开关电源研发范例
1 目的
希望以簡短的篇幅，將公司目前設計的流程做介紹，若有介紹不當之處，請不吝指教.
2 設計步驟:
2.1 繪線路圖、PCB Layout.
2.2 變壓器計算.
2.3 零件選用.
2.4 設計驗證.
3 設計流程介紹(以DA-14B33為例):
3.1 線路圖、PCB Layout 請參考資識庫中說明.
3.2 變壓器計算:
變壓器是整個電源供應器的重要核心，所以變壓器的計算及驗証是很重要的，以下即就DA-14B33變壓器做介紹.
3.2.1 決定變壓器的材質及尺寸:
依據變壓器計算公式
Gauss x NpxAe
LpxIp B 100(max ) ? B(max) = 鐵心飽合的磁通密度(Gauss)
? Lp = 一次側電感值(uH)
? Ip = 一次側峰值電流(A)
? Np = 一次側(主線圈)圈數
? Ae = 鐵心截面積(cm 2)
? B(max) 依鐵心的材質及本身的溫度來決定，以TDK Ferrite
Core PC40為例，100℃時的B(max)為3900 Gauss ，設計時應
考慮零件誤差，所以一般取3000~3500 Gauss 之間，若所設計
的power 為Adapter(有外殼)則應取3000 Gauss 左右，以避
免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae 越高，
所以可以做較大瓦數的Power 。
3.2.2 決定一次側濾波電容:
濾波電容的決定，可以決定電容器上的Vin(min)，濾波電容越
大，Vin(win)越高，可以做較大瓦數的Power ，但相對價格亦較
高。
3.2.3 決定變壓器線徑及線數:
當變壓器決定後，變壓器的Bobbin 即可決定，依據Bobbin 的
槽寬，可決定變壓器的線徑及線數，亦可計算出線徑的電流密
度，電流密度一般以6A/mm 2為參考，電流密度對變壓器的設計
而言，只能當做參考值，最終應以溫昇記錄為準。
3.2.4 決定Duty cycle (工作週期):
由以下公式可決定Duty cycle ，Duty cycle 的設計一般以50%
為基準，Duty cycle 若超過50%易導致振盪的發生。
xD Vin D x V Vo Np Ns D (min))1()(-+= ?
N S = 二次側圈數 ?
N P = 一次側圈數 ?
Vo = 輸出電壓 ?
V D = 二極體順向電壓 ?
Vin(min) = 濾波電容上的谷點電壓 ? D = 工作週期(Duty cycle)
3.2.5 決定Ip 值: I Iav Ip ?+=21 ηxDx Vin Pout Iav (min)= f P x Lp Vin I (min)=
? ? Ip = 一次側峰值電流
? Iav = 一次側平均電流
? Pout = 輸出瓦數
? =η效率
? =f PWM 震盪頻率
3.2.6 決定輔助電源的圈數:
依據變壓器的圈比關係，可決定輔助電源的圈數及電壓。
3.2.7 決定MOSFET 及二次側二極體的Stress(應力):
依據變壓器的圈比關係，可以初步計算出變壓器的應力(Stress)是否符合選用零件的規格，計算時以輸入電壓264V(電容器上為
380V)為基準。
3.2.8 其它:
若輸出電壓為5V 以下，且必須使用TL431而非TL432時，須考
慮多一組繞組提供Photo coupler 及TL431使用。
3.2.9 將所得資料代入Gauss x NpxAe
LpxIp B 100(max )=公式中，如此可得出B(max)，若B(max)值太高或太低則參數必須重新調整。
3.2.10 DA-14B33變壓器計算:
? 輸出瓦數13.2W(3.3V/4A)，Core = EI-28，可繞面積(槽
寬)=10mm ，Margin Tape = 2.8mm(每邊)，剩餘可繞面積=4.4mm.
? 假設f T = 45 KHz ，Vin(min)=90V ，η=0.7，P.F.=0.5(cos θ)，
Lp=1600 Uh
? 計算式:
● 變壓器材質及尺寸:
? 由以上假設可知材質為PC-40，尺寸=EI-28，
Ae=0.86cm 2，可繞面積(槽寬)=10mm ，因Margin
Tape 使用2.8mm ，所以剩餘可繞面積為4.4mm.
? 假設濾波電容使用47uF/400V ，Vin(min)暫定90V 。
● 決定變壓器的線徑及線數:
A x x x x Vin Pout Iin 42.05
.07.0902.13cos (m in)===θη ? 假設N P 使用0.32ψ的線
電流密度=A x x 286.11024
.014.342.0232.014.342
.02==??? ?? 可繞圈數=()圈線徑
剩餘可繞面績57.1203.032.04.4=+= ? 假設Secondary 使用0.35ψ的線
電流密度=A x x 07.440289
.014.34235.014.34
2==??? ?? ? 假設使用4P ，則
電流密度=
A 02.11407.44= 可繞圈數=()
圈57.1103.035.04.4=+ ● 決定Duty cycle:
? 假設Np=44T ，Ns=2T ，V D =0.5(使用schottky Diode)
()()D
Vin D V Vo Np Ns D (min)1-+= ()()%2.489015.03.3442=?-+=D D
D
● 決定Ip 值:
I Iav Ip ?+=2
1 A x x xD x Vin Pout Iav 435.0482
.07.0902.13(min)===η
A K
x u f D x Lp Vin I 603.045482.0160090(min)===? A Ip 737.02
603.0435.0=+= ● 決定輔助電源的圈數:
假設輔助電源=12V
128.31=A N Ns 128.321=A N N A1=6.3圈
假設使用0.23ψ的線
可繞圈數=圈13.19)
02.023.0(4.4=+ 若N A1=6Tx2P ，則輔助電源=11.4V
● 決定MOSFET 及二次側二極體的Stress(應力):
MOSFET(Q1) =最高輸入電壓(380V)+
()D V Vo Ns Np + =()5.03.32
44380++ =463.6V Diode(D5)=輸出電壓(Vo)+
Np Ns x 最高輸入電壓(380V) =38044
23.3x + =20.57V Diode(D4)=
)380()(2V x Np
Ns N A 最高輸入電壓輸出電壓+ =38044
46.6x +
=41.4V ● 其它:
因為輸出為3.3V ，而TL431的Vref 值為2.5V ，若
再加上photo coupler 上的壓降約1.2V ，將使得輸
出電壓無法推動Photo coupler 及TL431，所以必
須另外增加一組線圈提供迴授路徑所需的電壓。
假設N A2 = 4T 使用0.35ψ線，則
可繞圈數=()T 58.1103.035.04.4=+，所以可將N A2定為4Tx2P 228.3A A V N Ns = V V V A A 6.78.34222=?=
● Gauss x x x Gauss x NpxAe LpxIp B 3.311610086
.044737.01600)(100(max )===
● 變壓器的接線圖:
3.3 零件選用:
零件位置(標註)請參考線路圖: (DA-14B33 Schematic)
3.3.1 FS1:
由變壓器計算得到Iin 值，以此Iin 值(0.42A)可知使用公司共用料2A/250V ，設計時亦須考慮Pin(max)時的Iin 是否會超過保險絲的額定值。
3.3.2 TR1(熱敏電阻):
電源啟動的瞬間，由於C1(一次側濾波電容)短路，導致Iin 電流很大，雖然時間很短暫，但亦可能對Power 產生傷害，所以必須在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻，以限制開機瞬間Iin 在Spec 之內(115V/30A ，230V/60A)，但因熱敏電阻亦會消耗功率，所以不可放太大的阻值(否則會影響效率)，一般使用SCK053(3A/5Ω)，若C1電容使用較大的值，則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般使用在大瓦數的Power 上)。 0.32Φx1Px22T
0.32Φx1Px22T
0.35Φx2Px4T
0.35Φx4Px2T
0.23Φx2Px6T
3.3.3VDR1(突波吸收器):
當雷極發生時，可能會損壞零件，進而影響Power的正常動作，所
以必須在靠AC輸入端 (Fuse之後)，加上突波吸收器來保護
Power(一般常用07D471K)，但若有價格上的考量，可先忽略不裝。
3.3.4CY1，CY2(Y-Cap):
Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容，若AC Input有FG(3 Pin)一般使
