB75N03-0730V,75A,120W,30/120ns,TO-26385N03-07P85N03-07P Ron=0.007Ω3055AN通道,功率场效应管N通道,场效应管75N04-05L`40V,75A,250W,30/260ns,SUBTO-26375N05-0675N05-0775N08-07L75N06-0875N06-12L75N08-09L75N08--1085N02-0385N02-0685N03-04P85N03-07P85N04-0385N04-04Ron=0.0055Ω50V,75A,250W,40/100ns,Ron=0.006ΩN通道,场效应管55V,75A,158W,20/160ns,Ron=0.007ΩN通道,场效应管60V,75A,250W,40/300ns,Ron=0.0075ΩN通道,场效应管60V,75A,250W,40/120ns,Ron=0.008ΩN通道,场效应管60V,75A,142W,20/150ns,Ron=0.012ΩN通道,场效应管75V,75A,250W,20/200ns,Ron=0.009ΩN通道,场效应管75V,75A,187W,40/120ns,Ron=0.01Ω20V,55A,250W,30/670ns,Ron=0.003ΩN通道,场效应管20V,85A,120W,40/120ns,Ron=0.006ΩN通道,场效应管30V,85A,166W,23/75ns,Ron=0.0043ΩN通道,场效应管30V,85A,107W,25/100ns,Ron=0.007ΩN通道,场效应管40V,85A,250W,25/145ns,Ron=0.0035ΩN通道,场效应管40V,85A,250W,35/115ns,Ron=0.004Ω75N05-06SUB75N04-05LTO-26375N06-07L SUB70N06-14TO-263SUBSUB75N06-0875N06-08TO-263TO-263SUB70N06-14TO-263SUBSUB75N08-1075N08-10TO-263SUBSUB75N08-09L75N08-09LTO-263SUB85N02-06TO-263SUB85N02-03TO-263SUB75N03-04TO-263SUBSUB75N03-0775N03-07TO-263SUBSUB85N04-0485N04-04TO-263SUBTUB85N04-0385N04-03TO-263器件型号用途及参数N通道,场效应管60V,85A,250W,25/140ns,Ron=0.0052ΩN通道,场效应管替换型号相似型号封装类型85N06-05SUBSUB TO-26385N08-0885N08-08SUBSUBTO-26386N06-0586N05-0585N08-0875V,85A,250W,30/75ns,Ron=0.008ΩN通道,场效应管85N10-10100V,85A,250W,25/85ns,Ron=0.0105Ω器件型号用途及参数替换型号注:中功率场效应管主要用在南桥供电,北桥供电,内存供电和中。
电子管置换表

12K3P 遥截止五极管 宽带电压放大 12K3、12SK7/GT 旁热式阴极 (四)功率管
2P2 输出四极管 低频功率放大 2П2П、DL92、1S4T、1L33、1L34 直热式阴极
2P3
束射四极管 低频功率放大 3A4、1662、CV807、DL93 直热式阴极
6CX8 旁热式三极管-五极管 电压放大和P-K分割 比6U9、6F2靓 高S
6T1 高频双四极管 推挽输出 QM322、5656 旁热式阴极
FU-5 直热式三极管 低频功率放大 T100-1、RK57、ML714、NU-150、CV2622、CV2768 F123A、GL805、HF150、CV25
FU-31 直热式三极管 宽带功率放大 2T26、826、826“RCA” 钍钨阴极
FU-32 双束射四极管 宽带功率放大 *гY-32、RS1019、TT20SRS4452、QQE03/20、P2-12 与FU-29类同
FU-33 直热式三极管 功率放大 ES833、CV635、B142、3578、833A、5T33 钍钨阴极
FU-15 直热束射五极管 中功率放大 *гY-15 氧化物热子
FU-17 双束射四极管 中功率放大 *гY-17、CV3517、6360、QQV03-10、QQV03/12 旁热式阴极
FU-25 旁热束射四极管 宽带功率放大 1625、FD-25 氧化物阴极
FU-29 双束射四极管 宽带功率放大 *гY-29、829B 旁热式阴极
常用电子管代换
(一)二极管部分:
5Z3P 直热式双阳极二极管 小功率全波整流 5T4、5×4G、5U4G*、5ц3C、U52 氧化物阴极
电脑主板适用场效应管参数及代换

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,34A,40W,32/110ns,Ron=ΩTO-2523353- ZN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,82A,95W,100/280ns,Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,83A,100W,100/300ns,Ron=8mΩ2SK3355-ZJ2SK3355-ZJTO-2633355-ZJN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,83A,100W,130/510ns,Ron=Ω2SK3354-S-Z2SK3354-S-ZTO-2633366-Z N-MOSFET(耗尽型)用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V,20A,30W,28/47ns,Ron=21mΩTO-2523367-Z N-MOSFET(耗尽型)用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V,36A,40W,75/165ns,Ron=9mΩTO-2523377-ZN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,20A,30W,13/43ns,Ron=40mΩTO-2523385-ZN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,30A,35W,22/77ns,Ron=28mΩ2SK3386-Z2SK3386-ZTO-2523386-ZN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,34A,40W,32/98ns,Ron=25mΩ2SK3385-Z2SK3385-ZTO-2523900-ZPN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,82A,104W,18/62ns,Ron=8mΩTO-263 