晶圆尺度纳米压印光刻机总体结构的设计
光刻机工件台定位平台结构设计
摘要：针对工件台易受到微小震动而引起图像偏差的问题，对工件台定位平台的结构进行了优化设计，同时改进了工作台的调节方式，对今后光刻机工件台的研究与改进具有良好的借鉴意义。
关键词：光刻机；定位台；三轴联动0 引言本文针对光刻机自动修改定位存在误差的问题，以光刻机工件台定位平台为研究对象，以接触式光刻理论、1:1全反射投影光刻技术、反射投影技术、电子光刻技术等作为理论与技术支撑，在此基础上完成了光刻机工件台定位平台的结构设计。
结合测量反馈系统，本设计主要完成了对光刻机普通定位平台的优化，优化部件及定位部件的设计、组装；文件格式的转换和零件与定位部件实体逻辑位置的装配。
同时从精度、运动方式等方面，将本文设计的光刻机工件台定位平台与市面上成熟的产品进行比较，完成了定位平台的结构三维图设计。
1 基本理论根据对各定位理论的归纳与了解可知，光刻机定位精度取决于光刻机中的像差和层之间的配准精度，基于此，本设计根据要求改善了定位部件的设计、组装以及零件与定位部件的装配，完成了定位平台的三维结构设计以及六自由度平台结构设计，再通过计算机图形技术和3D仿真设计、3D仿真平台，得到定位部件的最优设计方案。
2 定位平台的三维结构设计2.1 定位平台的“331”原则2.1.1 “331”原则“33l”原则内容如下：（1）设置三维测量系统的X、Y、Z轴标准尺寸线或其延长线相互垂直并相交于一交点上，以这三轴测量线为基准建立三维坐标系。
（2）设置测量系统中测量平台的X轴导轨导向面、Y轴导轨导向面与X、Y轴标准尺寸线所构成的测量面重合，从而建立两个运动面与一个测量面这三面共面的测量平台。
（3）设置测头中心点与三条标准尺寸线或其延长线的交点重合。
完成上述工作后，锁定三轴标尺与测头的相对位置，建立三维测量系统。
2.1.2 总体结构设计方案定位平台整体结构布局示意图如图1所示，设置X轴驱动系统和X 向测量系统与X向工作台固定，Y轴驱动系统和Y向测量系统与Y向工作台固定，并通过Y向导轨与X向工作台连接，Z向工作台通过Z向导轨与Y向工作台连接，且Z向工作台与水平面相互垂直。
光刻机的结构
光刻机的结构光刻机是一种用于半导体制造的关键设备，它在芯片制造过程中扮演着重要的角色。
光刻机的结构可以分为以下几个部分。
一、光源系统光刻机的光源系统是指提供光源的部分，它通常由激光器和光学系统组成。
激光器是产生高功率、高稳定性的激光光源的关键部件，而光学系统则负责将激光束聚焦到光刻胶上，以实现图形的投影。
二、掩膜系统掩膜系统是光刻机中用于制作掩膜的部分。
掩膜是一种具有特定图形的透明介质，它被用来屏蔽激光束，使其只照射到光刻胶上的特定区域。
掩膜系统通常由掩膜台和对准系统组成，掩膜台用于固定掩膜，而对准系统则用于确保掩膜与光刻胶之间的对准精度。
三、光刻胶涂覆系统光刻胶涂覆系统用于将光刻胶均匀地涂覆到芯片表面。
光刻胶是一种感光材料，它可以在光的作用下发生化学变化，从而形成芯片上的图形。
光刻胶涂覆系统通常由涂覆机、旋涂机和烘烤机组成，涂覆机用于将光刻胶均匀地涂覆到芯片表面，旋涂机用于将多余的光刻胶旋掉，而烘烤机则用于加热光刻胶，加快其固化过程。
四、曝光系统曝光系统是光刻机的核心部分，它用于将掩膜上的图形投影到光刻胶上。
曝光系统通常由光学系统和运动系统组成，光学系统用于将掩膜上的图形聚焦到光刻胶上，而运动系统则用于控制光刻胶和掩膜之间的相对位置，以实现图形的精确投影。