用Y2- Cap ， AC Input若為2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，
Y1與Y2的差異，除了價格外(Y1較昂貴)，絕緣等級及耐壓亦不同
(Y1稱為雙重絕緣，絕緣耐壓約為Y2的兩倍，且在電容的本體上會
有“回”符號或註明Y1)，此電路因為有FG所以使用Y2-Cap，Y-Cap
會影響EMI特性，一般而言越大越好，但須考慮漏電及價格問題，
漏電(Leakage Current )必須符合安規須求(3Pin公司標準為750uA
max)。
3.3.5CX1(X-Cap)、RX1:
X-Cap為防制EMI零件，EMI可分為Conduction及Radiation兩部
分，Conduction規範一般可分為: FCC Part 15J Class B 、 CISPR
22(EN55022) Class B 兩種， FCC測試頻率在450K~30MHz，CISPR
22測試頻率在150K~30MHz， Conduction可在廠內以頻譜分析儀驗
證，Radiation 則必須到實驗室驗證，X-Cap 一般對低頻段(150K ~
數M之間)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈
好(但價格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安規規
定必須要有洩放電阻(RX1，一般為1.2MΩ 1/4W)。
3.3.6LF1(Common Choke):
EMI防制零件，主要影響Conduction 的中、低頻段，設計時必須
同時考慮EMI特性及溫昇，以同樣尺寸的Common Choke而言，線
圈數愈多(相對的線徑愈細)，EMI防制效果愈好，但溫昇可能較高。
3.3.7BD1(整流二極體):
將AC電源以全波整流的方式轉換為DC，由變壓器所計算出的Iin
值，可知只要使用1A/600V的整流二極體，因為是全波整流所以耐
壓只要600V即可。
3.3.8C1(濾波電容):
由C1的大小(電容值)可決定變壓器計算中的Vin(min)值，電容量
愈大，Vin(min)愈高但價格亦愈高，此部分可在電路中實際驗證
Vin(min)是否正確，若AC Input 範圍在90V~132V (Vc1 電壓最高
約190V)，可使用耐壓200V的電容;若AC Input 範圍在90V~264V(或
180V~264V)，因Vc1電壓最高約380V，所以必須使用耐壓400V的
電容。
3.3.9D2(輔助電源二極體):
整流二極體，一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V)，兩
者主要差異:
1.耐壓不同(在此處使用差異無所謂)
不同(FR105=1.2V，BYT42M=1.4V)
2.V
F
3.3.10 R10(輔助電源電阻):
主要用於調整PWM IC的VCC電壓，以目前使用的3843而言，設計
時VCC必須大於8.4V(Min. Load時)，但為考慮輸出短路的情況，
VCC電壓不可設計的太高，以免當輸出短路時不保護(或輸入瓦數過
大)。
3.3.11 C7(濾波電容):
輔助電源的濾波電容，提供PWM IC較穩定的直流電壓，一般使用
100uf/25V電容。
3.3.12 Z1(Zener 二極體):
當回授失效時的保護電路，回授失效時輸出電壓衝高，輔助電源電
壓相對提高，此時若沒有保護電路，可能會造成零件損壞，若在3843
VCC與3843 Pin3腳之間加一個Zener Diode，當回授失效時Zener
Diode會崩潰，使得Pin3腳提前到達1V，以此可限制輸出電壓，
達到保護零件的目的.Z1值的大小取決於輔助電源的高低，Z1的決
耐壓值，原則上使用公司的現有料(一定亦須考慮是否超過Q1的V
GS
般使用1/2W即可).
3.3.13 R2(啟動電阻):
提供3843第一次啟動的路徑，第一次啟動時透過R2對C7充電，
以提供3843 VCC所需的電壓，R2阻值較大時，turn on的時間較
長，但短路時Pin瓦數較小，R2阻值較小時，turn on的時間較短，
短路時Pin瓦數較大，一般使用220KΩ/2W M.O。.
3.3.14 R4 (Line Compensation):
高、低壓補償用，使3843 Pin3腳在90V/47Hz及264V/63Hz接近
一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W之間)。
3.3.15 R3，C6，D1 (Snubber):
此三個零件組成Snubber，調整Snubber的目的:1.當Q1 off瞬間
會有Spike產生，調整Snubber可以確保Spike不會超過Q1的耐
壓值，2.調整Snubber可改善EMI.一般而言，D1使用
1N4007(1A/1000V)EMI特性會較好.R3使用2W M.O.電阻，C6的耐
壓值以兩端實際壓差為準(一般使用耐壓500V的陶質電容)。
3.3.16 Q1(N-MOS):
較目前常使用的為3A/600V及6A/600V兩種，6A/600V的R
DS(ON)
電流未超過3A，應該先以3A/600V小，所以溫昇會較低，若I
DS
3A/600V為考量，並以溫昇記錄來驗證，因為6A/600V的價格高於
是否超過額定值。
3A/600V許多，Q1的使用亦需考慮V
DS
3.3.17 R8:
R8的作用在保護Q1，避免Q1呈現浮接狀態。
3.3.18 R7(Rs電阻):
3843 Pin3腳電壓最高為1V，R7的大小須與R4配合，以達到高低
壓平衡的目的，一般使用2W M.O.電阻，設計時先決定R7後再加上
R4補償，一般將3843 Pin3腳電壓設計在0.85V~0.95V之間(視瓦
數而定，若瓦數較小則不能太接近1V，以免因零件誤差而頂到1V)。
3.3.19 R5，C3(RC filter):
濾除3843 Pin3腳的雜訊，R5一般使用1KΩ 1/8W，C3一般使用
102P/50V的陶質電容，C3若使用電容值較小者，重載可能不開機(因
為3843 Pin3瞬間頂到1V);若使用電容值較大者，也許會有輕載不
開機及短路Pin過大的問題。
3.3.20 R9(Q1 Gate電阻 ):
R9電阻的大小，會影響到EMI及溫昇特性，一般而言阻值大，Q1 turn
on / turn off的速度較慢，EMI特性較好，但Q1的溫昇較高、效
率較低(主要是因為turn off速度較慢);若阻值較小， Q1 turn on
/ turn off的速度較快，Q1溫昇較低、效率較高，但EMI較差，
一般使用51Ω-150Ω 1/8W。
3.3.21 R6，C4(控制振盪頻率):
決定3843的工作頻率，可由Data Sheet得到R、C組成的工作頻
率，C4一般為10nf的電容(誤差為5%)，R6使用精密電阻，以
DA-14B33為例，C4使用103P/50V PE電容，R6為3.74KΩ1/8W精
密電阻，振盪頻率約為45 KHz。
3.3.22 C5:
功能類似RC filter，主要功用在於使高壓輕載較不易振盪，一般
使用101P/50V陶質電容。
3.3.23 U1(PWM IC):
3843是PWM IC的一種，由Photo Coupler (U2)回授信號控制Duty
Cycle的大小，Pin3腳具有限流的作用(最高電壓1V)，目前所用的
3843中，有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)兩種，兩者腳位相
同，但產生的振盪頻率略有差異，UC3843BN較KA3843快了約2KHz，
的增加會衍生出一些問題(例如:EMI問題、短路問題)，因KA3843
f
T
較難買，所以新機種設計時，儘量使用UC3843BN。
3.3.24 R1、R11、R12、C2(一次側迴路增益控制):
3843內部有一個Error AMP(誤差放大器)，R1、R11、R12、C2及
Error AMP組成一個負回授電路，用來調整迴路增益的穩定度，迴
路增益，調整不恰當可能會造成振盪或輸出電壓不正確，一般C2
使用立式積層電容(溫度持性較好)。
3.3.25 U2(Photo coupler)
光耦合器(Photo coupler)主要將二次側的信號轉換到一次側(以電
流的方式)，當二次側的TL431導通後，U2即會將二次側的電流依
比例轉換到一次側，此時3843由Pin6 (output)輸出off的信號(Low)
來關閉Q1，使用Photo coupler的原因，是為了符合安規需求
(primacy to secondary的距離至少需5.6mm)。
3.3.26 R13(二次側迴路增益控制):
控制流過Photo coupler的電流，R13阻值較小時，流過Photo
coupler的電流較大，U2轉換電流較大，迴路增益較快(需要確認
是否會造成振盪)，R13阻值較大時，流過Photo coupler的電流較