3901-ZK N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关TO-26360V,60A,64W,12/48ns,Ron=13mΩ3902-ZKN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关60V,30A,45W,10/37ns,Ron=21mΩTO-263 3943-ZPN-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关40V,82A,104W,29/69ns,Ron=ΩTO-263 738-ZN-MOSFET(耗尽型)功率场效应管30V,2A,20W,Ron=ΩTO-252MTD 10N05A N通道,功率场效应管50V,10A,,Ron=ΩMTD3055ATO-25210N05E 10N05E1N通道,功率场效应管50V,10A,20W,30/45ns,Ron=ΩTO-25210N08E 10N08E1N通道,功率场效应管80V,10A,50W,13/45ns,Ron=ΩTO-252器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型3055AN通道,功率场效应管60V,8A,,Ron=ΩMTD10N05ATO-2523055A1N通道,功率场效应管60V,8A,20W,Ron=ΩMTD3055E-E1MTD3055E-E1TO-2523055E 3055E1N通道,功率场效应管60V,8A,20W,20/65ns,Ron=ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523055EL 3055EL1N通道,功率场效应管60V,12A,40W,20/638ns,Ron=ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523N08LN通道,功率场效应管80V,3A,25W,Ron=ΩTO-2525N05 5N05-1N通道,功率场效应管60V,5A,20W,25/50ns,Ron=ΩMTD5N06MTD5N06TO-2525N06 5N06-1N通道,功率场效应管60V,5A,20W,25/50ns,Ron=ΩMTD5N05MTD5N05TO-2525N08LN通道,功率场效应管60V,5A,,Ron=ΩMTD3055ATO-252SUB40N06-25L N通道,场效应管60V,40A,90W,20/50ns,Ron=ΩSUB45N05-20LSUB45N05-20LTO-26345N03-13LN通道,场效应管30V,45A,88W,20/70ns,Ron=ΩTO-26345N05-20LN通道,场效应管50V,45A,90W,20/60ns,Ron=ΩSUB40N05-25LSUB40N06-25LTO-26360N06-18N通道,场效应管60V,60A,120W,30/50ns,Ron=ΩSUB70N06-14SUB70N06-14TO-26370N03-09BPN通道,场效应管30V,70A,93W,18/45ns,Ron=ΩSUB70N03-09PSUB70N03-09PTO-26370N03-09PN通道,场效应管30V,70A,93W,20/60ns,Ron=ΩSUB70N03-09BPSUB70N03-09BPTO-26370N04-10N通道,场效应管40V,70A,107W,30/100ns,Ron=ΩTO-26370N06-14N通道,场效应管60V,70A,142W,30/60ns,Ron=ΩSUB75N06-12LTO-26375N03-04N通道,场效应管30V,75A,187W,20/190ns,Ron=ΩSUB85N03-04PTO-26375N03-07N通道,场效应管SUB SUB TO-263Ron=Ω75N04-05L N通道,场效应管`40V,75A,250W,30/260ns,Ron=ΩSUB75N05-06TO-26375N05-06N通道,场效应管50V,75A,250W,40/100ns,Ron=ΩSUB75N04-05L75N06-07LTO-26375N05-07N通道,场效应管55V,75A,158W,20/160ns,Ron=ΩSUB70N06-14TO-26375N08-07L N通道,场效应管60V,75A,250W,40/300ns,Ron=ΩSUB75N06-08SUB75N06-08TO-26375N06-08N通道,场效应管60V,75A,250W,40/120ns,Ron=ΩTO-26375N06-12L N通道,场效应管60V,75A,142W,20/150ns,Ron=ΩSUB70N06-14TO-26375N08-09L N通道,场效应管75V,75A,250W,20/200ns,R on=ΩSUB75N08-10SUB75N08-10TO-26375N08--10N通道,场效应管SUB SUB TO-263Ron=Ω85N02-03N通道,场效应管20V,55A,250W,30/670ns,Ron=ΩSUB85N02-06TO-26385N02-06N通道,场效应管20V,85A,120W,40/120ns,Ron=ΩSUB85N02-03TO-26385N03-04P N通道,场效应管30V,85A,166W,23/75ns,Ron=ΩSUB75N03-04TO-26385N03-07P N通道,场效应管30V,85A,107W,25/100ns,Ron=ΩSUB75N03-07SUB75N03-07TO-26385N04-03N通道,场效应管40V,85A,250W,25/145ns,Ron=ΩSUB85N04-04SUB85N04-04TO-26385N04-04N通道,场效应管40V,85A,250W,35/115ns,Ron=ΩSUB85N04-03TUB85N04-03TO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型85N06-05N通道,场效应管60V,85A,250W,25/140ns,Ron=ΩSUB85N08-08SUB85N08-08TO-26385N08-08N通道,场效应管SUB SUB TO-263Ron=Ω85N10-10N通道,场效应管100V,85A,250W,25/85ns,Ron=ΩTO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型注:中功率场效应管主要用在南桥供电,北桥供电,内存供电和AGP供电电路中。