五、显影系统显影系统用于去除未曝光的光刻胶。
显影是利用化学溶液将未曝光的光刻胶溶解掉的过程，从而形成芯片表面的图形。
显影系统通常由显影机和清洗机组成，显影机用于将芯片浸泡在显影溶液中，清洗机用于去除残留的显影溶液和光刻胶。
光刻机的结构如上所述，它的每个部分都起着关键的作用，只有各部分协同工作，才能实现精确的图形投影和高质量的芯片制造。
随着半导体技术的不断发展，光刻机的结构也在不断创新和改进，以满足制造更小、更快、更强大的芯片的需求。
光刻机的结构对于芯片制造的成功至关重要，因此在设计和制造过程中需要严格控制各个部分的精度和质量，以确保芯片的可靠性和稳定性。
光刻机结构及工作原理
光刻机结构及工作原理
光刻机是用来制作微电子器件的关键设备之一，它能够将图案从掩膜转移到硅片或其他半导体材料上，用于制造集成电路、平板显示器、光学元件等微纳米器件。
光刻机的结构通常包括以下几个部分：
1. 曝光系统：曝光系统是光刻机的核心部件，它主要由光源、准直系统、投影系统和掩膜台组成。
光源产生紫外线光或深紫外光，准直系统将光束整形成平行光线，投影系统将图案投射到硅片上，掩膜台用于固定和对准掩膜和硅片。
2. 物质传递系统：物质传递系统负责将硅片从供料台取出并转移到掩膜台上，然后将硅片转移到后续工艺步骤中。
物质传递系统通常由机械臂、传送带和对准装置组成。
3. 控制系统：控制系统用于控制光刻机的各个部件的运动和操作，以确保准确的曝光和位置对准。
控制系统通常由计算机和相关的控制器组成。
光刻机的工作原理如下：
首先，将硅片放在掩膜台上，并使用对准装置将硅片和掩膜对准。
然后，通过准直系统和投影系统，将光源发出的光经过掩膜上的图案透过投影镜投射到硅片上。
光经过曝光后，根据不同的光刻技术，可能会引起化学反应、溶解光刻胶、硬化或蚀刻等变化。
完成曝光后，硅片通过物质传递系统移动到下一个工艺步骤，如显影、蚀刻等。
显影过程中，光刻胶被溶解或去除，暴露出硅片表面的图案。
在蚀刻过程中，通过化学或物理方法，去除硅片上未被保护的区域，形成所需的微结构。
总之，光刻机通过将图案从掩膜转移到硅片上，实现微电子器件的制造。
其结构包括曝光系统、物质传递系统和控制系统，通过精确的位置对准和光源的曝光，实现对硅片的加工和图案形成。
03光刻机结构及工作原理1
03光刻机结构及工作原理103光刻机结构及工作原理1光刻机（Photolithography）是一种在半导体制造过程中，用于将图案转移至硅片（Wafer）上的工艺技术。
它是半导体工业中至关重要的一环，因为它能够实现微细的图案精确地转移到硅片上，从而实现集成电路的制造。
光刻机的结构大致可以分为以下几个主要部分：光源系统、掩膜对准系统、光学系统（Projection Optics System）、控制系统和硅片传送系统。
光源系统是光刻机的核心部分之一，它提供了高亮度且高均匀度的光源。
常用的光源有紫外线光源、光纤激光器等。
光源通过透镜系统聚焦，经过掩膜（Mask）上的图案形成光强分布，然后通过投影光学系统将图案投射到硅片上。
掩膜对准系统用于确保掩膜与硅片的对准精度，它能够精确地调整掩膜与硅片之间的相对位置。
对准系统仅需保证掩模对准精度即可，这是因为相对于掩膜，硅片上的图案会被按比例放大，即投影比率。
例如，如果投影比率为 5：1，那么掩膜上的 1mm 的图案会在硅片上形成 5mm 的图案。
光学系统是负责将经过掩膜的图案放大并转移到硅片上。