小，U2轉換電流較小，迴路增益較慢，雖然較不易造成振盪，但需
注意輸出電壓是否正常。
3.3.27 U3(TL431)、R15、R16、R18
調整輸出電壓的大小，
()
()16
//
15
18
16
//
13
R
R
R
R
R
x
Vref
Vo
+
=，輸出電壓不
可超過38V(因為TL431 V
KA
最大為36V，若再加Photo coupler的
V
F
值，則Vo應在38V以下較安全)，TL431的Vref為2.5V，R15及
R16並聯的目的使輸出電壓能微調，且R15與R16並聯後的值不可
太大(儘量在2KΩ以下)，以免造成輸出不準。
3.3.28 R14，C9(二次側迴路增益控制):
控制二次側的迴路增益，一般而言將電容放大會使增益變慢；電容
放小會使增益變快，電阻的特性則剛好與電容相反，電阻放大增益
變快；電阻放小增益變慢，至於何謂增益調整的最佳值，則可以
Dynamic load來量測，即可取得一個最佳值。
3.3.29 D4(整流二極體):
因為輸出電壓為 3.3V，而輸出電壓調整器(Output Voltage
Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V)，所以
必須多增加一組繞組提供Photo coupler及TL431所需的電源，因
為U2及U3所需的電流不大(約10mA左右)，二極體耐壓值100V即
可，所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。
3.3.30 C8(濾波電容):
因為U2及U3所需的電流不大，所以只要使用1u/50V即可。
3.3.31 D5(整流二極體):
輸出整流二極體，D5的使用需考慮:
a.電流值
b.二極體的耐壓值
以DA-14B33為例，輸出電流4A，使用10A的二極體(Schottky)應
該可以，但經點溫昇驗証後發現D5溫度偏高，所以必須換為15A
的二極體，因為10A的V
F 較15A的V
F
值大。耐壓部分40V經驗証
後符合，因此最後使用15A/40V Schottky。
3.3.32 C10，R17(二次側snubber) :
D5在截止的瞬間會有spike產生，若spike超過二極體(D5)的耐壓
值，二極體會有被擊穿的危險，調整snubber可適當的減少spike
的電壓值，除保護二極體外亦可改善EMI，R17一般使用1/2W的電
阻，C10一般使用耐壓500V的陶質電容，snubber調整的過程
(264V/63Hz)需注意R17,C10是否會過熱，應避免此種情況發生。
3.3.33 C11，C13(濾波電容):
二次側第一級濾波電容，應使用內阻較小的電容(LXZ，YXA…)，電
容選擇是否洽當可依以下三點來判定:
a.輸出Ripple電壓是符合規格
b.電容溫度是否超過額定值
c.電容值兩端電壓是否超過額定值
3.3.34 R19(假負載):
適當的使用假負載可使線路更穩定，但假負載的阻值不可太小，否
則會影響效率，使用時亦須注意是否超過電阻的額定值(一般設計
只使用額定瓦數的一半)。
3.3.35 L3，C12(LC濾波電路):
LC濾波電路為第二級濾波，在不影響線路穩定的情況下，一般會將
L3 放大(電感量較大)，如此C12可使用較小的電容值。
4設計驗証:(可分為三部分)
a.設計階段驗証
b.樣品製作驗証
c.QE驗証
4.1 設計階段驗証
設計實驗階段應該養成記錄的習慣，記錄可以驗証實驗結果是否與電氣規格相符，以下即就DA-14B33設計階段驗証做說明(驗証項目視規格而定)。
4.1.1 電氣規格驗証:
4.1.1.1 3843 PIN3腳電壓(full load 4A) :
90V/47Hz
= 0.83V 115V/60Hz
= 0.83V 132V/60Hz
= 0.83V 180V/60Hz
= 0.86V 230V/60Hz
= 0.88V 264V/63Hz
= 0.91V 4.1.1.2 Duty Cycle , f T : %
5.4735.2115.108.4647/90====Cycle Duty us
T us
ton KHz f Hz V T
%2.1535.2125.38.4660/264====Cycle Duty us
t us ton KHz
f Hz
V T 4.1.1.3
Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load) 4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) :
Q1 MOSFET:
D5:
D4:
4.1.1.5 輔助電源(開機，滿載)、短路Pin max.:
.)
(max 2.1)4(26.11)
0.18A(8.4V 47/90W A V Hz V ===短路滿載開機
.)
(max 8.8)4(26.11)
0.13A(8.4V 63/264W A V Hz V ===短路滿載開機
4.1.1.6
Static (full load)
Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff 90V/47Hz
18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7 115V/60Hz
18.6 0..31 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1 132V/60Hz
18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1 180V/60Hz
18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7 230V/60Hz
18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9 264V/60Hz
19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9
4.1.1.7
Full Range 負載(0.3A-4A) (驗証是否有振盪現象)
4.1.1.8 回授失效(輸出輕載)
90V/47Hz
Vout = 8.3V 264V/63Hz
Vout = 6.03V 4.1.1.9 O.C.P.(過電流保護)
90V/47Hz = 7.2A
264V/63Hz = 8.4A
90V/47Hz = OK 115V/60Hz = OK 132V/60Hz = OK 180V/60Hz = OK 230V/60Hz = OK 264V/63Hz = OK
4.1.1.10Pin(max.)
90V/47Hz = 24.9W
264V/63Hz = 27.1W
4.1.1.11Dynamic test
H=4A，t1=25ms，slew Rate = 0.8A/ms (Rise)
L=0.3A，t2=25ms，slew Rate = 0.8A/ms (Full)
90V/47Hz
264V/63Hz
4.1.1.12HI-POT test:
HI-POT test一般可分為兩種等級:
?輸入為3 Pin(有FG者)，HI-POT test為1500Vac/1
minute。Y-CAP使用Y2-CAP
?輸入為2 Pin(無FG者)，HI-POT test為3000Vac/1
minute。Y-CAP使用Y1-CAP
DA-14B33屬於輸入3 PIN HI-POT test 為1500Vac/1 minute。
4.1.1.13Grounding test:
輸入為3 Pin(有FG者)，一般均要測接地阻(Grounding
test)，安規規定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過
100mΩ(25A/3 Second)。
4.1.1.14溫昇記錄
設計實驗定案後(暫定)，需針對整體溫昇及EMI做評估，若溫
昇或EMI無法符合規格，則需重新實驗。溫昇記錄請參考附
件，D5原來使用BYV118(10A/40V Schottky)，因溫昇較高改
為PBYR1540CTX(15A/40V)。
4.1.1.15EMI測試:
EMI測試分為二類:
?Conduction(傳導干擾)
?Radiation(幅射干擾)
前者視規範不同而有差異(FCC : 450K - 30MHz，CISPR 22 :150K
- 30MHz)，前者可利用廠內的頻譜分析儀驗証；後者(範圍由
30M - 300MHz，則因廠內無設備必須到實驗室驗証，
Conduction，Radiation測試資料請參考附件) 。
4.1.1.16機構尺寸:
設計階段即應對機構尺寸驗証，驗証的項目包括 : PCB尺寸、
零件限高、零件禁置區、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸….，