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电脑主板场管代换表(MOS管代换)2010-11-02 15:20:49|如无特别说明,同一条内的管子可以相互替换1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ>,可替代市面上各类型9435APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等!2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上各类型9926 :APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等!//3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>:暂无4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>,可替代市面上各类型4953 :GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等!SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM49535、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>,可替代市面上各类型4435 :APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、MT4435、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等!6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ30V>,替代各型4410:APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410NSTN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等!7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>,替代各型2300:APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,替代各类2301APM2301 、Si2301、CEM2301 、STS2301 、AP2301 、MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等!9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!10、SD2302 SOT-23-3L <20V 3.2A 85mΩ>,可替代市面上各类型2302 :APM2302 、SSS2302 、AP2302 、STS2302 、MT2302、ST2302 等等!11、锂电保护板MOS 管:SD8205 (SD8205G TSSOP-8;SD8205S TSOP-6 )SD8205S TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>,可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205;SD8205G TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。
12、SD9410 SOP-8<18A 5.5mΩ30V >,可替代市面上各类型9410 :NDS9410A、NDS9410、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、IRF7832ZPbF、IRF7805、FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、IRF7832、FDS9410A、FDS9410等等!备注:请勿用南科NK9410D <6A 16V 40 mΩ>的质量规格与价格与SD9410 相比。
13、SD4501 SOP-8 :规格N+P ( N-Channel:30V 28mohm 7A ) ( P-Channel:-30V 50mohm -5.3A) 3K 盘装场效应管。
性价比强力替代AO4604 以及市面上各类取代AO4604 的替代材料,如:STM8401、SDM8401、SI4532、SI4539、SI4544、SI4558、SI4562、SI9928、APM4546、AP4501、CEM3259、GE8401、MT4604、SI9939、SI4500、SI4542、FDS8928A、FDS8958A、NDS9952A、STP8401 等等!14、SD4503 SOP-8 :规格N+P ( N-Channel:30V 28mohm 6.9A )、( P-Channel:-30V 36mohm -6.3A) 3K 盘装场效应管。
性价比强力替代AO4606 以及市面上各类取代AO4606 的替代材料,如:STM8401、SDM8401、SI4532、SI4539、SI4544、SI4558、SI4562、SI9928、APM4546、AP4503、CEM3259、GE8401、GE8405、MT4606、STP8405、SPC4539、GT4503、IRF7319 等等!15、SD2305 SOT-23-3L <4.2A 20V 65mΩ>,可替代各款2305,如:AP2305GN、APM2305、AO3413、SSS2305、STS2305、SI2305、STP2305、ST2305、GE2305、GT2305、IRLML6401 等等16、SD4228 SOP-8 < Dual N-Channel 6.8A 30V 26 mΩ>,替代:AO4800、AO4812、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、FDS6930B、FDS6990S、SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936、NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、SI4804、SI9936、FDS9926A、FDS6912、ME4922.GT4228、P07D03LV、P07D03LVG 等等!17、SD9971 SOP-8 < Dual N-Channel 5A 60V 50 mΩ>,替代:AP9971GM、STM6960、STM6960A、Si4900DY、Si4946、AO4828、APM9946K、APM9945K、STM6930、STM6930A、Si9945AEY、CEM4426、FDS9945、MT4946 等! 18、SD4953BDY SOP-8 < 30V 5A 31mΩ>,专替代:APM4953、CEM4953、Si4953 ( Si4953DY )、GT4953BDY、AO4801、AO4801A。