它通常由一套透镜组成，将形成的光强分布进行扩散和透射，以实现高精度的图案分辨率和投影比率。
光学系统的设计和制造对于光刻机的分辨率和成像质量至关重要。
控制系统是用于控制整个光刻机运行的关键部分。
它能够精确地控制光源的开关，对准系统的运动和调整，以及图案的转移和硅片的传送等。
控制系统通过与光学系统和硅片传送系统的协调工作，以实现高精度和高效率的光刻过程。
硅片传送系统是将硅片从一个位置传送到另一个位置的部分。
它通常由传送装置和夹具组成，用于控制和运动硅片。
在光刻过程中，硅片会在不同的工序和设备之间传送，因此传送系统的稳定性和精确性对于整个工艺的成功至关重要。
光刻机的工作原理如下：首先，将准备好的掩膜放置在掩膜对准系统上，确保其与硅片的对准精度。
然后，打开光源系统，通过光学系统将图案投射到硅片上。
纳米压印光刻技术综述
Ｋｅ ｗｏ ｄｓ：Ｎａ ｏ—ｉ ｒｎ ｉｈ ｇ ａ ｈ Ｋｅ ｃ ｎｉｕｅ Ｔｅ ｈｎｃ ｌＣｈ ｌｅ ｅ ｙ ｒ ｎ ｍｐ ｉ ｔＬ ｔ ｏ ｒ ｐ ｙ； ｙ Ｔｅ ｈ ｑ ｓ； ｃ ｉａ ａｌｎｇ
自 １４ ９７年 世界 上第一 只 晶体管 问世 以来 ， 导体 半 微 电子技 术 以及 由此 引发 的各种 微型 化技 术 已经发 展
纳米制 造 的一种 新 方法 ， 有 巨大 的 发 展潜 力 和 应 用 具
数形式增长。为了避免使用昂贵且复杂的光源和投影
光 学 系统 ， 米 压 印光 刻 技 术 （ ａ ｏ ｉ ｒ ｔｌｈ ｇａ 纳 ｎ ｎ —ｍｐ ｎ ｉ ｏｒ— ｉ ｔ ｐ ｙ Ｎ Ｌ 这 一低 成 本 图形 转 移 技 术 的提 出和 发 展 越 ｈ，Ｉ） 来越 多地 为人们 所知 。 Ｎ Ｌ技 术 的研究 始于 华裔科 学 家 普林 斯 顿 大学 纳 Ｉ 米结 构实 验 室 的 Ｓｅ ｈ ｎＹ． ｈ ｕ教 授 … 。 纳 米 压 印 ｔ ｅ Ｃ ｏ ｐ 是将 具有 纳米 级尺 寸 图案 的模 板在 机械 力 的作用 下压
光 刻 设 备 提 供 商 ： 国 的 Ｍｏｅｕａ ｍ ｒ ｔ ｎ 、 美 ｌ ｌ Ｉ ｐｉ ｓ ｃ ｃ ｒ ｎ Ｉ Ｎ ｎｎｘＣ ｒ， ａｏｅ ｏｐ 奥地 利 的 Ｅ ｒｕ ， 典 的 Ｏ ｄｃｔ Ｂ ＶＧｏｐ瑞 ｂｕａ Ａ
和德 国的 Ｓ ｓ Ｍｉ ｏ ｃＣ ．ｎ 。纳 米压 印技 术 研究 在 ｕ ｓ ｃ ｔ ｏ Ｉｃ ｒｅ
光 刻技 术 （ ｅｔ ｅｅａｉ ｉ ｏｒｐ ｙ Ｎ Ｌ 纳米 压 印 Ｎ ｘ Ｇ ｎ ｒｔ ｎＬｔ ｇａ ｈ ， Ｇ ） ｏ ｈ
技 术将 为纳 米制 造提 供 新 的机 遇 ， 誉较 之 现 行 的投 影 光 刻 和 其 他 下 一 代 光 刻 技 Ｉ
纳米压印技术
目标和结果
1. 石英印章接触压印 2. 进行UV曝光 3. 从基板分离印章 4. 清除残留层 5. 氧蚀剂蚀刻
微接触印刷μCP
分类
热塑性纳米压印光刻T-NIL 紫外纳米压印光刻UV-NIL 微接触印刷μCP
热塑性纳米压印光刻T-NIL
在标准的T-NIL工艺中,将薄的抗蚀刻 层热塑性聚合物,旋涂在样品基底上 . 然后将具有预定义拓扑图案的模具 与样品接触并将它们在一定压力下压 在一起. 当加热到高于聚合物的玻璃 化转变温度时,模具上的图案被压入软 化的聚合物膜中. 冷却后,模具与样品 分离,图案抗蚀剂留在基材上. 可以使 用图案转移过程 反应离子蚀刻 将抗 蚀剂中的图案转印到下面的基底.