若設計階段無法驗証，則必須在樣品階段驗証。
4.1.2樣品驗証:
樣品製作完成後，除溫昇記錄、EMI測試外(是否需重新驗証，視情
況而定)，每一台樣品都應經過驗証(包括電氣及機構尺寸)，此階段
的電氣驗証可以以ATE(Chroma)測試來完成，ATE測試必須與電氣規
格相符。
4.1.3QE驗証:
QE針對工程部所提供的樣品做驗証，工程部應提供以下交件及樣品
供QE驗証。
2000W开关电源协议书 -吴
协议书编号 技术合同 项目名称 2000W开关电源 委托方 （甲方） 承制方 （乙方） 2014年月日
1概述 依据《中华人民共和国合同法》的规定，协议双方就2000W开关电源的技术及其相关要求，经协商一致，签订本协议。 2技术要求 2.1环境条件 2.1.1工作温度：-20℃～+70℃。 2.1.2储存温度：-25℃～85℃。 2.1.3工作湿度20%-90%,无冷凝 2.1.4质保：三年 2.2输入电压 2.2.1额定输入电压：直流336+/-20V。 2.2.2输入电压范围：直流250V-420V。 2.2.3效率大于：大于88%(额定电压额定负载) 2.2.4限制输入冲击电流暂定100A(根据实际调试情况有变动) 2.2.5系统开机时间:≤500ms输出上升时间，是指系统工作以后，达到额定输出的时间. 2.3输出性能 2.3.1额定输出电压：直流14V。 输出电压可调范围：直流13.5V～14V，通过电源内部电位器做调整。 额定输出电流：不小于140A。输出电压纹波：≤100mV。(行业标准进行测试) 峰值电流160A 持续时间5分钟！ 输出过冲:＜5% 输出上升时间:＜200ms(系统开机是指高压接上后，电源芯片开始工作时间)
2.4保护特性： 过压保护：当输出电压大于18V时，过压锁定，故障解除后，重新上电可开机。（且输出高低电平状态给后级，低电平有效） 欠压保护：当输出电压小于9V时，欠压锁定，故障解除后，重新上电可开机。（且输出高低电平状态给后级，低电平有效） 过流保护：当输出电流大于160A时，电源过流保护，过流保护时电源工作在打嗝模式或锁死（且输出高低电平状态给后级，低电平有效） 短路保护：当输出短路时，电源保护无输出，故障解除后恢复工作。 过热保护：当散热器温度高于110℃±5℃时，过热保护，电源关闭无输出过温消失电源重新开始工作（且输出高低电平状态给后级，低电平有效） 输入欠压保护：250±10Vdc 输入欠压点恢复电压：＞260Vdc 输入电压过压保护：420±10Vdc 输入过压点恢复电压：＜410Vdc Enable功能：低电平有效控制输出，切断电源PWM工作. 2.5安全性能 2.5.1绝缘电阻：输入对输出、输入对机壳、输出对机壳的绝缘电阻大于10MΩ（DC500V）。2.5.2绝缘强度：输入对输出、输入对机壳施加AC1500V电压一分钟，测试漏电流10mA 、无飞弧、无击穿；输出对机壳施加DC510V电压一分钟，测试漏电流10mA，无飞弧、无击穿。 2.6冷却方式 采用强迫风冷的却方式散热。（防溅水防护级别，内部不灌胶，电源电路本身不做特殊处理，只是通过外壳做密封处理） 2.7结构要求 电源尺寸以适合设计为准，按长方形布局，或后期协商。交流输入及直流输出接线端子，以能承受相应电压和电流规格的接线插座为准或后期协商。 2.8接口定义 输入输出接口定义见表1
开关电源研发范例
1 目的 希望以简短的篇幅，将公司目前设计的流程做介绍，若有介绍不当之处，请不吝指教. 2 设计步骤: 2.1 绘线路图、PCB Layout. 2.2 变压器计算. 2.3 零件选用. 2.4 设计验证. 3 设计流程介绍(以DA-14B33为例): 3.1 线路图、PCB Layout 请参考资识库中说明. 3.2 变压器计算: 变压器是整个电源供应器的重要核心，所以变压器的计算及验证是很重要的，以下即就DA-14B33变压器做介绍. 3.2.1 决定变压器的材质及尺寸: 依据变压器计算公式 Gauss x NpxAe LpxIp B 100(max ) ? B(max) = 铁心饱合的磁通密度(Gauss) ? Lp = 一次侧电感值(uH)
? Ip = 一次侧峰值电流(A) ? Np = 一次侧(主线圈)圈数 ? Ae = 铁心截面积(cm 2) ? B(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定，以TDK Ferrite Core PC40为例，100℃时的B(max)为3900 Gauss ，设计时应考虑零件误差，所以一般取3000~3500 Gauss 之间，若所设计的power 为Adapter(有外壳)则应取3000 Gauss 左右，以避免铁心因高温而饱合，一般而言铁心的尺寸越大，Ae 越高，所以可以做较大瓦数的Power 。 3.2.2 决定一次侧滤波电容: 滤波电容的决定，可以决定电容器上的Vin(min)，滤波电容越大，Vin(win)越高，可以做较大瓦数的Power ，但相对价格亦较高。 3.2.3 决定变压器线径及线数: 当变压器决定后，变压器的Bobbin 即可决定，依据Bobbin 的槽宽，可决定变压器的线径及线数，亦可计算出线径的电流密度，电流密度一般以6A/mm 2为参考，电流密度对变压器的设计而言，只能当做参考值，最终应以温升记录为准。 3.2.4 决定Duty cycle (工作周期): 由以下公式可决定Duty cycle ，Duty cycle 的设计一般以50%为基准，Duty cycle 若超过50%易导致振荡的发生。 xD Vin D x V Vo Np Ns D (min))1()(-+=
开关电源类产品介绍
随着开关电源类产品的日益增多，电磁兼容设计成为开关电源开发过程中至关重要的一个环节，相应的电磁兼容标准也成为开关电源类产品必须满足的性能指标。高频开关电源是严重的电磁干扰源，很多情况下需对其安装EMI电源滤波器。传统的滤波器设计方法计算繁琐、设计过程复杂、研发时间长。为了提高滤波器性能和缩短开发时间，本文针对DC-DC开关电源介绍了一种简单且效果良好的滤波器设计方法。本文在阐述开关电源电磁干扰基本特点的基础上，提出了电源传导加固技术。文中阐述了EMI电源滤波器的基本原理、拓扑结构、设计原则和滤波器件的高频特性，分析了网络理论及其在EMI电源滤波器设计中的应用。本文以某一航空产品中的DC-DC开关电源项目为依托，设计EMI电源滤波器。通过了解开关电源需要满足的电磁兼容标准，测试分析其电磁干扰信号特点，提出滤波器性能指标。利用网络理论设计分析滤波电路，通过编程实现对滤波电路参数的设计。建立滤波器插入损耗仿真模型，编写仿真程序，对设计结果进行分析，最后通过实际测试，验证设计方法的J下确性。同时，在EMI电源滤波器设计的基础上，对滤波器进行了拓展功能的电路设计，主要针对开关动作所引起的浪涌电压。通过讨论应用于EMI电源滤波器中的软磁铁氧体材料的特性，提出了铁氧体磁芯的选择原则和应用方法，同时讨论了主要滤波器件的选择和设计。深入研究EMI电源滤波器在工程设计中的关键技术及滤波器封装技术，并提出封装过程测试方法及工程应用时安装使用应注意的主要问题。 随着开关电源的迅速发展和广泛应用,它们引起的电磁泄露和电磁辐射问题越来越严重。电源EMI滤波器作为开关电源的辅助器件,可以有效地抑制开关电源中的传导干扰。无源元件的高频非理想特性使无源EMI滤波器高频特性变差,而无源元件同样影响有源EMI滤波器的高频特性。因此对EMI滤波器高频特性的研究具有现实意义。对于无源EMI滤波器,本文研究了几种改善自感寄生参数的方法的有效性,分析了元件间的互感耦合和电容的自感寄生参数分别对π型共模滤波器的影响。提出利用部分互感耦合改善电容的自感寄生参数的优化措施。对于有源EMI滤波器,本文分析了一种有源EMI滤波器在分别连接纯电阻、感性和容性负载时的插损,分析了反馈环路中各个模块的作用和影响。最后,对有源EMI滤波器注入环节中的电容进行了改进,改善了它的高频特性。 本文首先介绍了利用傅立叶变换估算开关电源噪声频谱的方法,接着分别论
房地产项目合作开发协议书范本
编号：______________ 房地产项目合作开发协议书 甲方： _______________________ 乙方： _______________________ 签订日期： ___ 年____ 月_____ 日 甲方: 乙方： 本协议双方当事人本着自愿，公平的原则，经友好协商，就双方合作开发建设和销售商