SD4953BDY 具稳定电气特性与低阻抗及价格优越性之优点,专替代APM4953、Si4953DY、FDS4953、CEM4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、FDS4936、SDM4953、GT4953BDT 等几款物料之最强替代料。
19、SD3400 SOT-23-3L < 30V 5.8A 28 mΩ>,专替代:AO3400、STS3402、Si3400、MT3400、GT3400、GE3400、APM3400、AP3400、IRLML2502 等。
20、SD3055 TO-252 < 30V 26mΩ15A > ,替代各类3055 与15N03:AP15N03、APM3055、APM3054、NK3055、GE3055、GT3055、MT3055、TM3055、MI3055、AP9T16H 等等!21、SD6679 SOP-8 < 30V 10mΩ14A > ,专替代::AO4407、AO4407A、AO4411、AO4413、AF4407P 以及与该物料同类规格等级之诸MOSFET 元器件22、SD8822 TSSOP-8 < 20V 24mΩ7A > ,专替代:AO8822、SSG8822、TF8822、GE8822、GT8822、PJ8822、STN8822、STC5N20V、SSG5N20V、STN8205、MI8822、ME8822、SPN8822 及同类规格之诸MOSFET 元器件23、锂电保护板MOS 管:STD5N20V TSSOP-8;STS5N20V TSOP-6STS5N20V : TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>,可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205、5N20V、9926。
STD5N20V : TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。
24、SD6680 SOP-8 <11.5A 11mΩ30V> ,各型4410 升级版可完全替代各型4410 与6680 :APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410、GT6680、FDS6680、ME6680、AP6680、SI6680、SI4410DY 等等1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ >,可替代市面上各类型9435APM9435、 CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、 SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等!2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上各类型9926 :APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、 MT9926、TM9926 、GE9926、 iTM9926、MI9926、 TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等!3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>:暂无4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>,可替代市面上各类型4953 :GE4953、 iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、 AP4953、 TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、 SPP4953、STP4953A、SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、 AKE4953 等等!SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM49535、 SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>,可替代市面上各类型4435 :APM4435、 Si4435DY、 CEM4435、 SDM4435、 SSM4435、 GE4435 、MT4435、H4435、STM4435、 AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等!6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ 30V>,替代各型4410:APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等!7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>,替代各型2300:APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300、SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,替代各类2301:APM2301 、 Si2301、 CEM2301 、STS2301 、 AP2301 、 MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等!9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S :APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!10、SD2302 SOT-23-3L <20V 3.2A 85mΩ>,可替代市面上各类型2302 :APM2302 、 SSS2302 、 AP2302 、 STS2302 、 MT2302、ST2302 等等!11、锂电保护板MOS 管: SD8205 (SD8205G TSSOP-8;SD8205S TSOP-6 ),SD8205S TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>,可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205;SD8205G TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。