紫外纳米压印光刻技术
Ultraviolet nanoimprint lithography technology
目录：
➢ 介绍 ➢ 过程 ➢ 应用 ➢ 未来前景
Conten ts
介绍
纳米压印光刻NIL是制造纳米尺度图案的方
法. 它是一种简单的纳米光刻工艺,具有成本低,产量高,分辨率 高. 它通过压印抗蚀剂的机械变形和随后的工艺形成图案. 印记 抗蚀剂通常是在印迹期间通过热或UV光固化的单体或聚合物 制剂. 控制抗蚀剂和模板之间的粘合以允许适当的释放.
是软光刻技术的一种 形式,通常使用PDMS模板 上的凹凸图案压膜来在承 印物的表面通过面接触形 成油墨自组装单层膜的图 案,就类似纳米转移印刷的
情况
1. 模板制备 2. 生成PDMS压膜 3. 压膜上墨 4. 将压膜转移到承印物 5. 直接接触
纳米压印光刻技术
纳米压印光刻技术纳米压印技术是美国普林斯顿大学华裔科学家周郁在20世纪1995年首先提出的。
这项技术具有生产效率高、成本低、工艺过程简单等优点,已被证实是纳米尺寸大面积结构复制最有前途的下一代光刻技术之一。
目前该技术能实现分辨率达5nm以下的水平。
纳米压印技术主要包括热压印、紫外压印以及微接触印刷。
纳米压印技术是加工聚合物结构最常用的方法,它采用高分辨率电子束等方法将结构复杂的纳米结构图案制在印章上,然后用预先图案化的印章使聚合物材料变形而在聚合物上形成结构图案。
1、热压印技术纳米热压印技术是在微纳米尺度获得并行复制结构的一种成本低而速度快的方法。
该技术在高温条件下可以将印章上的结构按需复制到大的表面上,被广泛用于微纳结构加工。
整个热压印过程必须在气压小于1Pa的真空环境下进行,以避免由于空气气泡的存在造成压印图案畸变,热压印印章选用SiC材料制造,这是由于SiC非常坚硬,减小了压印过程中断裂或变形的可能性。
此外SiC化学性质稳定,与大多数化学药品不起反应,因此便于压印结束后用不同的化学药品对印章进行清洗。
在制作印章的过程中,先在SiC表面镀上一层具有高选比(38&1)的铬薄膜,作为后序工艺反应离子刻蚀的刻蚀掩模,随后在铬薄膜上均匀涂覆ZEP抗蚀剂,再用电子束光刻在ZEP抗蚀剂上光刻出纳米图案。
为了打破SiC的化学键,必须在SiC上加高电压。
最后在350V的直流电压下,用反应离子刻蚀在SiC表面得到具有光滑的刻蚀表面和垂直面型的纳米图案。
整个热压印过程可以分为三个步骤：(1)聚合物被加热到它的玻璃化温度以上。
这样可减少在压印过程中聚合物的粘性,增加流动性,在一定压力下,就能迅速发生形变。
但温度太高也没必要,因为这样会增加升温和降温的时间,进而影响生产效率,而对模压结构却没有明显改善,甚至会使聚合物弯曲而导致模具受损。
同时为了保证在整个压印过程中聚合物保持相同的粘性,必须通过加热器控制加热温度不变。
我国纳米压印光刻技术专利态势分析
我国纳米压印光刻技术专利态势分析戴翀【摘要】由于具有高分辨率、高产量、低成本等特点,纳米压印光刻技术被IC业界认为是最具发展前景的下一代光刻技术之一.本文旨在通过对纳米压印光刻技术中国专利申请进行统计分析,为我国进行具有自主知识产权的纳米压印光刻技术研发和制定有效的专利战略提供参考.【期刊名称】《科技和产业》【年(卷),期】2013(013)004【总页数】5页(P111-115)【关键词】纳米压印光刻;专利;统计分析【作者】戴翀【作者单位】国家知识产权局专利局光电发明审查部,北京100088【正文语种】中文【中图分类】G306光刻是集成电路（Integrated Circuit，IC）制造中最关键的技术之一，它是整个IC制造中最重要的经济影响因子，光刻成本几乎占据IC制造成本的三分之一［1］。
光刻技术也是推动IC电路按照摩尔定律不断更新换代的引擎，对IC产业的高速发展起到了极为关键的支持作用，这是因为每个新一代IC电路的出现，总是以光刻所获得的线宽为主要技术标志。