住房项目达成如下协议，供双方遵守。 第一条、总则： 1.1经本协议当事人（以下简称本协议当事人）充分协商，本协议当事人决定由甲方全 权负责市县镇路号地块的拆迁，这些地块 达到整平并四周砌好围墙后，由本协议当事人按本协议的约定联合投资开发。拆迁地块、整平及砌围墙的费用由甲方承担。乙方全权负责合作项目的工程前期、工程营造、房屋销售、工程维修。 1.2本协议当事人双方同意设立房地产开发公司，该公司是本协议项 下合作项目（以下简称合作项目）的最高权力机构，由其全权负责合作项目的开发、决策和管理。该公司下设项目部具体负责合作项目实施。该公司设法人兼总经理1名，副总经理2名，工程部长1名，财务部长1名，综合部部长1名。 1.3工程前期的报批、对规划设计单位、工程监理单位、施工单位的选择和确定、工程的营造、工程款支付、工程的验收以及工程竣工后材料的备案、房屋的保修等事项由房地产开发公司统一管理。1.4这些地块的开发建设及销售模式经协议当事人协商可采用以下方式之一或组合的模 式： （1 ）将地块划成方块的方式出售。 （2）建设成商品房成品出售。 1.5该项目设立独立的财务帐户，费用的支取按本协议的约定统一拨付。 第二条、机构的设置和职责分工: 2.1为便于合作项目的开发、建设、管理，由本协议当事人乙方派员设立“”项目部（以下简称项目部），项目部全权负责合作项目的开发和管理。项目部下设综合部、工程前期部、工程部、销售部、财务部、工程予决算部等部门。 2.2项目部由人组成，乙方派员人。项目部设总经理1人（房地产开
开关电源各模块原理实图讲解
开关电源原理 一、开关电源的电路组成： 开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM F3、FDG1组成的电路进行保护。当加在压敏电阻两端的电压超过其工作电压时，其阻值 降低，使高压能量消耗在压敏电阻上，若电流过大，F1、F2、F3会烧毁保护后级电路。 ②输入滤波电路：C1、L1、C2、C3组成的双π型滤波网络主要是对输入电源的电磁噪声及 杂波信号进行抑制，防止对电源干扰，同时也防止电源本身产生的高频杂波对电网干扰。 当电源开启瞬间，要对C5充电，由于瞬间电流大，加RT1（热敏电阻）就能有效的防止浪 涌电流。因瞬时能量全消耗在RT1电阻上，一定时间后温度升高后RT1阻值减小（RT1是 负温系数元件），这时它消耗的能量非常小，后级电路可正常工作。 ③整流滤波电路：交流电压经BRG1整流后，经C5滤波后得到较为纯净的直流电压。若C5 容量变小，输出的交流纹波将增大。
时Q2导通。如果C8漏电或后级电路短路现象，在起机的瞬间电流在RT1上产生的压降增 大，Q1导通使Q2没有栅极电压不导通，RT1将会在很短的时间烧毁，以保护后级电路。 三、功率变换电路： 1、MOS管的工作原理：目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET（MOS管），是利用半导 体表面的电声效应进行工作的。也称为表面场效应器件。由于它的栅极处于不导电状态，所以输入电阻可以大大提高，最高可达105欧姆，MOS管是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 2、常见的原理图： 3、工作原理： R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器，和开关MOS管并接，使开关管电压应力减少，EMI减少，不发生二次击穿。在开关管Q1关断时，变压器的原边线圈易产生尖峰电压和尖峰电流，这些元件组合一起，能很好地吸收尖峰电压和电流。从R3测得的电流峰值信号参与当前工作周波的占空比控制，因此是当前工作周波的电流限制。当R5上的电压达到1V时，UC3842停止工作，开关管Q1立即关断。 R1和Q1中的结电容C GS、C GD一起组成RC网络，电容的充放电直接影响着开关管的开关速度。R1过小，易引起振荡，电磁干扰也会很大；R1过大，会降低开关管的开关速度。Z1通常将MOS管的GS电压限制在18V以下，从而保护了MOS管。 Q1的栅极受控电压为锯形波，当其占空比越大时，Q1导通时间越长，变压器所储存的能量
技术入股合伙协议书
技术入股合伙协议书 篇一:技术入股协议书 技术入股协议书 甲方: 乙方: 甲乙双方在平等自愿,互惠互利，协商一致的基础上，就乙方以其持有的产品技术出资的形式入股甲方一事达成本协议，以资遵照履行: 第一条:乙方以其所合法持有的产品技术，包括但不限于化工产品技术，以及其自身所掌握的化工技术及今后在此基础上开发的其他智力成果、技术方案作为无形资产入股甲方。 第二条:甲方现状: 甲方公司于年月成立，注册资金元，现有生产经营场地平方米，生产设备及技术，所有经营所需证明材料手续齐全并获多项荣誉，已拥有相当规模的市场准客户，各职能部门管理团队的织建和运作已趋完善，具有一定的品牌1 知名度，经营运作状况良好。 第三条:经甲乙双方以协商确定，以乙方持有的技术投资建设生产线一条，乙方技术入股后，取得甲方 %的股份。 第四条:乙方应及时办理权利转移手续，提供相关的技术资料，进行技术指导)传授技术诀窍，使该技术顺利转移给甲方并被甲方消化掌握，用于产品生产。 第五条:技术成果入股后，乙方取得股东地位，其技术由甲方享有所有权，新投资建设的生产线及其产品，进行财务独立，单独核算，按比例进行分红。 第六条:本协议签订后 90 日内，甲乙双方到工商部门办理股权变更手续。 第七条:本协议的期限以及甲乙双方关于公司股权质押、转让、赠与的限制通过《公司章程》另行约定。 第八条:乙方承诺遵守公司制度，在其岗位权限范围内发挥特长、履行职责和行使职权;并依据持有的股份份额，参与甲方管理、生产经营活动。 第九条:甲方承诺在本协议签订之前，甲方发生的债权、债务及民事、法律纠纷与乙方无关，由甲方及其股东自行承担。 第十条:甲方权利与义务
项目合作开发协议书
项目合作开发协议书 甲方：武汉市交通（集团） 乙方： 为了满足城市总体规划要求，充分发挥资源优势，甲乙双方协商一致，决定共同合作开发位于地段的项目，并就共同合作开发达成如下协议，共同遵守。 第一条、项目概况： 1、项目名称： 2、项目地点： 3、项目规模： 其中项目占地面㎡， 规划建筑面积㎡。 4、项目用途： 5、项目证件及所需手续： 第二条、项目合作形式： 1、甲、乙双方共同合作开发。 2、其中甲方以其所有的位于的土地使用㎡，土地使用权号）
出资：乙方出资人民币，买断该项目开发经营权，甲方收取固定回报。 第三条、合作期限： 自签约之日起至本项目销售完毕时止。 第四条、合作期间甲方的权利和义务： 1、提供建设项目的土地使用权，并在本协议鉴定之日起 月内完成有关部门办理建设用地批准书及用地规划许可证。 2、确保所提供的建设目的使用权属真实及无其它争议性；确保该土地使用权无其他所涉债务债权。 3、确保本建设项目的真实及无其它争议性；确保建设项目无其它与第三方纠纷。 4、负责办理本建设项目的立项、规划、设计、报建、协助办理、施工许可、确权及建筑施工用临时占道，用水、用电等其他开始建筑施工等所有所需要手续。并自行承担上述所需开工手续前的全部费用，该费用不计入本项合作甲方的投入内，由甲方另行解决。本项合作应在协议签订之日起月内完成。 5、负责办理项目地段上现有建筑物的全部拆迁手续。负责建筑物内现有办公场所，住户搬迁，安置补偿工作与全部拆迁工作，确保将该建筑项目用地完整、干净、无纠纷交乙方能施工建设，并自行承担完成上述拆迁工作所需的全部费用（包括拆迁安置补偿费），该费用不计入本项目合作甲方的投入内，由甲方另行解决。本项工作应在协议签订之日起月内完成
开关电源各种保护电路实例详细解剖
输入欠压保护电路 输入欠压保护电路一 1、概述（电路类别、实现主要功能描述）： 该电路属于输入欠压电路，当输入电压低于保护电压时拉低控制芯片的供电Vcc，从而关闭输出。 2、电路组成（原理图）： 3、工作原理分析(主要功能、性能指标及实现原理): 当电源输入电压高于欠压保护设定点时，A点电压高于U4的Vref，U4导通，B点电压为低电平，Q4导通，Vcc供电正常；当输入电压低于保护电压时，A 点电压低于U4的Vref，U4截止，B点电压为高电平，Q4截止，从而Vcc没 有电压，此时Vref也为低电平，当输入电压逐渐升高时，A点电压也逐渐升高，当高于U4的Vref，模块又正常工作。R4可以设定欠压保护点的回差。4、电路的优缺点 该电路的优点：电路简单，保护点精确 缺点：成本较高。 5、应用的注意事项： 使用时注意R1，R2的取值，有时候需要两个电阻并联才能得到需要的保护点。还需要注意R1，R2的温度系数，否则高低温时，欠压保护点相差较大。输入欠压保护电路二 1、概述（电路类别、实现主要功能描述）： 输入欠压保护电路。当输入电压低于设定欠压值时，关闭输出；当输入电压 升高到设定恢复值时，输出自动恢复正常。 2、电路组成（原理图）：
3、工作原理分析(主要功能、性能指标及实现原理): 输入电压在正常工作范围内时， Va大于VD4的稳压值，VT4导通，Vb为0电位，VT5截止，此时保护电路不起作用；当输入电压低于设定欠压值时，Va小于VD4的稳压值，VT4截止，Vb为高电位，VT5导通，将COMP（芯片的1脚）拉到0电位，芯片关闭输出，从而实现了欠压保护功 能。 R21、VT6、R23组成欠压关断、恢复时的回差电路。当欠压关断时,VT6导通，将R21与R2并联，；恢复时，VT6截止， ，回差电压即为(Vin’-Vin)。 4、电路的优缺点 优点：电路形式简单，成本较低。 缺点：因稳压管VD4批次间稳压值的差异，导致欠压保护点上下浮动，大批量生产时需经常调试相关参数。 5、应用的注意事项： VD4应该选温度系数较好的稳压管，需调试的元件如R2应考虑多个并联以方便调试。 输出过压保护电路 输出过压保护电路一 1、概述（电路类别、实现主要功能描述）：