如果没有光刻技术的进步，IC电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。
随着电路集成度的不断提高，传统光学光刻技术由于受曝光波长衍射极限的物理限制，其技术复杂性和设备制造成本大幅增加。
为了进一步提高光刻分辨率，已经提出了下一代光刻技术，包括极紫外光刻、电子束光刻、X射线光刻、离子束光刻和纳米压印光刻（Nanoimprint lithography，NIL）等［2］，其中纳米压印光刻由于在技术和成本上的巨大优势而受到IC业界的重点关注，目前，纳米压印光刻技术作为22nm、16nm和11nm节点的IC制造技术已被列入国际半导体技术路线图（ITRS，2009），世界各国亦投入大量资源进行技术开发和专利申请工作。
鉴于此，本文旨在通过对涉及纳米压印光刻技术的中国专利申请进行统计分析，结合主要申请人的专利技术和我国相关研发及产业情况，揭示了纳米压印光刻技术的分布格局和发展态势，并就国内外专利申请的技术分布进行了比较，从而为我国IC产业实现具有自主知识产权的纳米压印光刻技术和制定有效的专利战略提供策略和参考。
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大学毕业设计（论文）题目晶圆尺度纳米压印光刻机总体结构的设计学生姓名：学生学号：指导教师：机械工程学院机械设计制造及其自动化专业班2011年6月15日毕业设计（论文）任务书专业机械设计制造及其自动化班级姓名下发日期2011-3-6摘要本文介绍了晶圆尺度紫外纳米压印光刻技术原理、发展趋势和所设计的压印系统。
所设计的压印光刻机采用一种均匀性微接触压印工艺，适用于6英寸的大面积压印，在小的压印力和脱模力下，大大扩展了压印面积，同时的保证压印复形的精度和质量，从而大大提高了生产效率延长了模具寿命。
本文根据实际工况，根据压印机的性能要求和所实现的运动要求，对纳米压印光刻机的主体结构进行了分析设计并且充分考虑了整机尺寸布局，并进行了反复改进。
在以上基础上，建立了纳米压印光刻机的各关键零部件主体结构的实体模型，并完成了整机的装配建模。
另外，本文还设计分析了晶圆尺度紫外纳米压印光刻机的关键子系统，如机架、压印头、承片台、主动减振系统、气动系统、固化曝光系统。
关键词：压印光刻机；压印头；承片台；机架；气动系统AbstractThis paper introduces the technology and principle of the wafer scale nanoimprinting lithography, development and the design of nanoimprinting lithography system. The design of pressure seal scanner using a uniformity micro contact pressure seal process, applicable to six inches of large area in the small embossing, stamped force and stripping force, greatly expand the stamping area, at the same time guarantee the accuracy of stamped complex shape and quality, which greatly improve the production efficiency extended the die life.In this paper, according to the actual working condition, embossing machine according to the performance requirements and realized by movement request, the