直流电源技术协议
×燃气 发电项目直流系统订货 技 术 协 议
一、总则 依据双方意向，×煤气发电项目直流电源设备、蓄电池（蓄电池技术要求见附件一）及附属设备订货事宜，经买卖双方友好协商，买受方同意出卖方承担该整套设备的制造供货、运输、卸货、指导安装调试及技术服务和培训事项。除合同有关条款外，经双方授权代表进一步协商及明确，对设备技术方面确定如下协议： ）.本技术协议适用于发电工程×煤气发电项目直流电源设备及附属设备。对设备的功能、设计、结构、性能、安装和试验等方面提出技术要求。 ）买受方在本技术协议提出了最低限度的技术要求，并未规定所有的技术要求和适用的标准，出卖方将提供满足本技术协议和标准要求的高质量产品及其服务。对国家有关安全、环保等强制性标准，均满足其要求。 ）．出卖方将执行本技术协议所列标准及相应的国家和行业相关技术要求和适用的标准。有矛盾时，按较高标准执行。 ）．合同签定后按本技术协议的要求，出卖方将提出设备的设计、制造、检验试验、装配、安装、调试、试运、试验、运行和维护等标准清单给买受方，由买受方确认。 气象、地质条件
、 应遵循的主要现行标准 直流系统成套装置采用的所有设备及备品备件的设计、制造、检查、试验及特性都应遵照最新版标准和中国国家标准（标准）及国家电力行业标准（标准）。主要标准如下：(但不仅限于此) 低压直流电源设备特性及安全要求 火力发电厂、变电所直流系统设计技术规定 －交流电气装置的接地设计规范 低压直流开关设备 继电器及继电器保护装置基本试验方法 所有标准都应是最新版本，如标准间出现矛盾时，则按最高标准执行或按双方商定的标准执行。 防护等级： 工程条件 直流系统电压： 直流系统接线：单母线分段接线 蓄电池型式：阀控式密封铅酸蓄电池 蓄电池容量：待设计院确定 交流电源电压：％ 交流电源频率：％ 充电及浮充电装置技术协议 2.4.1 基本技术参数 型式：高频开关电源
开关电源类产品设计的安全规范
仅供参考[整理] 安全管理文书 开关电源类产品设计的安全规范 日期：__________________ 单位：__________________ 第1 页共14 页
开关电源类产品设计的安全规范 1.范围 1.1本规范规定了0公司户内使用、额定电压≤600V的开关电源类产品的设计安全要求，它包括参考标准资料、标志说明、一般要求和试验一般条件、电气技术参数规格、材料和结构、电气试验、机械试验、环境可靠性试验、包装、存放、出货和附录项内容。 1.2它主要以信息技术设备，包括电气事务设备及与之相关设备的安全标准为基础编写。 2.主要参考资料 2.1IEC60950-1999：信息技术设备的安全。 2.2IEC61000-4（所有系列）：电磁兼容--试验和测量技术。 2.3IEC61000-3-2-1998：电磁兼容第3部分：限值第2章低压电气及电子设备发出的谐波 电流限值（设备每相输入电流≤16A）。 2.4IEC61000-3-3-1998：电磁兼容第3部分：限值第3章标称电流≦16A的低压电气及电子设备的供电系统中电压波动和变化的限值。 2.5IEC60384-14-1993：电子设备用固定电容器第14部分：分规范拟制电源电磁干扰用固定电容器。 2.6CISPR22-1998：信息技术设备的无线电干扰特性的限值和测量方法。 2.7CISPR24-1997：信息技术设备的无线电抗干扰特性的限值和测量方法。 2.8IEC60695-10-2：1995：着火危险试验第10部分：减少着火对电子技术产品而引起的不正常发热效应的指南和试验方法第2部分： 第 2 页共 14 页
开关电源国内外研发状况及发展方向
国内外研发状况及发展方向 国内外开关电源的研发现状 自20世纪50年代，美国宇航局以小型化重量轻为目标而为搭载火箭开发首个开关电源以来，在半个多世纪的发展中，开关电源逐步取代了传统技术制造的相控稳压电源，并广泛应用于电子整机设备中。随着集成电路的发展，开关电源逐渐向集成化方向发展，趋于小型化和模块化。近20年来，集成开关电源沿两个方向发展。第一个方向是对开关电源的控制电路实现集成化。1977年国外首先研制成脉宽调制(PWM)控制器集成电路，美国Motorola公司、Silicon General 公司、Unitrode公司等相继推出一系列PWM芯片。近些年来，国外研制出开关频率达1MHz的高速PWM、PFM芯片。第二个方向是实现中、小功率开关电源单片集成化。1994年，美国电源集成公司(Power Integrations)在世界上率先研制成功三端隔离式PWM型单片开关电源，其属于AC/DC电源变换器。之后相继推出TOPSwitch、TOPSwitch-II、TOPSwitch-Fx、TOPSwitch-GX、PeakSwitch、LinkSwitch等系列产品。意-法半导体公司最近也开发出VIPer100、VIPer100A、VIPer100B等中、小功率单片电源系列产品，并得到广泛应用[1]。目前，单片开关电源已形成了几十个系列、数百种产品。单片开关电源自问世以来便显示出强大的生命力，其作为一项颇具发展前景和影响力的新产品，引起了国内外电源界的普遍关注。单片开关电源具有高集成度、高性价比、最简外围电路、最佳性能指标等特点，现己成为开发中小功率开关电源、精密开关电源及开关电源模块的优选集成电路。 与国外开关电源技术相比，国内从1977年才开始进入初步发展期，起步较晚、技术相对落后。目前国内DC/DC模块电源市场主要被国外品牌所占据，它们覆盖了大功率模块电源的大部分以及中小功率模块电源一半的市场。但是，随着国内技术的进步和生产规模的扩大，进口中小功率模块电源正在快速被国产DC/DC产品所代替。 开关电源的使用为国家节省了大量铜材、钢材和占地面积。由于变换效率提高，能耗减少，降低了电源周围环境的室温，改善了工作人员的环境。我国邮电通信部门广泛采用开关电源极大地推动了它在其它领域的广泛应用。值得指出的是，近两年来出现的电力系统直流操作电源，是针对国家投资4000亿元用于城网、农网的供电工程改造、提高输配电供电质量而推出的，它已开始采用开关电源以取代传统的相控电源。国内一些通信公司如中兴通讯等均已相继推出系列产品。目前，国内开关电源自主研发及生产厂家有300多家，形成规模的有十多家。国产开关电源已占据了相当市场，一些大公司如中兴通讯自主开发的电源系列产品已获得广泛认同，在电源市场竞争中颇具优势，并有少量开始出口。 开关电源的发展方向 目前市场上开关电源中功率管多采用双极型晶体管，开关频率可达几十千赫；采用MOSFET的开关电源转换频率可达几百千赫。为提高开关频率，必须采用高速开关器件。对于兆赫以上开关频率的电源可利用谐振电路，这种工作方式称为谐振开关方式。它可以极大地提高开关速度，理论上开关损耗为零，噪声也很小，这是提高开关电源工作频率的一种方式。采用谐振开关方式的兆赫级变换器已经实用化。开关电源的技术追求和发展趋势可以概括为以下四个方面。 一、小型化、薄型化、轻量化、高频化———开关电源的体积、重量主要是由储能元件（磁性元件和电容）决定的，因此开关电源的小型化实质上就是尽可
项目合作开发协议书(标准版)
Both parties jointly acknowledge and abide by their responsibilities and obligations and reach an agreed result. 甲方：___________________ 乙方：___________________ 时间：___________________ 项目合作开发协议书
编号：FS-DY-20126 项目合作开发协议书 甲方： 住所地： 法定代表人: 乙方： 住所地： 法定代表人： 甲、乙双方就甲方取得土地使用权，位于十堰市张湾区**********“*****花园”项目的合作开发事宜，经充分、友好的协商，本着互利互惠、诚实信用的原则，订立如下协议，以资双方共同遵守执行： 一、合作内容 合作项目位于十堰市张湾区**********，项目立项名称“*******花园”，占地面积*******平方米，经十堰市规划局批准，预计建设建筑面积为*******平方米的别墅，建筑密度
17.5％，容积率0.36％，绿化率51.3％（其中公共绿地面积********平方米）。 二、合作方式 1、甲方提供依法取得的国有土地使用权，乙方提供项目后续建设所需的土地、开发、报建、建筑、管理、营销等全部资金，预计投资资金为人民币***********元。在乙方投资款项全部到位的情况下，乙方享有“****花园”项目51％的开发经营权，甲方享有“*****花园”项目49％的开发经营权，并由双方按照该比例分享项目所获的利润。 2、甲乙双方确认，双方均以中小企业融资的进行投资，中小企业融资财务费用均按月息1％的标准进入项目成本核算。 3、乙方确认甲方前期已中小企业融资投入本金6800万元到合作项目上。 4、甲乙双方确认，乙方可以用甲方的产权、土地进行中小企业融资，但所融到的资金必须用在本合作项目，但不影响项目开发的前提下，必须优先偿还按开发经营权比例多出资本金的甲方投资。