nano stamping scanner main body structure design and analysis of full consideration of the size, the layout and the repeated improvement. On the basis of the above, the establishment of a nano stamping scanner each key parts of the main structure solid model, and complete the whole engine assembly modeling.In addition, this paper also analyzes the design wafer scale ultraviolet nano stamping scanner key subsystems, such as frame, stamping, frequency of Taiwan, head to reduce vibration system, pneumatic systems, curing exposure system.Keywords:nanoimprinting lithography equipment; imprinting head; wafer stage; frame;pneumatic system目录摘要 (I)Abstract (II)目录 (III)1 绪论 (1)1.1课题背景 (1)1.2纳米压印技术及其发展 (6)1.3国内外纳米压印技术的研究 (10)1.4本论文研究的主要内容和意义 (11)2 晶圆尺度纳米压印光刻机总体结构设计 (13)2.1整片纳米压印工艺 (13)2.2纳米压印光刻机介绍 (17)2.3光刻机主要结构形式及选型 (20)2.4纳米压印光刻机总体布局设计 (21)2.5晶圆尺度纳米压印光刻机总体结构设计 (24)3晶圆尺度纳米压印光刻机关键子系统设计 (28)3.1机架结构设计 (28)3.2压印头的设计 (38)3.2承片台的设计 (44)3.3气动系统 (47)3.4固化曝光系统 (51)3.5主动减振系统 (54)第4章晶圆尺度纳米压印光刻机整机数字建模 (56)4.1纳米压印光刻机主要部件的实体模型的建立 (56)4.2纳米压印光刻机整机的数字模型的建立 (59)第5章结论 (62)参考文献 (63)致谢 (65)附件1 (66)附件2 (75)第1章绪论1.1课题背景光刻机作为一种系统性工程设备，集“光、电、机、仪”技术、计算机技术、自动控制技术于一体，代表了世界装备制造的最高水平，也是支撑高科技集成电路的基础。
光学光刻技术与其他光刻技术相比，易实现高套刻精度、掩模制作相对简单、工艺条件容易掌握等优点，一直是半导体芯片制造业中的主流光刻技术，但随着IC的集成度提高，普通的光学光刻已不能满足半导体芯片加工对高生产率、低成本的要求。
纳米压印设备的研究旨在为制备纳米结构和器件提供一种高分辨率、低成本和高生产率的新方法。
可广泛用于纳米电子器件、纳米光学器件、纳米光电器件、纳米磁存储器及生物微流体器件的制造，为纳米科学技术研究提供一个重要的制造技术平台，对进一步推动他们的产业化起着重要作用。
随着电子产业的技术进步和发展，光刻技术及其应用已经远远超出了传统意义上的范畴，如上所述，它几乎包括和覆盖了所有微细图形的传递、微细图形的加工和微细图形的形成过程。
因此，未来光刻技术的发展也是多元化的，应用领域的不同会有所不同，但就占有率最大的半导体和微电子产品领域而言，实现其纳米水平产业化的光刻技术将分成两个阶段，即：①90～32nm阶段将仍然由深紫外和极紫外光刻结合一些新的技术手段去完成，同时纳米压印和扫描探针光刻技术在45nm技术节点将会介入进行过渡；②32nm以下的规模生产光刻技术将在纳米压印和扫描探针光刻技术之间选择。