几种实用的直流开关电源保护电路
几种实用的直流开关电源保护电路 1 引言 随着科学技术的发展，电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切，而电子设备都离不开可靠的电源，因此直流开关电源开始发挥着越来越重要的作用，并相继进入各种电子、电器设备领域，程控交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了直流开关电源[1-3].同时随着许多高新技术，包括高频开关技术、软开关技术、功率因数校正技术、同步整流技术、智能化技术、表面安装技术等技术的发展，开关电源技术在不断地创新，这为直流开关电源提供了广泛的发展空间[4].但是由于开关电源中控制电路比较复杂，晶体管和集成器件耐受电、热冲击的能力较差，在使用过程中给用户带来很大不便。为了保护开关电源自身和负载的安全，根据了直流开关电源的原理和特点，设计了过热保护、过电流保护、过电压保护以及软启动保护电路。 2 开关电源的原理及特点 2.1工作原理 直流开关电源由输入部分、功率转换部分、输出部分、控制部分组成。功率转换部分是开关电源的核心，它对非稳定直流进行高频斩波并完成输出所需要的变换功能。它主要由开关三极管和高频变压器组成。图1画出了直流开关电源的原理图及等效原理框图，它是由全波整流器，开关管V，激励信号，续流二极管Vp，储能电感和滤波电容C组成。实际上，直流
开关电源的核心部分是一个直流变压器。 2.2特点 为了适应用户的需求，国内外各大开关电源制造商都致力于同步开发新型高智能化的元器件，特别是通过改善二次整流器件的损耗，并在功率铁氧体（Mn-Zn）材料上加大科技创新，以提高在高频率和较大磁通密度下获得高的磁性能，同时SMT技术的应用使得开关电源取得了长足的进展，在电路板两面布置元器件，以确保开关电源的轻、小、薄。因此直流开关电源的发展趋势是高频、高可靠、低耗、低噪声、抗干扰和模块化。 直流开关电源的缺点是存在较为严重的开关干扰，适应恶劣环境和突发故障的能力较弱。由于国内微电子技术、阻容器件生产技术以及磁性材料技术与一些技术先进国家还有一定的差距，因此直流开关电源的制作技术难度大、维修麻烦和造价成本较高， 3 直流开关电源的保护 基于直流开关电源的特点和实际的电气状况，为使直流开关电源在恶劣环境及突发故障情况下安全可靠地工作，本文根据不同的情况设计了多
过保开关电源维修框架合同
过保开关电源维修框架合同 合同编号：JXSRS0900033ENY00 签订地点：江西省上饶市 第一章合同说明 1.1 根据《中华人民共和国合同法》等有关法律规定，甲乙双方遵循自愿、公 平、合法、诚信的原则签订本合同。 1.2 除双方另有约定外，甲乙双方之间任何与本合同相关的正式信函以及结 算，均使用并且只能使用本合同中甲、乙双方指定的地址和银行开户帐号。 1.3 1.2 条中甲乙任一方的名称、法定地址、汇款人、收款人若有变更，变更一方应至少提前十天前书面通知对方。该书面通知须加盖变更方公章并经该方授权代表签字确认。 第二章合同标的 2.1 甲方要求乙方承担的服务任务是甲方所辖范围（十一个县市分公司及信州区）所有过保开关电源硬件维修，具体品牌、型号及数量见附件。 2.2 乙方向甲方提供的硬件维修服务项目包括：远程电话支持、硬件回厂返修、现场技术支撑及操作培训。 2.3 远程电话支持的定义和描述。 2.3.1 定义：远程电话支持是指乙方提供电话、网络咨询服务。 2.3.2 服务方式：乙方通过电话或网络指导、解决一些简单故障的判断及恢复。 2.3.3 服务时间：24小时热线电话支持。具体联系人员名单及电话见附件3
2.4 硬件维修服务的定义和描述。 2.4.1 定义:硬件维修是指乙方对甲方故障件进行维修,达到甲方故障件故障 前各项指标，满足正常通信供电需求。 2.4.2 服务方式:由甲方将故障件邮寄至乙方指定地点。 2.4.3 服务时间:乙方接到故障件后七个工作日内修复返回（时间核算以乙方收到故障件起至乙方发出日期期间为准）。 2.4.4 邮寄方式：采用快件邮寄，往返途中时间控制在3-5天。 2.5 现场技术支撑及操作培训 2.5.1 定义:现场技术支撑是指在甲方无法判断故障所在,并且在乙方的电话支 持下也无法判断故障情况的前提下,乙方提供现场技术支持。现场操作培训是指乙方在现场技术支持中,有义务对甲方设备管理人员进行操作规范的讲解和演示,并对常见故障的判断和解决方法进行具体演示。 2.5.2 服务方式:乙方派技术人员前往甲方所在地现场服务,服务期间由甲方安排车辆及维护人员陪同，食宿由乙方自行负责。 2.5.3 服务时间:需要到现场技术支持的，乙方自接到甲方通知后24小时内赶到服务地点。 第三章合同价格 3.1乙方为甲方提供的维修费用按双方约定的指导价格执行，指导价不区分厂 家、品牌，只按故障件类型及容量区分。具体如下表所示： 备注：1、以上价格含故障件返修的单次邮寄费用。 2、现场支撑乙方按300.00元/天/人次收取差旅费，乙方应按照实际需要
(研发管理)开关电源研发范例
1 目的 希望以簡短的篇幅，將公司目前設計的流程做介紹，若有介紹不當之處，請不吝指教. 2 設計步驟: 2.1 繪線路圖、PCB Layout. 2.2 變壓器計算. 2.3 零件選用. 2.4 設計驗證. 3 設計流程介紹(以DA-14B33為例): 3.1 線路圖、PCB Layout 請參考資識庫中說明. 3.2 變壓器計算: 變壓器是整個電源供應器的重要核心，所以變壓器的計算及驗証是很重要的，以下即就DA-14B33變壓器做介紹. 3.2.1 決定變壓器的材質及尺寸: 依據變壓器計算公式 Gauss x NpxAe LpxIp B 100(max ) ? B(max) = 鐵心飽合的磁通密度(Gauss) ? Lp = 一次側電感值(uH) ? Ip = 一次側峰值電流(A) ? Np = 一次側(主線圈)圈數 ? Ae = 鐵心截面積(cm 2) ? B(max) 依鐵心的材質及本身的溫度來決定，以TDK Ferrite Core PC40為例，100℃時的B(max)為3900 Gauss ，設計時應考慮零件誤差，所以一般取3000~3500 Gauss 之間，若所設計的power 為Adapter(有外殼)則應取3000 Gauss 左右，以避免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae 越高，所以可以做較大瓦數的Power 。 3.2.2 決定一次側濾波電容: 濾波電容的決定，可以決定電容器上的Vin(min)，濾波電容越大，Vin(win)越高，可以做較大瓦數的Power ，但相對價格亦較高。 3.2.3 決定變壓器線徑及線數: 當變壓器決定後，變壓器的Bobbin 即可決定，依據Bobbin 的槽寬，可決定變壓器的線徑及線數，亦可計算出線徑的電流密度，電流密度一般以6A/mm 2為參考，電流密度對變壓器的設計
常用直流开关电源的保护电路设计
常用直流开关电源的保护电路设计 概述 随着科学技术的发展，电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切，而电子设备都离不开可靠的电源，因此直流开关电源开始发挥着越来越重要的作用，并相继进入各种电子、电器设备领域，程控交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了直流开关电源[1-3]。同时随着许多高新技术，包括高频开关技术、软开关技术、功率因数校正技术、同步整流技术、智能化技术、表面安装技术等技术的发展，开关电源技术在不断地创新，这为直流开关电源提供了广泛的发展空间。但是由于开关电源中控制电路比较复杂，晶体管和集成器件耐受电、热冲击的能力较差，在使用过程中给用户带来很大不便。为了保护开关电源自身和负载的安全，根据了直流开关电源的原理和特点，设计了过热保护、过电流保护、过电压保护以及软启动保护电路。 2 开关电源的原理及特点 2.1工作原理 直流开关电源由输入部分、功率转换部分、输出部分、控制部分组成。功率转换部分是开关电源的核心，它对非稳定直流进行高频斩波并完成输出所需要的变换功能。它主要由开关三极管和高频变压器组成。图1画出了直流开关电源的原理图及等效原理框图，它是由全波整流器，开关管V，激励信号，续流二极管Vp，储能电感和滤波电容C组成。实际上，直流开关电源的核心部分是一个直流变压器。 2.2特点 为了适应用户的需求，国内外各大开关电源制造商都致力于同步开发新型高智能化的元器件，特别是通过改善二次整流器件的损耗，并在功率铁氧体(Mn-Zn)材料上加大科技创新，以提高在高频率和较大磁通密度下获得高的磁性能，同时SMT技术的应用使得开关电源取得了长足的进展，在电路板两面布置元器件，以确保开关电源的轻、小、薄。因此直流开关电源的发展趋势是高频、高可靠、低耗、低噪声、抗干扰和模块化。 直流开关电源的缺点是存在较为严重的开关干扰，适应恶劣环境和突发故障的能力较弱。由于国内微电子技术、阻容器件生产技术以及磁性材料技术与一些技术先进国家还有一定的差距，因此直流开关电源的制作技术难度大、维修麻烦和造价成本较高， 3 直流开关电源的保护 基于直流开关电源的特点和实际的电气状况，为使直流开关电源在恶劣环境及突发故障情况下安全可靠地工作，本文根据不同的情况设计了多种保护电路。 3.1过电流保护电路
技术合作开发合同书通用模板——【范文】.doc
合同编号：技术合作开发合同书通用模板 甲方： 乙方： 签约时间： Word模板A4打印标准格式可随意修改
技术合作开发合同书通用模板 标准版技术合作开发合同 技术合作开发合同范本 项目名称： 甲方： 乙方： XX： 签订时间： 签订地点： 有效期限: 中华人民共和国科学技术部制 填写说明 一、本合同为中华人民共和国科学技术部制定的技术开发(合作)合同示范文本。 二、本合同书适用于当事人各方就共同进行新技术、新产品、新工艺、新材料或者新品种及其系统的研究开发所订立的技术开发合同。 三、本合同书未尽事项，可由当事人附页另行约定，并可作为本合同的组成部分。
四、当事人使用本合同书时约定无需填写的条款，应在该条款处注明无等字样。 技术开发(合作)合同 甲方： 住所地： 法定代表人： 项目联系人： 联系方式 通讯地址： 电话： 传真： 电子信箱： 乙方： 住所地： 法定代表人： 项目联系人： 联系方式
通讯地址： 电话： 传真： 电子信箱： XX： 住所地： 法定代表人： 项目联系人： 联系方式 通讯地址： 电话： 传真： 电子信箱： 本合同合作各方就共同参与研究开发
项目事项，经过平等协商，在真实、充分地表达各自意愿的基础上，根据《中华人民共和国合同法》的规定，达成如下协议，并由合作各方共同恪守。 第一条本合同合作研究开发项目的要求如下： 1.技术目标： 。 2.技术内容： 。 3.技术方法和路线： 。 第二条本合同合作各方在研究开发项目中，分工承担如下工作： 甲方： 1.研究开发内容： 。 2.工作进度：
。 3.研究开发期限： 。 4.研究开发地点：
开关电源保护电路实例详细分析
开关电源保护电路实例详细分析 输入欠压保护电路 1、输入欠压保护电路一 概述（电路类别、实现主要功能描述）： 该电路属于输入欠压电路，当输入电压低于保护电压时拉低控制芯片的供电Vcc，从而关闭输出。 电路组成（原理图）： 工作原理分析(主要功能、性能指标及实现原理): 当电源输入电压高于欠压保护设定点时，A点电压高于U4的Vref，U4导通，B点电压为低电平，Q4导通，Vcc供电正常；当输入电压低于保护电压时，A点电压低于U4的Vref，U4截止，B点电压为高电平，Q4截止，从而Vcc没有电压，此时Vref也为低电平，当输入电压逐渐升高时，A点电压也逐渐升高，当高于U4的Vref，模块又正常工作。R4可以设定欠压保护点的回差。 电路的优缺点 该电路的优点：电路简单，保护点精确 缺点：成本较高。 应用的注意事项： 使用时注意R1，R2的取值，有时候需要两个电阻并联才能得到需要的保护点。还需要注意R1，R2的温度系数，否则高低温时，欠压保护点相差较大。 2、输入欠压保护电路二 概述（电路类别、实现主要功能描述）： 输入欠压保护电路。当输入电压低于设定欠压值时，关闭输出；当输入电压升高到设定恢复值时，输出自动恢复正常。
电路组成（原理图）： 工作原理分析(主要功能、性能指标及实现原理): 输入电压在正常工作范围内时， Va大于VD4的稳压值，VT4导通，Vb为0电位，VT5截止，此时保护电路不起作用；当输入电压低于设定欠压值时，Va小于VD4的稳压值，VT4截止，Vb为高电位，VT5导通，将COMP（芯片的1脚）拉到0电位，芯片关闭输出，从而实现了欠压保护功能。 R21、VT6、R23组成欠压关断、恢复时的回差电路。当欠压关断时,VT6导通，将R21与R2并联， ；恢复时，VT6截止，， 回差电压即为(Vin’-Vin)。 电路的优缺点 优点：电路形式简单，成本较低。 缺点：因稳压管VD4批次间稳压值的差异，导致欠压保护点上下浮动，大批量生产时需经常调试相关参数。 应用的注意事项： VD4应该选温度系数较好的稳压管，需调试的元件如R2应考虑多个并联以方便调试 输出过压保护电路 1、输出过压保护电路一 概述（电路类别、实现主要功能描述）： 输出过压保护电路。当有高于正常输出电压范围的外加电压加到输出端或电路本身故障（开环或其他）导致输出电压高于稳压值时，此电路会将输出电压钳位在设定值。 电路组成（原理图）：
LED显示屏合同书1
LED显示屏合同书1 2010-04-24 11:39:48 作者：led006 来源：浏览次 数：995 网友评论 0 条 LED电子显示屏工程承揽合同书 定作方（以下简称甲方）： 承揽方（以下简称乙方）： 签约地点： 签约日期：年月日 一、总则 1、甲、乙双方经充分协商，就甲方委托乙方承接LED显示屏工程事宜，依据 LED电子显示屏工程承揽合同书 定作方（以下简称甲方）： 承揽方（以下简称乙方）： 签约地点： 签约日期：年月日 一、总则 1、甲、乙双方经充分协商，就甲方委托乙方承接LED显示屏工程事宜，依据《中华人民共和国合同法》， 一致同意签订本合同。 2、甲方提出LED显示屏工程的具体要求，乙方据此合同规定负责显示屏的设计、制作、安装、调试、培 训、维护等工作。甲方负责投资工程的总费用。 二、工程类型、费用构成 显示屏工程总费用为：元。大写：人民币 具体构成如下： 2、屏体外设、软件、工程等费用
3、若甲方中途变更承揽要求，造成乙方增加费用或遭受损失，则甲方相应提高工程总费用或赔偿乙方因 此遭受的损失。 三、软件要求 1、乙方向甲方提供一套专门设计的显示屏标准用户软件，可实现显示系统本身图文编辑、屏幕显示控制 等功能（不包括与外部数据链接）。标准用户软件由乙方提供，由乙方负责装机调试。 2、如果甲方对显示屏软件有特殊用途要求，并委托乙方研制开发时，应签订特殊软件协议（见附件一）。 3、为使乙方特殊软件开发研制工程顺利进行，甲方须在合同签订之日起一周内向乙方提供相关的技术资 料（如屏幕显示的格式、有关网络数据库和文件格式、通讯接口标准要求等）。 4、显示屏技术参数、显示功能等以本合同规定为准。 四、运输、安装、调试及培训 1、乙方负责（甲方协助）显示屏的运输、安装、调试及甲方操作人员的培训。 2、显示屏的安装方式、位置及外框种类及颜色，由甲方确认后执行（详见附件二）。 3、乙方承担的具体工作。 （1）显示屏由乙方所在地至甲方所在地的运输。 （2）显示屏的现场安装、调试。 （3）乙方应在显示屏右下角的边框或包边正面显著位置打上（******）公司标牌。否则工商部门会将显示屏判定为“三无产品”。 （4）对甲方操作人员的培训。 4、甲方承担的具体工作。 （1）及时提供显示屏安装的具体要求、安装场地的施工条件说明及通讯距离。
项目合作开发合同范本
项目合作开发合同范本 合作开发项目：____________________ 甲方：____________________________ 法定代表人：______________________ 法定地址：________________________ 邮政编码：________________________ 联系电话：________________________ 乙方：____________________________ 法定代表人:_______________________ 法定地址：________________________ 邮政编码：________________________ 联系电话：________________________ _____________年________月_______日 序文 鉴于甲方需要就_______技术项目与乙方进行合作研究开发；鉴于乙方愿意与甲方合作研究开发_______技术项目；根据《中华人民共和国合同法》的有关规定及其他相关法律法规的规定，双方经友好协商，同意就以下条款订立本合同，共同信守执行。 正文 第一条项目名称 1．1 本合同的合作开发项目名称为：（本合同所涉及到的技术标的项目的名称） 1．2 技术合同的项目名称应使用简明、准确的词句和语言反映出合同的技术特征和法律特征，并且项目名称一定要与内容相一致，尽量使用规范化的表述，如关于 ___________技术的合作开发合同。 第二条标的技术的内容、范围和要求 2．1 本合同的标的技术为：（甲乙双方共同合作研究开发所要完成的技术成果） 2．2 本合同的标的技术是订立合同时甲乙双方尚未掌握的、经过双方创造性劳动所获得的一套完整的技术方案，该技术成果应当具有创造性和新颖性。 2．3 甲乙双方应保证该技术成果具有创造性，即订立合同时该技术成果并不存在，而是经过双方创造性劳动，探索前人或他人未知领域中的发明创造项目，这种发明创造的项目，可以是世界上的新项目，也可以是国内首创的新项目，还可以是地区或行业中的新项目。