总之，未来光刻技术的发展将会更快，技术上将会更加集中。
据在先进光刻技术大会（国际光学工程学会（SPIE）主办），32nm节点后解决方案有3个，即极紫外线光刻，纳米压印光刻，双面曝光、两次图形曝光。
上述3个候补都存在着各自的课题。
但是，即使解决了技术上的课题，仍难以避免设备价格的高涨及包括基础设施在内的成本增加。
这样一来，能够引进多台设备并单独投资进行先进制程开发的半导体厂商更是屈指可数，因此这样以来纳米压印机却不失一种最好的半导加工设备。
该技术因为没有光学曝光中的衍射现象和电子束曝光中的散射现象；可以,同时制作成百上千个器件：不需要复杂的光学系统或复杂的电磁聚焦系统因此具有的分辨率高、成本低、工艺环节少、高产量优点，并且已成为下一代光刻技术中的有力竞争者。
奥地利的EV Group、美国的Nanonex、瑞典的Obducat和德国的Suss Microtec等公司纷纷推出了纳米压印光刻设备。
因此纳米压印可望成为一种工业化生产技术,从根本上开辟了各种纳米器件生产的广阔前景。
纳米压印技术已经展示了广阔的应用领域。
1958年美国德克萨斯仪器公司发明了集成电路(lntegrated circuit，IC)之后，随着20世纪60年代双极型和MOS型集成电路的发展，标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了质和量的飞跃，并且创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业-IC产业。
以全球电子产品和半导体产业的强劲发展趋势及在全球经济中的主要地位，IC产业已经成为现代国民经济乃至地区安全和全球经济的晴雨表，是整个社会总体产业增长的动力和活力源泉。
IC制造具有复杂的工艺链：晶圆制备、电路制造、封装等，其中电路制造过程最为复杂，包括气相沉积、光刻、刻蚀、离子注入、扩散和引线等。
决定IC特征尺寸大小的关键和瓶颈技术就是其中的光刻环节。
IC特征尺寸的变化与光刻技术的发展关系遵从着著名的摩尔定理。
随着IC特征尺寸的减小，采用的曝光方式从接触式、接近式到投影式；光源从436 nm、365 nm、248 nm到193 nm;数值孔径从0.35、0.45、0.55、0.60到0.70。
当特征尺寸小于100 nm时，现有的工艺和光源都必须再次更新，如离轴照明技术、相移掩模技术、浸没透镜技术筹作为目前提高光刻分辨率的新技术正被研究和应用，但也仅仅是对光刻分辨率的有限提高。
为了更进一步提高光刻分辨率，延长光学光刻寿命，发展下一代的光学光刻技术，包括X射线、离子束投影、无掩模、电子束投影、纳米压印和电子束直写等成为必要。
这些因素对我国IC业赶超西方先进水平是非常不利的，不符合我国现有国情。
只有采用较低资金投入，绕开光刻中光学难题的全新光刻工艺思路，才会给我国IC业的大发展带来机会，尽快掌握IC制造核心技术，赶超西方先进水平已经成为国家政治、经济、军事等发展的关键因素。
下一代光刻按术——压印光刻(lmprint lithography，IL)就符合以上要求。
自20世纪60年代以来，半导体技术取得了飞速的发展，到现在仍遵循着“摩尔定律”保持强劲的发展态势。
“摩尔定律”是Intel公司创始人之一的Goldon Moore于1965年提出的，即每隔约18-24个月，单个芯片上晶体管数目将增加1倍。
为了赶上迅速发展的半导体技术，欧洲、日本、韩国、台湾与美国半导体产业协会合作制订了《国际半导体技术蓝图》（ITRS），最新的蓝图进程如图1-1所示。
蓝图认为目前挑战存在于拓展193nm节点光刻技术及发展新型下一代可替代方法上。
其中，拓展首先将在以下领域中有所进展：曝光设备、抗蚀材料和加工设备、制模及设备和材料、临界尺寸测试、覆盖控制和缺陷检测度量设备。
而制造IC光刻的主要因素取决于临界尺寸（CD）控制、覆盖、缺陷控制和低成本。